JPH0792235A - 半導体装置及びその遅延時間測定方法 - Google Patents

半導体装置及びその遅延時間測定方法

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JPH0792235A
JPH0792235A JP5261694A JP26169493A JPH0792235A JP H0792235 A JPH0792235 A JP H0792235A JP 5261694 A JP5261694 A JP 5261694A JP 26169493 A JP26169493 A JP 26169493A JP H0792235 A JPH0792235 A JP H0792235A
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JP
Japan
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circuit
delay time
test
semiconductor device
under test
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JP5261694A
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Nobuaki Yamamori
信彰 山盛
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体装置に設けた被測定回路の遅延時間
を、測定装置側における遅延時間の影響を受けることな
く高精度に測定することを可能にする。 【構成】 遅延時間の測定が行われる被測定回路104
を含む半導体装置100に、被測定回路104と入力端
を共通にしてその被測定回路をバイパスするテスト回路
105と、被測定回路の出力端とテスト回路の出力端と
を選択して出力するセレクタ103とを備え、その共通
入力端101cにはドライバ1を接続して所定の信号を
入力させ、セレクタ103の出力端にはコンパレータ2
を接続して出力される信号を検出し、セレクタ103を
切り換えながらドライバ1とコンパレータ2とで被測定
回路104とテスト回路105における遅延時間を測定
し、かつ両遅延時間の差をとって被測定回路の遅延時間
を測定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
半導体装置内に形成した半導体回路の遅延を高精度に測
定することが可能な回路を有する半導体装置とその遅延
時間の測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置に形成される各種回路
の入出力間の遅延時間による入出力タイミングのずれを
補正するために、図3に示すタイミング補正システムが
提案されている。このタイング補正システムは、タイミ
ング補正機構を有する入力信号発生回路(以下、ドライ
バと称する)1と出力信号判定回路(以下、コンパレー
タと称する)2と、これらがそれぞれスイッチ3,4を
介して共通接続され、テストボード5に設けられた論理
試験用入出力端子(以下、論理試験用I/Oピンとい
う)6を含んで構成され、タイミングのずれ(以下、ス
キューという)を補正する。
【0003】ドライバ1は、タイミング発生回路7、ク
ロックディストロビュータ回路8、クロック選択回路
9、波形モジュレーション回路10、ピン間タイミング
調整回路11、ドライバー駆動回路(DRV)12、ス
キューレジスタ13、及びD/A変換回路14を有す
る。また、コンパレータ2は、ストローブディストロビ
ュータ回路15、ストローブ選択回路16、コンパレー
タ回路17、ハイレベル比較器18、ロウレベル比較器
19、スキューレジスタ20、及びD/A変換回路2
1、ハイレベルピン間タイミング調整回路22、ロウレ
ベルピン間タイミング調整回路23を備えている。
【0004】このタイミング補正システムによるタイミ
ング補正は、次のように行われる。初めに、論理試験用
I/Oピン6に対し、基準のI/Oピンとリレーなどで
それぞれのI/Oピンと接続する。つぎに、論理試験用
I/Oピン6のドライバ1を補正する場合は、基準I/
Oピンをコンパレータ2に切り換え、他の全I/Oピン
をドライバ1に切り換え、次々に各I/Oピンのドライ
バ1のタイミングのずれを基準クロックからの遅延時間
を測定し、中央処理装置(以下CPUという。)にて、
タイミング補正機構への補正データに変換、補正機構に
転送し、スキューへの調整を行う。また、コンパレータ
2の補正に関しては、ドライバ1の補正時と反対に、基
準I/O端子をドライバ1、他のI/Oピンをコンパレ
ータ2にすることによって、ドライバ1と同様にコンパ
レータ2のスキュー調整を行う。
【0005】この手法によってドライバ及びコンパレー
タのそれぞれの端子間、モジュレーション間、クロック
間のタイミングの一律化を図かっている。しかし、この
システムでは、ドライバとコンパレータ間のタイミング
については考えられておらず、高精度な高速論理動作の
試験ができないという問題点があった。
【0006】このような問題点を解決するために、特開
昭61−6836号公報に記載されているように、基準
比較回路とその基準比較端子を付加する装置が提案され
ている。図4はその概略を示す図であり、基準比較回路
30と基準比較端子31を設け、被試験半導体装置40
のある回路パスに入力する能動入力信号と、被試験半導
体装置40からの出力信号を基準比較端子とを試験ボー
ド32上で接続し、基準比較回路30により動作した回
路パスの第1遅延時間を測定する。また、図3のような
タイミング補正機構を備えたドライバ1、コンパレータ
2を持つ論理試験用I/O端子6にて、半導体装置40
の回路のパスの第2遅延時間を測定する。第1遅延時間
と第2遅延時間との差をタイミング補正機構に即したデ
ータにCPUにて変換する。変換されたデータをスキュ
ーレジスタ13、20に転送し、D/A変換回路14、
21でD/A変換を行い、全端子のタイミング補正は完
了し、ドライバ1とコンパレータ2間のタイミング補正
も可能となっている。なお、基準比較回路30は、比較
器51,52、コンパレータ回路52、ストローブディ
ストロビュータ回路54、タイミング発生回路55を有
する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この改良された従来の
装置においても以下に述べる問題点があった。第1にド
ライバと半導体装置間の遅延時間と半導体装置内の回路
の遅延時間は完全に補正されているが、半導体装置出力
からコンパレータまでの遅延時間は、同一パスではない
ために、基準比較回路とコンパレータ間の誤差が生じ、
結果的に測定精度が悪くなる。第2にこの種のタイミン
グ補正は、ある一種類の波形において行うため、タイミ
ング補正を行っていない波形においては誤差が生じる。
第3に、ドライバやコンパレータの精度は継時変化によ
り変動するため、タイミング補正を行った直後は精度が
あっても、時間が経つにつれ、精度が悪化することであ
る。本発明の目的は、このような測定装置側での遅延時
間の影響による精度の低下を改善することができる半導
体装置を提供することにある。また、本発明の他の目的
はこの半導体装置を用いて測定装置側での遅延時間の影
響を解消した高精度な半導体装置の遅延時間の測定を可
能にした測定方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
遅延時間の測定が行われる被測定回路を含む半導体装置
において、被測定回路と入力端を共通にしてその被測定
回路をバイパスするテスト回路と、被測定回路の出力端
とテスト回路の出力端とを選択して出力するセレクタと
を備える。また、本発明の半導体装置の遅延時間の測定
方法は、前記した被測定回路、テスト回路、セレクタを
備える半導体装置に対し、被測定回路とテスト回路の共
通入力端にはドライバを接続して所定の信号を入力さ
せ、セレクタの出力端にはコンパレータを接続して出力
される信号を検出し、セレクタを切り換えながらドライ
バとコンパレータとで被測定回路とテスト回路の遅延時
間を測定し、かつ両遅延時間の差をとって被測定回路の
遅延時間を測定する。この場合、セレクタには切換動作
を行う制御端子が設けられ、この制御端子は半導体装置
の端子の一部に接続され、この端子を介して外部から制
御信号を入力してセレクタを切り換え、被測定回路とテ
スト回路の遅延時間の測定を行う。
【0009】
【作用】ドライバと半導体装置との間の遅延時間、半導
体装置とコンパレータとの間の遅延時間は、被測定回路
とテスト回路の遅延時間の差をとることにより相殺さ
れ、被測定回路とテスト回路の各遅延時間の差のみが測
定可能となる。したがって、テスト回路における遅延時
間を、被測定回路における遅延時間に対して可及的に小
さくしておけば、大略において被測定回路における遅延
時間のみを測定することが可能となる。
【0010】
【実施例】次に本発明について、図面を参照して説明す
る。図1は本発明の一実施例を示す回路ブロック図であ
る。半導体装置100は周辺部に複数個の入出力パッド
101が配置され、かつその中央部には内部回路102
が形成される。内部回路102はそれぞれ入出力パッド
101に接続される。また、この内部回路102とは別
にセレクタ103が付設されており、外部からの制御信
号により入力を選択してそれを出力するように構成され
る。この実施例では、セレクタ103は2入力1出力の
回路として構成されており、出力端103aが出力パッ
ド101aに接続され、外部制御信号端103bが入力
パッド101bに接続されている。そして、前記内部回
路102内に形成される被測定回路(パス)104の入
力端は入力パッド101cに接続され、出力端は前記セ
レクタ103の一方の入力端103cに接続される。ま
た、この被測定回路104をバイパスするテスト回路
(パス)105が設けられ、前記入力パッド101cと
前記セレクタ103の他方の入力端103dとの間に接
続される。
【0011】この構成の半導体装置において、前記被測
定回路104における遅延を測定する場合は、ドライバ
1を入力パッド101cに接続し、発生される信号を入
力パッドから被測定回路104とテスト回路105に入
力させるようにする。また、コンパレータ2を出力パッ
ド101aに接続し、セレクタ103からの出力信号を
入力し、遅延時間を測定するようにする。また、コンパ
レータ2からはセレクタ103において入力を選択する
ための制御信号を出力し、この信号を入力パッド101
bに入力させる。なお、ドライバ1とコンパレータ2と
は図3に示した構成のものをそのまま利用することが可
能である。
【0012】このように結線を行った上で、先ずドライ
バ1から所定の信号を入力パッド101cに入力させ
る。このとき、コンパレータ2はセレクタ103におい
て被測定回路104の出力を入力に選択しておく。これ
により、入力パッド101cに入力された信号は、被測
定回路104を通り、セレクタ103で選択され、出力
パッド101aからコンパレータ2に入力される。コン
パレータ2ではこのときの遅延時間を測定する。このと
き測定される遅延時間は、ドライバ1と半導体装置10
0の入力との間での遅延時間、半導体装置100内にお
ける被測定回路104での遅延時間、及び半導体装置1
00の出力からコンパレータ2までの遅延時間の総和と
なる。
【0013】次に、コンパレータ2からの制御信号によ
りセレクタ103の入力をテスト回路105に切り換え
る。そして、前述と同様にドライバ1から信号を発生
し、これを半導体装置100の入力パッド101cに入
力し、テスト回路105およびセレクタ103を通し、
出力パッド101aからコンパレータ2に入力させ、そ
の間の遅延時間を測定する。このとき、コンパレータ2
で測定される遅延時間は、ドライバ1と半導体装置10
0の入力との間の遅延時間、半導体装置100内におけ
るテスト回路105での遅延時間、及び半導体装置10
0の出力からコンパレータ2までの遅延時間の総和とな
る。
【0014】そこで、コンパレータ2で測定された前者
の遅延時間と後者の遅延時間とを減算をすると、両者
共、ドライバ1から半導体装置100の入力までの遅延
時間と、半導体装置100の出力からコンパレータ2ま
での遅延時間は等しいため、結果として減算された残り
の値は、被測定回路104とテスト回路105との遅延
時間の差となる。これにより、ドライバ1とコンパレー
タ2との間における遅延時間の影響は解消でき、これら
回路の精度によらず、回路の遅延測定を高精度に行うこ
とが可能となる。一般に、テスト回路105を可及的に
短く設計しておけば、テスト回路105における遅延時
間は被測定回路104の遅延時間に比較して十分に小さ
くすることが可能となるため、前記した遅延時間の差を
殆どそのまま被測定回路104の遅延時間として測定す
ることが可能となる。
【0015】図2は本発明の第二実施例を示す回路ブロ
ック図であり、ここでは半導体メモリ装置に本発明を適
用し、そのアクセスタイムを高精度に測定する例を示し
てある。即ち、半導体メモリ200は周辺部に複数の入
出力パッド201を配置し、かつ所定の容量のメモリセ
ルアレイ202を有している。また、このメモリセルア
レイ202にアクセスするためのワード選択回路20
3、ディジット選択回路204、メモリセルアレイに情
報を書込み・読出しするための読出/書込回路205、
これを制御するための読出/書込制御回路206、読出
した情報を出力するための出力回路207を有してい
る。
【0016】そして、3入力1出力のセレクタ208を
設け、その出力端208a,208bと制御端をそれぞ
れ出力パッド201aと入力パッド201bに接続し、
かつその第1の入力端208cには前記出力回路207
の出力端を接続している。また、前記ワード選択回路2
03の入力端が接続される入力パッド201cにはワー
ド選択回路203とメモリセルアレイ202をバイパス
するワードテスト回路209を接続し、その出力側を前
記セレクタ208の第2の入力端208dに接続する。
同様に、前記デジット選択回路204の入力端が接続さ
れる入力パッド201dにはデジット選択回路204や
メモリセルアレイ202をバイパスするデジットテスト
回路210を接続し、その出力端を前記セレクタ208
の第3の入力端208eに接続する。
【0017】そして、前記ワード選択回路203が接続
された入力パッド201cとデジット選択回路204が
接続された入力パッド201dにはそれぞれドライバ1
が接続される。また、セレクタ208が接続された出力
パッド201aと入力パッド201bにはコンパレータ
2が接続される。しかる上で、コンパレータ2からの制
御信号によりセレクタ208で第1入力208cを選択
した上で、ドライバ1からの信号を入力パッド201
c,201dに入力する。これにより、半導体メモリ装
置200では、ワード選択回路203とデジット選択回
路204が駆動され、かつ図外の読出/書込選択信号に
より読出/書込制御回路205が駆動され、これにより
メモリセルアレイ202での読出しや書込みが実行され
る。そして、読出された信号、或いは書込まれる信号は
出力回路207を通り、セレクタ208を通って出力パ
ッド201aに出力され、更にコンパレータ2に入力さ
れる。これにより、ドライバ1から半導体メモリ装置2
00を通り、コンパレータ2に至る遅延時間が測定され
る。
【0018】次いで、コンパレータ2からの制御信号に
よりセレクタ208で第2及び第3入力203d,20
3eのいずれかを選択し、同様な遅延時間の測定を行
う。これにより、ドライバ1からの信号は入力パッド2
01c,201dからそれぞれテスト回路209,21
0を通り、更にセレクタ208を通って出力パッド20
1aに出力され、コンパレータ2に入力されてその遅延
時間が測定される。したがって、前者の遅延時間と後者
の遅延時間とを減算すると、第一実施例の場合と同様
に、ドライバ1から半導体メモリ装置200までの遅延
時間と、半導体メモリ装置200からコンパレータ2ま
での遅延時間が相殺され、結果としてメモリセルアレイ
202へのアクセス動作時の遅延時間とテスト回路20
9,210を通った際の遅延時間との差を求めることが
できる。これにより、テスト回路209,210での遅
延時間が他方の遅延時間に比較して可及的に小さくなる
ように設計を行えば、前者の測定遅延時間がそのまま半
導体メモリ装置200におけるアクセス時間の遅延時間
として測定することが可能となる。このため、ドライバ
1やコンパレータ2の精度によらず、回路の遅延測定を
高精度に行うことが可能となる。
【0019】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、遅延時間
の測定が行われる被測定回路と、被測定回路と入力端を
共通にしてその被測定回路をバイパスするテスト回路
と、被測定回路の出力端とテスト回路の出力端とを選択
して出力するセレクタとを備えるので、被測定回路にお
ける遅延時間とテスト回路における遅延時間を比較して
その差をとることにより、測定装置側の遅延時間の影響
を解消した高精度な遅延時間の測定を実現することがで
きる効果がある。また、本発明方法は、セレクタを被測
定回路とテスト回路とで切り換えながらドライバとコン
パレータとで被測定回路とテスト回路の遅延時間を測定
し、かつ両遅延時間の差をとって被測定回路の遅延時間
を測定するので、被測定回路の遅延時間とテスト回路の
遅延時間を略同時に測定でき、測定された遅延時間の差
をとることにより、ドライバやコンパレータにおける遅
延時間の影響を解消した高か精度の遅延時間の測定が実
現できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例の回路ブロック図である。
【図2】本発明の第二実施例の回路ブロック図である。
【図3】従来のタイミング補正システムのブロック図で
ある。
【図4】従来の遅延時間の補正を行うシステムのブロッ
ク図である。
【符号の説明】
1 入力信号発生回路(ドライバ) 2 出力信号判定回路(コンパレータ) 100 半導体装置 101 入出力パッド 102 内部回路 103 セレクタ 104 被測定回路 105 テスト回路

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 遅延時間の測定が行われる被測定回路を
    含む半導体装置において、前記被測定回路と入力端を共
    通にしてその被測定回路をバイパスするテスト回路と、
    前記被測定回路の出力端とテスト回路の出力端とを選択
    して出力するセレクタとを備えることを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 セレクタは外部制御信号によって被測定
    回路とテスト回路とを選択するように構成してなる請求
    項1の半導体装置。
  3. 【請求項3】 遅延時間の測定が行われる被測定回路
    と、前記被測定回路と入力端を共通にしてその被測定回
    路をバイパスするテスト回路と、前記被測定回路の出力
    端とテスト回路の出力端とを選択して出力するセレクタ
    とを備える半導体装置に対し、前記被測定回路とテスト
    回路の共通入力端には入力信号発生回路を接続して所定
    の信号を入力させ、セレクタの出力端には出力信号判定
    回路を接続して出力される信号を検出し、前記セレクタ
    を切り換えながら前記入力信号発生回路と出力信号判定
    回路とで前記被測定回路とテスト回路の遅延時間を測定
    し、かつ両遅延時間の差をとることにより前記被測定回
    路の遅延時間を測定することを特徴とする半導体装置の
    遅延時間測定方法。
  4. 【請求項4】 セレクタには切換動作を行う制御端子が
    設けられ、この制御端子は半導体装置の端子の一部に接
    続され、この端子を介して外部から制御信号を入力して
    セレクタを切り換え、被測定回路とテスト回路の遅延時
    間の測定を行う請求項3の半導体装置の遅延時間測定方
    法。
JP5261694A 1993-09-25 1993-09-25 半導体装置及びその遅延時間測定方法 Pending JPH0792235A (ja)

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EP94115037A EP0645638A1 (en) 1993-09-25 1994-09-23 Method of measuring delay time in semiconductor device
US08/781,921 US5675265A (en) 1993-09-25 1996-12-30 Method of measuring delay time in semiconductor device

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