JPH0786504A - Ｃｒネットワーク及びその製造方法 - Google Patents
Ｃｒネットワーク及びその製造方法Info
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- JPH0786504A JPH0786504A JP5250171A JP25017193A JPH0786504A JP H0786504 A JPH0786504 A JP H0786504A JP 5250171 A JP5250171 A JP 5250171A JP 25017193 A JP25017193 A JP 25017193A JP H0786504 A JPH0786504 A JP H0786504A
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- Japan
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- capacitor
- chip
- resistance
- network
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗体の抵抗値、許容差、温度係数等の特性
値のバラツキを小さくすることができ、且つ安定性の優
れたチップ型ＣＲネットワーク及びその製造方法を提供
する。 【構成】 チップ状の絶縁基板１と、該基板１上に配置
されたコンデンサ素子（Ｃ）と抵抗素子（Ｒ）と、該コ
ンデンサ素子の接続電極８と、該抵抗素子の接続電極６
と、該コンデンサ素子（Ｃ）と該抵抗素子（Ｒ）の中間
部に設けられ、且つ両者に接続された中間電極７とから
なり、前記抵抗素子（Ｒ）は、同一のスクリーン又はマ
スクによって形成された該中間電極７と前記抵抗素子の
接続電極６とにまたがって形成された。
値のバラツキを小さくすることができ、且つ安定性の優
れたチップ型ＣＲネットワーク及びその製造方法を提供
する。 【構成】 チップ状の絶縁基板１と、該基板１上に配置
されたコンデンサ素子（Ｃ）と抵抗素子（Ｒ）と、該コ
ンデンサ素子の接続電極８と、該抵抗素子の接続電極６
と、該コンデンサ素子（Ｃ）と該抵抗素子（Ｒ）の中間
部に設けられ、且つ両者に接続された中間電極７とから
なり、前記抵抗素子（Ｒ）は、同一のスクリーン又はマ
スクによって形成された該中間電極７と前記抵抗素子の
接続電極６とにまたがって形成された。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＣＲネットワーク及びそ
の製造方法に係り、特にコンデンサ（Ｃ）と抵抗（Ｒ）
をチップ状の絶縁基板上に一体化させたチップ型ＣＲネ
ットワーク（素子）の構造及びその製造方法に関する。
の製造方法に係り、特にコンデンサ（Ｃ）と抵抗（Ｒ）
をチップ状の絶縁基板上に一体化させたチップ型ＣＲネ
ットワーク（素子）の構造及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータやＶＴＲ等に大量のコンデ
ンサや抵抗器がチップ部品として使用されている。更に
高密度実装、小型化の要求が高まっており、個別部品と
しての抵抗やコンデンサ等の回路部品をチップ部品とし
て一体化させたチップ型ＣＲ素子が、これ等回路部品を
搭載する製品全体の低価格化や高性能化に多大の効果を
あげてきている。
ンサや抵抗器がチップ部品として使用されている。更に
高密度実装、小型化の要求が高まっており、個別部品と
しての抵抗やコンデンサ等の回路部品をチップ部品とし
て一体化させたチップ型ＣＲ素子が、これ等回路部品を
搭載する製品全体の低価格化や高性能化に多大の効果を
あげてきている。
【０００３】図６は従来のチップ型ＣＲ素子の構造を示
す。チップ状の絶縁基板１は左右両端にコンデンサ素子
の接続電極２及び抵抗素子の接続電極６を備えている。
電極２は、コンデンサ（Ｃ）の下部電極を兼ねており、
誘電体膜３を挟んで上部電極４との構成により、厚膜コ
ンデンサＣが形成されている。更に電極４と電極６は抵
抗体５とそれぞれ接続されており、厚膜抵抗素子（Ｒ）
が形成されている。ここで、電極４は厚膜コンデンサ
（Ｃ）の上部電極と厚膜抵抗素子（Ｒ）の一端の電極と
を兼ねており、抵抗ＲとコンデンサＣの中間電極とし
て、直列に接続された構造となっている。絶縁基板１の
両端面１１，１２には、それぞれ電極２，６に接続され
た端面電極を備えている。
す。チップ状の絶縁基板１は左右両端にコンデンサ素子
の接続電極２及び抵抗素子の接続電極６を備えている。
電極２は、コンデンサ（Ｃ）の下部電極を兼ねており、
誘電体膜３を挟んで上部電極４との構成により、厚膜コ
ンデンサＣが形成されている。更に電極４と電極６は抵
抗体５とそれぞれ接続されており、厚膜抵抗素子（Ｒ）
が形成されている。ここで、電極４は厚膜コンデンサ
（Ｃ）の上部電極と厚膜抵抗素子（Ｒ）の一端の電極と
を兼ねており、抵抗ＲとコンデンサＣの中間電極とし
て、直列に接続された構造となっている。絶縁基板１の
両端面１１，１２には、それぞれ電極２，６に接続され
た端面電極を備えている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、係る従
来のチップ型ＣＲ素子の構造では抵抗体の抵抗値、許容
差、温度係数等の特性値のバラツキが大きく、生産性上
の問題がある上に、使用上の特性値の安定性に欠ける
為、原価の上昇と使用上の制約を招くという問題を有し
ていた。
来のチップ型ＣＲ素子の構造では抵抗体の抵抗値、許容
差、温度係数等の特性値のバラツキが大きく、生産性上
の問題がある上に、使用上の特性値の安定性に欠ける
為、原価の上昇と使用上の制約を招くという問題を有し
ていた。
【０００５】本発明は、係る従来技術の問題点に鑑みて
為されたもので、抵抗体の抵抗値、許容差、温度係数等
の特性値のバラツキを小さくすることができ、且つ安定
性の優れたチップ型ＣＲ素子及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
為されたもので、抵抗体の抵抗値、許容差、温度係数等
の特性値のバラツキを小さくすることができ、且つ安定
性の優れたチップ型ＣＲ素子及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のチップ型ＣＲ素
子は、チップ状の絶縁基板と、該基板上に配置されたコ
ンデンサ素子（Ｃ）と抵抗素子（Ｒ）と、該コンデンサ
素子の接続電極と、該抵抗素子の接続電極と、該コンデ
ンサ素子（Ｃ）と該抵抗素子（Ｒ）の中間部に設けら
れ、且つ両者に接続された中間電極とからなり、前記抵
抗素子（Ｒ）は、同一のスクリーン又はマスクによって
形成された該中間電極と前記抵抗素子の接続電極とにま
たがって形成されたものであることを特徴とする。
子は、チップ状の絶縁基板と、該基板上に配置されたコ
ンデンサ素子（Ｃ）と抵抗素子（Ｒ）と、該コンデンサ
素子の接続電極と、該抵抗素子の接続電極と、該コンデ
ンサ素子（Ｃ）と該抵抗素子（Ｒ）の中間部に設けら
れ、且つ両者に接続された中間電極とからなり、前記抵
抗素子（Ｒ）は、同一のスクリーン又はマスクによって
形成された該中間電極と前記抵抗素子の接続電極とにま
たがって形成されたものであることを特徴とする。
【０００７】
【作用】厚膜抵抗素子の両端の接続電極と中間電極と
は、１枚のスクリーンによって同時に印刷する方式によ
り、絶縁基板上に形成される為、該両電極間の距離が一
定となる。このため、厚膜抵抗体５のパターン幅とで形
成される、抵抗値を決定する矩形の面積が極めて精度の
高いものとなる。該両電極が厚膜製造プロセスに於いて
受ける、熱処理条件等も同一となるため、厚膜抵抗体５
との界面の物理的諸条件も同一となり、抵抗値、許容
差、温度係数等の厚膜抵抗素子（Ｒ）の諸特性が、極め
てバラツキの小さいチップ型ＣＲ素子を得ることができ
る。
は、１枚のスクリーンによって同時に印刷する方式によ
り、絶縁基板上に形成される為、該両電極間の距離が一
定となる。このため、厚膜抵抗体５のパターン幅とで形
成される、抵抗値を決定する矩形の面積が極めて精度の
高いものとなる。該両電極が厚膜製造プロセスに於いて
受ける、熱処理条件等も同一となるため、厚膜抵抗体５
との界面の物理的諸条件も同一となり、抵抗値、許容
差、温度係数等の厚膜抵抗素子（Ｒ）の諸特性が、極め
てバラツキの小さいチップ型ＣＲ素子を得ることができ
る。
【０００８】
【実施例】本発明の第１実施例のチップ型ＣＲ素子の構
造を図１に示す。絶縁基板１上には抵抗体Ｒを構成する
ための接続電極６及び中間電極７が同一スクリーン印刷
により形成されている。該電極６，７にまたがるように
厚膜抵抗体５が接続されており、厚膜抵抗素子（Ｒ）が
形成されている。ここで中間電極７の延長する一端はコ
ンデンサＣの下部電極を兼ねており、該下部電極７の面
上には誘電体膜３を介して上部電極８が層状に重ねられ
接続されている。即ち電極７と電極８とが誘電体膜３を
挟んで、厚膜コンデンサＣを形成しており、該上部電極
の延長する一端は絶縁基板１上の左端のコンデンサの接
続電極８を兼ねた構造となっている。コンデンサの接続
電極８及び抵抗の接続電極６はそれぞれ絶縁基板１の端
面１１，１２に設けられた端面電極に接続されている。
造を図１に示す。絶縁基板１上には抵抗体Ｒを構成する
ための接続電極６及び中間電極７が同一スクリーン印刷
により形成されている。該電極６，７にまたがるように
厚膜抵抗体５が接続されており、厚膜抵抗素子（Ｒ）が
形成されている。ここで中間電極７の延長する一端はコ
ンデンサＣの下部電極を兼ねており、該下部電極７の面
上には誘電体膜３を介して上部電極８が層状に重ねられ
接続されている。即ち電極７と電極８とが誘電体膜３を
挟んで、厚膜コンデンサＣを形成しており、該上部電極
の延長する一端は絶縁基板１上の左端のコンデンサの接
続電極８を兼ねた構造となっている。コンデンサの接続
電極８及び抵抗の接続電極６はそれぞれ絶縁基板１の端
面１１，１２に設けられた端面電極に接続されている。
【０００９】以下、本発明の一実施例と従来例との実験
データを表としてまとめたので、これを参照しながら説
明する。
データを表としてまとめたので、これを参照しながら説
明する。
【表１】
【表２】
【００１０】表１はチップ型ＣＲ素子の抵抗値Ｒに関す
る実験データである。最大値と最小値の差ΔＲは次の通
りであり、 本発明 ΔＲ＝５４.６−４６.１＝ ８.５〔Ω〕 従来例 ΔＲ＝６０.７−２８.７＝３２.０〔Ω〕 本発明による抵抗値Ｒのバラツキ幅は従来例のものと比
べ約４分の１と極めて小さい。又同様に許容差を偏差値
３σとして統計処理した値も同様に４分の１と小さいこ
とが明らかであり、本発明が抵抗特性の精度の点で従来
例に比べ優れている。
る実験データである。最大値と最小値の差ΔＲは次の通
りであり、 本発明 ΔＲ＝５４.６−４６.１＝ ８.５〔Ω〕 従来例 ΔＲ＝６０.７−２８.７＝３２.０〔Ω〕 本発明による抵抗値Ｒのバラツキ幅は従来例のものと比
べ約４分の１と極めて小さい。又同様に許容差を偏差値
３σとして統計処理した値も同様に４分の１と小さいこ
とが明らかであり、本発明が抵抗特性の精度の点で従来
例に比べ優れている。
【００１１】表２からチップ型ＣＲ素子の抵抗値Ｒの温
度係数αの最大値と最小値の差Δαは次の通りである。 本発明 Δα＝８８−５２＝３６〔ppm/cc〕 従来例 Δα＝７５−（−２）＝７７〔ppm/cc〕 本発明における温度係数αのバラツキ幅は従来例のもの
と比べ約半分であり、許容差を示す３σ値も５７.４に
対して２９.８とほぼ２分の１強と同様に優れているこ
とが明らかである。
度係数αの最大値と最小値の差Δαは次の通りである。 本発明 Δα＝８８−５２＝３６〔ppm/cc〕 従来例 Δα＝７５−（−２）＝７７〔ppm/cc〕 本発明における温度係数αのバラツキ幅は従来例のもの
と比べ約半分であり、許容差を示す３σ値も５７.４に
対して２９.８とほぼ２分の１強と同様に優れているこ
とが明らかである。
【００１２】図２は、本発明に係る第１実施例のチップ
型ＣＲ素子の製造方法を示す説明図である。図４は従来
例のもので本発明と対比して図示してある。図の上部か
ら下部へ第１工程（Ａ）から順に第４工程（Ｄ）まで、
フローが示されている。各工程毎に左が平面図、右が断
面図の一対として図示されている。
型ＣＲ素子の製造方法を示す説明図である。図４は従来
例のもので本発明と対比して図示してある。図の上部か
ら下部へ第１工程（Ａ）から順に第４工程（Ｄ）まで、
フローが示されている。各工程毎に左が平面図、右が断
面図の一対として図示されている。
【００１３】図２の第１工程（Ａ）では、絶縁基板１の
上面に斜線で示される中間電極７及び接続電極６を、例
えばＡｇ−Ｐｄ系のペーストをスクリーン印刷法により
同時に塗布して、８５０℃程度の高温の空気中で焼成
し、膜厚１０μｍ程度の厚膜電極を形成する。該電極７
の右半分は抵抗素子（Ｒ）の一端の接続電極を兼ねてお
り、電極７の左半分の矩形部はコンデンサＣの下部電極
に相当する部分である。
上面に斜線で示される中間電極７及び接続電極６を、例
えばＡｇ−Ｐｄ系のペーストをスクリーン印刷法により
同時に塗布して、８５０℃程度の高温の空気中で焼成
し、膜厚１０μｍ程度の厚膜電極を形成する。該電極７
の右半分は抵抗素子（Ｒ）の一端の接続電極を兼ねてお
り、電極７の左半分の矩形部はコンデンサＣの下部電極
に相当する部分である。
【００１４】図２の第２工程（Ｂ）では、電極７の左側
半分を覆うように、コンデンサの誘電体膜３を形成する
ために、例えばＢａＴｉＯ3 系ペーストをスクリーン印
刷法により塗布し、９５０℃程度の高温の空気中にて焼
成して、膜厚５０μｍ程度の高誘電率の誘電体膜を形成
する。
半分を覆うように、コンデンサの誘電体膜３を形成する
ために、例えばＢａＴｉＯ3 系ペーストをスクリーン印
刷法により塗布し、９５０℃程度の高温の空気中にて焼
成して、膜厚５０μｍ程度の高誘電率の誘電体膜を形成
する。
【００１５】図２の第３工程（Ｃ）では、コンデンサＣ
の上部電極を兼ねたコンデンサの接続電極８として、例
えばＡｇ−Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷法により塗
布し、８５０℃程度の高温の空気中にて焼成して、膜厚
１０μｍ程度の厚膜電極を形成する。
の上部電極を兼ねたコンデンサの接続電極８として、例
えばＡｇ−Ｐｄ系ペーストをスクリーン印刷法により塗
布し、８５０℃程度の高温の空気中にて焼成して、膜厚
１０μｍ程度の厚膜電極を形成する。
【００１６】図２の第４工程（Ｄ）では、既に形成され
ている厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６、中間電極７に
またがるように、抵抗体５を、例えばＲｕＯ2 系ペース
ト等をスクリーン印刷法により塗布し、空気中で８５０
℃程度の高温にて焼成し、厚さ１０μｍ程度の厚膜抵抗
体５が形成される。その後、多数のチップがマトリクス
状に配列された基板をブレークして、端面電極を形成す
ることにより本発明の第１実施例のチップ型ＣＲ素子が
完成する。
ている厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６、中間電極７に
またがるように、抵抗体５を、例えばＲｕＯ2 系ペース
ト等をスクリーン印刷法により塗布し、空気中で８５０
℃程度の高温にて焼成し、厚さ１０μｍ程度の厚膜抵抗
体５が形成される。その後、多数のチップがマトリクス
状に配列された基板をブレークして、端面電極を形成す
ることにより本発明の第１実施例のチップ型ＣＲ素子が
完成する。
【００１７】本実施例のチップ型ＣＲ素子の製造方法
が、図４に示す従来例の製造方法と異なる点は以下の通
りである。即ち本実施例においては、絶縁基板１に形成
する厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６と中間電極７と
が、製造プロセスの第１工程（Ａ）において、１枚のス
クリーンによって同時に印刷され、第１工程から第４工
程に至る熱処理履歴が、８５０℃、９５０℃、８５０
℃、８５０℃と全く同一である。これに対応する従来例
では、厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６と中間電極４と
が、電極６は製造プロセスの第１工程（Ａ）において形
成されるのに対し、電極４は第３工程（Ｃ）で形成さ
れ、使われるスクリーンは勿論異なる。又熱処理履歴に
関しても、電極６が８５０℃、９５０℃、８５０℃、８
５０℃であるのに対し、電極４では、８５０℃、８５０
℃だけである。
が、図４に示す従来例の製造方法と異なる点は以下の通
りである。即ち本実施例においては、絶縁基板１に形成
する厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６と中間電極７と
が、製造プロセスの第１工程（Ａ）において、１枚のス
クリーンによって同時に印刷され、第１工程から第４工
程に至る熱処理履歴が、８５０℃、９５０℃、８５０
℃、８５０℃と全く同一である。これに対応する従来例
では、厚膜抵抗素子（Ｒ）の接続電極６と中間電極４と
が、電極６は製造プロセスの第１工程（Ａ）において形
成されるのに対し、電極４は第３工程（Ｃ）で形成さ
れ、使われるスクリーンは勿論異なる。又熱処理履歴に
関しても、電極６が８５０℃、９５０℃、８５０℃、８
５０℃であるのに対し、電極４では、８５０℃、８５０
℃だけである。
【００１８】図３は、本発明の第２実施例のチップ型Ｃ
Ｒ素子の製造方法を示す説明図である。第１工程（Ａ）
では、コンデンサ下部電極を兼ねた接続電極２を形成す
る。第２工程（Ｂ）では、コンデンサ下部電極上に誘電
体膜３を形成する。そして、第３工程（Ｃ）でコンデン
サの上部電極を兼ねた中間電極７と抵抗素子の接続電極
６とを同一スクリーンにより形成する。第４工程（Ｄ）
で、電極６，７間にまたがる抵抗体膜を形成する。即
ち、製造プロセス上第３工程（Ｃ）において、電極７と
電極６は１枚のスクリーンにより同時に形成され、又熱
処理履歴が共に８５０℃、８５０℃と同一である。
Ｒ素子の製造方法を示す説明図である。第１工程（Ａ）
では、コンデンサ下部電極を兼ねた接続電極２を形成す
る。第２工程（Ｂ）では、コンデンサ下部電極上に誘電
体膜３を形成する。そして、第３工程（Ｃ）でコンデン
サの上部電極を兼ねた中間電極７と抵抗素子の接続電極
６とを同一スクリーンにより形成する。第４工程（Ｄ）
で、電極６，７間にまたがる抵抗体膜を形成する。即
ち、製造プロセス上第３工程（Ｃ）において、電極７と
電極６は１枚のスクリーンにより同時に形成され、又熱
処理履歴が共に８５０℃、８５０℃と同一である。
【００１９】図５は、本発明の第３実施例のチップ型Ｃ
Ｒネットワークの構造を示す説明図であり、（Ａ）は上
面図、（Ｂ）は断面図である。本実施例の基本的な構成
は第１実施例と同様であるが、本実施例においては、３
個のコンデンサＣと３個の抵抗Ｒとが搭載されている多
連チップである。中間電極９は全ての抵抗Ｒとコンデン
サＣの中間電極が接続されたものであり、外部への共通
の取出電極として端面電極１３に接続されている。本実
施例においても電極６と電極９とは、同一のスクリーン
によって印刷されたものであり、抵抗体Ｒを精度よく形
成することができる。本実施例の多連ＣＲネットワーク
の製造方法は、第１実施例の製造方法と同様である。
Ｒネットワークの構造を示す説明図であり、（Ａ）は上
面図、（Ｂ）は断面図である。本実施例の基本的な構成
は第１実施例と同様であるが、本実施例においては、３
個のコンデンサＣと３個の抵抗Ｒとが搭載されている多
連チップである。中間電極９は全ての抵抗Ｒとコンデン
サＣの中間電極が接続されたものであり、外部への共通
の取出電極として端面電極１３に接続されている。本実
施例においても電極６と電極９とは、同一のスクリーン
によって印刷されたものであり、抵抗体Ｒを精度よく形
成することができる。本実施例の多連ＣＲネットワーク
の製造方法は、第１実施例の製造方法と同様である。
【００２０】尚、以上の説明はスクリーン印刷法により
ペーストを塗布して厚膜電極或いは抵抗体等の素子を形
成した構造及び製造方法についてのものである。本発明
の趣旨は、上記実施例にとらわれるものではなく、マス
クを用いて蒸着或いはスパッタリング等により電極或い
は素子を形成する場合にも適用可能なことは勿論のこと
である。尚、各図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
ペーストを塗布して厚膜電極或いは抵抗体等の素子を形
成した構造及び製造方法についてのものである。本発明
の趣旨は、上記実施例にとらわれるものではなく、マス
クを用いて蒸着或いはスパッタリング等により電極或い
は素子を形成する場合にも適用可能なことは勿論のこと
である。尚、各図中同一符号は同一又は相当部分を示
す。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はコンデン
サと抵抗を一体化させたチップ型ＣＲ素子において、抵
抗体に接する電極を全て、１枚のスクリーン又はマスク
を使用して、同時に形成することにより構成したもので
ある。従って、抵抗（Ｒ）の精度が向上し、チップ型Ｃ
Ｒ素子として回路的な設計が容易となり、高密度実装の
要求されるチップ型素子の適用範囲をより広げると共
に、品質、生産性を高めより安価な部品供給を可能にす
るものである。
サと抵抗を一体化させたチップ型ＣＲ素子において、抵
抗体に接する電極を全て、１枚のスクリーン又はマスク
を使用して、同時に形成することにより構成したもので
ある。従って、抵抗（Ｒ）の精度が向上し、チップ型Ｃ
Ｒ素子として回路的な設計が容易となり、高密度実装の
要求されるチップ型素子の適用範囲をより広げると共
に、品質、生産性を高めより安価な部品供給を可能にす
るものである。
【図１】本発明の第１実施例のチップ型ＣＲ素子の構造
を示す、（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図。
を示す、（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図。
【図２】本発明の第１実施例のチップ型ＣＲ素子の製造
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図３】本発明の第２実施例のチップ型ＣＲ素子の製造
方法を示す説明図。
方法を示す説明図。
【図４】従来のチップ型ＣＲ素子の製造方法を示す説明
図。
図。
【図５】本発明の第３実施例の多連チップ型ＣＲネット
ワークの構造を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図。
ワークの構造を示す（Ａ）上面図、（Ｂ）断面図。
【図６】従来のチップ型ＣＲ素子の構造を示す（Ａ）上
面図、（Ｂ）断面図。
面図、（Ｂ）断面図。
１ チップ型絶縁基板 ２，８ コンデンサ接続電極 ３ コンデンサの中間誘電体膜 ４，７，９ 中間電極 ５ 抵抗 ６ 抵抗接続電極
Claims (4)
- 【請求項１】 チップ状の絶縁基板と、該基板上に配置
されたコンデンサ素子（Ｃ）及びその接続電極と、抵抗
素子（Ｒ）及びその接続電極と、該コンデンサ素子
（Ｃ）と該抵抗素子（Ｒ）の中間部に設けられ、且つ両
者に接続された中間電極とを備え、前記抵抗素子（Ｒ）
は、同一のスクリーン又はマスクによって形成された前
記中間電極と前記抵抗素子の接続電極とにまたがって形
成されたものであることを特徴とするＣＲネットワー
ク。 - 【請求項２】 前記チップ状の絶縁基板には、複数のコ
ンデンサ素子（Ｃ）及び抵抗素子（Ｒ）が配置され、前
記中間電極は各コンデンサ素子（Ｃ）及び抵抗素子
（Ｒ）間に共通に接続されていることを特徴とする請求
項１記載のＣＲネットワーク。 - 【請求項３】 チップ状の絶縁基板上に抵抗素子の接続
電極と中間電極とを同一のスクリーン又はマスクにより
形成する工程と、該中間電極の一部を下部電極として誘
電体膜を形成する工程と、該誘電体膜の上部電極とコン
デンサ素子の接続電極とを兼ねた電極を形成する工程
と、前記抵抗素子の接続電極と中間電極とにまたがって
抵抗体膜を形成する工程とからなることを特徴とするＣ
Ｒネットワークの製造方法。 - 【請求項４】 チップ状の絶縁基板上にコンデンサ素子
の下部電極を兼ねた接続電極を形成する工程と、該下部
電極上に誘電体膜を形成する工程と、コンデンサ素子の
上部電極を兼ねた中間電極と抵抗素子の接続電極とを同
一のスクリーン又はマスクにより形成する工程と、該抵
抗素子の接続電極と中間電極とにまたがって抵抗体膜を
形成する工程とからなることを特徴とするＣＲネットワ
ークの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250171A JPH0786504A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ｃｒネットワーク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5250171A JPH0786504A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ｃｒネットワーク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786504A true JPH0786504A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=17203881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5250171A Pending JPH0786504A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ｃｒネットワーク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786504A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590072A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ複合機能素子 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP5250171A patent/JPH0786504A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590072A (ja) * | 1991-09-30 | 1993-04-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チツプ複合機能素子 |
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