JPH10237623A - 電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置 - Google Patents
電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置Info
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- JPH10237623A JPH10237623A JP4559197A JP4559197A JPH10237623A JP H10237623 A JPH10237623 A JP H10237623A JP 4559197 A JP4559197 A JP 4559197A JP 4559197 A JP4559197 A JP 4559197A JP H10237623 A JPH10237623 A JP H10237623A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属薄膜と絶縁性薄膜が積層された電子部品
において、特に、パターニング部分の安定化を図るこ
と。 【解決手段】 パターニング材料を付与した後に金属薄
膜を形成し、残ったパターニング材料を除去した後に絶
縁性薄膜を形成することでパターニング材料を内包せず
に積層する。
において、特に、パターニング部分の安定化を図るこ
と。 【解決手段】 パターニング材料を付与した後に金属薄
膜を形成し、残ったパターニング材料を除去した後に絶
縁性薄膜を形成することでパターニング材料を内包せず
に積層する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の製造方法
及び薄膜の製造装置に関する。
及び薄膜の製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】現代社会に於て薄膜の果たす役割は非常
に広範囲であり、包装紙、磁気テープ、コンデンサ、半
導体等日常生活の様々な部分において薄膜が利用されて
いる。これらの薄膜無しには、近年に於ける高性能化や
小型化といった技術の基本トレンドを語ることは出来な
い。
に広範囲であり、包装紙、磁気テープ、コンデンサ、半
導体等日常生活の様々な部分において薄膜が利用されて
いる。これらの薄膜無しには、近年に於ける高性能化や
小型化といった技術の基本トレンドを語ることは出来な
い。
【０００３】同時に、工業的需要を満足する形で薄膜を
形成する方法についても種々の開発がなされており、例
えば包装紙、磁気テープ、コンデンサ等の用途において
は、高速大量生産に有利な連続巻取り真空蒸着が行われ
ている。その際、蒸発材料と基板材料を形成する薄膜の
目的に合わせて選ぶと同時に、必要に応じて真空槽内に
反応ガスを導入することや、基板に電位を設けた状態で
薄膜を形成することによって所望の特性を持った薄膜を
形成することが出来る。
形成する方法についても種々の開発がなされており、例
えば包装紙、磁気テープ、コンデンサ等の用途において
は、高速大量生産に有利な連続巻取り真空蒸着が行われ
ている。その際、蒸発材料と基板材料を形成する薄膜の
目的に合わせて選ぶと同時に、必要に応じて真空槽内に
反応ガスを導入することや、基板に電位を設けた状態で
薄膜を形成することによって所望の特性を持った薄膜を
形成することが出来る。
【０００４】例えば、磁気記録媒体の製造においてはＣ
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の磁性元素を含む蒸発材料を用い、真
空槽中に酸素ガスを導入しながら反応蒸着を行うことに
よって長尺の磁気記録媒体を得ることが出来る。また、
半導体においては主にスパッタ法によって薄膜が形成さ
れている。スパッタ法はセラミック系の材料を用いた薄
膜形成にも特に有効であり、セラミック薄膜は膜厚数μ
ｍ以上では塗布焼成法で形成され、１μｍ以下ではスパ
ッタ法で形成される場合が多い。
ｏ、Ｎｉ、Ｆｅ等の磁性元素を含む蒸発材料を用い、真
空槽中に酸素ガスを導入しながら反応蒸着を行うことに
よって長尺の磁気記録媒体を得ることが出来る。また、
半導体においては主にスパッタ法によって薄膜が形成さ
れている。スパッタ法はセラミック系の材料を用いた薄
膜形成にも特に有効であり、セラミック薄膜は膜厚数μ
ｍ以上では塗布焼成法で形成され、１μｍ以下ではスパ
ッタ法で形成される場合が多い。
【０００５】一方、樹脂材料を用いた薄膜の形成は塗装
による方法が用いられ、リバースコートや、ダイコート
が工業的に用いられており、溶剤で希釈した材料を塗工
後乾燥硬化させることが一般的である。また、これらの
工法で形成される樹脂薄膜の膜厚の下限は使用する材料
によるが、１μｍ前後であることが多く、それ以下の膜
厚は得られにくい場合が多い。一般的な塗工手段では塗
工直後の塗布厚が数μｍ以上となるために、極薄樹脂膜
の形成には溶剤希釈が必要であり、しかも１μｍ以下の
樹脂薄膜が得られない場合も多い。更に、溶剤希釈を行
うと乾燥後の塗膜に欠陥が生じ易い他、環境保護の観点
からも好ましくない。
による方法が用いられ、リバースコートや、ダイコート
が工業的に用いられており、溶剤で希釈した材料を塗工
後乾燥硬化させることが一般的である。また、これらの
工法で形成される樹脂薄膜の膜厚の下限は使用する材料
によるが、１μｍ前後であることが多く、それ以下の膜
厚は得られにくい場合が多い。一般的な塗工手段では塗
工直後の塗布厚が数μｍ以上となるために、極薄樹脂膜
の形成には溶剤希釈が必要であり、しかも１μｍ以下の
樹脂薄膜が得られない場合も多い。更に、溶剤希釈を行
うと乾燥後の塗膜に欠陥が生じ易い他、環境保護の観点
からも好ましくない。
【０００６】そこで溶剤希釈を行わなくとも樹脂薄膜が
形成できる方法及び、極薄の樹脂薄膜が安定に得られる
方法が望まれている。これを解決する方法として、真空
中で樹脂薄膜を形成する方法が提案されている。これ
は、真空中で樹脂材料を気化した後に支持体に付着させ
る方法であり、この方法によれば空隙欠陥のない樹脂薄
膜を形成する事が出来ると共に、溶剤希釈の必要もな
い。
形成できる方法及び、極薄の樹脂薄膜が安定に得られる
方法が望まれている。これを解決する方法として、真空
中で樹脂薄膜を形成する方法が提案されている。これ
は、真空中で樹脂材料を気化した後に支持体に付着させ
る方法であり、この方法によれば空隙欠陥のない樹脂薄
膜を形成する事が出来ると共に、溶剤希釈の必要もな
い。
【０００７】セラミック薄膜や樹脂薄膜の上に更に異種
の薄膜を積層することによって従来得られなかった様々
な複合薄膜が得られる様になり、その工業的利用分野は
非常に多岐にわたる。その中でもチップ形状の電子部品
は非常に有望であり、コンデンサ、コイル、抵抗、容量
性電池あるいはこれらの複合部品等が、薄膜積層によっ
て極めて小型かつ高性能に形成できつつあり、既に商品
化・市場拡大が始まっている。
の薄膜を積層することによって従来得られなかった様々
な複合薄膜が得られる様になり、その工業的利用分野は
非常に多岐にわたる。その中でもチップ形状の電子部品
は非常に有望であり、コンデンサ、コイル、抵抗、容量
性電池あるいはこれらの複合部品等が、薄膜積層によっ
て極めて小型かつ高性能に形成できつつあり、既に商品
化・市場拡大が始まっている。
【０００８】電子部品を得るには電極が不可欠であるこ
とは言うまでもないが、金属薄膜を用いた電子部品にお
いては、金属薄膜にパターニングを行うことで電位の異
なる金属薄膜を電子部品の中に形成することが出来る。
即ち、パターニング部分を絶縁領域として金属薄膜を複
数に分割したものを用い、これを絶縁性薄膜と積層する
ことで電子部品を形成することが出来る。
とは言うまでもないが、金属薄膜を用いた電子部品にお
いては、金属薄膜にパターニングを行うことで電位の異
なる金属薄膜を電子部品の中に形成することが出来る。
即ち、パターニング部分を絶縁領域として金属薄膜を複
数に分割したものを用い、これを絶縁性薄膜と積層する
ことで電子部品を形成することが出来る。
【０００９】パターニングされた金属薄膜を得る手段と
して、オイルマージンと呼ばれる手法がある。これは、
予めパターニング材料を薄く形成した後に、金属薄膜を
蒸着などによって形成すると、パターニング材料上には
金属薄膜が形成されない事を利用したものである。この
ようにして形成された金属薄膜はパターニング部分が抜
けた状態で形成されており、所望のパターンを持つ金属
薄膜を形成することが出来る。例えば図２の様な装置で
金属薄膜と樹脂薄膜の交互積層を繰り返す際に図３の様
なパターニングと切断位置を設定することで図４の様な
断面構造を有するコンデンサを得ることが出来る。
して、オイルマージンと呼ばれる手法がある。これは、
予めパターニング材料を薄く形成した後に、金属薄膜を
蒸着などによって形成すると、パターニング材料上には
金属薄膜が形成されない事を利用したものである。この
ようにして形成された金属薄膜はパターニング部分が抜
けた状態で形成されており、所望のパターンを持つ金属
薄膜を形成することが出来る。例えば図２の様な装置で
金属薄膜と樹脂薄膜の交互積層を繰り返す際に図３の様
なパターニングと切断位置を設定することで図４の様な
断面構造を有するコンデンサを得ることが出来る。
【００１０】パターニング材料としては炭化水素系のオ
イルや鉱物オイル、フッ素系オイルを初めとする各種オ
イルや、形成する金属薄膜に適したその他の材料を用い
ることが出来る。また、パターニング材料を付与する方
法としては塗布あるいはこれに準ずる方法の他、パター
ンに対応する微小開口部を有する密閉ノズル内にパター
ニング材料を閉じこめて加熱し、材料蒸気を開口部から
噴出させて金属薄膜形成面で凝集させる方法などを用い
ることが出来る。
イルや鉱物オイル、フッ素系オイルを初めとする各種オ
イルや、形成する金属薄膜に適したその他の材料を用い
ることが出来る。また、パターニング材料を付与する方
法としては塗布あるいはこれに準ずる方法の他、パター
ンに対応する微小開口部を有する密閉ノズル内にパター
ニング材料を閉じこめて加熱し、材料蒸気を開口部から
噴出させて金属薄膜形成面で凝集させる方法などを用い
ることが出来る。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、オイルマー
ジンによるパターニングを行う際には残存材料の問題が
ある。即ち、パターニング材料の大部分は金属薄膜の形
成時に再蒸発するものの、一部は金属薄膜形成後にも残
り、残存したパターン材料は設計外の構成要素となり、
製品の歩留まりあるいは性能ばらつきという形で作製し
た電子部品に影響を与える。ここで残存材料を少なくす
るにはパターニング材料を予め必要最小限にする事が有
効であるが、不足すれば絶縁不良となるので制御が難し
い。そこで、残存材料の影響を小さくしたオイルマージ
ンの安定化が望まれていた。
ジンによるパターニングを行う際には残存材料の問題が
ある。即ち、パターニング材料の大部分は金属薄膜の形
成時に再蒸発するものの、一部は金属薄膜形成後にも残
り、残存したパターン材料は設計外の構成要素となり、
製品の歩留まりあるいは性能ばらつきという形で作製し
た電子部品に影響を与える。ここで残存材料を少なくす
るにはパターニング材料を予め必要最小限にする事が有
効であるが、不足すれば絶縁不良となるので制御が難し
い。そこで、残存材料の影響を小さくしたオイルマージ
ンの安定化が望まれていた。
【００１２】本発明は上記課題を解決し、残存材料の影
響が小さく、表面性，パターニング特性に優れた積層薄
膜を得ることを目的とする。
響が小さく、表面性，パターニング特性に優れた積層薄
膜を得ることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するために、少なくとも金属薄膜と絶縁性薄膜を
積層してなる電子部品の製造方法において前記金属薄膜
の形成に先立ってパターニング材料を付与した後に前記
金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の形成後に残った前記
パターニング材料を除去した後に前記絶縁性薄膜を形成
することを特徴とするもの及び、少なくとも真空槽、及
び前記真空槽中に設置された支持体と、前記支持体の移
動方向に沿って設置されたパターニング材料付与装置、
金属薄膜形成装置、パターニング材料除去装置、絶縁性
薄膜形成装置を有することを特徴とする薄膜の製造装置
である。
を解決するために、少なくとも金属薄膜と絶縁性薄膜を
積層してなる電子部品の製造方法において前記金属薄膜
の形成に先立ってパターニング材料を付与した後に前記
金属薄膜を形成し、前記金属薄膜の形成後に残った前記
パターニング材料を除去した後に前記絶縁性薄膜を形成
することを特徴とするもの及び、少なくとも真空槽、及
び前記真空槽中に設置された支持体と、前記支持体の移
動方向に沿って設置されたパターニング材料付与装置、
金属薄膜形成装置、パターニング材料除去装置、絶縁性
薄膜形成装置を有することを特徴とする薄膜の製造装置
である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも金属薄膜と絶縁性薄膜を積層してなる電
子部品の製造方法において前記金属薄膜の形成に先立っ
てパターニング材料を付与した後に前記金属薄膜を形成
し、前記金属薄膜の形成後に残った前記パターニング材
料を除去した後に前記絶縁性薄膜を形成することを特徴
とする電子部品の製造方法、としたものであり、これに
より、表面性，パターニング特性に優れた積層薄膜が得
られる。
は、少なくとも金属薄膜と絶縁性薄膜を積層してなる電
子部品の製造方法において前記金属薄膜の形成に先立っ
てパターニング材料を付与した後に前記金属薄膜を形成
し、前記金属薄膜の形成後に残った前記パターニング材
料を除去した後に前記絶縁性薄膜を形成することを特徴
とする電子部品の製造方法、としたものであり、これに
より、表面性，パターニング特性に優れた積層薄膜が得
られる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。金属薄膜と絶縁性薄膜の多層積層による電子
部品を図１に概略を示すような装置で形成した。図１で
積層膜支持キャン７の周囲には金属薄膜形成源８と絶縁
性薄膜形成源９及び硬化装置１０、パターニング材料付
与装置１１、パターニング材料除去装置１２が配置され
ており、キャン７の回転数に応じた積層数の薄膜積層体
が形成できる。
説明する。金属薄膜と絶縁性薄膜の多層積層による電子
部品を図１に概略を示すような装置で形成した。図１で
積層膜支持キャン７の周囲には金属薄膜形成源８と絶縁
性薄膜形成源９及び硬化装置１０、パターニング材料付
与装置１１、パターニング材料除去装置１２が配置され
ており、キャン７の回転数に応じた積層数の薄膜積層体
が形成できる。
【００１６】金属薄膜形成源には抵抗加熱蒸発源、誘導
加熱蒸発源、電子ビーム蒸発源、スパッタ蒸発源、クラ
スター蒸発源その他薄膜形成に用いる装置やそれらの組
み合わせを、形成する金属薄膜に応じて用いることが出
来る。また、絶縁性薄膜形成源には樹脂系材料のヒータ
ー加熱、超音波あるいはスプレーによる気化、霧化や、
セラミック系材料のスパッタ、あるいは酸化物のスパッ
タ、蒸着等、形成する絶縁性薄膜に応じた装置を用いる
ことが出来る。絶縁性薄膜として樹脂誘電体薄膜を形成
する場合に用いる硬化装置には紫外線硬化、電子線硬
化、熱硬化あるいはそれらの組み合わせを用いることが
出来る。一方、金属薄膜のパターニングは、金属薄膜の
形成前にオイルなどを薄くパターン塗布しておく、オイ
ルマージン方式とした。
加熱蒸発源、電子ビーム蒸発源、スパッタ蒸発源、クラ
スター蒸発源その他薄膜形成に用いる装置やそれらの組
み合わせを、形成する金属薄膜に応じて用いることが出
来る。また、絶縁性薄膜形成源には樹脂系材料のヒータ
ー加熱、超音波あるいはスプレーによる気化、霧化や、
セラミック系材料のスパッタ、あるいは酸化物のスパッ
タ、蒸着等、形成する絶縁性薄膜に応じた装置を用いる
ことが出来る。絶縁性薄膜として樹脂誘電体薄膜を形成
する場合に用いる硬化装置には紫外線硬化、電子線硬
化、熱硬化あるいはそれらの組み合わせを用いることが
出来る。一方、金属薄膜のパターニングは、金属薄膜の
形成前にオイルなどを薄くパターン塗布しておく、オイ
ルマージン方式とした。
【００１７】このようにパターニングした金属薄膜と絶
縁性薄膜を交互積層した薄膜積層体を切断後、必要に応
じて溶射等によって電極を形成すれば電子部品が作製で
きる。尚、図１は金属薄膜と絶縁性薄膜の多層積層体を
形成する際の一方法を示したものであり、図１の方法の
他に、フィルム上に金属薄膜や絶縁性薄膜を形成したも
のを多数枚重ねることによっても多層積層体は形成でき
るものであって、図１の方法によって本発明の範囲が規
制されるものではない。
縁性薄膜を交互積層した薄膜積層体を切断後、必要に応
じて溶射等によって電極を形成すれば電子部品が作製で
きる。尚、図１は金属薄膜と絶縁性薄膜の多層積層体を
形成する際の一方法を示したものであり、図１の方法の
他に、フィルム上に金属薄膜や絶縁性薄膜を形成したも
のを多数枚重ねることによっても多層積層体は形成でき
るものであって、図１の方法によって本発明の範囲が規
制されるものではない。
【００１８】（実施例１）金属薄膜としてアルミニウム
の蒸着薄膜を、誘電体薄膜としてヒーター加熱気化によ
るアクリレート樹脂薄膜を形成する際に、紫外線硬化と
オイルパターニングを組み合わせて、図４に断面構造の
模式概略図を示すコンデンサとした。アルミニウム薄膜
の厚さは５０ｎｍ、樹脂薄膜の厚さを１μｍとした。樹
脂材料として１．９ノナンジオールジアクリレートに光
重合開始剤を５ｗｔ％混ぜたものを用いた。繰り返し積
層数をアルミニウム、樹脂ともに約１０００層とし、パ
ターニングで形成される絶縁部分の幅を約０．５ｍｍと
した。パターニング材料には含フッ素オイルを用いた。
隣接するパターニング絶縁部分の膜面方向の中心間隔は
２．５ｍｍである。また、パターニング材料除去には遠
赤外線ヒーターを用い、その出力を変えた。パターニン
グ材料除去の効果は、非パターニング部分の積層膜厚に
対する、パターニング部分近傍部分に発生する段差の割
合で評価した。図５に測定結果を示す。図５から分かる
ようにパターニング除去のヒーター出力の増加に伴って
パターニング部分と非パターニング部分の厚みの差が小
さくなり、積層薄膜の表面性が向上していることが分か
る。また、積層数の増加に伴うパターニングの乱れがヒ
ーター出力の増加に伴って小さくなった。ヒーター加熱
無しの場合にはパターニング絶縁部分の幅が積層に伴っ
て不安定となった。
の蒸着薄膜を、誘電体薄膜としてヒーター加熱気化によ
るアクリレート樹脂薄膜を形成する際に、紫外線硬化と
オイルパターニングを組み合わせて、図４に断面構造の
模式概略図を示すコンデンサとした。アルミニウム薄膜
の厚さは５０ｎｍ、樹脂薄膜の厚さを１μｍとした。樹
脂材料として１．９ノナンジオールジアクリレートに光
重合開始剤を５ｗｔ％混ぜたものを用いた。繰り返し積
層数をアルミニウム、樹脂ともに約１０００層とし、パ
ターニングで形成される絶縁部分の幅を約０．５ｍｍと
した。パターニング材料には含フッ素オイルを用いた。
隣接するパターニング絶縁部分の膜面方向の中心間隔は
２．５ｍｍである。また、パターニング材料除去には遠
赤外線ヒーターを用い、その出力を変えた。パターニン
グ材料除去の効果は、非パターニング部分の積層膜厚に
対する、パターニング部分近傍部分に発生する段差の割
合で評価した。図５に測定結果を示す。図５から分かる
ようにパターニング除去のヒーター出力の増加に伴って
パターニング部分と非パターニング部分の厚みの差が小
さくなり、積層薄膜の表面性が向上していることが分か
る。また、積層数の増加に伴うパターニングの乱れがヒ
ーター出力の増加に伴って小さくなった。ヒーター加熱
無しの場合にはパターニング絶縁部分の幅が積層に伴っ
て不安定となった。
【００１９】（実施例２）金属薄膜として銅の蒸着薄膜
を、誘電体薄膜としてヒーター加熱気化によるアクリレ
ート樹脂薄膜を形成する際に、電子線硬化とオイルパタ
ーニングを組み合わせて、図４に断面構造の概略を示す
コンデンサとした。銅薄膜の厚さは４０ｎｍ、樹脂薄膜
の厚さを０．１μｍとした。樹脂材料としてジメチノー
ルトリシクロデカンジアクリレートを用いた。繰り返し
積層数を銅、樹脂ともに約４０００層とし、パターニン
グで形成される絶縁部分の幅を約０．１ｍｍとした。パ
ターニング材料には鉱物系オイルを用いた。隣接するパ
ターニング絶縁部分の膜面方向の中心間隔は１．４ｍｍ
である。また、パターニング材料除去には電子線を用
い、その出力を変えた。パターニング材料除去の効果
は、非パターニング部分の積層膜厚に対するパターニン
グ部分近傍部分に発生する段差の割合で評価した。図６
に測定結果を示す。図６から分かるようにパターニング
除去の電子線出力の増加に伴ってパターニング部分と非
パターニング部分の厚みの差が小さくなり、積層薄膜の
表面性が向上していることが分かる。また、パターニン
グ材料除去を行わない場合には積層数の増加に伴ってパ
ターンの乱れが見られた。
を、誘電体薄膜としてヒーター加熱気化によるアクリレ
ート樹脂薄膜を形成する際に、電子線硬化とオイルパタ
ーニングを組み合わせて、図４に断面構造の概略を示す
コンデンサとした。銅薄膜の厚さは４０ｎｍ、樹脂薄膜
の厚さを０．１μｍとした。樹脂材料としてジメチノー
ルトリシクロデカンジアクリレートを用いた。繰り返し
積層数を銅、樹脂ともに約４０００層とし、パターニン
グで形成される絶縁部分の幅を約０．１ｍｍとした。パ
ターニング材料には鉱物系オイルを用いた。隣接するパ
ターニング絶縁部分の膜面方向の中心間隔は１．４ｍｍ
である。また、パターニング材料除去には電子線を用
い、その出力を変えた。パターニング材料除去の効果
は、非パターニング部分の積層膜厚に対するパターニン
グ部分近傍部分に発生する段差の割合で評価した。図６
に測定結果を示す。図６から分かるようにパターニング
除去の電子線出力の増加に伴ってパターニング部分と非
パターニング部分の厚みの差が小さくなり、積層薄膜の
表面性が向上していることが分かる。また、パターニン
グ材料除去を行わない場合には積層数の増加に伴ってパ
ターンの乱れが見られた。
【００２０】ここで、実施例１，２でパターニング材料
除去によって積層薄膜の表面性が向上する理由は次のよ
うに考えられる。即ち、金属薄膜形成後にパターニング
材料が残るとその上に絶縁性薄膜が形成されるので積層
薄膜がパターニング材料を内部に含んだ形で成長する。
従って、積層後の表面の凹凸が激しい。それに対して余
剰のパターニング材料を除去しながら積層を行った場合
には、積層薄膜が金属薄膜と絶縁性薄膜のみで形成され
るため、パターニング部分に金属薄膜の膜厚分の凹みが
わずかに見られるだけで、大きな凹凸無しに積層薄膜を
形成できるのである。
除去によって積層薄膜の表面性が向上する理由は次のよ
うに考えられる。即ち、金属薄膜形成後にパターニング
材料が残るとその上に絶縁性薄膜が形成されるので積層
薄膜がパターニング材料を内部に含んだ形で成長する。
従って、積層後の表面の凹凸が激しい。それに対して余
剰のパターニング材料を除去しながら積層を行った場合
には、積層薄膜が金属薄膜と絶縁性薄膜のみで形成され
るため、パターニング部分に金属薄膜の膜厚分の凹みが
わずかに見られるだけで、大きな凹凸無しに積層薄膜を
形成できるのである。
【００２１】尚、実施例では、絶縁性薄膜材料としてア
クリレート系の樹脂材料を用いた場合について述べた
が、エポキシ系等の他の樹脂材料や樹脂材料以外の、セ
ラミック系、金属酸化物系の材料も用いることが出来る
ことは既に述べたとおりである。例えば、金属酸化物と
して、酸素雰囲気の電子ビーム蒸着で厚さ５０ｎｍ〜３
００ｎｍのチタン酸化物を誘電体とした場合にも本発明
の効果が確認できた。
クリレート系の樹脂材料を用いた場合について述べた
が、エポキシ系等の他の樹脂材料や樹脂材料以外の、セ
ラミック系、金属酸化物系の材料も用いることが出来る
ことは既に述べたとおりである。例えば、金属酸化物と
して、酸素雰囲気の電子ビーム蒸着で厚さ５０ｎｍ〜３
００ｎｍのチタン酸化物を誘電体とした場合にも本発明
の効果が確認できた。
【００２２】また、実施例では金属薄膜層をアルミニウ
ムあるいは銅とした場合についてのみ述べたが、銀、ニ
ッケル、亜鉛等の他の金属やそれらを含む合金を用いた
り、金属薄膜層を一種とせず、例えばＡｌ層とＣｕ層の
混在とすることによって特性の補完がなされ、使用条件
によっては高性能化が図れる場合もあり得る。
ムあるいは銅とした場合についてのみ述べたが、銀、ニ
ッケル、亜鉛等の他の金属やそれらを含む合金を用いた
り、金属薄膜層を一種とせず、例えばＡｌ層とＣｕ層の
混在とすることによって特性の補完がなされ、使用条件
によっては高性能化が図れる場合もあり得る。
【００２３】尚、パターニング材料除去の手段として実
施例では遠赤外線ヒーターと電子線を用いた場合につい
てのみ述べたが、紫外線ランプ照射やプラズマ照射を用
いた場合など他の除去手段を用いても同様の効果が得ら
れた。
施例では遠赤外線ヒーターと電子線を用いた場合につい
てのみ述べたが、紫外線ランプ照射やプラズマ照射を用
いた場合など他の除去手段を用いても同様の効果が得ら
れた。
【００２４】既に述べたように、パターニング材料とし
ては炭化水素系のオイルや鉱物オイル、フッ素系オイル
を初めとする各種オイルや、形成する金属薄膜に適した
その他の材料を用いることが出来る。また、パターニン
グ材料を付与する方法としては塗布あるいはこれに準ず
る方法の他、パターンに対応する微小開口部を有する密
閉ノズル内にパターニング材料を閉じこめて加熱し、材
料蒸気を開口部から噴出させて金属薄膜形成面で凝集さ
せる方法などを用いることが出来る。
ては炭化水素系のオイルや鉱物オイル、フッ素系オイル
を初めとする各種オイルや、形成する金属薄膜に適した
その他の材料を用いることが出来る。また、パターニン
グ材料を付与する方法としては塗布あるいはこれに準ず
る方法の他、パターンに対応する微小開口部を有する密
閉ノズル内にパターニング材料を閉じこめて加熱し、材
料蒸気を開口部から噴出させて金属薄膜形成面で凝集さ
せる方法などを用いることが出来る。
【００２５】また、実施例１、２において支持体として
キャンを用いた場合についてのみ述べたが、本発明はこ
れらの支持体によって制限されるものではなく、円筒形
状以外の、平板状や曲面形状の支持体も用いることが出
来る他、金属、絶縁体、ガラス、半導体上に本発明によ
って電子部品を形成することもできる。
キャンを用いた場合についてのみ述べたが、本発明はこ
れらの支持体によって制限されるものではなく、円筒形
状以外の、平板状や曲面形状の支持体も用いることが出
来る他、金属、絶縁体、ガラス、半導体上に本発明によ
って電子部品を形成することもできる。
【００２６】また、実施例では電子部品としてコンデン
サを例にとって説明したが、チップコイル、ノイズフィ
ルター等の他の電子部品においても本発明に述べたパタ
ーニング材料除去を用いることで積層薄膜の表面性やパ
ターニング特性を向上することが出来るものと容易に類
推出来、本発明は広く電子部品の製造方法および薄膜の
製造装置に適用できるものである。
サを例にとって説明したが、チップコイル、ノイズフィ
ルター等の他の電子部品においても本発明に述べたパタ
ーニング材料除去を用いることで積層薄膜の表面性やパ
ターニング特性を向上することが出来るものと容易に類
推出来、本発明は広く電子部品の製造方法および薄膜の
製造装置に適用できるものである。
【００２７】
【発明の効果】以上の様に本発明の電子部品の製造方法
及び薄膜の製造装置によれば、表面性やパターニング特
性に優れた積層薄膜が得られ、高性能コンデンサを初め
とする高性能電子部品等が実現できる。
及び薄膜の製造装置によれば、表面性やパターニング特
性に優れた積層薄膜が得られ、高性能コンデンサを初め
とする高性能電子部品等が実現できる。
【図１】本発明の薄膜の製造装置の一例を示す図
【図２】積層成膜装置の従来例の一例を示す図
【図３】金属薄膜のパターニングの一例を示す図
【図４】電子部品の断面図の一例を示す図
【図５】除去ヒーターのパワーと積層膜の表面性の関係
の一例を示す図
の一例を示す図
【図６】除去電子線のパワーと積層膜の表面性の関係の
一例を示す図
一例を示す図
１ 金属薄膜 ２ 絶縁性薄膜 ３ 電極 ４ パターン位置 ５ 真空槽 ６ 排気系 ７ キャン ８ 導電体薄膜形成源 ９ 誘電体薄膜形成源 １０ 硬化装置 １１ パターニング材料付与装置 １２ パターニング材料除去装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 砂流 伸樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】少なくとも金属薄膜と絶縁性薄膜を積層し
てなる電子部品の製造方法において前記金属薄膜の形成
に先立ってパターニング材料を付与した後に前記金属薄
膜を形成し、前記金属薄膜の形成後に残った前記パター
ニング材料を除去した後に前記絶縁性薄膜を形成するこ
とを特徴とする電子部品の製造方法。 - 【請求項２】前記金属薄膜を真空蒸着法、イオンプレー
ティング法、スパッタ法のいずれかによって形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の電子部品の製造方法。 - 【請求項３】前記金属薄膜が少なくとも２層以上である
ことを特徴とする請求項１、２記載の電子部品の製造方
法。 - 【請求項４】前記金属薄膜及び前記絶縁性薄膜が真空中
で形成されることを特徴とする請求項１、３記載の電子
部品の製造方法。 - 【請求項５】少なくとも真空槽、及び前記真空槽中に設
置された支持体と、前記支持体の移動方向に沿って設置
されたパターニング材料付与装置、金属薄膜形成装置、
パターニング材料除去装置、絶縁性薄膜形成装置を有す
ることを特徴とする薄膜の製造装置。 - 【請求項６】前記パターニング材料除去装置によるパタ
ーニング材料除去が加熱によるものであることを特徴と
する請求項５記載の薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04559197A JP3992317B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04559197A JP3992317B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10237623A true JPH10237623A (ja) | 1998-09-08 |
| JP3992317B2 JP3992317B2 (ja) | 2007-10-17 |
Family
ID=12723603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04559197A Expired - Lifetime JP3992317B2 (ja) | 1997-02-28 | 1997-02-28 | 電子部品の製造方法及び薄膜の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3992317B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1195784A1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated body, capacitor, electronic part, and method and device for manufacturing the laminated body, capacitor, and electronic part |
| WO2006054601A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及び冷陰極管点灯装置 |
| US7118984B2 (en) | 1999-04-23 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor component |
-
1997
- 1997-02-28 JP JP04559197A patent/JP3992317B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7118984B2 (en) | 1999-04-23 | 2006-10-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor component |
| EP1195784A1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-04-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laminated body, capacitor, electronic part, and method and device for manufacturing the laminated body, capacitor, and electronic part |
| US6829135B2 (en) | 2000-04-14 | 2004-12-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Layered product, capacitor, electronic component and method and apparatus manufacturing the same |
| EP1195784A4 (en) * | 2000-04-14 | 2006-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | LAMINATED BODY, CAPACITOR, ELECTRONIC COMPONENT, METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE LAMINATED BODY, CAPACITOR AND ELECTRONIC COMPONENT |
| WO2006054601A1 (ja) * | 2004-11-19 | 2006-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | コンデンサ内蔵多層基板とその製造方法、及び冷陰極管点灯装置 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3992317B2 (ja) | 2007-10-17 |
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