JPS58176931A - 素子の製造方法 - Google Patents

素子の製造方法

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Publication number
JPS58176931A
JPS58176931A JP57058280A JP5828082A JPS58176931A JP S58176931 A JPS58176931 A JP S58176931A JP 57058280 A JP57058280 A JP 57058280A JP 5828082 A JP5828082 A JP 5828082A JP S58176931 A JPS58176931 A JP S58176931A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
deep hole
fine
substrate
laser light
metallic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP57058280A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuzo Uenishi
上西 勝三
Yoshiaki Sano
佐野 芳明
Nagayasu Yamagishi
山岸 長保
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP57058280A priority Critical patent/JPS58176931A/ja
Publication of JPS58176931A publication Critical patent/JPS58176931A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体素子などの素子の製造方法に関する
ものである。
前記のような素子の製造に当って微細穴の周辺部に電極
用などの金属薄膜を形成したいことがある。しかし、従
来は、厚さく軸方向長さ)が100〜500μm程度で
穴径が20〜200μm程度の微細深穴周壁面への電極
金属薄膜の被着について、実用性のある適当な方法がな
かった。すなわち、従来技術で電極金属膜を被着しよう
とすると、第1図(a)に示すように、例えば金電極の
場合、超音波を加えながら無電解金メツキ液中に半導体
または絶縁物基板1を浸漬して微細な深穴1aの周辺部
を含む前記基板1の全面に金薄膜2を形成し、無電解金
メッキ液から基板1を引き上げた後、第1図(b)に示
すように、方向性を有するエツチング法例えばイオンミ
リング法によって基板lの表面および裏面の電極金属を
取シ除くことで、製造する。しかし、このような方法に
よって得られる電極は無電解メッキできる材料が制限さ
れ、また前述した方法は、微細な深穴へのメッキでは気
孔によって金薄膜が形成されない部分が発生するなど、
良好な金属薄膜の形成がむずかしく、とくにシリコン集
積回路素子のような微細な加工を必要とする領域には使
用できなかった。
この発明は、前述した事情にかんがみてなされたもので
、微細穴を有する基板にレーザ光またはイオンビームを
照射し、前記微細穴の内部または下方に配置した金属材
料を減圧雰囲気中で溶融させて、微細穴の周辺部に金属
薄膜を形成することによシ、厚さが100〜500μm
程度で穴径が20〜200μm程度の微細な深穴の周辺
部にだけ局部的に電極用などの金属薄膜を容易にしかも
確実に形成できる素子の製造方法を提供することを目的
としている。
以下、この発明の、実施例につき図面を参照して説明す
る。第2図社この発明の構成例を示し、レーザ光源3を
レンズ4で収束し、半導体または絶縁基板1の微細な深
入1a部に照射できるようにし、ま九前記基板1はX、
Y両方向に移動させて、複数の微細な深穴をレーザ光の
照射方向と対応さセ得るマニュプレータ5の上に搭載す
る。
第3図はこの発明の第1の実施例余水す。この実施例で
は、マニュプレータ5の上に被着したい電極材料金属板
6を載せ、この金属板6に半導体または絶縁物基板1を
載せる。この状態で、レンズ4で絞られた微細なレーザ
光を前記基板1の微細な深穴1a部に照射すると、前記
金属板6が溶融し、前記深穴1aの周辺部すなわち深穴
の周壁面に電極金I!4薄膜7を形成することができる
。この場合に、電極材料金属板6をアルミニウムにし走
時に、レーザ光源としてアルボくレーザ波長1000 
nm s出力4〜6w級のものを使用する。また、この
時、大気圧でレーザ光のエネルギで前記金属板6を溶融
しても、第3図に示すような形に微細な深穴1aの周壁
面に電極金属薄膜7を形成することはできないが、雰囲
気を1〜10  mmHgに減圧することによシ、溶融
した金属の平均自由行程が8μmから800μmになる
ので、雰囲気圧力を調整し、水素ガスまたは稀ガス中で
金属板6を溶融させることで、第3図に示す電極金属薄
膜7を形成することができる。
第4図はこの発明の第2の実施例を示す。この実施例で
は、第1の実施例の平板状の電極材料金属板6の代シに
、徽細な深穴1aの内部に微小金属粒8を入れ、半導体
ま喪は絶縁物基板1を放熱板9上に載せて、前述した第
1の実施例と同様なレーデ光の照射を行なう。
第5図はこの発明の第3の実施例を示す。この実施例で
は、雰囲気圧力を10  mmHg以下にして実施する
場合に、微細な深穴1aと同じ位置に、レーザ光が通る
大きさの穴10mをあけた蓋10を基板1上に載せて、
この基板1の前記深穴1a以外の部分を覆い、この状態
でレーザ光の照射を行なう。このようにすると、溶融し
た金属の平均自由行程が深穴1aの径の大きさに比べて
大きくな夛過ぎても、清浄な雰囲気中で、微細な深穴1
aの周壁面への電極金属薄膜の被着が可能である。なお
、この実施例の前述した以外の方法は第2の実施例と同
様であるから説明を省略する。
また、前述した各実施例において、電極金属薄膜の形成
以外の工程は、通常の半導体素子などの素子の製造方法
と同様であるから説明を省略する。
前述した実施例ではレーデ光を用いて金属材料を溶融さ
せたが、この発明はレーザ光に代えてイオンビームを用
いてもよい。また、金属材料として、前述した実施例の
アルミニウムに代えて、この発明では、金、白金、チタ
ンなどを用いることができる。
以上説明したように、この発明は、レーザ光またはイオ
ンビームエネルギを減圧下で金xi料に吸収させて済融
させるので、広範囲の金属材料で微細な深穴の周辺部に
金属薄膜を形成することができ、またレーデ光、イオン
ビームは微細なスポット状に絞ることができるので、厚
さが100〜500μm程度で穴径が20〜200μm
の微細な深穴にも、深穴の周辺部のみに品質のよい金属
薄膜を容易に形成できる効果があり、微細な深穴の周辺
部に電極を必要とする素子の製造に利用することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の方法を工程順に示す断面図、第2図はこ
の発明の詳細な説明するだめの構成図、第3図はこの発
明の第1の実施例による方法を説明するための断面図、
第4図および第5図はこの発明の第2および第3の実施
例による方法をそれぞれ説明するための断面図である。 1・・・半導体または絶縁物基板、1a・・・微細な深
穴、2・・・金?lJ[,3・・・レーザ光源、4・・
・レンズ、5・・・マニュプレータ、6・・・を極材料
金PA’&、 7・・・電値金属118・・・微小金属
粒、9・・・放熱板、10・・・蓋、10a・・・穴。 特許出願人 沖電気工業株式会社

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 微細穴を有する半導体または絶縁物基板にレーザ光また
    はイオンビームを照射し、前記微細穴の内部または下方
    に配置した金属材料を減圧雰囲気中で溶融させ、微細穴
    の周辺部に金属薄膜を形成することを特徴とする素子の
    製造方法。
JP57058280A 1982-04-09 1982-04-09 素子の製造方法 Pending JPS58176931A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP57058280A JPS58176931A (ja) 1982-04-09 1982-04-09 素子の製造方法

Applications Claiming Priority (1)

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JP57058280A JPS58176931A (ja) 1982-04-09 1982-04-09 素子の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58176931A true JPS58176931A (ja) 1983-10-17

Family

ID=13079769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP57058280A Pending JPS58176931A (ja) 1982-04-09 1982-04-09 素子の製造方法

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JP (1) JPS58176931A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5584956A (en) * 1992-12-09 1996-12-17 University Of Iowa Research Foundation Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate
US7658942B2 (en) 2000-04-12 2010-02-09 The Procter & Gamble Company Cosmetic devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5584956A (en) * 1992-12-09 1996-12-17 University Of Iowa Research Foundation Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate
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