JP2796865B2 - 電気的接続部材の製造方法 - Google Patents
電気的接続部材の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、電気回路部品同士を電気的に接続する電気
的接続部材を製造する方法に関する。
的接続部材を製造する方法に関する。
近年、電気的接続部材の製造方法として、例えば特願
昭63−133401号に示されているような方法が挙げられ
る。
昭63−133401号に示されているような方法が挙げられ
る。
第３図はここに示されている製造方法の工程を示す断
面図である。まず、第３図（ａ）に示すように、金属シ
ート501を用意する。第３図（ｂ）に示すようにスピン
コータにより感光性樹脂505（ポリイミド樹脂（PI））
を金属シート501上に塗布し、100℃前後の温度でプリベ
イクを行う、次に、第３図（ｃ）に示すように、フォト
マスク（図示せず）を介して光（紫外線）を照射し、露
光を行った後現像を行う。このとき光にさらされた部分
にポリイミド樹脂505が残り、光にさらされていない部
分は現像によりポリイミド樹脂505が除去されて穴142が
形成される。その後、200〜400℃に加熱してポリイミド
樹脂505のイミド化を行う。
面図である。まず、第３図（ａ）に示すように、金属シ
ート501を用意する。第３図（ｂ）に示すようにスピン
コータにより感光性樹脂505（ポリイミド樹脂（PI））
を金属シート501上に塗布し、100℃前後の温度でプリベ
イクを行う、次に、第３図（ｃ）に示すように、フォト
マスク（図示せず）を介して光（紫外線）を照射し、露
光を行った後現像を行う。このとき光にさらされた部分
にポリイミド樹脂505が残り、光にさらされていない部
分は現像によりポリイミド樹脂505が除去されて穴142が
形成される。その後、200〜400℃に加熱してポリイミド
樹脂505のイミド化を行う。
次いで、第３図（ｄ）に示すように金属のエッチング
液中に金属シート501と金属シート501上のイミド化した
ポリイミド樹脂505とを入れ、穴142の底部及びその近傍
の金属シート501をエッチングして凹部502を形成する。
第３図（ｅ）に示すように金属シート501を共通電極と
して金メッキを行い、穴142,凹部502に金150を充填し、
バンプができるまで金メッキを続ける。最後に、第３図
（ｆ）に示すように金属シート501を金属のエッチング
により除去し電気的接続部材125を製造する。
液中に金属シート501と金属シート501上のイミド化した
ポリイミド樹脂505とを入れ、穴142の底部及びその近傍
の金属シート501をエッチングして凹部502を形成する。
第３図（ｅ）に示すように金属シート501を共通電極と
して金メッキを行い、穴142,凹部502に金150を充填し、
バンプができるまで金メッキを続ける。最後に、第３図
（ｆ）に示すように金属シート501を金属のエッチング
により除去し電気的接続部材125を製造する。
このように製造された電気的接続部材125において金1
50が電気的導電部材107を構成し、ポリイミド樹脂505が
保持体（電気的絶縁体）115を構成する。
50が電気的導電部材107を構成し、ポリイミド樹脂505が
保持体（電気的絶縁体）115を構成する。
電気的接続部材125における寸法は、ポリイミド樹脂5
05の厚みを約10μｍ、金150の柱状部の直径を約20μ
ｍ、導電部材107間のピッチを約40μｍ、金150（導電部
材107）の突出量を表裏面とも数μｍとした。
05の厚みを約10μｍ、金150の柱状部の直径を約20μ
ｍ、導電部材107間のピッチを約40μｍ、金150（導電部
材107）の突出量を表裏面とも数μｍとした。
電気的接続部材125の厚みの寸法は第３図（ｂ）と第
３図（ｆ）とでは異なる、これはポリイミド樹脂505の
硬化収縮反応に主に起因している。また、電気的接続部
材125のポリイミド樹脂505の開口径と開口ピッチとは、
第３図（ｃ）と第３図（ｆ）とでは異なる。この原因と
してはポリイミド樹脂505の硬化収縮反応と、さらに現
像工程後の加熱加工におけるポリイミド樹脂505と金属
シート501との熱膨脹係数の差等が考えられる。
３図（ｆ）とでは異なる、これはポリイミド樹脂505の
硬化収縮反応に主に起因している。また、電気的接続部
材125のポリイミド樹脂505の開口径と開口ピッチとは、
第３図（ｃ）と第３図（ｆ）とでは異なる。この原因と
してはポリイミド樹脂505の硬化収縮反応と、さらに現
像工程後の加熱加工におけるポリイミド樹脂505と金属
シート501との熱膨脹係数の差等が考えられる。
しかしながら、近来の電気的接続部材の製造方法にお
いては、以下に述べるような問題点を生ずることがある
という点で、更なる改良の余地があった。
いては、以下に述べるような問題点を生ずることがある
という点で、更なる改良の余地があった。
スピンコートにより電気的絶縁材料（ポリイミド樹
脂）を金属シートに塗布し、電気的接続部材の保持体を
形成するので、厚膜を形成することができない。また加
熱加工時に収縮したり、金属シートと熱膨腸係数が異な
るので残留応力を持ったりするため膜厚及びパターン寸
法の制御が難しい。
脂）を金属シートに塗布し、電気的接続部材の保持体を
形成するので、厚膜を形成することができない。また加
熱加工時に収縮したり、金属シートと熱膨腸係数が異な
るので残留応力を持ったりするため膜厚及びパターン寸
法の制御が難しい。
感光性ポリイミド樹脂は、PL−1100,1200（日立化成
工業（株）），フォトニース（東レ（株）），プロビミ
ド（Chiba Geigy），セレクティラックス（E.Merk），
リソコート（宇部興産（株））等があるが、すでにイミ
ド化されて市販されているポリイミド樹脂の種類と比較
するとその数は、まだまだ少なく材料の選択幅が小さ
い。また、その価格も非常に高価である。
工業（株）），フォトニース（東レ（株）），プロビミ
ド（Chiba Geigy），セレクティラックス（E.Merk），
リソコート（宇部興産（株））等があるが、すでにイミ
ド化されて市販されているポリイミド樹脂の種類と比較
するとその数は、まだまだ少なく材料の選択幅が小さ
い。また、その価格も非常に高価である。
感光性ポリイミド樹脂の金属シートと反対側の面に形
成されるバンプはポリイミド樹脂に穿たれた穴を通して
ポリイミド樹脂上まで金メッキを成長させ続けることに
より形成されるが、突出するバンプ高さを高くしようと
した際、横方向にも広がって隣合うバンプと短絡してし
まう。短絡しないようにバンプの間隔を広げると高密度
な電気回路部品（例えば半導体ICチップ）の接続を行う
ことができなくなる。つまり、突出するバンプの成長を
横方向に制限しないと、突出形状を制御できる範囲が狭
い。これは、電気回路部品の接続を行うことを目的とし
た電気的接続部材の製造方法として、比較的大きな問題
である。
成されるバンプはポリイミド樹脂に穿たれた穴を通して
ポリイミド樹脂上まで金メッキを成長させ続けることに
より形成されるが、突出するバンプ高さを高くしようと
した際、横方向にも広がって隣合うバンプと短絡してし
まう。短絡しないようにバンプの間隔を広げると高密度
な電気回路部品（例えば半導体ICチップ）の接続を行う
ことができなくなる。つまり、突出するバンプの成長を
横方向に制限しないと、突出形状を制御できる範囲が狭
い。これは、電気回路部品の接続を行うことを目的とし
た電気的接続部材の製造方法として、比較的大きな問題
である。
金属シートをウエットエッチングにてエッチングして
凹部を形成し、この凹部が、金属シート側に突出するバ
ンプ形状になるが、ウエットエッチングは等方性エッチ
ングのため金属シート側に突出するバンプの高さを高く
しようとした際、凹部を深くすると横方向にも広がり
（サイドエッチング）、隣合うバンプと短絡してしま
う。短絡しないようにバンプの間隔を広げると高密度な
電気回路部品（例えば半導体ICチップ）の接続を行うこ
とができなくなる。つまり、ウエットエッチングだけで
金属シートに凹部を形成しバンプの突出形状を制御しよ
うすると、制御できる範囲が狭い。これは、電気回路部
品の接続を行うことを目的とした電気的接続部材の製造
方法として、比較的大きな問題である。
凹部を形成し、この凹部が、金属シート側に突出するバ
ンプ形状になるが、ウエットエッチングは等方性エッチ
ングのため金属シート側に突出するバンプの高さを高く
しようとした際、凹部を深くすると横方向にも広がり
（サイドエッチング）、隣合うバンプと短絡してしま
う。短絡しないようにバンプの間隔を広げると高密度な
電気回路部品（例えば半導体ICチップ）の接続を行うこ
とができなくなる。つまり、ウエットエッチングだけで
金属シートに凹部を形成しバンプの突出形状を制御しよ
うすると、制御できる範囲が狭い。これは、電気回路部
品の接続を行うことを目的とした電気的接続部材の製造
方法として、比較的大きな問題である。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、高
エネルギビームを照射して保持体となる絶縁層に孔をあ
け、その孔に導電部材となる導電材料を充填することに
より、隣り同士で絶縁性を維持して狭いピッチにて導電
部材を充填でき、電気回路部品同士の高密度な接続を実
現できる電気的接続部材の製造を可能とすると共に、高
エネルギビームの照射により露出された基体の表面にエ
ッチングを施して底部における穴の径を広げておくこと
により、充填された導電部材の欠落を防止できる電気的
接続部材の製造を可能とする電気的接続部材の製造方法
を提供することを目的とする。
エネルギビームを照射して保持体となる絶縁層に孔をあ
け、その孔に導電部材となる導電材料を充填することに
より、隣り同士で絶縁性を維持して狭いピッチにて導電
部材を充填でき、電気回路部品同士の高密度な接続を実
現できる電気的接続部材の製造を可能とすると共に、高
エネルギビームの照射により露出された基体の表面にエ
ッチングを施して底部における穴の径を広げておくこと
により、充填された導電部材の欠落を防止できる電気的
接続部材の製造を可能とする電気的接続部材の製造方法
を提供することを目的とする。
本願に係る第１発明の電気的接続部材の製造方法は、
電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体中に互いに絶
縁状態にて備えられた複数の導電部材とを有し、前記各
導電部材の一端が前記保持体の一方の面において露出し
ており、前記各導電部材の他端が前記保持体の他方の面
において露出している電気的接続部材を製造する方法に
おいて、基体と、該基体に積層されて設けられるところ
の前記保持体となる絶縁層とを有する母材に対し前記絶
縁層側から高エネルギビームを照射して、複数の領域に
おいて前記絶縁層の全部と前記基体の一部とを除去し、
前記母材に複数の穴を形成する第１の工程と、形成され
た複数の穴に、前記絶縁層の面と面一またはこの面より
突出させて、前記導電部材となる導電材料を充填する第
２の工程と、前記基体を除去する第３の工程とを有する
ことを特徴とする。
電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体中に互いに絶
縁状態にて備えられた複数の導電部材とを有し、前記各
導電部材の一端が前記保持体の一方の面において露出し
ており、前記各導電部材の他端が前記保持体の他方の面
において露出している電気的接続部材を製造する方法に
おいて、基体と、該基体に積層されて設けられるところ
の前記保持体となる絶縁層とを有する母材に対し前記絶
縁層側から高エネルギビームを照射して、複数の領域に
おいて前記絶縁層の全部と前記基体の一部とを除去し、
前記母材に複数の穴を形成する第１の工程と、形成され
た複数の穴に、前記絶縁層の面と面一またはこの面より
突出させて、前記導電部材となる導電材料を充填する第
２の工程と、前記基体を除去する第３の工程とを有する
ことを特徴とする。
本願に係る第２発明の電気的接続部材の製造方法は、
第１発明において、前記第１の工程の後に、前記第１の
工程により露出した前記基体に対し前記第１の工程によ
って形成された穴の径より大きく隣合う穴の外周までの
距離の半分より小さい範囲にて、エッチングする工程を
有することを特徴とする。
第１発明において、前記第１の工程の後に、前記第１の
工程により露出した前記基体に対し前記第１の工程によ
って形成された穴の径より大きく隣合う穴の外周までの
距離の半分より小さい範囲にて、エッチングする工程を
有することを特徴とする。
本願の第１発明にあっては、基体に絶縁層を積層した
母材に対して高エネルギビームを照射し、複数の領域に
おいて絶縁層の全部と基体の一部とを除去して、互いに
連通しない複数の穴を形成する。次に母材に形成された
複数の穴に、絶縁層の面と面一またはこの面より突出さ
せて、導電材料を充填し、最後に基体を除去する。そう
すると、穴内に充填された導電材料は互いに絶縁された
状態であり、保持体（前記絶縁層）に複数の導電部材が
充填され、各導電部材の両端が露出された構成をなす電
気的接続部材が製造される。この際、高エネルギビーム
の照射により穴を形成するので、導電部材のピッチを微
細にすることができる。
母材に対して高エネルギビームを照射し、複数の領域に
おいて絶縁層の全部と基体の一部とを除去して、互いに
連通しない複数の穴を形成する。次に母材に形成された
複数の穴に、絶縁層の面と面一またはこの面より突出さ
せて、導電材料を充填し、最後に基体を除去する。そう
すると、穴内に充填された導電材料は互いに絶縁された
状態であり、保持体（前記絶縁層）に複数の導電部材が
充填され、各導電部材の両端が露出された構成をなす電
気的接続部材が製造される。この際、高エネルギビーム
の照射により穴を形成するので、導電部材のピッチを微
細にすることができる。
本願の第２発明にあっては、高エネルギビームの照射
による穴の形成後に、露出した基体の表面を、形成され
た穴の径より大きく隣合う穴の外周までの距離の半分よ
り小さい範囲にて、エッチングして、その一部を除去す
る。そうしておくと、導電材料をこの穴に充填した際
に、絶縁層（保持体）に埋設した部分より露出した部分
において導電材料（導電部材）の径が大きくなり、導電
部材の抜け落ちが防止される。
による穴の形成後に、露出した基体の表面を、形成され
た穴の径より大きく隣合う穴の外周までの距離の半分よ
り小さい範囲にて、エッチングして、その一部を除去す
る。そうしておくと、導電材料をこの穴に充填した際
に、絶縁層（保持体）に埋設した部分より露出した部分
において導電材料（導電部材）の径が大きくなり、導電
部材の抜け落ちが防止される。
以下、本発明をその実施例を示す図面に基づいて具体
的に説明する。
的に説明する。
第１図は本願に係る第１発明の製造工程を示す模式的
断面図である。まず、銅からなる基体１の片面にポリイ
ミド樹脂からなる絶縁層２を積層してなる母材３を準備
する（第１図（ａ））。母材３の製造方法は、絶縁層２
に対して基体１の金属材料を蒸着させることによっても
よく、メッキによってもよく、また両法を併用してもよ
い。また、基体１の片面に絶縁層２を形成するためのポ
リイミド樹脂を塗布してもかまわない。
断面図である。まず、銅からなる基体１の片面にポリイ
ミド樹脂からなる絶縁層２を積層してなる母材３を準備
する（第１図（ａ））。母材３の製造方法は、絶縁層２
に対して基体１の金属材料を蒸着させることによっても
よく、メッキによってもよく、また両法を併用してもよ
い。また、基体１の片面に絶縁層２を形成するためのポ
リイミド樹脂を塗布してもかまわない。
次いで、ポジ型マスク４を絶縁層２の上方におき、高
エネルギビームたるKrFエキシマレーザ光５を、絶縁層
２側から母材３に照射する（第１図（ｂ））。エキシマ
レーザ光５の光エネルギにより、照射された部分の絶縁
層２（ポリイミド樹脂）の分子が切り離され、基体１の
表面に達する複数の孔６が絶縁層２に形成される。基体
１の表面が露出されてもエキシマレーザ光５の照射を続
け、基体１の一部を除去して孔６に連通する穴７を基体
１に所定深さにて形成する（第１図（ｃ））。この際、
エキシマレーザ光５の１パルス当たりの照射エネルギと
基体１に対するエッチング速度とに応じてそのパルス数
を制御することにより、穴７の深さを調節する。
エネルギビームたるKrFエキシマレーザ光５を、絶縁層
２側から母材３に照射する（第１図（ｂ））。エキシマ
レーザ光５の光エネルギにより、照射された部分の絶縁
層２（ポリイミド樹脂）の分子が切り離され、基体１の
表面に達する複数の孔６が絶縁層２に形成される。基体
１の表面が露出されてもエキシマレーザ光５の照射を続
け、基体１の一部を除去して孔６に連通する穴７を基体
１に所定深さにて形成する（第１図（ｃ））。この際、
エキシマレーザ光５の１パルス当たりの照射エネルギと
基体１に対するエッチング速度とに応じてそのパルス数
を制御することにより、穴７の深さを調節する。
次に、基体１を共通電極として用いた金メッキによ
り、金からなる導電材料８を孔6,穴７に充填する（第１
図（ｄ））。この際、導電材料８の充填を、絶縁層２の
上面より突出するまで行い、突出した部分は金バンプ９
となる。最後に、絶縁層２及び導電材料８をエッチング
しないようなエッチング液を用いて、基体１をエッチン
グ除去して、電気的接続部材31を製造する（第１図
（ｅ））。
り、金からなる導電材料８を孔6,穴７に充填する（第１
図（ｄ））。この際、導電材料８の充填を、絶縁層２の
上面より突出するまで行い、突出した部分は金バンプ９
となる。最後に、絶縁層２及び導電材料８をエッチング
しないようなエッチング液を用いて、基体１をエッチン
グ除去して、電気的接続部材31を製造する（第１図
（ｅ））。
本実施例にあっては、製造された電気的接続部材31に
おいて、導電部材34は金からなり、保持体35はポリイミ
ド樹脂からなる。
おいて、導電部材34は金からなり、保持体35はポリイミ
ド樹脂からなる。
第２図は、本願の第２発明の製造工程を示す模式的断
面図である。第２図（ａ）〜第２図（ｃ）に示す工程
は、前述した第１発明における第１図（ａ）〜第１図
（ｃ）に示した工程と同じであるので、その説明は省略
する。エキシマレーザ光５の照射により、互いに連通す
る孔6,穴７を母材３に形成した（第２図（ｃ））後、露
出している基体１の表面に、絶縁層２をエッチングしな
いようなエッチング液を用いて、化学エッチングを施し
て、穴７を上下方向及び横方向に広げて穴10とする（第
２図（ｄ））。この際、横方向に広げる大きさは、隣合
う孔６の外周までの距離の半分より小さいこととする。
このように横方向の広がりを制御することにより、隣り
合う穴10同士が連通することはない。基体１に形成され
た穴10の径は、絶縁層２に形成された孔６の径より大き
くなる。化学エッチングの前に、エキシマレーザ光５の
照射により下方向に穴７を形成しておくので、化学エッ
チング後に形成される穴10は、横方向よりも下方向に大
きく広がった形状となる。
面図である。第２図（ａ）〜第２図（ｃ）に示す工程
は、前述した第１発明における第１図（ａ）〜第１図
（ｃ）に示した工程と同じであるので、その説明は省略
する。エキシマレーザ光５の照射により、互いに連通す
る孔6,穴７を母材３に形成した（第２図（ｃ））後、露
出している基体１の表面に、絶縁層２をエッチングしな
いようなエッチング液を用いて、化学エッチングを施し
て、穴７を上下方向及び横方向に広げて穴10とする（第
２図（ｄ））。この際、横方向に広げる大きさは、隣合
う孔６の外周までの距離の半分より小さいこととする。
このように横方向の広がりを制御することにより、隣り
合う穴10同士が連通することはない。基体１に形成され
た穴10の径は、絶縁層２に形成された孔６の径より大き
くなる。化学エッチングの前に、エキシマレーザ光５の
照射により下方向に穴７を形成しておくので、化学エッ
チング後に形成される穴10は、横方向よりも下方向に大
きく広がった形状となる。
次いで、基体１を共通電極として用いた金メッキによ
り、金からなる導電材料８を孔6,穴10に充填する（第２
図（ｅ））。この際、導電材料８の充填を、絶縁層２の
上面より突出するまで行い、突出する部分は金バンプ９
となる。また、充填される導電材料８の下部は穴10の形
状に合せた金バンプ11となる。最後に、絶縁層２及び導
電材料８をエッチングしないようなエッチング液を用い
て、基体１をエッチング除去し、保持体35と導電部材34
とから構成される電気的接続部材31を製造する（第２図
（ｆ））。
り、金からなる導電材料８を孔6,穴10に充填する（第２
図（ｅ））。この際、導電材料８の充填を、絶縁層２の
上面より突出するまで行い、突出する部分は金バンプ９
となる。また、充填される導電材料８の下部は穴10の形
状に合せた金バンプ11となる。最後に、絶縁層２及び導
電材料８をエッチングしないようなエッチング液を用い
て、基体１をエッチング除去し、保持体35と導電部材34
とから構成される電気的接続部材31を製造する（第２図
（ｆ））。
このようにして製造された電気的接続部材は、保持体
35（絶縁層２）に充填されている導電部材34（導電材料
８）の径よりも露出している導電部材34（金バンプ9,1
1）の径が大きいので、導電部材34が保持体35から欠落
することがなくなり、電気回路部品との接続を行った際
に、導電部材の欠落に伴う接続不良が発生しない、また
この第２発明では、導電部材ピッチが極小（30μｍ程
度）になっても十分な金バンプの突出量を有することが
できる。
35（絶縁層２）に充填されている導電部材34（導電材料
８）の径よりも露出している導電部材34（金バンプ9,1
1）の径が大きいので、導電部材34が保持体35から欠落
することがなくなり、電気回路部品との接続を行った際
に、導電部材の欠落に伴う接続不良が発生しない、また
この第２発明では、導電部材ピッチが極小（30μｍ程
度）になっても十分な金バンプの突出量を有することが
できる。
基体１に使用する金属の材質としては、実施例で用い
た銅（Cu）の他に、Au,Ag,Be,Ca,Mg,Mo,Ni,W,Fe,Ti,In,
Ta,Zn,Al,Sn,Pb−Sn等の金属または合金を使用できる。
また金属，合金以外であっても導電性を示すならば、金
属材料に有機材料または無機材料の一方あるいは両方を
含有せしめた材料を用いてもよい、更に、超電導性を示
すセラミックなどでもよい。
た銅（Cu）の他に、Au,Ag,Be,Ca,Mg,Mo,Ni,W,Fe,Ti,In,
Ta,Zn,Al,Sn,Pb−Sn等の金属または合金を使用できる。
また金属，合金以外であっても導電性を示すならば、金
属材料に有機材料または無機材料の一方あるいは両方を
含有せしめた材料を用いてもよい、更に、超電導性を示
すセラミックなどでもよい。
実施例では導電材料８として金を使用したが、金以外
の任意の金属または合金を使用できる。導電材料８は、
一種の金属及び合金から形成されていてもよいし、数種
類の金属及び合金を混合して形成されていてもよい。ま
た、金属材料に有機材料または無機材料の一方あるいは
両方を含有せしめた材料でもよい。なお導電材料８の断
面形状は、円形，四角形その他の形状とすることができ
るが、応力の過度の集中を避けるためには角がない形状
が望ましい。
の任意の金属または合金を使用できる。導電材料８は、
一種の金属及び合金から形成されていてもよいし、数種
類の金属及び合金を混合して形成されていてもよい。ま
た、金属材料に有機材料または無機材料の一方あるいは
両方を含有せしめた材料でもよい。なお導電材料８の断
面形状は、円形，四角形その他の形状とすることができ
るが、応力の過度の集中を避けるためには角がない形状
が望ましい。
実施例では絶縁層２としてポリイミド樹脂を用いた
が、エポキシ樹脂，シリコン樹脂等の他の有機樹脂材料
を使用してもよい。粉体，繊維，板状体，棒状体，球状
体等の所望の形状をなした、無機材料，金属材料，合金
材料の一種または複数種が、分散して含有されている有
機材料を用いてもよい。また無機材料を使用してもよ
く、粉体，繊維，板状体，棒状体，球状体等の所望の形
状をなした、有機材料，金属材料，合金材料の一種また
は複数種が、分散して含有されている無機材料を用いて
もよい。含有される金属材料，合金材料として具体的に
は、Au,Ag,Cu,Al,Be,Ca,Mg,Mo,Fe,Ni,Co,Mn,W,Cr,Nb,Z
r,Ti,Ta,Zn,Sn,Pb−Sn等があげられ、含有される無機材
料として、SiO2,B2O3,Al2O3,Na2O,K2O,CaO,ZnO,BaO,Pb
O,Sb2O3,As2O3,La2O3,ZrO2,P2O5,TiO2,MgO,SiC,BeO,BP,
BN,AlN,B4C,TaC,TiB2,CrB2,TiN,Si3N4,Ta2O5等のセラミ
ック，ダイヤモンド，ガラス，カーボンボロン等があげ
られる。
が、エポキシ樹脂，シリコン樹脂等の他の有機樹脂材料
を使用してもよい。粉体，繊維，板状体，棒状体，球状
体等の所望の形状をなした、無機材料，金属材料，合金
材料の一種または複数種が、分散して含有されている有
機材料を用いてもよい。また無機材料を使用してもよ
く、粉体，繊維，板状体，棒状体，球状体等の所望の形
状をなした、有機材料，金属材料，合金材料の一種また
は複数種が、分散して含有されている無機材料を用いて
もよい。含有される金属材料，合金材料として具体的に
は、Au,Ag,Cu,Al,Be,Ca,Mg,Mo,Fe,Ni,Co,Mn,W,Cr,Nb,Z
r,Ti,Ta,Zn,Sn,Pb−Sn等があげられ、含有される無機材
料として、SiO2,B2O3,Al2O3,Na2O,K2O,CaO,ZnO,BaO,Pb
O,Sb2O3,As2O3,La2O3,ZrO2,P2O5,TiO2,MgO,SiC,BeO,BP,
BN,AlN,B4C,TaC,TiB2,CrB2,TiN,Si3N4,Ta2O5等のセラミ
ック，ダイヤモンド，ガラス，カーボンボロン等があげ
られる。
実施例では高エネルギビームとしてKrFのエキシマレ
ーザ光を使用したが、これに限らず、基体１及び絶縁層
２を所望の大きさに除去するだけのエネルギを持つもの
であればよい。例えば、ArFのエキシマレーザ,CO2レー
ザ,YAGレーザ,N2レーザ,Arレーザ,Krレーザ等のレーザ
光、またイオンビームエッチング（IBE），フォーカス
トイオンビームエッチング（FIBE），スパッタエッチン
グ等のイオンビーム、放電による電気ビーム等がある
が、イオンビームによるものはサンプルを真空雰囲気に
しなければならず、また放電加工は微細な加工が比較的
難しいので、本発明に関してはレーザ光が最も適してい
る。
ーザ光を使用したが、これに限らず、基体１及び絶縁層
２を所望の大きさに除去するだけのエネルギを持つもの
であればよい。例えば、ArFのエキシマレーザ,CO2レー
ザ,YAGレーザ,N2レーザ,Arレーザ,Krレーザ等のレーザ
光、またイオンビームエッチング（IBE），フォーカス
トイオンビームエッチング（FIBE），スパッタエッチン
グ等のイオンビーム、放電による電気ビーム等がある
が、イオンビームによるものはサンプルを真空雰囲気に
しなければならず、また放電加工は微細な加工が比較的
難しいので、本発明に関してはレーザ光が最も適してい
る。
また、導電材料を充填する方法としてメッキ法を用い
ることとしたが、他の方法として、CVD（Chemical Vapo
r Deposition）による選択成長を行うこととしてもよ
い。CVD法により、導電材料を充填する場合には、母材
を構成する基体は導電材からなる必要はない。
ることとしたが、他の方法として、CVD（Chemical Vapo
r Deposition）による選択成長を行うこととしてもよ
い。CVD法により、導電材料を充填する場合には、母材
を構成する基体は導電材からなる必要はない。
以上詳述した如く第１発明では、高エネルギビームを
照射して保持体となる絶縁層に穴をあけ、その穴に導電
部材となる導電材料を充填するので、隣り同士で絶縁性
を維持して狭いピッチにて導電部材が備えられた電気的
接続部材を製造できる。従って、本発明にて製造した電
気的接続部材を用いて、電気回路部品間の高密度な接続
を実現できる。
照射して保持体となる絶縁層に穴をあけ、その穴に導電
部材となる導電材料を充填するので、隣り同士で絶縁性
を維持して狭いピッチにて導電部材が備えられた電気的
接続部材を製造できる。従って、本発明にて製造した電
気的接続部材を用いて、電気回路部品間の高密度な接続
を実現できる。
また、第２発明では、高エネルギビームの照射により
露出された基体の表面に化学エッチングを施して底部に
おける穴の径を広げておくこととするので、保持体より
露出した部分の径が保持体中にある部分の径より大きく
なるように導電部材を備えた電気的接続部材を製造で
き、充填された導電部材の欠落を完全に防止できる。
露出された基体の表面に化学エッチングを施して底部に
おける穴の径を広げておくこととするので、保持体より
露出した部分の径が保持体中にある部分の径より大きく
なるように導電部材を備えた電気的接続部材を製造で
き、充填された導電部材の欠落を完全に防止できる。
第１図は第１発明の製造工程を示す模式的断面図、第２
図は第２発明の製造工程を示す模式的断面図、第３図は
電気的接続部材の従来の製造方法を示す模式図である。 １……基体、２……絶縁層、３……母材、４……マスク
５……エキシマレーザ光、６……孔、7,10……穴８……
導電材料、9,11……金バンプ、31……電気的接続部材、
34……導電部材、35……保持体
図は第２発明の製造工程を示す模式的断面図、第３図は
電気的接続部材の従来の製造方法を示す模式図である。 １……基体、２……絶縁層、３……母材、４……マスク
５……エキシマレーザ光、６……孔、7,10……穴８……
導電材料、9,11……金バンプ、31……電気的接続部材、
34……導電部材、35……保持体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 豊秀 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 ▲榊▼ 隆 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 寺山 芳実 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ ヤノン株式会社内 (72)発明者 田村 洋一 東京都千代田区大手町１丁目１番３号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 岡林 高弘 東京都千代田区大手町１丁目１番３号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 近藤 和夫 東京都千代田区大手町１丁目１番３号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 中塚 康雄 東京都千代田区大手町１丁目１番３号 住友金属工業株式会社内 (72)発明者 池上 祐一 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号 住友金属工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭64−2208（ＪＰ，Ａ) 特開 昭52−115391（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) B23K 15/08 B23K 26/00 H01B 13/00 501 H01R 11/01 H01R 43/00
Claims (4)
- 【請求項１】電気的絶縁材からなる保持体と、該保持体
中に互いに絶縁状態にて備えられた複数の導電部材とを
有し、前記各導電部材の一端が前記保持体の一方の面に
おいて露出しており、前記各導電部材の他端が前記保持
体の他方の面において露出している電気的接続部材を製
造する方法において、 基体と、該基体に積層されて設けられるところの前記保
持体となる絶縁層とを有する母材に対し前記絶縁層側か
ら高エネルギビームを照射して、複数の領域において前
記絶縁層の全部と前記基体の一部とを除去し、前記母材
に複数の穴を形成する第１の工程と、 形成された複数の穴に、前記絶縁層の面と面一またはこ
の面より突出させて、前記導電部材となる導電材料を充
填する第２の工程と、 前記基体を除去する第３の工程と を有することを特徴とする電気的接続部材の製造方法。 - 【請求項２】前記第１の工程の後に、 前記第１の工程により露出した前記基体に対し前記第１
の工程によって形成された穴の径より大きく隣合う穴の
外周までの距離の半分より小さい範囲にて、エッチング
する工程 を有することを特徴とする請求項１記載の電気的接続部
材の製造方法。 - 【請求項３】前記基体として、前記導電部材となる導電
材料とは異なる導電材料を用いて形成された基体を用
い、前記高エネルギビームとしてレーザ光を用いること
を特徴とする請求項１記載の電気的接続部材の製造方
法。 - 【請求項４】前記基体として、前記導電部材となる導電
材料とは異なる導電材料を用いて形成された基体を用
い、前記エッチングとしてウエットエッチングを行うこ
とを特徴とする請求項２記載の電気的接続部材の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32173389A JP2796865B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電気的接続部材の製造方法 |
| US02/197,549 US5379515A (en) | 1989-12-11 | 1994-02-16 | Process for preparing electrical connecting member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32173389A JP2796865B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電気的接続部材の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03182081A JPH03182081A (ja) | 1991-08-08 |
| JP2796865B2 true JP2796865B2 (ja) | 1998-09-10 |
Family
ID=18135839
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32173389A Expired - Lifetime JP2796865B2 (ja) | 1989-12-11 | 1989-12-11 | 電気的接続部材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2796865B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| EP1976007B1 (en) | 2007-03-27 | 2017-11-29 | Fujifilm Corporation | Method of manufacture of anisotropically conductive member |
| JP2009132974A (ja) | 2007-11-30 | 2009-06-18 | Fujifilm Corp | 微細構造体 |
| JP5145110B2 (ja) | 2007-12-10 | 2013-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性接合パッケージの製造方法 |
| JP2009283431A (ja) | 2007-12-27 | 2009-12-03 | Fujifilm Corp | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP5253972B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2013-07-31 | 富士フイルム株式会社 | 構造体およびその製造方法 |
| JP5143045B2 (ja) | 2008-07-09 | 2013-02-13 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP5139906B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-02-06 | 富士フイルム株式会社 | 微細構造体およびその製造方法 |
| JP5164878B2 (ja) | 2009-02-17 | 2013-03-21 | 富士フイルム株式会社 | 異方導電性部材およびその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-11 JP JP32173389A patent/JP2796865B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03182081A (ja) | 1991-08-08 |
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