JPS607028B2 - 真空蒸着多層膜形成装置 - Google Patents
真空蒸着多層膜形成装置Info
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- JPS607028B2 JPS607028B2 JP12681181A JP12681181A JPS607028B2 JP S607028 B2 JPS607028 B2 JP S607028B2 JP 12681181 A JP12681181 A JP 12681181A JP 12681181 A JP12681181 A JP 12681181A JP S607028 B2 JPS607028 B2 JP S607028B2
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Organic Chemistry (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空蒸着によって基体の表面上多くの層を
順次被着させて、多層膜を形成する装置に関する。
順次被着させて、多層膜を形成する装置に関する。
例えば、プラスチックシートからなる基体の表面上に相
異なる屈折率をもつ物質からなる多くの層を、光の波長
程度の厚さで順次被着させた「いわゆる多層膜はＬ例え
ば干渉フィル夕として広く利用されている。
異なる屈折率をもつ物質からなる多くの層を、光の波長
程度の厚さで順次被着させた「いわゆる多層膜はＬ例え
ば干渉フィル夕として広く利用されている。
このような多層膜は、一般に真空蒸着によって形成され
る。従来の真空蒸着多層膜形成装置を１つの例によれば
、第１図に図示されるように、真空槽１の中に層の数に
等しい個数の蒸発源が配置される。
る。従来の真空蒸着多層膜形成装置を１つの例によれば
、第１図に図示されるように、真空槽１の中に層の数に
等しい個数の蒸発源が配置される。
例えば、第２図に示すように基体２の上に５つの層３ａ
，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを順被着形成させる場合には
、これに対応して、５つの蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅが順次並列配備される。各務着源４ａ−４ｅに
は、各層３ａ−３ｅを形成すべき蒸発物質が収容される
。図示の例では、蒸発物質は順次Ａ，Ｂ，Ａ，Ｂ，Ａで
ある。物質ＡおよびＢは、例えばそれぞれＺｎＳおよび
ＭｇＦ２である。シート状の基体２は、真空槽１の中で
巻出しローラ５から巻出され、偏向ローラ６によって偏
向し、水平の移送路７に沿って左から右へ移動し、次い
で別の偏向ローラ８によって偏向したのちに、巻取りロ
ーラ９に巻取られる。これらローラ５，６，７，８，９
は、基体２を移動させるための移送手段を構成する。移
送路７と蒸発源４ａ−４ｅの間およびその近くには、多
くの遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１
０ｆからなる遮蔽組立体１１が設けられ、この遮蔽組立
体１１は、移送路７に沿う多くの次次の区域１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅに、それぞれ蒸発源４ａ
，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸発源物質だけが到着
するように、形成配置される。このような配備によって
、シート状基体２の表面上に、蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ
，４ｄ，４ｅからの蒸発物質Ａ，Ｂ，Ａ，Ｂ，Ａからな
る層が順次被着して、第２図に示すような多層膜が形成
されることは、明らかである。第１図において、１３ａ
，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅは、膜厚を制御する
ための光学モニタの投受光器を示す。従来の真空蒸着多
層膜装置の別の例は、層３ａ，３ｂ，３ｃ・・・・・・
が順次交代的に物質Ａまたは物質Ｂからなる、多層膜を
形成するに使用され、第３図に示すように、蒸発物質Ａ
を収容する蒸発源４ａ、および蒸発物質Ｂを収容する蒸
発源４ｂを有する。
，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを順被着形成させる場合には
、これに対応して、５つの蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅが順次並列配備される。各務着源４ａ−４ｅに
は、各層３ａ−３ｅを形成すべき蒸発物質が収容される
。図示の例では、蒸発物質は順次Ａ，Ｂ，Ａ，Ｂ，Ａで
ある。物質ＡおよびＢは、例えばそれぞれＺｎＳおよび
ＭｇＦ２である。シート状の基体２は、真空槽１の中で
巻出しローラ５から巻出され、偏向ローラ６によって偏
向し、水平の移送路７に沿って左から右へ移動し、次い
で別の偏向ローラ８によって偏向したのちに、巻取りロ
ーラ９に巻取られる。これらローラ５，６，７，８，９
は、基体２を移動させるための移送手段を構成する。移
送路７と蒸発源４ａ−４ｅの間およびその近くには、多
くの遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１
０ｆからなる遮蔽組立体１１が設けられ、この遮蔽組立
体１１は、移送路７に沿う多くの次次の区域１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅに、それぞれ蒸発源４ａ
，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸発源物質だけが到着
するように、形成配置される。このような配備によって
、シート状基体２の表面上に、蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ
，４ｄ，４ｅからの蒸発物質Ａ，Ｂ，Ａ，Ｂ，Ａからな
る層が順次被着して、第２図に示すような多層膜が形成
されることは、明らかである。第１図において、１３ａ
，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ，１３ｅは、膜厚を制御する
ための光学モニタの投受光器を示す。従来の真空蒸着多
層膜装置の別の例は、層３ａ，３ｂ，３ｃ・・・・・・
が順次交代的に物質Ａまたは物質Ｂからなる、多層膜を
形成するに使用され、第３図に示すように、蒸発物質Ａ
を収容する蒸発源４ａ、および蒸発物質Ｂを収容する蒸
発源４ｂを有する。
この例では、シート状基体２は、巻出しローラ５から巻
出され、移送路７の区域１２ａにおいて、蒸発物質Ａの
層３ａが被着形成され、次いで区域１２ｂにおいて蒸発
物質Ｂの層３ｂが被着形成されたのちに、巻取りローラ
９に巻取られる。この巻取りローラに巻取られた基体２
は、巻出しローラ５へ戻され、これから再び者出されて
、移送路７において再び蒸発物質Ａの層３ｃおよび蒸発
物質Ｂの層３ｄが形成されたのちに、再び巻取りローラ
９に巻取られ、上述したような作動が必要回数繰返され
る。上述したような従来の真空蒸着多層膜形成装置では
、その欠点として、第１例の装置においては、形成すべ
き層数と同じ個数の蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ・・…・が
必要であり、第２例の装置においては、層数に比例して
回数が多くなる反復作業が必要である。
出され、移送路７の区域１２ａにおいて、蒸発物質Ａの
層３ａが被着形成され、次いで区域１２ｂにおいて蒸発
物質Ｂの層３ｂが被着形成されたのちに、巻取りローラ
９に巻取られる。この巻取りローラに巻取られた基体２
は、巻出しローラ５へ戻され、これから再び者出されて
、移送路７において再び蒸発物質Ａの層３ｃおよび蒸発
物質Ｂの層３ｄが形成されたのちに、再び巻取りローラ
９に巻取られ、上述したような作動が必要回数繰返され
る。上述したような従来の真空蒸着多層膜形成装置では
、その欠点として、第１例の装置においては、形成すべ
き層数と同じ個数の蒸発源４ａ，４ｂ，４ｃ・・…・が
必要であり、第２例の装置においては、層数に比例して
回数が多くなる反復作業が必要である。
さらに」第１例おいては多くの蒸発源のそれぞれの入力
、また第２例においては繰返される各作業毎の蒸発源の
入力、などのような制御すべきパラメータが多く、これ
によって作業の失敗率が高くなる。故にこの発明は、形
成すべき層数と比べて蒸発源の個数が少なく、作業の反
復を必要とせず、また制御すべきパラメータの数が少く
、さらに失敗率の小さい、新規な真空蒸着多層膜形成装
置を提供することを、主な目的とする。
、また第２例においては繰返される各作業毎の蒸発源の
入力、などのような制御すべきパラメータが多く、これ
によって作業の失敗率が高くなる。故にこの発明は、形
成すべき層数と比べて蒸発源の個数が少なく、作業の反
復を必要とせず、また制御すべきパラメータの数が少く
、さらに失敗率の小さい、新規な真空蒸着多層膜形成装
置を提供することを、主な目的とする。
この目的の達成のため、この発明による真空蒸着多層膜
形成装置は、真空槽、真空槽の中に配置される複数個の
蒸発源、真空槽内の移送路に沿って基体を移動させるた
めの移送手段、および、前記の複数個の蒸発源と前記移
送路との間に配置されかつ多くの閉口部を有する遮蔽組
立体１ １、を有するものにおいて、前記移送路に沿う
蒸発源の数を超えるいくつかの区域のおのおのに対して
、選択された１つまたはいくつかの蒸発源からの蒸発物
質がいづれかの開□部を通って基体に到着できる、遮蔽
組立体を形成配置したこと、を特徴とする。
形成装置は、真空槽、真空槽の中に配置される複数個の
蒸発源、真空槽内の移送路に沿って基体を移動させるた
めの移送手段、および、前記の複数個の蒸発源と前記移
送路との間に配置されかつ多くの閉口部を有する遮蔽組
立体１ １、を有するものにおいて、前記移送路に沿う
蒸発源の数を超えるいくつかの区域のおのおのに対して
、選択された１つまたはいくつかの蒸発源からの蒸発物
質がいづれかの開□部を通って基体に到着できる、遮蔽
組立体を形成配置したこと、を特徴とする。
以下、図面中の第４図から第１１図を参照し、さらに必
要に応じ第２図も参照して、この発明の実施例について
詳述する。
要に応じ第２図も参照して、この発明の実施例について
詳述する。
以下において、第１図から第３図を参照して説明した従
来の装置と同一または類似の構成要素は、なるべく同一
の符号を使用し、かつ場合によっては説明を省略し、ま
たは簡略にする。第４図および第５図に示される実施例
は、第２図によって前述したような多層膜を形成するに
適する。
来の装置と同一または類似の構成要素は、なるべく同一
の符号を使用し、かつ場合によっては説明を省略し、ま
たは簡略にする。第４図および第５図に示される実施例
は、第２図によって前述したような多層膜を形成するに
適する。
これは、２個の蒸発源すなわち蒸発物質Ａを収容する蒸
発源４ａ、および蒸発物質Ｂを収容する蒸発源４ｂを有
し、これら蒸発源４ａ，４ｂとシート状基体２の移送路
７との間「およびその近くには、遮体１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ，１０ｄからなる遮蔽組立体１１が配置される。
この遮蔽組立体１１において、遮体１０ａと１０ｂの間
、ｌｏｂと１０ｃの間および１０ｃと１０ｄの間は「遮
蔽組立体の各開□部をそれぞれ構成する。この遮蔽組立
体１ １によれば、図示のように、移送路７の順次位置
する区域１２ａ−１２ｅのうちで「区域１２ａ，１２ｃ
および１２ｅ、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｂ，１０ｃ
および１０ｄでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ａから見
ていずれの遮体１０でも隠されず、また区域１２０、お
よび１２ｄは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｂおよび１
０ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ｂから見ていずれ
の遮体１０でも隠されない。また区域１２ａより左方の
移送路部分、および区域１２ｅより右方の移送路部分は
、蒸発源４ａ，４ｂのいずれから見ても、遮体１０ａお
よび１０ｄでそれぞれ隠される。上述のような選択的隠
し作用を達成するための遮蔽組立体１ １、すなわちそ
の遮体１０ａ−１０ｄ、の形状および配置は、図面から
明らかなように「単なる幾何学的作図による設計によっ
て求めることができる。上述したような遮蔽組立体１１
の形状配置によれば、区域１２ａ，１２ｃおよび１２ｅ
においては、蒸発源４ａから遮蔽組立体１１のいずれか
の関口部を通って到着する蒸発物質Ａによって、層３ａ
，３ｃおよび３ｅ（第２図）がそれぞれ被着形成され、
また区域１２ｂおよび１２ｄにおいては、蒸発源４ｂか
らの蒸発物質Ｂの層３ｂおよび３ｄが、それぞれ被着形
成する。すなわち、第２図に示すような多層膜が、２個
の蒸発源だけでかつ作業の反復なしに得られる。また上
述のように遮蔽組立体１１の幾何学的な形状および配置
が定められると、層厚制御用の光学モニタの２個の送受
光器１３ａ，１３ｂを、区域１２ａおよび１２ｂの終端
に対応するように配置させて、蒸発源４ａおよび４ｂの
入力を、それぞれ制御することだけによって、実質上必
要な制御が達成される。第４図および第５図において、
１４ａおよび１４ｂは、蒸発源４ａおよび４ｂのための
シャツ夕を示す。
発源４ａ、および蒸発物質Ｂを収容する蒸発源４ｂを有
し、これら蒸発源４ａ，４ｂとシート状基体２の移送路
７との間「およびその近くには、遮体１０ａ，１０ｂ，
１０ｃ，１０ｄからなる遮蔽組立体１１が配置される。
この遮蔽組立体１１において、遮体１０ａと１０ｂの間
、ｌｏｂと１０ｃの間および１０ｃと１０ｄの間は「遮
蔽組立体の各開□部をそれぞれ構成する。この遮蔽組立
体１ １によれば、図示のように、移送路７の順次位置
する区域１２ａ−１２ｅのうちで「区域１２ａ，１２ｃ
および１２ｅ、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｂ，１０ｃ
および１０ｄでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ａから見
ていずれの遮体１０でも隠されず、また区域１２０、お
よび１２ｄは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｂおよび１
０ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ｂから見ていずれ
の遮体１０でも隠されない。また区域１２ａより左方の
移送路部分、および区域１２ｅより右方の移送路部分は
、蒸発源４ａ，４ｂのいずれから見ても、遮体１０ａお
よび１０ｄでそれぞれ隠される。上述のような選択的隠
し作用を達成するための遮蔽組立体１ １、すなわちそ
の遮体１０ａ−１０ｄ、の形状および配置は、図面から
明らかなように「単なる幾何学的作図による設計によっ
て求めることができる。上述したような遮蔽組立体１１
の形状配置によれば、区域１２ａ，１２ｃおよび１２ｅ
においては、蒸発源４ａから遮蔽組立体１１のいずれか
の関口部を通って到着する蒸発物質Ａによって、層３ａ
，３ｃおよび３ｅ（第２図）がそれぞれ被着形成され、
また区域１２ｂおよび１２ｄにおいては、蒸発源４ｂか
らの蒸発物質Ｂの層３ｂおよび３ｄが、それぞれ被着形
成する。すなわち、第２図に示すような多層膜が、２個
の蒸発源だけでかつ作業の反復なしに得られる。また上
述のように遮蔽組立体１１の幾何学的な形状および配置
が定められると、層厚制御用の光学モニタの２個の送受
光器１３ａ，１３ｂを、区域１２ａおよび１２ｂの終端
に対応するように配置させて、蒸発源４ａおよび４ｂの
入力を、それぞれ制御することだけによって、実質上必
要な制御が達成される。第４図および第５図において、
１４ａおよび１４ｂは、蒸発源４ａおよび４ｂのための
シャツ夕を示す。
また、第１区域１０ａの前端、各区域間の境界、および
最終区域１２ｅの後端、の各直下（蒸発源側）には、各
区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ間の重な
り合し、蒸着を阻止し、または必要に応じて層厚を微調
整するための「付属遮板１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５
ｄ，１５ｅおよび１５ｆを配置することが望ましい。こ
れら付属遮板のうち、１５ａ，１５ｂ，１５ｄおよび１
５ｆは、遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄにそ
れぞれ取付けられる。第６図の実施例は、蒸発物質Ａを
蒸発させる蒸発源４ａ、および蒸発物質Ｂを蒸発させる
蒸発源４ｂを有し、シート状基体２の移送路７の「順次
位置する区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ
および１２ｆのうちで、１２ａおよび１２ｄは、蒸発源
４ｂから見て遮蔽組立体１ １の遮体１０ｂおよび１０
ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ａから見ていずれの
遮体によっても隠されない。
最終区域１２ｅの後端、の各直下（蒸発源側）には、各
区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ間の重な
り合し、蒸着を阻止し、または必要に応じて層厚を微調
整するための「付属遮板１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５
ｄ，１５ｅおよび１５ｆを配置することが望ましい。こ
れら付属遮板のうち、１５ａ，１５ｂ，１５ｄおよび１
５ｆは、遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄにそ
れぞれ取付けられる。第６図の実施例は、蒸発物質Ａを
蒸発させる蒸発源４ａ、および蒸発物質Ｂを蒸発させる
蒸発源４ｂを有し、シート状基体２の移送路７の「順次
位置する区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅ
および１２ｆのうちで、１２ａおよび１２ｄは、蒸発源
４ｂから見て遮蔽組立体１ １の遮体１０ｂおよび１０
ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ａから見ていずれの
遮体によっても隠されない。
区域１２ｃおよび１２ｆは、蒸発源４ａから見て遮体１
０ｂおよび１０ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ｂか
ら見ていずれの遮体によっても隠されず、また区域１２
ｂおよび１２ｅは、蒸発源４ａから見ても４ｂから見て
も、いずれの遮体によっても隠されない。区域１２ａよ
り左方、および区域１２ｆより右方は、蒸発源４ａ，４
ｂのいずれから見ても、遮体１０ａおよび１０Ｍこよっ
てそれぞれ隠される。かくして、区域１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄ，１２ｅおよび１２ｆにおいて、第７図
に図示されるように、蒸発物質Ａの層３ａ、蒸発物質Ａ
およびＢからなる層３ａ、蒸発物質Ｂの層３ｃ、蒸発物
質層Ａの層３ｄ、蒸発物質ＡとＢからなる層３ｅ、およ
び蒸発物質Ｂの層３ｆ、が順次彼着形成される。上述し
た各実施例ではいずれも、ブロック状の導体が採用され
ているが、第８図にされる実施例では、板状の遮体を用
いられる。この実施例は、蒸発物質Ａの蒸発源４ａ、蒸
発物質Ｂの蒸発源４ｂ、および蒸発物質Ｃの蒸発源４ｃ
を有する。シート状基体２の移送路７に沿う、区域１２
ａ−Ｉ２ｇのうちで、区域１２ａは、蒸発源４ｂおよび
４ｃから見て遮体１０ｂで隠され、蒸発源４ａから見て
いずれの遮体でも隠されず、区域１２ｂは、蒸発源４ｅ
から見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４ａおよび４ｂか
ら見ていずれの遮体でも隠されず、また区域１２ｃは、
蒸発源４ａ，４ｂおよび４ｃから見て、いずれの遮体で
も隠されない。区域１２ｄは、蒸発源４ａ，４ｂおよび
４ｃから見て、遮体１０ｄで隠され、区域１２ｅは、蒸
発源４ａから見て遮体１ので隠され、蒸発源４ｂおよび
４ｃから見ていずれの遮体でも隠されず「区域１２ｆは
、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ａ
および４ｂから見て、いずれの遮体でも隠されず「 ま
た区域１２′ｇは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠
れ、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｆで隠され、蒸発源４
ｂから見ていずれの遮体でも隠されない。従って、第９
図に示すように、蒸発物質Ａの層３ａ、蒸発物質ＡとＢ
からなる層３ｂ、蒸発物質Ａ，ＢおよびＣからなる層３
ｃ（区域１２ｄに対応する層３ｄは形成されない）蒸発
物質ＢとＣからなる層３ｅ、蒸発物質ＡとＢからなる層
３ｆ、および蒸発物質Ｂからなる層３ｇが、彼着形成さ
れる。第１０図に示される実施例は、蒸発物質Ａの蒸発
源４ａ、蒸発物質Ｂの蒸発源４ｂ、および蒸発物質Ｃの
蒸発源４ｃを有する。
０ｂおよび１０ｃでそれぞれ隠されるが、蒸発源４ｂか
ら見ていずれの遮体によっても隠されず、また区域１２
ｂおよび１２ｅは、蒸発源４ａから見ても４ｂから見て
も、いずれの遮体によっても隠されない。区域１２ａよ
り左方、および区域１２ｆより右方は、蒸発源４ａ，４
ｂのいずれから見ても、遮体１０ａおよび１０Ｍこよっ
てそれぞれ隠される。かくして、区域１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄ，１２ｅおよび１２ｆにおいて、第７図
に図示されるように、蒸発物質Ａの層３ａ、蒸発物質Ａ
およびＢからなる層３ａ、蒸発物質Ｂの層３ｃ、蒸発物
質層Ａの層３ｄ、蒸発物質ＡとＢからなる層３ｅ、およ
び蒸発物質Ｂの層３ｆ、が順次彼着形成される。上述し
た各実施例ではいずれも、ブロック状の導体が採用され
ているが、第８図にされる実施例では、板状の遮体を用
いられる。この実施例は、蒸発物質Ａの蒸発源４ａ、蒸
発物質Ｂの蒸発源４ｂ、および蒸発物質Ｃの蒸発源４ｃ
を有する。シート状基体２の移送路７に沿う、区域１２
ａ−Ｉ２ｇのうちで、区域１２ａは、蒸発源４ｂおよび
４ｃから見て遮体１０ｂで隠され、蒸発源４ａから見て
いずれの遮体でも隠されず、区域１２ｂは、蒸発源４ｅ
から見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４ａおよび４ｂか
ら見ていずれの遮体でも隠されず、また区域１２ｃは、
蒸発源４ａ，４ｂおよび４ｃから見て、いずれの遮体で
も隠されない。区域１２ｄは、蒸発源４ａ，４ｂおよび
４ｃから見て、遮体１０ｄで隠され、区域１２ｅは、蒸
発源４ａから見て遮体１ので隠され、蒸発源４ｂおよび
４ｃから見ていずれの遮体でも隠されず「区域１２ｆは
、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ａ
および４ｂから見て、いずれの遮体でも隠されず「 ま
た区域１２′ｇは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠
れ、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｆで隠され、蒸発源４
ｂから見ていずれの遮体でも隠されない。従って、第９
図に示すように、蒸発物質Ａの層３ａ、蒸発物質ＡとＢ
からなる層３ｂ、蒸発物質Ａ，ＢおよびＣからなる層３
ｃ（区域１２ｄに対応する層３ｄは形成されない）蒸発
物質ＢとＣからなる層３ｅ、蒸発物質ＡとＢからなる層
３ｆ、および蒸発物質Ｂからなる層３ｇが、彼着形成さ
れる。第１０図に示される実施例は、蒸発物質Ａの蒸発
源４ａ、蒸発物質Ｂの蒸発源４ｂ、および蒸発物質Ｃの
蒸発源４ｃを有する。
区域１２ａは、蒸発源４ｂおよび４ｃから見て遮体１０
ｂで隠され「蒸発源４ａから見ていずれの遮体でも隠さ
れず、区域１２ｂは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｂで
隠され、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｅで隠され、蒸発
源４ｂから見ていずれの遮体でも隠されず、区域１２ｃ
は、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠され（詳しく言
えば、１部分はさらに、遮体１０ｂによっても隠される
）、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４
ｃから見て、いずれの遮体でも隠されず、区域１２ｄは
、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４ｃ
から見て遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ｂから見ていず
れの遮体でも隠されず、区域１２ｅは、蒸発源４ｂから
見て、遮体１０ｄおよび１０ｅで隠され、蒸発源４ｅか
ら見て遮体１０ｅで隠れ、蒸発源４ａから見ていずれの
遮体でも隠されず、区域１２ｆは、蒸発源４ａから見て
遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｆお
よび１０ｇで隠され、蒸発源４ｂから見ていずれの遮体
でも隠されず、区域１２ｇは、蒸発源４ａから見て遮体
１０ｇで隠され、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｇまたは
１０ｆで隠され、蒸発源４ｃから見ていずれの遮体でも
隠されず、また区域１２ｈは、蒸発源４ｂから見て遮体
１０ｆまたは１０ｈで隠され、蒸発源４ｃから見て遮体
１０ｈで隠され、蒸発源４ａから見ていずれの遮体でも
隠されない。従ってこの実施例によれば、第１１図に示
すように、蒸発物質Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｂ，Ａ，Ｂ’Ｃおよび
Ａからそれぞれなる層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，
３ｆ，３ｇおよび３ｈが、被着形成される。上述したす
べての実施例において、基体はシート状であるとしたが
、それ以外の形状のもの、例えばガラスまたはプラスチ
ックの板状体トブロツク状体などを、基体として、これ
を移送路に沿って移動させれば、これの表面上に多層膜
が被着形成できることは明らかである。
ｂで隠され「蒸発源４ａから見ていずれの遮体でも隠さ
れず、区域１２ｂは、蒸発源４ａから見て遮体１０ｂで
隠され、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｅで隠され、蒸発
源４ｂから見ていずれの遮体でも隠されず、区域１２ｃ
は、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠され（詳しく言
えば、１部分はさらに、遮体１０ｂによっても隠される
）、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４
ｃから見て、いずれの遮体でも隠されず、区域１２ｄは
、蒸発源４ａから見て遮体１０ｃで隠され、蒸発源４ｃ
から見て遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ｂから見ていず
れの遮体でも隠されず、区域１２ｅは、蒸発源４ｂから
見て、遮体１０ｄおよび１０ｅで隠され、蒸発源４ｅか
ら見て遮体１０ｅで隠れ、蒸発源４ａから見ていずれの
遮体でも隠されず、区域１２ｆは、蒸発源４ａから見て
遮体１０ｅで隠され、蒸発源４ｃから見て遮体１０ｆお
よび１０ｇで隠され、蒸発源４ｂから見ていずれの遮体
でも隠されず、区域１２ｇは、蒸発源４ａから見て遮体
１０ｇで隠され、蒸発源４ｂから見て遮体１０ｇまたは
１０ｆで隠され、蒸発源４ｃから見ていずれの遮体でも
隠されず、また区域１２ｈは、蒸発源４ｂから見て遮体
１０ｆまたは１０ｈで隠され、蒸発源４ｃから見て遮体
１０ｈで隠され、蒸発源４ａから見ていずれの遮体でも
隠されない。従ってこの実施例によれば、第１１図に示
すように、蒸発物質Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｂ，Ａ，Ｂ’Ｃおよび
Ａからそれぞれなる層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅ，
３ｆ，３ｇおよび３ｈが、被着形成される。上述したす
べての実施例において、基体はシート状であるとしたが
、それ以外の形状のもの、例えばガラスまたはプラスチ
ックの板状体トブロツク状体などを、基体として、これ
を移送路に沿って移動させれば、これの表面上に多層膜
が被着形成できることは明らかである。
また基体の移送路は、直線状であるとして前述したが、
これは、例えば円弧状のような別の形状でもよい。基体
がシート状の場合に、適当な材料の１例はマィラー（商
品名）である。
これは、例えば円弧状のような別の形状でもよい。基体
がシート状の場合に、適当な材料の１例はマィラー（商
品名）である。
蒸発物質Ａ，Ｂ，Ｃとしては、例えば、次のようなもの
があげられる。屈折率 低屈折率物質 ＭｇＦ２ １．３
８氷晶石 １．３５中屈折率物質
ＴｈＦ４ １．５２Ｓｉ０２
１．４６Ｓｉ０
１．９０Ｐｒ６０．，
１．９０高屈折率物質 ＺｎＳ
２．３０Ｔｉ０２
２．３０なお例えば、２種類の蒸発物質からなる層
は、それらの屈折率の中間の屈折率を有する。
があげられる。屈折率 低屈折率物質 ＭｇＦ２ １．３
８氷晶石 １．３５中屈折率物質
ＴｈＦ４ １．５２Ｓｉ０２
１．４６Ｓｉ０
１．９０Ｐｒ６０．，
１．９０高屈折率物質 ＺｎＳ
２．３０Ｔｉ０２
２．３０なお例えば、２種類の蒸発物質からなる層
は、それらの屈折率の中間の屈折率を有する。
この出願の発明の真空蒸着多層膜形成装置は、上述のよ
うに構成されているので、形成すべき層の数に比べて蒸
発源の個数が少なく、作業の反復ないこ多層膜が形成で
き、第４図および第５図の実施例について前述したよう
に、制御すべきパラメータの数が少なく、従って失敗率
が小さい、という利点を有する。
うに構成されているので、形成すべき層の数に比べて蒸
発源の個数が少なく、作業の反復ないこ多層膜が形成で
き、第４図および第５図の実施例について前述したよう
に、制御すべきパラメータの数が少なく、従って失敗率
が小さい、という利点を有する。
第１図は従来の真空葵着多層膜形成装置の１例を示す図
解図、第２図は第１図の装置によって形成される多層膜
を示す図解的断面図、第３図は従来の真空蒸着多層膜形
成装置の別の例を示す図解図、第４図は第２図の多層膜
を形成するためのこの発明による真空蒸着多層膜形成装
置の第１実施例を示す図解的垂直断面図、第５図は第４
図の装置の図解的平面図、第６図は第２実施例を示す第
４図に対応する図、第７図は第６図の実施例で形成され
た多層膜を示す第２図に対応する図、第８図および第９
図は第３実施例に関する第６図および第７図にそれぞれ
対応する図、第１０図および第１１図は４実施例に関す
る第６図および第７図にそれぞれ対応する図である。 図面において、２は基体、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅ，３ｆ，３ｇおよび３ｈは多層膜を構成する膜、４ａ
，４ｂおよび４ｃは蒸発源、７は移送路、１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇおよび１
０Ｍま遮蔽組立体を構成する遮体、１ １は遮蔽組立体
、Ａ，ＢおよびＣは蒸発物質を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第１０図 鷲フ図 第８図 第９図 第１１図
解図、第２図は第１図の装置によって形成される多層膜
を示す図解的断面図、第３図は従来の真空蒸着多層膜形
成装置の別の例を示す図解図、第４図は第２図の多層膜
を形成するためのこの発明による真空蒸着多層膜形成装
置の第１実施例を示す図解的垂直断面図、第５図は第４
図の装置の図解的平面図、第６図は第２実施例を示す第
４図に対応する図、第７図は第６図の実施例で形成され
た多層膜を示す第２図に対応する図、第８図および第９
図は第３実施例に関する第６図および第７図にそれぞれ
対応する図、第１０図および第１１図は４実施例に関す
る第６図および第７図にそれぞれ対応する図である。 図面において、２は基体、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３
ｅ，３ｆ，３ｇおよび３ｈは多層膜を構成する膜、４ａ
，４ｂおよび４ｃは蒸発源、７は移送路、１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆ，１０ｇおよび１
０Ｍま遮蔽組立体を構成する遮体、１ １は遮蔽組立体
、Ａ，ＢおよびＣは蒸発物質を示す。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第１０図 鷲フ図 第８図 第９図 第１１図
Claims (1)
- １ 真空槽、真空槽の中に配置される複数個の蒸発源、
真空槽内の移送路に沿って基体を移動させるための移送
手段、および、前記の複数個の蒸発源と前記移送路との
間に配置されかつ多くの開口部をする遮蔽組立体、有す
るものにおいて、前記移送路に沿う蒸発源の数を起える
いくつかの区域のおのおのに対して、選択された１つま
たはいくつかの蒸発源からの蒸発物質かいづれかの開口
部を通って基体に到着できる、遮蔽組立体を形成配置し
たこと、を特徴とする真空蒸着多層膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12681181A JPS607028B2 (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12681181A JPS607028B2 (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5827979A JPS5827979A (ja) | 1983-02-18 |
| JPS607028B2 true JPS607028B2 (ja) | 1985-02-21 |
Family
ID=14944539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12681181A Expired JPS607028B2 (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607028B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319870A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Corp | シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0147696B1 (en) * | 1983-12-19 | 1991-07-10 | SPECTRUM CONTROL, INC. (a Pennsylvania corporation) | Miniaturized monolithic multi-layer capacitor and apparatus and method for making |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP12681181A patent/JPS607028B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10319870A (ja) * | 1997-05-15 | 1998-12-04 | Nec Corp | シャドウマスク及びこれを用いたカラー薄膜ｅｌ表示装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5827979A (ja) | 1983-02-18 |
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