JPH0782961B2 - コンデンサを製造するための製造装置 - Google Patents
コンデンサを製造するための製造装置Info
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- JPH0782961B2 JPH0782961B2 JP62221180A JP22118087A JPH0782961B2 JP H0782961 B2 JPH0782961 B2 JP H0782961B2 JP 62221180 A JP62221180 A JP 62221180A JP 22118087 A JP22118087 A JP 22118087A JP H0782961 B2 JPH0782961 B2 JP H0782961B2
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 48
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 41
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000012806 monitoring device Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000037237 body shape Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 125000004386 diacrylate group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000006199 nebulizer Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000006200 vaporizer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/50—Multilayers
- B05D7/56—Three layers or more
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- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
- B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
- B05D3/068—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation using ionising radiations (gamma, X, electrons)
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D7/00—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials
- B05D7/24—Processes, other than flocking, specially adapted for applying liquids or other fluent materials to particular surfaces or for applying particular liquids or other fluent materials for applying particular liquids or other fluent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G13/00—Apparatus specially adapted for manufacturing capacitors; Processes specially adapted for manufacturing capacitors not provided for in groups H01G4/00 - H01G11/00
-
- H—ELECTRICITY
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- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
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- H01G4/30—Stacked capacitors
- H01G4/306—Stacked capacitors made by thin film techniques
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Description
【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、コンデンサ等の複合構造体の製造方法及び装
置に関するものである。
置に関するものである。
(発明の技術的背景) 本発明は、共同で譲渡した次の係属特許出願に関連して
いる。すなわち、1983年12月19日付出願の米国出願第56
2,873号「樹脂誘電体を有するコンデンサ及び製造方
法」、1983年12月19日付出願の米国出願第562,871号
「誘電体として多官能のアクリルポリマを含むコンデン
サ」、1983年12月19日付出願の米国出願第562,893号
「1:2−アルカンジオール・ジアクリレート・モノマ
(1:2−Alkanediol Diacrylate Monomers)及びコンデ
ンサ誘電体として有用なそのポリマ」、1983年12月19日
付出願の米国出願第562,872号「アクリル含有物を混入
させたエステルモノマ及びコンデンサ誘電体として有用
なそのポリマ」、及び1983年12月19日付出願の米国出願
第562,894号「コンデンサ誘電体として用いるポリマ用
の多官能アクリレートモノマ」であり、前記特許出願の
内容は出願番号の引用によってこの明細書で記載されて
いる。
いる。すなわち、1983年12月19日付出願の米国出願第56
2,873号「樹脂誘電体を有するコンデンサ及び製造方
法」、1983年12月19日付出願の米国出願第562,871号
「誘電体として多官能のアクリルポリマを含むコンデン
サ」、1983年12月19日付出願の米国出願第562,893号
「1:2−アルカンジオール・ジアクリレート・モノマ
(1:2−Alkanediol Diacrylate Monomers)及びコンデ
ンサ誘電体として有用なそのポリマ」、1983年12月19日
付出願の米国出願第562,872号「アクリル含有物を混入
させたエステルモノマ及びコンデンサ誘電体として有用
なそのポリマ」、及び1983年12月19日付出願の米国出願
第562,894号「コンデンサ誘電体として用いるポリマ用
の多官能アクリレートモノマ」であり、前記特許出願の
内容は出願番号の引用によってこの明細書で記載されて
いる。
自分自身を支持するフィルムをコンデンサ形状に巻回し
た金属化フィルムコンデンサと異なり、モノリシックコ
ンデンサは、電極及び誘電体の各層を単一構造になるよ
うに一緒に結合したものである。
た金属化フィルムコンデンサと異なり、モノリシックコ
ンデンサは、電極及び誘電体の各層を単一構造になるよ
うに一緒に結合したものである。
微細化コンデンサは、マイクロ回路に用いるための極め
て小型のものである。
て小型のものである。
全寸法が小さいと、キャパシタンスの実効値は小さくな
る。しかし、逆に挿入する誘電体層の厚さは隣接する電
極間のキャパシタンスを大きくし、また電極対の数は直
接的にキャパシタンスを大きくすることに影響する。
る。しかし、逆に挿入する誘電体層の厚さは隣接する電
極間のキャパシタンスを大きくし、また電極対の数は直
接的にキャパシタンスを大きくすることに影響する。
従って、コンデンサの基礎理論によれば、非常に薄い誘
電体層と多数の電極対とを有するコンデンサは、電極の
能動領域が極めて小さく、微細寸法であるにもかかわら
ず実効的なキャパシタンスを持たせることができる。
電体層と多数の電極対とを有するコンデンサは、電極の
能動領域が極めて小さく、微細寸法であるにもかかわら
ず実効的なキャパシタンスを持たせることができる。
近年のマイクロ回路技術は、微細コンデンサに適してい
るばかりでなく、そのようなコンデンサの応用に際して
要求される耐高温能力も満足する。電子回路では、コン
デンサは230℃以上の連続温度に晒される可能性があ
る。更には、超音波溶接のような回路製造技術によれ
ば、溶着物の溶解点約280℃を超える温度に、10〜30秒
の間コンデンサを晒す可能性がある。
るばかりでなく、そのようなコンデンサの応用に際して
要求される耐高温能力も満足する。電子回路では、コン
デンサは230℃以上の連続温度に晒される可能性があ
る。更には、超音波溶接のような回路製造技術によれ
ば、溶着物の溶解点約280℃を超える温度に、10〜30秒
の間コンデンサを晒す可能性がある。
(発明の目的) 本発明の目的は、実用的なキャパシタンスを有する極め
て小型の微細コンデンサ等を製造するのに適した複合構
造体の製造方法及び装置を提供することである。
て小型の微細コンデンサ等を製造するのに適した複合構
造体の製造方法及び装置を提供することである。
(発明の実施例) 次に、添付図面に基づいて本発明の実施例について本発
明をより詳細に説明する。
明をより詳細に説明する。
本発明は、導電材料層とモノマ材料層とを有する複合構
造体全般に適用されうるものであるが、以下、本発明を
コンデンサに適用した場合を例にとって主として説明す
る。
造体全般に適用されうるものであるが、以下、本発明を
コンデンサに適用した場合を例にとって主として説明す
る。
図面によれば、第1図及び第1A図において、本発明の一
実施例によって製造されるコンデンサ10が示されてお
り、このコンデンサは、伸張する接続用ワイヤリード12
を有するカプセル状封止体11を具えている。
実施例によって製造されるコンデンサ10が示されてお
り、このコンデンサは、伸張する接続用ワイヤリード12
を有するカプセル状封止体11を具えている。
第1図は、個別の片に分離するためのノッチ14を有する
導電性基板13、導電層15、及び誘電体コーティング16を
示す断面図である。同図は、リード12を個々の基板片13
に接続し、またコンデンサをカプセル状に封止する前の
コンデンサ10を図示している。
導電性基板13、導電層15、及び誘電体コーティング16を
示す断面図である。同図は、リード12を個々の基板片13
に接続し、またコンデンサをカプセル状に封止する前の
コンデンサ10を図示している。
基板13は、略0.0381〜0.0508mm(1.5〜2ミル)の厚さ
の銅シートであることが望ましい。導電層15は、略200
〜500オングストローム厚のアルミニウムのような電極
材料である。また、誘電体コーティング16は、その中心
部分で略1ミクロンの厚さがあり硬化可能である。例え
ば、電極材料及び基板に粘着又は接着可能なクロスリン
ク(Cross Linked)した、放射で硬化可能な樹脂であ
る。
の銅シートであることが望ましい。導電層15は、略200
〜500オングストローム厚のアルミニウムのような電極
材料である。また、誘電体コーティング16は、その中心
部分で略1ミクロンの厚さがあり硬化可能である。例え
ば、電極材料及び基板に粘着又は接着可能なクロスリン
ク(Cross Linked)した、放射で硬化可能な樹脂であ
る。
有用な樹脂は、前述のクロスレファレンスで述べた多官
能アクリル材及びその混合物である。
能アクリル材及びその混合物である。
前述の寸法から明らかであるが、外周が2.54cm(1イン
チ)四方で厚さが数ミリメートルのこの形の微細コンデ
ンサでも1000以上の電極と誘電体層を交互に有すること
ができる。もちろん全体の大きさと、電極対の数とによ
るが、この場合、キャパシタンスが0.001〜100マイクロ
フアラッドで50ボルト以上で動作させることのできるコ
ンデンサを得ることができる。
チ)四方で厚さが数ミリメートルのこの形の微細コンデ
ンサでも1000以上の電極と誘電体層を交互に有すること
ができる。もちろん全体の大きさと、電極対の数とによ
るが、この場合、キャパシタンスが0.001〜100マイクロ
フアラッドで50ボルト以上で動作させることのできるコ
ンデンサを得ることができる。
誘電体コーティング16は誘電層15と一定間隔を持って分
離されている。ここで、この導電層は、キャパシタンス
部分又は領域17に向かって伸張する2つのオフセット部
分に分割されている。このキャパシタンス部分内で、各
層15は電気的に絶縁された状態で一様に交互に堆積され
ている。
離されている。ここで、この導電層は、キャパシタンス
部分又は領域17に向かって伸張する2つのオフセット部
分に分割されている。このキャパシタンス部分内で、各
層15は電気的に絶縁された状態で一様に交互に堆積され
ている。
この実施例によれば、基板13上には電気的接続部分を画
定する端子部分18がある。この電気的接続部分は、中心
キャパシタンス領域17の互いに対向し分離した端部から
ほぼ一定間隔を持った切断線19で終端している。
定する端子部分18がある。この電気的接続部分は、中心
キャパシタンス領域17の互いに対向し分離した端部から
ほぼ一定間隔を持った切断線19で終端している。
コーティング16は、一様なキャパシタンス部分17の一様
な厚さの部分から、端子部分18付近の厚さゼロの部分ま
でテーパ状に変化している。このため、コンデンサは傾
斜部分21を有する。
な厚さの部分から、端子部分18付近の厚さゼロの部分ま
でテーパ状に変化している。このため、コンデンサは傾
斜部分21を有する。
中心キャパシタンス領域17から切断線19及び端子部分18
までの距離は、所定のコンデンサの一番上のコーティン
グ16が傾斜部分21内の最後の導電層15を受け入れること
ができる水平寸法を有するに充分なものである。水平と
は、基板13の平面をいう。
までの距離は、所定のコンデンサの一番上のコーティン
グ16が傾斜部分21内の最後の導電層15を受け入れること
ができる水平寸法を有するに充分なものである。水平と
は、基板13の平面をいう。
従って、電極材料をほぼ基板13に直角に蒸着させ、また
傾斜部分21の層15は次々に層を形成していくにつれて基
板に対して角度が急になると仮定すれば、最初のキャパ
シタンス領域の切断線間の距離は充分大きくなければな
らず、最後の電極層15が基板に垂直である必要はない。
傾斜部分21の層15は次々に層を形成していくにつれて基
板に対して角度が急になると仮定すれば、最初のキャパ
シタンス領域の切断線間の距離は充分大きくなければな
らず、最後の電極層15が基板に垂直である必要はない。
実際上、各コーティング及び各層が前述の厚さを有する
場合、端子部分18は中心キャパシタンス領域17から少な
くとも10ミクロン分離することが望ましい。そうしない
と、傾斜部分21におけるコーティング及び層15、16の制
御が難しくなり、完成した最終的な構成に信頼性がなく
なる。
場合、端子部分18は中心キャパシタンス領域17から少な
くとも10ミクロン分離することが望ましい。そうしない
と、傾斜部分21におけるコーティング及び層15、16の制
御が難しくなり、完成した最終的な構成に信頼性がなく
なる。
また、ノッチ14は、基板13を分割し、2つの端子部分18
の間に電気的接続が生じないようにすることを目的にす
るものであることが分かる。
の間に電気的接続が生じないようにすることを目的にす
るものであることが分かる。
本発明の実施例を実行するに際して、コンデンサ10のよ
うなコンデンサは、蒸着装置に対して高速で移動する基
板13上に、ストリップ状の電極材料及び誘電体を蒸着す
ることにより、一時に多数を形成する。層15及びコーテ
ィング16は、蒸着装置に連続的に通過させることによ
り、所望の数だけ形成することができる。
うなコンデンサは、蒸着装置に対して高速で移動する基
板13上に、ストリップ状の電極材料及び誘電体を蒸着す
ることにより、一時に多数を形成する。層15及びコーテ
ィング16は、蒸着装置に連続的に通過させることによ
り、所望の数だけ形成することができる。
第10図は、このような一連の連続体25を示している。こ
の連続体25は、機械方向26(以下で説明する)に伸長す
る切断線19に沿って分離することができ、所望のキャパ
シタンスに応じた間隔で切断線27に沿って個々のコンデ
ンサに分割することができる。この場合、間隔を大きく
すると、各層15が個々のコンデンサ10のキャパシタンス
領域17内に有する電極領域が広くなり、また結果的にキ
ャパシタンスも大きくなる。
の連続体25は、機械方向26(以下で説明する)に伸長す
る切断線19に沿って分離することができ、所望のキャパ
シタンスに応じた間隔で切断線27に沿って個々のコンデ
ンサに分割することができる。この場合、間隔を大きく
すると、各層15が個々のコンデンサ10のキャパシタンス
領域17内に有する電極領域が広くなり、また結果的にキ
ャパシタンスも大きくなる。
連続体の形状から、コンデンサ10は所望の寸法に切断で
き、ノッチ14を形成でき、リード12を付着でき、また全
体をカプセル状に封止できる。
き、ノッチ14を形成でき、リード12を付着でき、また全
体をカプセル状に封止できる。
第1図によれば、電極材料の各ストリップ材を蒸着した
後、誘電体コーティング16は、基板13の同じ対応する位
置に、コーティングをストリップ状に蒸着させることに
より形成することができる。
後、誘電体コーティング16は、基板13の同じ対応する位
置に、コーティングをストリップ状に蒸着させることに
より形成することができる。
電極層15を交互に重ねた部分を形成するため、一回の蒸
着行程中で、電極材料が端子部分18及び隣接するキャパ
シタンス領域17に1つおきに蒸着される。次の行程で
は、層間の誘電体コーティングを施した後に、前回材料
を付着させなかった端子部分18及び隣接する各キャパシ
タンス領域17(第4A図、第4B図)に電極材料を蒸着させ
る。
着行程中で、電極材料が端子部分18及び隣接するキャパ
シタンス領域17に1つおきに蒸着される。次の行程で
は、層間の誘電体コーティングを施した後に、前回材料
を付着させなかった端子部分18及び隣接する各キャパシ
タンス領域17(第4A図、第4B図)に電極材料を蒸着させ
る。
この実施例によれば、真空チェンバ又は複数の真空部分
に分割したハウジングであるチェンバ30周辺の装置を一
例として示している(第2図)。
に分割したハウジングであるチェンバ30周辺の装置を一
例として示している(第2図)。
真空雰囲気中には、キャリア31、誘電体蒸着装置32、モ
ノマ硬化装置33、及び電極材料蒸着装置34がある。実質
的な真空は、1×10-4Torrのオーダ以下である必要があ
る。
ノマ硬化装置33、及び電極材料蒸着装置34がある。実質
的な真空は、1×10-4Torrのオーダ以下である必要があ
る。
キャリア31は、モータ36で駆動される水冷ドラム35であ
る。ドラムの外周円筒面37は、誘電体形成領域及び電極
形成領域を通過する高速移動連続面を画定する。
る。ドラムの外周円筒面37は、誘電体形成領域及び電極
形成領域を通過する高速移動連続面を画定する。
ドラム面37及び装置32、33が配置されている領域は、誘
電体形成領域を成す。また、ドラム面37及び装置34が配
置されている領域は、電極形成領域を成す。ドラムの回
転方向が機械方向26であり、誘電体形成領域及び電極形
成領域をその面が通過する方向である。
電体形成領域を成す。また、ドラム面37及び装置34が配
置されている領域は、電極形成領域を成す。ドラムの回
転方向が機械方向26であり、誘電体形成領域及び電極形
成領域をその面が通過する方向である。
取扱う寸法が小さいため、表面37は滑らかで正確でなけ
ればならない。基板13のシートはドラム35にしっかりと
保持されており、またこのとき基板の外周面が表面37を
画定する。
ればならない。基板13のシートはドラム35にしっかりと
保持されており、またこのとき基板の外周面が表面37を
画定する。
ドラム35は70゜Fに冷却されており、蒸気付着物の凝集
が容易なようになっている。また、装置は、45〜180メ
ートル/分(150〜600フィート/分)のドラム面速度で
作動する。
が容易なようになっている。また、装置は、45〜180メ
ートル/分(150〜600フィート/分)のドラム面速度で
作動する。
電極材料蒸着装置34は、真空雰囲気中でフィルムを金属
化するために用いる装置のような通常の電子ビーム気化
装置41を具えている。気化率は通常のクオーツモニタリ
ング装置42で検知する。このモニタリング装置は、装置
41によってアルミニウムが気化される割合を制御するた
めのフィードバック信号を供給する。
化するために用いる装置のような通常の電子ビーム気化
装置41を具えている。気化率は通常のクオーツモニタリ
ング装置42で検知する。このモニタリング装置は、装置
41によってアルミニウムが気化される割合を制御するた
めのフィードバック信号を供給する。
アルミニウム蒸気が付着するパターンは、蒸気が通過す
る開口44を有するマスク、ここではシャドウマスク43に
よって制御される。開口44は、中間の端子部分18と共
に、2つの隣接する連続体25中のキャパシタンス領域17
を橋渡しするに充分な巾の主部分45を有する。
る開口44を有するマスク、ここではシャドウマスク43に
よって制御される。開口44は、中間の端子部分18と共
に、2つの隣接する連続体25中のキャパシタンス領域17
を橋渡しするに充分な巾の主部分45を有する。
コンデンサを形成するにつれて、傾斜部分21は表面部分
が大きくなり、電流を流す層全体を形成するアルミニウ
ムをより多く必要とするようになる。これは、隣接する
傾斜部分21及び中間端子部分18を橋渡しする拡張部分46
を有するマスク開口44を生成することにより達成され
る。
が大きくなり、電流を流す層全体を形成するアルミニウ
ムをより多く必要とするようになる。これは、隣接する
傾斜部分21及び中間端子部分18を橋渡しする拡張部分46
を有するマスク開口44を生成することにより達成され
る。
付着する電極材料の量は、マスク43の開口部分の下に面
が存在する時間の関数である。このため、キャパシタン
ス領域17によりも傾斜部分21上により多く金属が付着す
る。
が存在する時間の関数である。このため、キャパシタン
ス領域17によりも傾斜部分21上により多く金属が付着す
る。
第4A図及び第4B図に関連して上述した金属蒸気を付着さ
せる交互のパターンは、ドラムの各回転毎にドラム35の
軸を中心としてマスク43をシフトさせることによって得
られる。マスクモータ47が簡単な機械的接続48を介して
シフト動作を成す。
せる交互のパターンは、ドラムの各回転毎にドラム35の
軸を中心としてマスク43をシフトさせることによって得
られる。マスクモータ47が簡単な機械的接続48を介して
シフト動作を成す。
制御装置50は、ドラムの回転を検出するために、ドラム
モータ36に接続されている。また、制御装置50は、マス
クシフトモータ47に適当なシフト信号を供給する。
モータ36に接続されている。また、制御装置50は、マス
クシフトモータ47に適当なシフト信号を供給する。
マスク43は、金属蒸気を付着させる面に接近して保持す
ることが望ましい。マスクはマスク引外しモータ51によ
って接近して保持され、また制御装置50の指令によっ
て、各ドラム回転毎に、付着させる電極の厚さにほぼ等
しい距離に、モータ51は表面37からマスクを引離す。
ることが望ましい。マスクはマスク引外しモータ51によ
って接近して保持され、また制御装置50の指令によっ
て、各ドラム回転毎に、付着させる電極の厚さにほぼ等
しい距離に、モータ51は表面37からマスクを引離す。
装置41を起動し、コンデンサの製造を開始する前に安定
した動作状態に装置を持込む必要があるため、装置41と
マスク43の間に可動シャッタ52を介在させ、シャッタ52
を引取るまで蒸気の通路を閉じておく。
した動作状態に装置を持込む必要があるため、装置41と
マスク43の間に可動シャッタ52を介在させ、シャッタ52
を引取るまで蒸気の通路を閉じておく。
本発明の一実施例によれば、、誘電体蒸気装置32はモノ
マ状の誘電体を瞬間的に気化し、中程度の圧力差の下
で、ノズル55を通してコンデンサ連続体25上に比較的小
さなガス状分子を導く。液状体のモノマは、ライン57及
びバルブ56を介して、超音波噴霧器59のホーン58の開口
端に供給される。
マ状の誘電体を瞬間的に気化し、中程度の圧力差の下
で、ノズル55を通してコンデンサ連続体25上に比較的小
さなガス状分子を導く。液状体のモノマは、ライン57及
びバルブ56を介して、超音波噴霧器59のホーン58の開口
端に供給される。
こうして形成した小流体滴は、前述のアクリル樹脂のた
めに、帯状ヒータ62によって適当な温度例えば350℃に
加熱した気化チューブ61の内側に衝突する。
めに、帯状ヒータ62によって適当な温度例えば350℃に
加熱した気化チューブ61の内側に衝突する。
このように、液体は瞬間的に気化され、すなわちフラッ
シュ気化され、ポリマ化する機会を小さくする。蒸着を
良好に制御するためには、より小さなガス分子をより真
値な通路に通すようにする。
シュ気化され、ポリマ化する機会を小さくする。蒸着を
良好に制御するためには、より小さなガス分子をより真
値な通路に通すようにする。
略1Torrのチューブ61内の圧力は、付着および凝集のた
めにノズル55を介してモノマガス流を流すようにする。
ノズル55は、チューブ61からの伝導で加熱され、ガス流
がノズルを離れる前に凝縮してしまうのを最小限にす
る。
めにノズル55を介してモノマガス流を流すようにする。
ノズル55は、チューブ61からの伝導で加熱され、ガス流
がノズルを離れる前に凝縮してしまうのを最小限にす
る。
ノズル55内でガイド用偏向手段63を用い、またノズル55
を連続体25の凝集面の極近くに配置することにより、モ
ノマガス流を限定することができる。このことにより、
またモノマノズル55の両側に一群のノズル64を通して放
出する不活性ガスの端部バリア壁を形成することによ
り、蒸着領域を制限し、またコーティングの端部形状を
テーパ状とすることができる。
を連続体25の凝集面の極近くに配置することにより、モ
ノマガス流を限定することができる。このことにより、
またモノマノズル55の両側に一群のノズル64を通して放
出する不活性ガスの端部バリア壁を形成することによ
り、蒸着領域を制限し、またコーティングの端部形状を
テーパ状とすることができる。
不活性ガスは、ライン65及び制御バルブ66を介してノズ
ル64に供給される。ノズル64は、表面37に対向して、端
子部分18を所望のように構成する充分なように0.1016mm
(4ミル)のクリアランス距離をもって固定されてい
る。
ル64に供給される。ノズル64は、表面37に対向して、端
子部分18を所望のように構成する充分なように0.1016mm
(4ミル)のクリアランス距離をもって固定されてい
る。
モノマガスノズル55は、制御装置50の指令に基ずき、引
外しモータ67によってドラムの各回転毎にコーティング
16の厚さに略等しい量だけ、引離される。
外しモータ67によってドラムの各回転毎にコーティング
16の厚さに略等しい量だけ、引離される。
コーティング16の厚さは、蒸着時間、すなわち表面37の
速度に対するノズル55の長さ及びバルブ57を介して流れ
るモノマの割合に依存する。バルブ66から流入する不活
性ガス流をモノマガス流に対してバランスさせることに
より、ストリップ状の誘電体コーティングのテーパ状側
部を制御することができる。
速度に対するノズル55の長さ及びバルブ57を介して流れ
るモノマの割合に依存する。バルブ66から流入する不活
性ガス流をモノマガス流に対してバランスさせることに
より、ストリップ状の誘電体コーティングのテーパ状側
部を制御することができる。
液体モノマを噴霧状にするための例示的構成を第6図に
示す。同図によれば、モノマはキャピラリーチューブを
介して超音波噴霧器59のホーン58の近隣の点に配向され
る。この構成によれば、キャピラリーチューブ68の端部
とホーン58の端部との間に半円形状部分を形成し、チュ
ーブを介してモノマを一様に流す。
示す。同図によれば、モノマはキャピラリーチューブを
介して超音波噴霧器59のホーン58の近隣の点に配向され
る。この構成によれば、キャピラリーチューブ68の端部
とホーン58の端部との間に半円形状部分を形成し、チュ
ーブを介してモノマを一様に流す。
凝集した液体モノマは、ガス放電電子ビーム銃70のよう
な放射源を具えた誘電体形成領域内の第2の装置33によ
って、放射硬化される。電子銃70は、電子流をハウジン
グチェンバ71からエミッタ窓72を介してモノマ上に向け
られる。このことにより、コンデンサ10が遭遇するかも
しれない高温に耐えることができるようなポリマ化した
クロスリンク形状に材料を硬化することができる。ま
た、硬化した材料は、そこに付着する。
な放射源を具えた誘電体形成領域内の第2の装置33によ
って、放射硬化される。電子銃70は、電子流をハウジン
グチェンバ71からエミッタ窓72を介してモノマ上に向け
られる。このことにより、コンデンサ10が遭遇するかも
しれない高温に耐えることができるようなポリマ化した
クロスリンク形状に材料を硬化することができる。ま
た、硬化した材料は、そこに付着する。
電子銃70は、絶縁体75中のコネクタ74によって支持され
た矩形状の銅製カソード73を具えている。絶縁体75は、
ハウジング71に固定された接地シールド76中に搭載され
ている。窓72には、タングステンの抽出用メッシュスク
リーン77が固定されている。
た矩形状の銅製カソード73を具えている。絶縁体75は、
ハウジング71に固定された接地シールド76中に搭載され
ている。窓72には、タングステンの抽出用メッシュスク
リーン77が固定されている。
ライン78及び制御バルブ79を介してハウジングチェンバ
71に、アルゴンのようなガスを供給する。カソード73と
コネクタ74との間、及びシールド76並びにハウジング71
とスクリーン77との間には、一定の電圧を印加する。こ
の結果、ガス雰囲気にあることを考慮すると、先ずカソ
ード73及びスクリーン77間にハウジング内でガスプラズ
マが形成される。
71に、アルゴンのようなガスを供給する。カソード73と
コネクタ74との間、及びシールド76並びにハウジング71
とスクリーン77との間には、一定の電圧を印加する。こ
の結果、ガス雰囲気にあることを考慮すると、先ずカソ
ード73及びスクリーン77間にハウジング内でガスプラズ
マが形成される。
カソード面には溝81を形成することが望ましく、このた
めハウジングチェンバ71をほぼ満たすために非線形ビー
ム内で電子は反発する。発生したプラズマのために、他
の電子はチェンバの別の部分でイオン化したガス分子か
ら離脱する。これは、広範囲に変化するエネルギーレベ
ルの電子が窓72から放射される、フィールド拡張効果に
よるものである。
めハウジングチェンバ71をほぼ満たすために非線形ビー
ム内で電子は反発する。発生したプラズマのために、他
の電子はチェンバの別の部分でイオン化したガス分子か
ら離脱する。これは、広範囲に変化するエネルギーレベ
ルの電子が窓72から放射される、フィールド拡張効果に
よるものである。
放出される電子のエネルギーレベルが広範囲にわたる場
合には、モノマは表面を僅かに充電するだけで硬化する
ことが分かっている。また、コーティング16の表面を充
電するのを避ければ、電極層にアークが生ずる可能性を
最小限とすることができることが分かっている。
合には、モノマは表面を僅かに充電するだけで硬化する
ことが分かっている。また、コーティング16の表面を充
電するのを避ければ、電極層にアークが生ずる可能性を
最小限とすることができることが分かっている。
また、電子銃70は幅の広い電子ビームを形成でき、この
ため多数のコンデンサ連続体を同時に処理できることが
分かる。
ため多数のコンデンサ連続体を同時に処理できることが
分かる。
装置全体の動作を以下に説明する。
電極層を形成する表面が引続く電極層及び誘電体コーテ
ィングを再度形成するために通過する前に、電極層を敷
設し、誘電体で被覆し、誘電体を硬化する。電極層及び
誘電体コーティングの厚さは、ドラム35の表面速度に蒸
着速度を合わせることにより、所望の厚さとすることが
できる。
ィングを再度形成するために通過する前に、電極層を敷
設し、誘電体で被覆し、誘電体を硬化する。電極層及び
誘電体コーティングの厚さは、ドラム35の表面速度に蒸
着速度を合わせることにより、所望の厚さとすることが
できる。
コンデンサ10が実際に微細なコンデンサであり、しかも
有効なキャパシタンス値を有することを説明する。本発
明の装置及び方法によれば、多数のコンデンサを同時に
高速で製造することが可能であるため、コンデンサ10を
経済的に製造することができることが当業者は分かるで
あろう。また、同様に、各々のコンデンサは僅かの未加
工材料しか使わないため、経済的な製造が可能であるこ
とも理解できるであろう。
有効なキャパシタンス値を有することを説明する。本発
明の装置及び方法によれば、多数のコンデンサを同時に
高速で製造することが可能であるため、コンデンサ10を
経済的に製造することができることが当業者は分かるで
あろう。また、同様に、各々のコンデンサは僅かの未加
工材料しか使わないため、経済的な製造が可能であるこ
とも理解できるであろう。
各コンデンサの寸法が小さいにもかかわらず、コンデン
サのデザインとしては、組立を行うためリードワイヤを
支持する相当の領域がある。また、コンデンサは金属
と、硬化した耐熱性の樹脂とだけで出来上がっているた
め、超音波接合組立技術による一定の限定された時間内
の温度を含む相当の温度に、これらのコンデンサは耐え
ることができる。
サのデザインとしては、組立を行うためリードワイヤを
支持する相当の領域がある。また、コンデンサは金属
と、硬化した耐熱性の樹脂とだけで出来上がっているた
め、超音波接合組立技術による一定の限定された時間内
の温度を含む相当の温度に、これらのコンデンサは耐え
ることができる。
電極層及び誘電体コーティングの厚さなど寸法が極めて
小さいため、コンデンサ10は自己回復特性がある。すな
わち、誘電体コーティングは互いに対向する部分の電極
層を電気的に接続するため少量の金属を介在させている
が、この誘電体コーティング内に欠陥が存在するとする
と、この欠陥を除去するため、電流を流すことにより接
続している金属を極めて小さな断面を焼付けし又は溶か
すことができる。このため、コンデンサが短絡してしま
う危険はほとんどない。
小さいため、コンデンサ10は自己回復特性がある。すな
わち、誘電体コーティングは互いに対向する部分の電極
層を電気的に接続するため少量の金属を介在させている
が、この誘電体コーティング内に欠陥が存在するとする
と、この欠陥を除去するため、電流を流すことにより接
続している金属を極めて小さな断面を焼付けし又は溶か
すことができる。このため、コンデンサが短絡してしま
う危険はほとんどない。
また、上記の装置及び方法は、第10図の連続体形状と異
なり全幅形状のコンデンサを形成するためにも有効に用
いることができる。
なり全幅形状のコンデンサを形成するためにも有効に用
いることができる。
第13図に示すように、既に説明したと同様の要素は、区
別するための添字aを有する同じ参照番号としてあり、
コンデンサ10aは、一様な厚さの導電層15a及び誘電体コ
ーティング16aを有し、基板13a上に形成することができ
る。
別するための添字aを有する同じ参照番号としてあり、
コンデンサ10aは、一様な厚さの導電層15a及び誘電体コ
ーティング16aを有し、基板13a上に形成することができ
る。
切断線19a、27aに沿って個々のコンデンサ10aを分離す
ると、導電層15aの端部が現れる。従って、交互に配置
した層15aをコンデンサの対向端部に電気的に接続する
ため、端部端子を何らかの形にする必要がある。
ると、導電層15aの端部が現れる。従って、交互に配置
した層15aをコンデンサの対向端部に電気的に接続する
ため、端部端子を何らかの形にする必要がある。
この種のコンデンサ10aは、不活性ガスノズル64を除去
し、また装置32を介してモノマを一様に蒸着することに
より形成することができる。また、導電層15aは傾斜し
ていないため、装置34のシャドウマスク43内の拡張部分
46も不要である。すなわち、コンデンサ10aは、装置3
2、33、34の幅に従って全幅形状に形成すればよい。
し、また装置32を介してモノマを一様に蒸着することに
より形成することができる。また、導電層15aは傾斜し
ていないため、装置34のシャドウマスク43内の拡張部分
46も不要である。すなわち、コンデンサ10aは、装置3
2、33、34の幅に従って全幅形状に形成すればよい。
以上の説明は或特定の実施例に過ぎず、本発明は特許請
求の範囲によってその技術的範囲及び解釈範囲が決定さ
れるべきであることは、理解されるであろう。
求の範囲によってその技術的範囲及び解釈範囲が決定さ
れるべきであることは、理解されるであろう。
第1図は、本発明の一実施例によって製造されるコンデ
ンサの拡大断面図、第1a図は第1図の完成したコンデン
サの斜視図、第2図は本発明の実施例の装置の系統図、
第3図は第2図に示す装置の部分斜視図、第4a図及び第
4b図は引続ずく操作の位置及び操作モードを図示した第
2図の装置の部分断面図、第5図は第2図の装置の一部
を拡大し一部を断面とした系統図、第6図は第5図の装
置に代わる装置の説明図、第7図は第2図の装置の部分
系統図、第8図は第7図の装置の底面図、第9図は第8
図の装置の斜視図、第10図は製造される状態での第1図
に示す一群のコンデンサの斜視図、第11図は第2図の装
置の一部の部分断面を含む斜視図、第12図は第11図の線
12−12に沿った断面図、第13図は第10図と同様の方法で
製造した一群のコンデンサを示す第10図と同様の斜視図
である。 10……コンデンサ、 11……カプセル状封止体、 12……ワイヤリード、13……基板、 14……ノッチ、15……導電層、 16……誘電体コーティング、 17……中心キャパシタンス領域、 18……端子部分、21……傾斜部分、 30……チェンバ、31……キャリア、 32……誘電体蒸着装置、 33……モノマ硬化装置、 34……電極材料蒸着装置。
ンサの拡大断面図、第1a図は第1図の完成したコンデン
サの斜視図、第2図は本発明の実施例の装置の系統図、
第3図は第2図に示す装置の部分斜視図、第4a図及び第
4b図は引続ずく操作の位置及び操作モードを図示した第
2図の装置の部分断面図、第5図は第2図の装置の一部
を拡大し一部を断面とした系統図、第6図は第5図の装
置に代わる装置の説明図、第7図は第2図の装置の部分
系統図、第8図は第7図の装置の底面図、第9図は第8
図の装置の斜視図、第10図は製造される状態での第1図
に示す一群のコンデンサの斜視図、第11図は第2図の装
置の一部の部分断面を含む斜視図、第12図は第11図の線
12−12に沿った断面図、第13図は第10図と同様の方法で
製造した一群のコンデンサを示す第10図と同様の斜視図
である。 10……コンデンサ、 11……カプセル状封止体、 12……ワイヤリード、13……基板、 14……ノッチ、15……導電層、 16……誘電体コーティング、 17……中心キャパシタンス領域、 18……端子部分、21……傾斜部分、 30……チェンバ、31……キャリア、 32……誘電体蒸着装置、 33……モノマ硬化装置、 34……電極材料蒸着装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01G 13/00 391 C 9174−5E // C23C 14/12 8414−4K 14/24 V 8414−4K (72)発明者 ドナルド サマー ストリッカー アメリカ合衆国 12801 ニューヨーク州 グレンズ フォールズ ブロード エー カーズ ロード 26 (72)発明者 ムーヤング ハム アメリカ合衆国 12801 ニューヨーク州 グレンズ フォールズ ヘレン ドライ ブ 48 (56)参考文献 特開 昭57−134558(JP,A) 特開 昭52−153150(JP,A) 特開 昭54−145955(JP,A) 特公 昭31−1829(JP,B1) 特公 昭46−1945(JP,B1)
Claims (4)
- 【請求項1】コンデンサを製造するための高速度装置に
おいて、真空チェンバと、該真空チェンバにおいて製造
動作中に少なくとも45メートル/分(150フィート/
分)の速度で移動するように構成された連続表面を与え
るキャリヤと、前記真空チェンバにおいて前記移動する
連続表面上に金属層を付与するための金属付与装置と、
前記真空チェンバにおける誘電体付与装置とを備えてお
り、該誘電体付与装置は、(a)放射線によって硬化可
能な多官能アクリルモノマを霧化して該モノマの液滴を
形成するための手段、(b)前記霧化されたモノマ液滴
が衝突してフラッシュ気化される加熱表面、および
(c)前記フラッシュ気化されたモノマをその後に前記
金属層上に凝縮させて相続く各金属層上にモノマコーテ
ィングを形成するための手段を含み、前記高速度装置
は、さらに、前記真空チェンバにおいて前記各モノマコ
ーティングが付与された後にそれら各モノマコーティン
グを相続いて硬化させてポリマ誘電体層を形成するよう
に配置された放射線源と、前記移動する連続表面が前記
各装置を通過していくときに、、金属が付与され、モノ
マコーティングが付与され、該モノマコーティングが硬
化されてポリマ誘電体層が形成されていく工程が繰り返
されるように、前記各装置を制御するための手段とを備
えることを特徴とする高速度装置。 - 【請求項2】真空下において基体表面上にモノリシック
多層コンデンサを連続的に製造するための製造装置にお
いて、少なくとも所定の電極形成領域内のある表面上に
電極材料層を形成するための電極材料層形成手段と、少
なくとも所定の誘電体形成領域内のある表面上に誘電体
材料コーティングを形成する誘電体形成手段とを備えて
おり、前記誘電体材料は、前記電極材料と結合しうるも
のであり、前記誘電体形成手段は、(a)(i)放射線
によって硬化可能な多官能アクリルモノマを霧化して該
モノマの液滴を形成するための手段、(ii)前記霧化さ
れたモノマ液滴が衝突してフラッシュ気化される加熱表
面、および(iii)前記フラッシュ気化されたモノマを
その後に前記金属層上に凝縮させて相続く各金属層上に
モノマコーティングを形成するための手段を含む付与装
置と、(b)前記モノマコーティングが完全に付与され
た後に該モノマコーティングを硬化させて誘電体コーテ
ィングを形成するための放射線源とを備えており、前記
製造装置は、さらに、前記電極材料層および誘電体材料
コーティングを担持した前記基体表面を、前記電極形成
領域および前記誘電体形成領域へ順次に繰り返して、少
なくとも45メートル/分(150フィート/分)の速度で
通過させて、該移動表面の異なる部分部分が前記各領域
内に同時に存在するようにし、前記基体表面の上に交互
に前記電極材料層および誘電体コーティングが形成され
るようにする手段を備えることを特徴とする製造装置。 - 【請求項3】真空下において基体表面上にコンデンサを
製造するための製造装置において、少なくとも所定の電
極形成領域内にある表面上に所定の厚さの電極材料層を
形成するための電極材料層形成手段と、少なくとも所定
の誘電体形成領域内のある表面上に所定の厚さの多官能
アクリルモノマからなる放射線によって硬化可能な材料
のコーティングを形成するコーティング形成手段とを備
えており、前記コーティング形成手段は、(a)前記多
官能アクリルモノマを霧化して該モノマの液滴を形成す
るための手段、(b)前記霧化されたモノマ液滴が衝突
してフラッシュ気化される加熱表面、および(c)前記
フラッシュ気化されたモノマをその後に前記金属層上に
凝縮させる手段を備えており、前記製造装置は、さら
に、前記誘電体形成ゾーン内で前記完成された誘電体モ
ノマコーティングを硬化させて硬化されたポリマ誘電体
コーティングを形成するための放射線源と、前記基体表
面を、前記電極形成ゾーンと前記誘電体形成ゾーンとへ
交互に、少なくとも45メートル/分(150フィート/
分)の速度で移動させる移動手段と、前記電極層形成手
段、前記モノマコーティング形成手段、前記硬化手段お
よび前記移動手段を制御して、電極材料および硬化され
た誘電体コーティングの交互の層を形成させるようにす
る手段とを備えることを特徴とする製造装置。 - 【請求項4】多層コンデンサを製造するための製造装置
において、 (a) (i)移動可能な表面と、(ii)入口部分、放
射線によって硬化可能な多官能アクリルモノマを霧化し
て該モノマの液滴を形成する手段、該霧化された液滴が
衝突してフラッシュ気化される加熱表面および前記移動
可能な表面の上流部分に隣接して取り付けられた蒸気出
口を備える蒸発器と、(iii)前記移動可能な表面の下
流部分に隣接して取り付けられた放射線源を備える硬化
手段と、(iv)前記移動可能な表面の温度を前記蒸発器
の温度より低く維持する手段と、(v)前記移動可能な
表面上に導電性金属層を付与する手段とを含む真空チェ
ンバと、 (b) 該真空チェンバ内の圧力を1×10-4トルより低
い圧力まで排気する手段と、 (c) 前記蒸発器の前記入口部分への前記放射線によ
って硬化可能な多官能アクリルモノマの量を計量する手
段と、 (d) 前記移動可能な表面を、前記蒸気出口および前
記硬化手段に対して、少なくとも45メートル/分(150
フィート/分)の速度で移動させる手段と、 (e) 前記蒸気出口から分配される気化されたモノマ
を前記移動可能な表面上に凝縮させるための手段と、 (f) 前記放射線源を付勢して、前記移動可能な表面
上に形成された液体モノマコーティングを硬化させて、
該移動可能な表面上に、放射線によって硬化されたポリ
マ誘電体層を形成するための手段と、 (g) 前記硬化されたポリマ誘電体層上に金属の導電
性層を付与する手段と、 を備えることを特徴とする製造装置。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US56277983A | 1983-12-19 | 1983-12-19 | |
US562779 | 1983-12-19 | ||
US62064784A | 1984-06-14 | 1984-06-14 | |
US620647 | 1984-06-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6372107A JPS6372107A (ja) | 1988-04-01 |
JPH0782961B2 true JPH0782961B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=27073068
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62221180A Expired - Lifetime JPH0782961B2 (ja) | 1983-12-19 | 1987-09-03 | コンデンサを製造するための製造装置 |
JP62221181A Expired - Lifetime JPH0782962B2 (ja) | 1983-12-19 | 1987-09-03 | コンデンサを製造するための高速度製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62221181A Expired - Lifetime JPH0782962B2 (ja) | 1983-12-19 | 1987-09-03 | コンデンサを製造するための高速度製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0147696B1 (ja) |
JP (2) | JPH0782961B2 (ja) |
DE (1) | DE3484793D1 (ja) |
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