JPS58176931A - 素子の製造方法 - Google Patents
素子の製造方法Info
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- JPS58176931A JPS58176931A JP57058280A JP5828082A JPS58176931A JP S58176931 A JPS58176931 A JP S58176931A JP 57058280 A JP57058280 A JP 57058280A JP 5828082 A JP5828082 A JP 5828082A JP S58176931 A JPS58176931 A JP S58176931A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子などの素子の製造方法に関する
ものである。
ものである。
前記のような素子の製造に当って微細穴の周辺部に電極
用などの金属薄膜を形成したいことがある。しかし、従
来は、厚さく軸方向長さ）が１００〜５００μｍ程度で
穴径が２０〜２００μｍ程度の微細深穴周壁面への電極
金属薄膜の被着について、実用性のある適当な方法がな
かった。すなわち、従来技術で電極金属膜を被着しよう
とすると、第１図（ａ）に示すように、例えば金電極の
場合、超音波を加えながら無電解金メツキ液中に半導体
または絶縁物基板１を浸漬して微細な深穴１ａの周辺部
を含む前記基板１の全面に金薄膜２を形成し、無電解金
メッキ液から基板１を引き上げた後、第１図（ｂ）に示
すように、方向性を有するエツチング法例えばイオンミ
リング法によって基板ｌの表面および裏面の電極金属を
取シ除くことで、製造する。しかし、このような方法に
よって得られる電極は無電解メッキできる材料が制限さ
れ、また前述した方法は、微細な深穴へのメッキでは気
孔によって金薄膜が形成されない部分が発生するなど、
良好な金属薄膜の形成がむずかしく、とくにシリコン集
積回路素子のような微細な加工を必要とする領域には使
用できなかった。
用などの金属薄膜を形成したいことがある。しかし、従
来は、厚さく軸方向長さ）が１００〜５００μｍ程度で
穴径が２０〜２００μｍ程度の微細深穴周壁面への電極
金属薄膜の被着について、実用性のある適当な方法がな
かった。すなわち、従来技術で電極金属膜を被着しよう
とすると、第１図（ａ）に示すように、例えば金電極の
場合、超音波を加えながら無電解金メツキ液中に半導体
または絶縁物基板１を浸漬して微細な深穴１ａの周辺部
を含む前記基板１の全面に金薄膜２を形成し、無電解金
メッキ液から基板１を引き上げた後、第１図（ｂ）に示
すように、方向性を有するエツチング法例えばイオンミ
リング法によって基板ｌの表面および裏面の電極金属を
取シ除くことで、製造する。しかし、このような方法に
よって得られる電極は無電解メッキできる材料が制限さ
れ、また前述した方法は、微細な深穴へのメッキでは気
孔によって金薄膜が形成されない部分が発生するなど、
良好な金属薄膜の形成がむずかしく、とくにシリコン集
積回路素子のような微細な加工を必要とする領域には使
用できなかった。
この発明は、前述した事情にかんがみてなされたもので
、微細穴を有する基板にレーザ光またはイオンビームを
照射し、前記微細穴の内部または下方に配置した金属材
料を減圧雰囲気中で溶融させて、微細穴の周辺部に金属
薄膜を形成することによシ、厚さが１００〜５００μｍ
程度で穴径が２０〜２００μｍ程度の微細な深穴の周辺
部にだけ局部的に電極用などの金属薄膜を容易にしかも
確実に形成できる素子の製造方法を提供することを目的
としている。
、微細穴を有する基板にレーザ光またはイオンビームを
照射し、前記微細穴の内部または下方に配置した金属材
料を減圧雰囲気中で溶融させて、微細穴の周辺部に金属
薄膜を形成することによシ、厚さが１００〜５００μｍ
程度で穴径が２０〜２００μｍ程度の微細な深穴の周辺
部にだけ局部的に電極用などの金属薄膜を容易にしかも
確実に形成できる素子の製造方法を提供することを目的
としている。
以下、この発明の、実施例につき図面を参照して説明す
る。第２図社この発明の構成例を示し、レーザ光源３を
レンズ４で収束し、半導体または絶縁基板１の微細な深
入１ａ部に照射できるようにし、ま九前記基板１はＸ、
Ｙ両方向に移動させて、複数の微細な深穴をレーザ光の
照射方向と対応さセ得るマニュプレータ５の上に搭載す
る。
る。第２図社この発明の構成例を示し、レーザ光源３を
レンズ４で収束し、半導体または絶縁基板１の微細な深
入１ａ部に照射できるようにし、ま九前記基板１はＸ、
Ｙ両方向に移動させて、複数の微細な深穴をレーザ光の
照射方向と対応さセ得るマニュプレータ５の上に搭載す
る。
第３図はこの発明の第１の実施例余水す。この実施例で
は、マニュプレータ５の上に被着したい電極材料金属板
６を載せ、この金属板６に半導体または絶縁物基板１を
載せる。この状態で、レンズ４で絞られた微細なレーザ
光を前記基板１の微細な深穴１ａ部に照射すると、前記
金属板６が溶融し、前記深穴１ａの周辺部すなわち深穴
の周壁面に電極金Ｉ！４薄膜７を形成することができる
。この場合に、電極材料金属板６をアルミニウムにし走
時に、レーザ光源としてアルボくレーザ波長１０００
ｎｍ ｓ出力４〜６ｗ級のものを使用する。また、この
時、大気圧でレーザ光のエネルギで前記金属板６を溶融
しても、第３図に示すような形に微細な深穴１ａの周壁
面に電極金属薄膜７を形成することはできないが、雰囲
気を１〜１０ ｍｍＨｇに減圧することによシ、溶融
した金属の平均自由行程が８μｍから８００μｍになる
ので、雰囲気圧力を調整し、水素ガスまたは稀ガス中で
金属板６を溶融させることで、第３図に示す電極金属薄
膜７を形成することができる。
は、マニュプレータ５の上に被着したい電極材料金属板
６を載せ、この金属板６に半導体または絶縁物基板１を
載せる。この状態で、レンズ４で絞られた微細なレーザ
光を前記基板１の微細な深穴１ａ部に照射すると、前記
金属板６が溶融し、前記深穴１ａの周辺部すなわち深穴
の周壁面に電極金Ｉ！４薄膜７を形成することができる
。この場合に、電極材料金属板６をアルミニウムにし走
時に、レーザ光源としてアルボくレーザ波長１０００
ｎｍ ｓ出力４〜６ｗ級のものを使用する。また、この
時、大気圧でレーザ光のエネルギで前記金属板６を溶融
しても、第３図に示すような形に微細な深穴１ａの周壁
面に電極金属薄膜７を形成することはできないが、雰囲
気を１〜１０ ｍｍＨｇに減圧することによシ、溶融
した金属の平均自由行程が８μｍから８００μｍになる
ので、雰囲気圧力を調整し、水素ガスまたは稀ガス中で
金属板６を溶融させることで、第３図に示す電極金属薄
膜７を形成することができる。
第４図はこの発明の第２の実施例を示す。この実施例で
は、第１の実施例の平板状の電極材料金属板６の代シに
、徽細な深穴１ａの内部に微小金属粒８を入れ、半導体
ま喪は絶縁物基板１を放熱板９上に載せて、前述した第
１の実施例と同様なレーデ光の照射を行なう。
は、第１の実施例の平板状の電極材料金属板６の代シに
、徽細な深穴１ａの内部に微小金属粒８を入れ、半導体
ま喪は絶縁物基板１を放熱板９上に載せて、前述した第
１の実施例と同様なレーデ光の照射を行なう。
第５図はこの発明の第３の実施例を示す。この実施例で
は、雰囲気圧力を１０ ｍｍＨｇ以下にして実施する
場合に、微細な深穴１ａと同じ位置に、レーザ光が通る
大きさの穴１０ｍをあけた蓋１０を基板１上に載せて、
この基板１の前記深穴１ａ以外の部分を覆い、この状態
でレーザ光の照射を行なう。このようにすると、溶融し
た金属の平均自由行程が深穴１ａの径の大きさに比べて
大きくな夛過ぎても、清浄な雰囲気中で、微細な深穴１
ａの周壁面への電極金属薄膜の被着が可能である。なお
、この実施例の前述した以外の方法は第２の実施例と同
様であるから説明を省略する。
は、雰囲気圧力を１０ ｍｍＨｇ以下にして実施する
場合に、微細な深穴１ａと同じ位置に、レーザ光が通る
大きさの穴１０ｍをあけた蓋１０を基板１上に載せて、
この基板１の前記深穴１ａ以外の部分を覆い、この状態
でレーザ光の照射を行なう。このようにすると、溶融し
た金属の平均自由行程が深穴１ａの径の大きさに比べて
大きくな夛過ぎても、清浄な雰囲気中で、微細な深穴１
ａの周壁面への電極金属薄膜の被着が可能である。なお
、この実施例の前述した以外の方法は第２の実施例と同
様であるから説明を省略する。
また、前述した各実施例において、電極金属薄膜の形成
以外の工程は、通常の半導体素子などの素子の製造方法
と同様であるから説明を省略する。
以外の工程は、通常の半導体素子などの素子の製造方法
と同様であるから説明を省略する。
前述した実施例ではレーデ光を用いて金属材料を溶融さ
せたが、この発明はレーザ光に代えてイオンビームを用
いてもよい。また、金属材料として、前述した実施例の
アルミニウムに代えて、この発明では、金、白金、チタ
ンなどを用いることができる。
せたが、この発明はレーザ光に代えてイオンビームを用
いてもよい。また、金属材料として、前述した実施例の
アルミニウムに代えて、この発明では、金、白金、チタ
ンなどを用いることができる。
以上説明したように、この発明は、レーザ光またはイオ
ンビームエネルギを減圧下で金ｘｉ料に吸収させて済融
させるので、広範囲の金属材料で微細な深穴の周辺部に
金属薄膜を形成することができ、またレーデ光、イオン
ビームは微細なスポット状に絞ることができるので、厚
さが１００〜５００μｍ程度で穴径が２０〜２００μｍ
の微細な深穴にも、深穴の周辺部のみに品質のよい金属
薄膜を容易に形成できる効果があり、微細な深穴の周辺
部に電極を必要とする素子の製造に利用することができ
る。
ンビームエネルギを減圧下で金ｘｉ料に吸収させて済融
させるので、広範囲の金属材料で微細な深穴の周辺部に
金属薄膜を形成することができ、またレーデ光、イオン
ビームは微細なスポット状に絞ることができるので、厚
さが１００〜５００μｍ程度で穴径が２０〜２００μｍ
の微細な深穴にも、深穴の周辺部のみに品質のよい金属
薄膜を容易に形成できる効果があり、微細な深穴の周辺
部に電極を必要とする素子の製造に利用することができ
る。
第１図は従来の方法を工程順に示す断面図、第２図はこ
の発明の詳細な説明するだめの構成図、第３図はこの発
明の第１の実施例による方法を説明するための断面図、
第４図および第５図はこの発明の第２および第３の実施
例による方法をそれぞれ説明するための断面図である。 １・・・半導体または絶縁物基板、１ａ・・・微細な深
穴、２・・・金？ｌＪ［，３・・・レーザ光源、４・・
・レンズ、５・・・マニュプレータ、６・・・を極材料
金ＰＡ’＆、 ７・・・電値金属１１８・・・微小金属
粒、９・・・放熱板、１０・・・蓋、１０ａ・・・穴。 特許出願人 沖電気工業株式会社
の発明の詳細な説明するだめの構成図、第３図はこの発
明の第１の実施例による方法を説明するための断面図、
第４図および第５図はこの発明の第２および第３の実施
例による方法をそれぞれ説明するための断面図である。 １・・・半導体または絶縁物基板、１ａ・・・微細な深
穴、２・・・金？ｌＪ［，３・・・レーザ光源、４・・
・レンズ、５・・・マニュプレータ、６・・・を極材料
金ＰＡ’＆、 ７・・・電値金属１１８・・・微小金属
粒、９・・・放熱板、１０・・・蓋、１０ａ・・・穴。 特許出願人 沖電気工業株式会社
Claims (1)
- 微細穴を有する半導体または絶縁物基板にレーザ光また
はイオンビームを照射し、前記微細穴の内部または下方
に配置した金属材料を減圧雰囲気中で溶融させ、微細穴
の周辺部に金属薄膜を形成することを特徴とする素子の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058280A JPS58176931A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57058280A JPS58176931A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58176931A true JPS58176931A (ja) | 1983-10-17 |
Family
ID=13079769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57058280A Pending JPS58176931A (ja) | 1982-04-09 | 1982-04-09 | 素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58176931A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584956A (en) * | 1992-12-09 | 1996-12-17 | University Of Iowa Research Foundation | Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate |
| US7658942B2 (en) | 2000-04-12 | 2010-02-09 | The Procter & Gamble Company | Cosmetic devices |
-
1982
- 1982-04-09 JP JP57058280A patent/JPS58176931A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5584956A (en) * | 1992-12-09 | 1996-12-17 | University Of Iowa Research Foundation | Method for producing conductive or insulating feedthroughs in a substrate |
| US7658942B2 (en) | 2000-04-12 | 2010-02-09 | The Procter & Gamble Company | Cosmetic devices |
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