JPS6134511B2 - - Google Patents
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- JPS6134511B2 JPS6134511B2 JP1550282A JP1550282A JPS6134511B2 JP S6134511 B2 JPS6134511 B2 JP S6134511B2 JP 1550282 A JP1550282 A JP 1550282A JP 1550282 A JP1550282 A JP 1550282A JP S6134511 B2 JPS6134511 B2 JP S6134511B2
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
-
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、真空蒸着によつて基体構成物の表
面上に多くの層を順次被着させて多層膜を形成す
る装置に関する。
面上に多くの層を順次被着させて多層膜を形成す
る装置に関する。
例えばプラスチツクシートからなる基体構成物
の表面上に相異なる屈折率をもつ物質からなる多
くの層を光の波長程度の厚さで順次被着させたい
わゆる多層膜は例えば干渉フイルタとして広く利
用されている。このような多層膜は一般に真空蒸
着によつて形成される。
の表面上に相異なる屈折率をもつ物質からなる多
くの層を光の波長程度の厚さで順次被着させたい
わゆる多層膜は例えば干渉フイルタとして広く利
用されている。このような多層膜は一般に真空蒸
着によつて形成される。
従来の真空蒸着多層膜形成装置の１つの例によ
れば、第１図に示されるように真空槽１の中に層
の数に等しい個数の蒸発源が配置される。例えば
第２図に示すように基体構成物２の上に５つの相
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを順次被着形成さ
せる場合にはこれに対応して５つの蒸発源４ａ，
４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅが順次並列配備される。
各蒸発源４ａ―４ｅには各層３ａ―３ｅを形成す
べき蒸着物質が収容される。図示の例では蒸着物
質は順次Ａ，Ｂ，Ｂ，Ａである。物質ＡおよびＢ
は例えばそれぞれZnSおよびMgF2である。シー
ト状の基体構成物２は真空槽１の中で巻出しロー
ラ５から巻出され偏向ローラ６によつて偏向し水
平の移送路７に沿つて左から右へ移動し、次いで
別の偏向ローラ８によつて偏向したのちに巻取り
ローラ９に巻取られる。移送路７と蒸発源４ａ―
４ｅの間およびその近くには多くの遮体１０ａ，
１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆからな
る遮蔽組立体１１が設けられ、この遮蔽組立体１
１は移送路７に沿う多くの次次の区域１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅにそれぞれ蒸発源
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸着物質だ
けが到着するように形成配置される。このような
配備によつてシート状基体構成物２の表面上に蒸
発源４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸着物
質Ａ，Ｂ，Ｂ，Ａからなる層が順次被着して第２
図に示すような多層膜が形成されることは明らか
である。第１図において１３ａ，１３ｂ，１３
ｄ，１３ｅは膜厚を制御するための光学モニタの
投受光器を示す。
れば、第１図に示されるように真空槽１の中に層
の数に等しい個数の蒸発源が配置される。例えば
第２図に示すように基体構成物２の上に５つの相
３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ，３ｅを順次被着形成さ
せる場合にはこれに対応して５つの蒸発源４ａ，
４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅが順次並列配備される。
各蒸発源４ａ―４ｅには各層３ａ―３ｅを形成す
べき蒸着物質が収容される。図示の例では蒸着物
質は順次Ａ，Ｂ，Ｂ，Ａである。物質ＡおよびＢ
は例えばそれぞれZnSおよびMgF2である。シー
ト状の基体構成物２は真空槽１の中で巻出しロー
ラ５から巻出され偏向ローラ６によつて偏向し水
平の移送路７に沿つて左から右へ移動し、次いで
別の偏向ローラ８によつて偏向したのちに巻取り
ローラ９に巻取られる。移送路７と蒸発源４ａ―
４ｅの間およびその近くには多くの遮体１０ａ，
１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ，１０ｆからな
る遮蔽組立体１１が設けられ、この遮蔽組立体１
１は移送路７に沿う多くの次次の区域１２ａ，１
２ｂ，１２ｃ，１２ｄ，１２ｅにそれぞれ蒸発源
４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸着物質だ
けが到着するように形成配置される。このような
配備によつてシート状基体構成物２の表面上に蒸
発源４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅからの蒸着物
質Ａ，Ｂ，Ｂ，Ａからなる層が順次被着して第２
図に示すような多層膜が形成されることは明らか
である。第１図において１３ａ，１３ｂ，１３
ｄ，１３ｅは膜厚を制御するための光学モニタの
投受光器を示す。
従来の真空蒸着多層膜装置の別の例は層３ａ，
３ｂ，３ｃ…が順次交代的に物質Ａまたは物質Ｂ
からなる多層膜を形成するに使用され、第３図に
示すように蒸着物質Ａを収容する蒸発源４ａおよ
び蒸着物質Ｂを収容する蒸発源４ｂを有する。こ
の例ではシート状基体構成物２は巻出しローラ５
から巻出され、移送路７の区域１２ａにおいて蒸
着物質Ａの層３ａが被着形成され次いで区域１２
ｂにおいて蒸着物質Ｂの層３ｂが被着形成された
のちに、巻取りローラ９に巻取られる。この巻取
りローラ９に巻取られた基体構成物２は巻出しロ
ーラ５へ戻されこれから再び巻出されて移送路７
において再び蒸着物質Ａの層３ｃおよび蒸着物質
Ｂの層３ｄが形成されたのち再び巻取りローラ９
に巻取られ、上述したような作動が必要回数繰返
される。
３ｂ，３ｃ…が順次交代的に物質Ａまたは物質Ｂ
からなる多層膜を形成するに使用され、第３図に
示すように蒸着物質Ａを収容する蒸発源４ａおよ
び蒸着物質Ｂを収容する蒸発源４ｂを有する。こ
の例ではシート状基体構成物２は巻出しローラ５
から巻出され、移送路７の区域１２ａにおいて蒸
着物質Ａの層３ａが被着形成され次いで区域１２
ｂにおいて蒸着物質Ｂの層３ｂが被着形成された
のちに、巻取りローラ９に巻取られる。この巻取
りローラ９に巻取られた基体構成物２は巻出しロ
ーラ５へ戻されこれから再び巻出されて移送路７
において再び蒸着物質Ａの層３ｃおよび蒸着物質
Ｂの層３ｄが形成されたのち再び巻取りローラ９
に巻取られ、上述したような作動が必要回数繰返
される。
上述したような従来の真空蒸着多層膜形成装置
では、その欠点として、第１例の装置においては
形成すべき層数と同じ個数の蒸発源４ａ，４ｂ，
４ｃ…が必要であり、第２例の装置においては層
数に比例して回数が多くなる反復作業が必要であ
る。さらに第１例においては多くの蒸発源のそれ
ぞれの入力また第２例においては繰返される各作
業毎の蒸発源の入力などのような制御すべきパラ
メータが多く、これによつて作業の失敗率が高く
なる。
では、その欠点として、第１例の装置においては
形成すべき層数と同じ個数の蒸発源４ａ，４ｂ，
４ｃ…が必要であり、第２例の装置においては層
数に比例して回数が多くなる反復作業が必要であ
る。さらに第１例においては多くの蒸発源のそれ
ぞれの入力また第２例においては繰返される各作
業毎の蒸発源の入力などのような制御すべきパラ
メータが多く、これによつて作業の失敗率が高く
なる。
故にこの発明は、形成すべき層数と比べて蒸発
源の個数が少なく作業の反復を必要とせずまた制
御すべきパラメータの数が少くさらに失敗率の小
さい新規な真空蒸着多層膜形成装置を提供するこ
とを主な目的とする。
源の個数が少なく作業の反復を必要とせずまた制
御すべきパラメータの数が少くさらに失敗率の小
さい新規な真空蒸着多層膜形成装置を提供するこ
とを主な目的とする。
この目的の達成のため、昭和56年特許願第
126811号の原発明による真空蒸着多層膜形成装置
は、基体構成物の移送路と複数個の蒸発源の間お
よび必要に応じその近くに遮蔽組立体を設け、蒸
発源の数を越える数の前記移送路に沿ういくつか
の区域がこれに対して選択された前記の複数個の
蒸発源のうちの１つまたはいくつかの蒸発源から
見て遮蔽組立体で隠されるか選択されなかつた蒸
発源から見て遮蔽組立体で隠されないように遮蔽
組立体を形成配置し、従つてこの区域においては
選択されなかつた蒸発源からの蒸着物質だけが基
体構成物に被着されるようになることを特徴と
す。
126811号の原発明による真空蒸着多層膜形成装置
は、基体構成物の移送路と複数個の蒸発源の間お
よび必要に応じその近くに遮蔽組立体を設け、蒸
発源の数を越える数の前記移送路に沿ういくつか
の区域がこれに対して選択された前記の複数個の
蒸発源のうちの１つまたはいくつかの蒸発源から
見て遮蔽組立体で隠されるか選択されなかつた蒸
発源から見て遮蔽組立体で隠されないように遮蔽
組立体を形成配置し、従つてこの区域においては
選択されなかつた蒸発源からの蒸着物質だけが基
体構成物に被着されるようになることを特徴と
す。
第２図に示したような多層膜を形成するに適し
た原発明の真空蒸着多層膜形成装置は例えば第４
図および第５図に示すように構成される。この装
置は２個の蒸発源すなわち蒸着物質Ａを収容する
蒸発源４ａおよび蒸着物質Ｂを収容する蒸発源４
ｂを有し、これら蒸発源４ａ，４ｂとシート状基
体構成物２の移送路７との間およびその近くには
遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅか
らなる遮蔽組立体１１が配置される。この遮蔽組
立体１１によれば図示のように、移送路７の順次
位置する区域１２ａ―１２ｅのうちで区域１２
ａ，１２ｃおよび１２ｅは蒸発源４ｂから見て遮
体１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄでそれぞれ隠され
るが蒸発源４ａから見ていずれの遮体１０でも隠
されず、また区域１２ｂ，および１２ｄは蒸発源
４ａから見て遮体１０ｂおよび１０ｃでそれぞれ
隠されるが蒸発源４ｂから見ていずれの遮体１０
でも隠されない。また区域１２ａより左方の移送
路部分および区域１２ｅより右方の移送路部分は
蒸発源４ａ，４ｂのいずれから見ても遮体１０ａ
および１０ｂでそれぞれ隠される。上述のような
選択的隠し作用を達成するための遮蔽組立体１１
すなわちその遮体１０ａ―１０ｄの形状および配
置は、図面から明らかなように単なる幾何学的作
図による設計および計算によつて或いは実験によ
つて求めることができる。上述したような遮蔽組
立体１１の形状配置によれば区域１２ａ，１２ｃ
および１２ｅにおいては蒸発源４ａからの蒸着物
質Ａの層３ａ，３ｃおよび３ｅ（第２図）がそれ
ぞれ被着形成されまた区域１２ｂおよび１２ｄに
おいては蒸発源４ｂからの蒸着物質Ｂの層３ｂお
よび３ｄがそれぞれ被着形成される。すなわち第
２図に示すような多層膜が２個の蒸発源だけでか
つ作業の反復なしに得られる。また上述のように
遮蔽組立体１１の幾何学的な形状および配置が定
められると、層厚制御用の光学モニタの２個の送
受光器１３ａ，１３ｂを区域１２ａおよび１２ｂ
の終端に対応するように配置させて蒸発源４ａお
よび４ｂの入力をそれぞれ制御することだけによ
つて実質上必要な制御が達成される。
た原発明の真空蒸着多層膜形成装置は例えば第４
図および第５図に示すように構成される。この装
置は２個の蒸発源すなわち蒸着物質Ａを収容する
蒸発源４ａおよび蒸着物質Ｂを収容する蒸発源４
ｂを有し、これら蒸発源４ａ，４ｂとシート状基
体構成物２の移送路７との間およびその近くには
遮体１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅか
らなる遮蔽組立体１１が配置される。この遮蔽組
立体１１によれば図示のように、移送路７の順次
位置する区域１２ａ―１２ｅのうちで区域１２
ａ，１２ｃおよび１２ｅは蒸発源４ｂから見て遮
体１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄでそれぞれ隠され
るが蒸発源４ａから見ていずれの遮体１０でも隠
されず、また区域１２ｂ，および１２ｄは蒸発源
４ａから見て遮体１０ｂおよび１０ｃでそれぞれ
隠されるが蒸発源４ｂから見ていずれの遮体１０
でも隠されない。また区域１２ａより左方の移送
路部分および区域１２ｅより右方の移送路部分は
蒸発源４ａ，４ｂのいずれから見ても遮体１０ａ
および１０ｂでそれぞれ隠される。上述のような
選択的隠し作用を達成するための遮蔽組立体１１
すなわちその遮体１０ａ―１０ｄの形状および配
置は、図面から明らかなように単なる幾何学的作
図による設計および計算によつて或いは実験によ
つて求めることができる。上述したような遮蔽組
立体１１の形状配置によれば区域１２ａ，１２ｃ
および１２ｅにおいては蒸発源４ａからの蒸着物
質Ａの層３ａ，３ｃおよび３ｅ（第２図）がそれ
ぞれ被着形成されまた区域１２ｂおよび１２ｄに
おいては蒸発源４ｂからの蒸着物質Ｂの層３ｂお
よび３ｄがそれぞれ被着形成される。すなわち第
２図に示すような多層膜が２個の蒸発源だけでか
つ作業の反復なしに得られる。また上述のように
遮蔽組立体１１の幾何学的な形状および配置が定
められると、層厚制御用の光学モニタの２個の送
受光器１３ａ，１３ｂを区域１２ａおよび１２ｂ
の終端に対応するように配置させて蒸発源４ａお
よび４ｂの入力をそれぞれ制御することだけによ
つて実質上必要な制御が達成される。
第４図および第５図において１４ａおよび１４
ｂは蒸発源４ａおよび４ｂのためのシヤツタを示
す。また、第１区域１２ａの前端、各区域間の境
界および最終区域１２ｅの後端の各直下（蒸発源
側）には、各区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄ，１２ｅ間の重なり合い蒸着を阻止しまたは必
要に応じて層厚を微調整するための付属遮板１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅおよび１５
ｆを配置することが望ましい。これら付属遮板の
うち１５ａ，１５ｂ，１５ｄおよび１５ｆは遮体
１０ａ，１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄにそれぞれ
取付けられる。
ｂは蒸発源４ａおよび４ｂのためのシヤツタを示
す。また、第１区域１２ａの前端、各区域間の境
界および最終区域１２ｅの後端の各直下（蒸発源
側）には、各区域１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２
ｄ，１２ｅ間の重なり合い蒸着を阻止しまたは必
要に応じて層厚を微調整するための付属遮板１５
ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ，１５ｅおよび１５
ｆを配置することが望ましい。これら付属遮板の
うち１５ａ，１５ｂ，１５ｄおよび１５ｆは遮体
１０ａ，１０ｂ，１０ｃおよび１０ｄにそれぞれ
取付けられる。
しかしながらこのような原発明の装置では、あ
らかじめ計算または実験などによつて遮蔽組立体
の形状および配置が決められなければならず、そ
のために精度の高い多層膜を得るのが厄介であ
る。この点を改善するため、この発明では、前述
した特徴の原発明による真空蒸着多層膜形成装置
においてさらに、前記区域とこの区域で基体構成
物に被着される蒸着物質の蒸発源との間にこの蒸
着物質の被着量を制御するための可動遮蔽体を設
ける点が付加される。
らかじめ計算または実験などによつて遮蔽組立体
の形状および配置が決められなければならず、そ
のために精度の高い多層膜を得るのが厄介であ
る。この点を改善するため、この発明では、前述
した特徴の原発明による真空蒸着多層膜形成装置
においてさらに、前記区域とこの区域で基体構成
物に被着される蒸着物質の蒸発源との間にこの蒸
着物質の被着量を制御するための可動遮蔽体を設
ける点が付加される。
以下図面を参照しながらこの発明の実施例につ
いて詳述するが、第１図から第５図の図面に示し
た従来の装置と同一または実質上同一の構成要素
については同じ符号で示して説明を省略しまたは
簡単にする。
いて詳述するが、第１図から第５図の図面に示し
た従来の装置と同一または実質上同一の構成要素
については同じ符号で示して説明を省略しまたは
簡単にする。
第６図に図示されるこの発明の真空蒸着多層膜
形成装置の実施例は、以下に説明され回転遮板と
して形成される可動遮体を有する点および送受光
器の配置が異つている点を除き、第４図および第
５図に示した従来の装置と同様に形成され配備さ
れる。第６図の実施例において、移送路７の直下
における遮体１０ａの右方部分またはこれに取付
けられた付属遮板１５ａ、遮体１０ｂの右方部分
またはこれに取付けられた付属遮板１５ｂ、遮体
１５ｄの左方部分またはこれに取付けられた付属
遮板１５ｄの左方部分、遮体１５ｄの右方部分ま
たはこれに取付けられた付属遮板１５ｄの右方部
分、および遮体１０ａの左方部分またはこれに取
付けられた付属遮板１５ｆには、回転遮板１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅの支持
軸１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄおよび１７ｅ
がそれぞれ配置される。これら回転遮板はこれが
対応の支持軸を中心として回転すると蒸発源４ａ
から区域１２ａに向う蒸着物質Ａの進路、蒸発源
４ｂから区域１２ｂに向う蒸着物質Ｂの進路、蒸
発源４ａから区域１２ｃに向う蒸着物質Ａの進
路、蒸発源４ｂから区域１２ｄに向う蒸着物質Ｂ
の進路および蒸発源４ａから区域１２ｅに向う蒸
着物質の進路がこれら回転遮板１６ａ，１６ｂ，
１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅによつてそれぞれ遮
断される割合が０％から100％までそれぞれ変化
するように設けられる。これによれば明らかに、
回転遮板１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび
１６ｅの回転調節によつて区域１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄおよび１２ｅにおける蒸着物質の
被着量が制御でき、従つて基体構成物２の上に被
着形成される層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび３
ｅ（第２図）の厚さが所望の厚さに制御できる。
形成装置の実施例は、以下に説明され回転遮板と
して形成される可動遮体を有する点および送受光
器の配置が異つている点を除き、第４図および第
５図に示した従来の装置と同様に形成され配備さ
れる。第６図の実施例において、移送路７の直下
における遮体１０ａの右方部分またはこれに取付
けられた付属遮板１５ａ、遮体１０ｂの右方部分
またはこれに取付けられた付属遮板１５ｂ、遮体
１５ｄの左方部分またはこれに取付けられた付属
遮板１５ｄの左方部分、遮体１５ｄの右方部分ま
たはこれに取付けられた付属遮板１５ｄの右方部
分、および遮体１０ａの左方部分またはこれに取
付けられた付属遮板１５ｆには、回転遮板１６
ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅの支持
軸１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄおよび１７ｅ
がそれぞれ配置される。これら回転遮板はこれが
対応の支持軸を中心として回転すると蒸発源４ａ
から区域１２ａに向う蒸着物質Ａの進路、蒸発源
４ｂから区域１２ｂに向う蒸着物質Ｂの進路、蒸
発源４ａから区域１２ｃに向う蒸着物質Ａの進
路、蒸発源４ｂから区域１２ｄに向う蒸着物質Ｂ
の進路および蒸発源４ａから区域１２ｅに向う蒸
着物質の進路がこれら回転遮板１６ａ，１６ｂ，
１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅによつてそれぞれ遮
断される割合が０％から100％までそれぞれ変化
するように設けられる。これによれば明らかに、
回転遮板１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび
１６ｅの回転調節によつて区域１２ａ，１２ｂ，
１２ｃ，１２ｄおよび１２ｅにおける蒸着物質の
被着量が制御でき、従つて基体構成物２の上に被
着形成される層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび３
ｅ（第２図）の厚さが所望の厚さに制御できる。
回転遮板１６のような可動遮体の配置は上述し
たものに限定されないが、１つの区域１２に向う
蒸着物質の進路だけを遮断するようにするため、
可動遮体１６は例えば第６図に破線範囲１８で示
されるような両方の蒸着物質ＡおよびＢが共に進
行する個所を掃過しないように配置する必要があ
る。
たものに限定されないが、１つの区域１２に向う
蒸着物質の進路だけを遮断するようにするため、
可動遮体１６は例えば第６図に破線範囲１８で示
されるような両方の蒸着物質ＡおよびＢが共に進
行する個所を掃過しないように配置する必要があ
る。
第６図において膜厚を制御するための光学モニ
タの投受光器１３は偏向ローラ８から巻取りロー
ラ９へ向う多層膜形成ずみの基体構成物７に対向
するように配置される。
タの投受光器１３は偏向ローラ８から巻取りロー
ラ９へ向う多層膜形成ずみの基体構成物７に対向
するように配置される。
回転遮板１６は例えば第７図に示すように管状
体１９から長方形の羽根板２０を突出させたもの
からなり、第６図で紙面に直交するように延長す
る支持軸１７が管状体１９の中を貫通し、管状体
１９がハンドルまたは駆動装置（図示なし）によ
つて支持軸１７のまわりを回転できるようになつ
ている。
体１９から長方形の羽根板２０を突出させたもの
からなり、第６図で紙面に直交するように延長す
る支持軸１７が管状体１９の中を貫通し、管状体
１９がハンドルまたは駆動装置（図示なし）によ
つて支持軸１７のまわりを回転できるようになつ
ている。
第６図で遮体１０ｃの上端が充分に小さい場合
には回転遮板１６ｃと１６ｄは共通の支持軸１７
cdを有するように構成できる。この場合には例
えば第８図に示されるように、回転遮板１６ｄの
管状体１９ｄが支持軸１７cdのまわりにはめら
れ、回転遮板１６ｃの管状体１９ｃが相離れた２
つの管状体部分１９ｃ１および１９ｃ２から構成
されてそれらが共に管状体１９ｄのまわりにはめ
られる。回転遮板１６ｄの羽根板２０ｄは管状体
部分１９ｃ１と１９ｃ２の間で管状体１９ｄに固
定され、回転遮板１６ｃの羽根板２０ｃは両管状
体部分１９ｃ１，１９ｃ２に固定される。
には回転遮板１６ｃと１６ｄは共通の支持軸１７
cdを有するように構成できる。この場合には例
えば第８図に示されるように、回転遮板１６ｄの
管状体１９ｄが支持軸１７cdのまわりにはめら
れ、回転遮板１６ｃの管状体１９ｃが相離れた２
つの管状体部分１９ｃ１および１９ｃ２から構成
されてそれらが共に管状体１９ｄのまわりにはめ
られる。回転遮板１６ｄの羽根板２０ｄは管状体
部分１９ｃ１と１９ｃ２の間で管状体１９ｄに固
定され、回転遮板１６ｃの羽根板２０ｃは両管状
体部分１９ｃ１，１９ｃ２に固定される。
第６図の装置において蒸着物質被着量従つて各
層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび３ｅの層厚を実
際に制御するには例えば次のような方法が行なわ
れる。作業の最初の段階において、例えば回転遮
板１６ａ以外のすべての回転遮板１６ｂ…ｅを閉
じかつシヤツタ１４ｂを閉じて区域１２ａでの蒸
発源４ａからの蒸着物質Ａの被着だけが行なわれ
るようにする。すなわち第１層３ａ（第２図）だ
けが形成されるようにする。その際に回転遮板１
６ａの回転位置を変化させながら光学モニタ１３
によつて層厚の変化を監視して、所望の第１層３
ａの層厚が得られた際の回転遮板１６ａの角度位
置をTaとする。同様にしてその他の各区域１２
についてもこの区域だけで被着が行なわれるよう
にしながら対応の回転遮板１６の回転位置を変化
させかつ層厚の変化を監視することによつて、対
応する層３の所望の層厚を生じるための回転遮板
１６の角度Ｔ（Tb，Tc…Te）が決定される。こ
のように角度Ｔ（Ta…Te）が決定されたのちに
回転遮板１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび
１６ｅを角度Ta，Tb，Tc，TdおよびTeにそれ
ぞれ設定しかつシヤツタ１４ａおよび１４ｂを開
いて作業を続行すれば、すべての層３ａ，３ｂ，
３ｃ，３ｄおよび３ｅがいずれも所望の層厚であ
るような多層膜が形成される。
層３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄおよび３ｅの層厚を実
際に制御するには例えば次のような方法が行なわ
れる。作業の最初の段階において、例えば回転遮
板１６ａ以外のすべての回転遮板１６ｂ…ｅを閉
じかつシヤツタ１４ｂを閉じて区域１２ａでの蒸
発源４ａからの蒸着物質Ａの被着だけが行なわれ
るようにする。すなわち第１層３ａ（第２図）だ
けが形成されるようにする。その際に回転遮板１
６ａの回転位置を変化させながら光学モニタ１３
によつて層厚の変化を監視して、所望の第１層３
ａの層厚が得られた際の回転遮板１６ａの角度位
置をTaとする。同様にしてその他の各区域１２
についてもこの区域だけで被着が行なわれるよう
にしながら対応の回転遮板１６の回転位置を変化
させかつ層厚の変化を監視することによつて、対
応する層３の所望の層厚を生じるための回転遮板
１６の角度Ｔ（Tb，Tc…Te）が決定される。こ
のように角度Ｔ（Ta…Te）が決定されたのちに
回転遮板１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび
１６ｅを角度Ta，Tb，Tc，TdおよびTeにそれ
ぞれ設定しかつシヤツタ１４ａおよび１４ｂを開
いて作業を続行すれば、すべての層３ａ，３ｂ，
３ｃ，３ｄおよび３ｅがいずれも所望の層厚であ
るような多層膜が形成される。
第９図はこの発明による真空蒸着多層膜形成装
置の変型を示し、これにおいてはシート状の基体
構成物２が回転冷却筒２１の下面に沿つて進行
し、従つてこの下面が基体構成物２の移送路とな
る。この変型は蒸着物質Ａの層、蒸着物質Ｂの層
および蒸着物質Ａの層からなる３層の多層膜を形
成するに適し従つて各構成要素の個数は第６図の
ものより少ない。その他の点は第６図と同じであ
るから、これと同一の符号で構成要素を示しその
説明は省略する。
置の変型を示し、これにおいてはシート状の基体
構成物２が回転冷却筒２１の下面に沿つて進行
し、従つてこの下面が基体構成物２の移送路とな
る。この変型は蒸着物質Ａの層、蒸着物質Ｂの層
および蒸着物質Ａの層からなる３層の多層膜を形
成するに適し従つて各構成要素の個数は第６図の
ものより少ない。その他の点は第６図と同じであ
るから、これと同一の符号で構成要素を示しその
説明は省略する。
この発明は上述のように構成されているから、
単に可動遮体例えば回転遮板を設けこれの位置を
変えることによつて被着量従つて層厚が容易に変
化できかつ所望の層厚が簡単に確実に得られると
いう利点を有する。
単に可動遮体例えば回転遮板を設けこれの位置を
変えることによつて被着量従つて層厚が容易に変
化できかつ所望の層厚が簡単に確実に得られると
いう利点を有する。
追加の関係
この発明は、特許第1284954（特公昭60−
7028）の原発明の構成に欠くことのできない事項
である「基体構成物の移送路と複数個の蒸発源の
間および必要に応じその近くに遮蔽組立体を設
け、蒸発源の数を越える数の前記移送路に沿うい
くつかの区域がこれに対して選択された前記の複
数個の蒸発源のうちの１つまたはいくつかの蒸発
源から見て遮蔽組立体で隠される選択されなかつ
た蒸発源から見て遮蔽組立体で隠されないように
遮蔽組立体を形成配置し、従つてこの区域におい
ては選択されなかつた蒸発源からの蒸着物質だけ
が基体構成物に被着されるようになる真空蒸着多
層膜形成装置」という事項の全部を構成に欠くこ
とのできない事項の主要部としている発明であつ
て、原発明の目的である「形成すべき層数と比べ
て蒸発源の個数が少なく作業の反復を必要とせず
また制御すべきパラメータの数が少くさらに失敗
率の小さい新規な真空蒸着多層膜形成装置を提供
する」ことを目的とするものであるから、原発明
に対して特許法第31条に規定される追加の特許の
条件を充すものである。
7028）の原発明の構成に欠くことのできない事項
である「基体構成物の移送路と複数個の蒸発源の
間および必要に応じその近くに遮蔽組立体を設
け、蒸発源の数を越える数の前記移送路に沿うい
くつかの区域がこれに対して選択された前記の複
数個の蒸発源のうちの１つまたはいくつかの蒸発
源から見て遮蔽組立体で隠される選択されなかつ
た蒸発源から見て遮蔽組立体で隠されないように
遮蔽組立体を形成配置し、従つてこの区域におい
ては選択されなかつた蒸発源からの蒸着物質だけ
が基体構成物に被着されるようになる真空蒸着多
層膜形成装置」という事項の全部を構成に欠くこ
とのできない事項の主要部としている発明であつ
て、原発明の目的である「形成すべき層数と比べ
て蒸発源の個数が少なく作業の反復を必要とせず
また制御すべきパラメータの数が少くさらに失敗
率の小さい新規な真空蒸着多層膜形成装置を提供
する」ことを目的とするものであるから、原発明
に対して特許法第31条に規定される追加の特許の
条件を充すものである。
第１図は従来の真空蒸着多層膜形成装置の１例
を示す図解図、第２図は第１図の装置によつて形
成される多層膜を示す図解的断面図、第３図は従
来の真空蒸着多層膜形成装置の別の例を示す図解
図、第４図は第２図の多層膜を形成するためのこ
の発明の原発明による真空蒸着多層膜形成装置の
１例を示す図解的垂直断面図、第５図は第４図の
装置の図解的平面図、第６図は第２図の多層膜を
形成するためのこの発明による真空蒸着多層膜形
成装置の第１実施例を示す図解的垂直断面図、第
７図は第６図の装置に使用される回転遮板とそれ
の支持軸の組合わせを示す斜視図、第８図は第６
図の装置に使用される回転遮板とそれの支持軸の
別の組合わせを示す斜視図、第９図はこの発明の
第２実施例を示す図解的垂直断面図である。 図面において、２は基体構成物、３ａ，３ｂ，
３ｃ，３ｄおよび３ｅは多層膜を構成する膜、４
ａおよび４ｂは蒸発源、７は移送路、１０ａ，１
０ｂ，１０ｃおよび１０ｄは遮蔽組立体を構成す
る遮体、１１は遮蔽組立体、１２ａ，１２ｂ，１
２ｃ，１２ｄおよび１２ｅは区域、１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅは可動遮体、Ａ
およびＢは蒸着物質を示す。
を示す図解図、第２図は第１図の装置によつて形
成される多層膜を示す図解的断面図、第３図は従
来の真空蒸着多層膜形成装置の別の例を示す図解
図、第４図は第２図の多層膜を形成するためのこ
の発明の原発明による真空蒸着多層膜形成装置の
１例を示す図解的垂直断面図、第５図は第４図の
装置の図解的平面図、第６図は第２図の多層膜を
形成するためのこの発明による真空蒸着多層膜形
成装置の第１実施例を示す図解的垂直断面図、第
７図は第６図の装置に使用される回転遮板とそれ
の支持軸の組合わせを示す斜視図、第８図は第６
図の装置に使用される回転遮板とそれの支持軸の
別の組合わせを示す斜視図、第９図はこの発明の
第２実施例を示す図解的垂直断面図である。 図面において、２は基体構成物、３ａ，３ｂ，
３ｃ，３ｄおよび３ｅは多層膜を構成する膜、４
ａおよび４ｂは蒸発源、７は移送路、１０ａ，１
０ｂ，１０ｃおよび１０ｄは遮蔽組立体を構成す
る遮体、１１は遮蔽組立体、１２ａ，１２ｂ，１
２ｃ，１２ｄおよび１２ｅは区域、１６ａ，１６
ｂ，１６ｃ，１６ｄおよび１６ｅは可動遮体、Ａ
およびＢは蒸着物質を示す。
Claims (1)
- １ 真空蒸着によつて基体構成物の表面上に多く
の層を順次被着させて多層膜を形成するため、基
体構成物の移送路と複数個の蒸発源の間および必
要に応じその近くに遮蔽組立体を設け、蒸発源の
数を越える数の前記移送路に沿ういくつかの区域
がこれに対して選択された前記の複数個の蒸発源
のうちの１つまたはいくつかの蒸発源から見て遮
蔽組立体で隠されるが選択されなかつた蒸発源か
ら見て遮蔽組立体で隠されないように遮蔽組立体
を形成配置し、従つてこの区域においては選択さ
れなかつた蒸発源からの蒸着物質だけが基体構成
物に被着されるようになる真空蒸着多層膜形成装
置において、前記区域とこの区域で基体構成物に
被着される蒸着物質の蒸発源との間に、この蒸着
物質の被着量を制御するための可動遮体を設けた
ことを特徴とする真空蒸着多層膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550282A JPS58133374A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1550282A JPS58133374A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58133374A JPS58133374A (ja) | 1983-08-09 |
| JPS6134511B2 true JPS6134511B2 (ja) | 1986-08-08 |
Family
ID=11890574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1550282A Granted JPS58133374A (ja) | 1982-02-04 | 1982-02-04 | 真空蒸着多層膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58133374A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6318073A (ja) * | 1986-07-09 | 1988-01-25 | Nippon Kokan Kk <Nkk> | 多層被膜の製造方法 |
| JPH062225B2 (ja) * | 1988-11-12 | 1994-01-12 | 真空冶金株式会社 | 有機物超微粒子の製造装置 |
| FR2800098B1 (fr) * | 1999-10-26 | 2002-03-01 | Lorraine Laminage | Tole d'acier dotee d'un revetement comprenant une couche principale d'alliage zinc-chrone, dont la phase preponderante presente une structure delta et/ou dzeta |
| JP4703392B2 (ja) * | 2005-12-20 | 2011-06-15 | トッキ株式会社 | 蒸着装置 |
| BE1017912A3 (fr) * | 2007-12-21 | 2009-11-03 | Ind Plasma Services & Technolo | Procede et dispositifs de controle d'un flux de vapeur en evaporation sous vide. |
| CN101925688B (zh) | 2007-12-21 | 2012-12-05 | 工业等离子体服务与技术Ipst有限公司 | 用于控制真空蒸发中蒸汽流的方法和装置 |
| DE102020121923A1 (de) | 2020-08-21 | 2022-02-24 | Materials Center Leoben Forschung Gmbh | Pvd-verfahren und vorrichtung hierfür |
-
1982
- 1982-02-04 JP JP1550282A patent/JPS58133374A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58133374A (ja) | 1983-08-09 |
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