JPH0786368A - 半導体ウエハの移送機構及び移送方法 - Google Patents
半導体ウエハの移送機構及び移送方法Info
- Publication number
- JPH0786368A JPH0786368A JP18356693A JP18356693A JPH0786368A JP H0786368 A JPH0786368 A JP H0786368A JP 18356693 A JP18356693 A JP 18356693A JP 18356693 A JP18356693 A JP 18356693A JP H0786368 A JPH0786368 A JP H0786368A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- base
- pushing device
- transfer
- fluid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は高品質の平坦精度を要求される半導体
ウエハの加工面を接触させること無く移送する移送機構
とその移送方法に創達し、これを供するものであり、移
送機構の基台部を長さを有した底面の両側辺へ側壁を立
設させた横断面凹状に形成し、少なくとも底面を有孔性
部材で形成し、基台部の下方へ流体噴射部を設けると共
に、平行状態で進退自在な押送装置の先端へ湾曲部を形
成したことによって、浮遊状態とした半導体ウエハを移
送元から移送先に移送させることを目的とするものであ
る。 【構成】本発明の構成は、移送機構の基台部を長さを有
した底面へ側壁を立設させた横断面凹状に形成し、基台
部の少なくとも底面を有孔性部材で形成し、底面の下方
へ流体噴射部を設けると共に、基台部の底面と平行状態
で進退自在な押送装置を設け、押送装置の先端を半導体
ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部を形成した構成で
ある。
ウエハの加工面を接触させること無く移送する移送機構
とその移送方法に創達し、これを供するものであり、移
送機構の基台部を長さを有した底面の両側辺へ側壁を立
設させた横断面凹状に形成し、少なくとも底面を有孔性
部材で形成し、基台部の下方へ流体噴射部を設けると共
に、平行状態で進退自在な押送装置の先端へ湾曲部を形
成したことによって、浮遊状態とした半導体ウエハを移
送元から移送先に移送させることを目的とするものであ
る。 【構成】本発明の構成は、移送機構の基台部を長さを有
した底面へ側壁を立設させた横断面凹状に形成し、基台
部の少なくとも底面を有孔性部材で形成し、底面の下方
へ流体噴射部を設けると共に、基台部の底面と平行状態
で進退自在な押送装置を設け、押送装置の先端を半導体
ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部を形成した構成で
ある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、研削盤等のチャックか
ら研削又は研磨加工後の半導体ウエハをカセットへ移送
する移送機構及び移送方法に関するもので、詳しくは、
研削又は研磨加工後の半導体ウエハの加工面を移送機構
に接触させること無く移送する移送機構とその方法に関
するものである。
ら研削又は研磨加工後の半導体ウエハをカセットへ移送
する移送機構及び移送方法に関するもので、詳しくは、
研削又は研磨加工後の半導体ウエハの加工面を移送機構
に接触させること無く移送する移送機構とその方法に関
するものである。
【０００２】
【発明の背景】現今、弛まざる技術革新は目覚ましいも
のがあり、其の先端技術による開発によって、優れた様
々な商品群が多数市場に送出されており、実に日進月歩
の感があるが、更により高度な応用技術の開発に鎬を削
っている現状にあり、その為、半導体ウエハは、より超
高精度の質性と、小型化に繋がる極薄化、及び、作業性
の向上のための拡径化が要求されている。
のがあり、其の先端技術による開発によって、優れた様
々な商品群が多数市場に送出されており、実に日進月歩
の感があるが、更により高度な応用技術の開発に鎬を削
っている現状にあり、その為、半導体ウエハは、より超
高精度の質性と、小型化に繋がる極薄化、及び、作業性
の向上のための拡径化が要求されている。
【０００３】
【従来技術】従来、この種の全自動平面研削盤等の加工
後の半導体ウエハの移送は、半導体ウエハの鏡面と成っ
た加工面を上方から柔軟なシリコン樹脂、ゴム等の吸着
パットで押さえ、該吸着パット内の空気を延設したアー
ムから抜き真空吸着して持ち上げて移動させ、真空を解
除して洗浄乾燥装置に載置して洗浄乾燥後に吸着パット
を先端に付設した反転アームによって吸着し、裏表を反
転させた上で搬送用ベルトの上に載置して移送用ベルト
を駆動させてカセットに格納していた。
後の半導体ウエハの移送は、半導体ウエハの鏡面と成っ
た加工面を上方から柔軟なシリコン樹脂、ゴム等の吸着
パットで押さえ、該吸着パット内の空気を延設したアー
ムから抜き真空吸着して持ち上げて移動させ、真空を解
除して洗浄乾燥装置に載置して洗浄乾燥後に吸着パット
を先端に付設した反転アームによって吸着し、裏表を反
転させた上で搬送用ベルトの上に載置して移送用ベルト
を駆動させてカセットに格納していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】然るに、この様な移送
機構によって半導体ウエハを移送すると、移送用機構と
半導体ウエハの加工面が接触するため、半導体ウエハの
加工面の微細な損傷を負う恐れが有り、先の精度向上の
要望を大きく阻んでいるという課題を有していた。
機構によって半導体ウエハを移送すると、移送用機構と
半導体ウエハの加工面が接触するため、半導体ウエハの
加工面の微細な損傷を負う恐れが有り、先の精度向上の
要望を大きく阻んでいるという課題を有していた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の事由に鑑
みて、これらの課題を解決すべく鋭意研鑽の結果、高品
質の平坦精度を要求される半導体ウエハの研削又は研磨
加工面を接触させること無く移送する移送機構とその移
送方法に創達し、これを供するものであり、移送機構の
基台部を長さを有した底面の両側辺へ側壁を立設させた
横断面凹状に形成し、少なくとも底面を有孔性部材で形
成し、該基台部の下方へ流体噴射部を設けると共に、平
行状態で進退自在な押送装置の先端へ湾曲部を形成した
ことによって、浮遊状態とした半導体ウエハを移送元か
ら移送先に移送するものである。
みて、これらの課題を解決すべく鋭意研鑽の結果、高品
質の平坦精度を要求される半導体ウエハの研削又は研磨
加工面を接触させること無く移送する移送機構とその移
送方法に創達し、これを供するものであり、移送機構の
基台部を長さを有した底面の両側辺へ側壁を立設させた
横断面凹状に形成し、少なくとも底面を有孔性部材で形
成し、該基台部の下方へ流体噴射部を設けると共に、平
行状態で進退自在な押送装置の先端へ湾曲部を形成した
ことによって、浮遊状態とした半導体ウエハを移送元か
ら移送先に移送するものである。
【０００６】
【発明の構成】本発明の構成は、研削盤等の加工後の半
導体ウエハを移送するための機構であって、移送機構の
基台部を長さを有した底面へ側壁を立設させた横断面凹
状に形成し、基台部の少なくとも底面を有孔性部材で形
成し、底面の下方へ流体噴射部を設けると共に、基台部
の底面と平行状態で進退自在な押送装置を設け、押送装
置の先端を半導体ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部
を形成した構成である。
導体ウエハを移送するための機構であって、移送機構の
基台部を長さを有した底面へ側壁を立設させた横断面凹
状に形成し、基台部の少なくとも底面を有孔性部材で形
成し、底面の下方へ流体噴射部を設けると共に、基台部
の底面と平行状態で進退自在な押送装置を設け、押送装
置の先端を半導体ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部
を形成した構成である。
【０００７】
【発明の作用】研削盤等で加工後の半導体ウエハを移送
ための方法であって、移送機構の基台部を有孔性部材で
形成したことと、該基台部の下方へ流体噴射装置を設け
たことと、半導体ウエハの外周縁に沿った湾曲部を先端
に設けたことと、進退自在な押送装置を設けたことによ
って、基台部の下方より上方に流体を流体噴射部から噴
射させて半導体ウエハを浮遊状態として移送元から移送
先へ移送させるものである。
ための方法であって、移送機構の基台部を有孔性部材で
形成したことと、該基台部の下方へ流体噴射装置を設け
たことと、半導体ウエハの外周縁に沿った湾曲部を先端
に設けたことと、進退自在な押送装置を設けたことによ
って、基台部の下方より上方に流体を流体噴射部から噴
射させて半導体ウエハを浮遊状態として移送元から移送
先へ移送させるものである。
【０００８】
【実施例】本発明を以下の実施例の図面によって説明す
る。
る。
【０００９】図１は本発明の移送機構の平面図であり、
図２は本発明の移送機構の説明側面図であり、図３は本
発明の実施例の説明側面図である。
図２は本発明の移送機構の説明側面図であり、図３は本
発明の実施例の説明側面図である。
【００１０】本発明は、研削盤等のチャックから研削又
は研磨加工後の半導体ウエハＷを格納カセットＣへ移送
する移送機構及び移送方法に関するもので、詳しくは、
研削又は研磨加工後の半導体ウエハＷの加工面を移送機
構に接触させること無く移送する移送機構とその方法に
関するものであり、研削盤等で加工した後の半導体ウエ
ハＷを移送するための機構であって、移送機構の基台部
１を長さを有した底面２の両側辺へ側壁３．３を立設さ
せた横断面凹状に形成し、該基台部１の少なくとも底面
２を有孔性部材で形成し、前記底面２の下方へ流体噴出
装置に連繋させた流体噴射部４を設けると共に、前記基
台部１の底面２の上面と平行状態で進退自在な押送装置
５を設け、該押送装置５の先端を半導体ウエハＷの外周
縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成したものである。
は研磨加工後の半導体ウエハＷを格納カセットＣへ移送
する移送機構及び移送方法に関するもので、詳しくは、
研削又は研磨加工後の半導体ウエハＷの加工面を移送機
構に接触させること無く移送する移送機構とその方法に
関するものであり、研削盤等で加工した後の半導体ウエ
ハＷを移送するための機構であって、移送機構の基台部
１を長さを有した底面２の両側辺へ側壁３．３を立設さ
せた横断面凹状に形成し、該基台部１の少なくとも底面
２を有孔性部材で形成し、前記底面２の下方へ流体噴出
装置に連繋させた流体噴射部４を設けると共に、前記基
台部１の底面２の上面と平行状態で進退自在な押送装置
５を設け、該押送装置５の先端を半導体ウエハＷの外周
縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成したものである。
【００１１】そして、研削盤等で加工した後の半導体ウ
エハＷを移送するための方法であって、移送機構の基台
部１を長さを有した底面２の両側辺へ側壁３．３を立設
させた横断面凹状に形成し、該基台部１の少なくとも底
面２を有孔性部材で形成し、前記底面２の下方へ流体噴
出装置に連繋させた流体噴射部４を設けると共に、前記
基台部１の底面２の上面と平行状態で進退自在な押送装
置５を設け、該押送装置５の先端部を半導体ウエハＷの
外周縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成した半導体ウエ
ハＷの移送機構を用いて、前記移送機構へ半導体ウエハ
Ｗを載置する以前又は同時に基台部１の下方の流体噴射
部４から流体を噴射させて半導体ウエハＷを浮遊状態と
すると共に、押送装置５の先端の湾曲部５ａへ半導体ウ
エハＷの外周縁を当接させ、押送装置５を伸延させて移
送元から移送先に移送させる移送方法である。
エハＷを移送するための方法であって、移送機構の基台
部１を長さを有した底面２の両側辺へ側壁３．３を立設
させた横断面凹状に形成し、該基台部１の少なくとも底
面２を有孔性部材で形成し、前記底面２の下方へ流体噴
出装置に連繋させた流体噴射部４を設けると共に、前記
基台部１の底面２の上面と平行状態で進退自在な押送装
置５を設け、該押送装置５の先端部を半導体ウエハＷの
外周縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成した半導体ウエ
ハＷの移送機構を用いて、前記移送機構へ半導体ウエハ
Ｗを載置する以前又は同時に基台部１の下方の流体噴射
部４から流体を噴射させて半導体ウエハＷを浮遊状態と
すると共に、押送装置５の先端の湾曲部５ａへ半導体ウ
エハＷの外周縁を当接させ、押送装置５を伸延させて移
送元から移送先に移送させる移送方法である。
【００１２】先ず、通常のこの種の平面自動研削盤の被
研削物である半導体ウエハＷの作動状態を具体的に説明
すると、多数枚の半導体ウエハＷを単品毎に梯子形仕切
り枠で集積格納され昇降可動かつ前面が開放されている
カセットの直前の下方辺に設けられた移送用ベルトの上
へカセット台のエレベータの昇降によって載置案内さ
れ、該移送用ベルト上の半導体ウエハＷは移送用ベルト
の間を縦方行に回動する吸着パット付き反転アームでプ
リポジション装置に移送し、該プリポジションで正確に
位置合わせを行ない、該プリポジョンから半導体ウエハ
Ｗは昇降自在で且つ水平方向へ旋回機構を有するウエハ
移送アームの先端へ設けた吸着パットの下面にバキュー
ム吸着されて、研削盤の研削テーブル上に移送するもの
である。
研削物である半導体ウエハＷの作動状態を具体的に説明
すると、多数枚の半導体ウエハＷを単品毎に梯子形仕切
り枠で集積格納され昇降可動かつ前面が開放されている
カセットの直前の下方辺に設けられた移送用ベルトの上
へカセット台のエレベータの昇降によって載置案内さ
れ、該移送用ベルト上の半導体ウエハＷは移送用ベルト
の間を縦方行に回動する吸着パット付き反転アームでプ
リポジション装置に移送し、該プリポジションで正確に
位置合わせを行ない、該プリポジョンから半導体ウエハ
Ｗは昇降自在で且つ水平方向へ旋回機構を有するウエハ
移送アームの先端へ設けた吸着パットの下面にバキュー
ム吸着されて、研削盤の研削テーブル上に移送するもの
である。
【００１３】そして、前記研削テーブルには夫々に自回
転する円形状のバキューム吸着するチャックを備え、研
削テーブルは自動的に回転、停止を繰返しており、停止
位置で夫々のチャックの上方から先端へ研削砥石等を備
えたスピンドル軸が下降して、各チャック上で予め設定
された研削等の加工を施すものである。
転する円形状のバキューム吸着するチャックを備え、研
削テーブルは自動的に回転、停止を繰返しており、停止
位置で夫々のチャックの上方から先端へ研削砥石等を備
えたスピンドル軸が下降して、各チャック上で予め設定
された研削等の加工を施すものである。
【００１４】前記半導体ウエハＷはウエハ移送アームで
前記チャック上に正確にセットされると共に、該チャッ
クにバキューム吸着されるものであり、半導体ウエハＷ
はチャックと共に研削テーブルの回動によって、次の加
工位置へと移行し、所定の求められる厚さに研削等が順
次施され加工が完了するものであり、そして、研削加工
後は吸着パットでバキューム吸着され洗浄装置へ移送さ
れ、洗浄された後に反転アームの吸着パットでバキュー
ム吸着され移送ベルトに載置され、移送ベルトの駆動
と、カセット台エレベータの昇降によって格納カセット
Ｃへ収納されるものである。
前記チャック上に正確にセットされると共に、該チャッ
クにバキューム吸着されるものであり、半導体ウエハＷ
はチャックと共に研削テーブルの回動によって、次の加
工位置へと移行し、所定の求められる厚さに研削等が順
次施され加工が完了するものであり、そして、研削加工
後は吸着パットでバキューム吸着され洗浄装置へ移送さ
れ、洗浄された後に反転アームの吸着パットでバキュー
ム吸着され移送ベルトに載置され、移送ベルトの駆動
と、カセット台エレベータの昇降によって格納カセット
Ｃへ収納されるものである。
【００１５】通常、この種の平面自動研削盤はこの様に
構成されており、前記の作動が自動的かつ規則的に繰り
返され、カセットから送出された半導体ウエハＷは、順
次可動位置へ案内され、研削され、洗浄され、格納され
る仕組と成るものであり、研削テーブルは一定の停止時
間を保ちながらエンドレス的に回転しているものである
が、加工後の半導体ウエハＷを吸着パットで吸着した
り、移送ベルトで移送させると微細な傷等が入ることが
屡々あり、後の加工の歩留まりを大きく下げていた。
構成されており、前記の作動が自動的かつ規則的に繰り
返され、カセットから送出された半導体ウエハＷは、順
次可動位置へ案内され、研削され、洗浄され、格納され
る仕組と成るものであり、研削テーブルは一定の停止時
間を保ちながらエンドレス的に回転しているものである
が、加工後の半導体ウエハＷを吸着パットで吸着した
り、移送ベルトで移送させると微細な傷等が入ることが
屡々あり、後の加工の歩留まりを大きく下げていた。
【００１６】即ち、本発明はこれらの移送部分に用いる
ものであって、移送機構の基台部１を長さを有した底面
２の両側辺へ側壁３．３を立設させた横断面凹状に形成
し、該基台部１の少なくとも底面２を有孔性部材で形成
したものであり、ポーラスセラミック、又は、セラミッ
クヘ移送方向に沿って小孔を多数穿設したものでも良
く、前記底面２の下方へポンプ等の流体噴出装置に連繋
させた液体、気体等の流体噴射部４を設けたものであ
る。
ものであって、移送機構の基台部１を長さを有した底面
２の両側辺へ側壁３．３を立設させた横断面凹状に形成
し、該基台部１の少なくとも底面２を有孔性部材で形成
したものであり、ポーラスセラミック、又は、セラミッ
クヘ移送方向に沿って小孔を多数穿設したものでも良
く、前記底面２の下方へポンプ等の流体噴出装置に連繋
させた液体、気体等の流体噴射部４を設けたものであ
る。
【００１７】そして、前記基台部１の底面２の上面と平
行状態でエア、オイル圧等によって進退自在な押送装置
５を両側又は片側に設け、該押送装置５の先端を半導体
ウエハＷの外周縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成した
ものであり、たものであり、側壁３．３と底面２によっ
て液体、気体等を一時的に貯溜できるものであり、更
に、押送装置５の先端の湾曲部５ａによって半導体ウエ
ハＷを移送元から移送先へ確実且つ安全に移送できるも
のである。
行状態でエア、オイル圧等によって進退自在な押送装置
５を両側又は片側に設け、該押送装置５の先端を半導体
ウエハＷの外周縁の形状に沿った湾曲部５ａを形成した
ものであり、たものであり、側壁３．３と底面２によっ
て液体、気体等を一時的に貯溜できるものであり、更
に、押送装置５の先端の湾曲部５ａによって半導体ウエ
ハＷを移送元から移送先へ確実且つ安全に移送できるも
のである。
【００１８】次いで、前記移送機構を用いて、移送機構
へ半導体ウエハＷを載置する以前又は同時に基台部１の
下方の流体噴射部４から流体を噴射させて半導体ウエハ
Ｗを浮遊状態とすると共に、押送装置５の先端の湾曲部
５ａへ半導体ウエハＷの外周縁を当接させ、押送装置５
を伸延させて移送元から移送先に移送させるものであ
る。
へ半導体ウエハＷを載置する以前又は同時に基台部１の
下方の流体噴射部４から流体を噴射させて半導体ウエハ
Ｗを浮遊状態とすると共に、押送装置５の先端の湾曲部
５ａへ半導体ウエハＷの外周縁を当接させ、押送装置５
を伸延させて移送元から移送先に移送させるものであ
る。
【００１９】図３においては、格納カセットＣの前方に
配設する移送ベルトに代えて、本発明の移送機構を実施
した側面図であり、格納カセットＣの仕切られた桟体の
間へ本発明の移送機構によって、格納カセットＣのエレ
ベータ台の昇降と共働によって格納するものである。
配設する移送ベルトに代えて、本発明の移送機構を実施
した側面図であり、格納カセットＣの仕切られた桟体の
間へ本発明の移送機構によって、格納カセットＣのエレ
ベータ台の昇降と共働によって格納するものである。
【００２０】
【発明の効果】前述のように、本発明は基台部の下方の
流体噴射部から流体を噴射させて半導体ウエハを浮遊状
態として押送装置を伸延させて移送元から移送先に移送
させるものであって、半導体ウエハの加工面に一切触れ
ること無く、格納カセットまで移送することを可能とし
て、以後の加工の歩留まりを飛躍的に高くしたものであ
り、画期的な発明である。
流体噴射部から流体を噴射させて半導体ウエハを浮遊状
態として押送装置を伸延させて移送元から移送先に移送
させるものであって、半導体ウエハの加工面に一切触れ
ること無く、格納カセットまで移送することを可能とし
て、以後の加工の歩留まりを飛躍的に高くしたものであ
り、画期的な発明である。
【００２１】
【図１】図１は本発明の移送機構の平面図である。
【図２】図２は本発明の移送機構の説明側面図である。
【図３】図３は本発明の実施例の説明側面図である。
Ｗ 半導体ウエハ Ｃ 格納カセット １ 基台部 ２ 底面 ３ 側壁 ４ 流体噴射部 ５ 押送装置 ５ａ 湾曲部
Claims (2)
- 【請求項１】研削盤等で加工した後の半導体ウエハを移
送するための機構であって、移送機構の基台部を長さを
有した底面の両側辺へ側壁を立設させた横断面凹状に形
成し、該基台部の少なくとも底面を有孔性部材で形成
し、前記底面の下方へ流体噴出装置に連繋させた流体噴
射部を設けると共に、前記基台部の底面の上面と平行状
態で進退自在な押送装置を設け、該押送装置の先端を半
導体ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部を形成したこ
とを特徴とする半導体ウエハの移送機構。 - 【請求項２】研削盤等で加工した後の半導体ウエハを移
送するための方法であって、移送機構の基台部を長さを
有した底面の両側辺へ側壁を立設させた横断面凹状に形
成し、該基台部の少なくとも底面を有孔性部材で形成
し、前記底面の下方へ流体噴出装置に連繋させた流体噴
射部を設けると共に、前記基台部の底面の上面と平行状
態で進退自在な押送装置を設け、該押送装置の先端部を
半導体ウエハの外周縁の形状に沿った湾曲部を形成した
半導体ウエハの移送機構を用いて、前記移送機構へ半導
体ウエハを載置する以前又は同時に基台部の下方の流体
噴射部から流体を噴射させて半導体ウエハを浮遊状態と
すると共に、押送装置の先端の湾曲部へ半導体ウエハの
外周縁を当接させ、押送装置を伸延させて移送元から移
送先に移送させることを特徴とする半導体ウエハの移送
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356693A JPH0786368A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体ウエハの移送機構及び移送方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356693A JPH0786368A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体ウエハの移送機構及び移送方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786368A true JPH0786368A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16138051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18356693A Pending JPH0786368A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 半導体ウエハの移送機構及び移送方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786368A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004182378A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Toppan Printing Co Ltd | 大型基板の搬送方法及び固定方法 |
| JP2011018731A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Rayresearch Corp | ウェハ分岐搬送装置 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP18356693A patent/JPH0786368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004182378A (ja) * | 2002-12-02 | 2004-07-02 | Toppan Printing Co Ltd | 大型基板の搬送方法及び固定方法 |
| JP2011018731A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Rayresearch Corp | ウェハ分岐搬送装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3920720B2 (ja) | 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置 | |
| JPH0699348A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| KR20140108171A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
| JP2001015466A (ja) | 化学機械的研磨装置及び研磨ヘッド内部の汚染物質洗浄方法 | |
| JP2002025961A (ja) | 半導体ウエーハの研削方法 | |
| JP6879807B2 (ja) | 加工装置 | |
| JP2019111628A (ja) | 切削装置 | |
| JPH0786368A (ja) | 半導体ウエハの移送機構及び移送方法 | |
| JP2017204606A (ja) | ウエーハ製造方法 | |
| JPS6243832B2 (ja) | ||
| JP3172778B2 (ja) | 半導体ウエハの全自動ポリッシング装置 | |
| JP2001274121A (ja) | ウェハ研磨装置 | |
| JP2005051094A (ja) | 切削装置 | |
| JPH11198007A (ja) | 平面研削装置 | |
| JP4477974B2 (ja) | 研磨装置 | |
| CN111037457A (zh) | 晶圆的研磨装置及研磨方法 | |
| JP2022134856A (ja) | チャックテーブルの洗浄方法 | |
| JPH11277423A (ja) | ウェーハの研磨装置及びそのシステム | |
| JP2002231671A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JPH05243199A (ja) | 半導体ウエハの格納機構とその方法 | |
| JP2001347452A (ja) | ウエハの研磨装置およびウエハの研磨方法 | |
| JP2002237477A (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
| JP2023061565A (ja) | ウェーハの研削方法及び研削装置 | |
| JP4284707B2 (ja) | ４軸のスピンドル軸を備えた半導体ウエハの全自動研磨装置 | |
| JP2000326222A (ja) | 両面研摩方法及び装置 |