JP2002057065A - 薄膜コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

薄膜コンデンサ及びその製造方法

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JP2002057065A
JP2002057065A JP2000339426A JP2000339426A JP2002057065A JP 2002057065 A JP2002057065 A JP 2002057065A JP 2000339426 A JP2000339426 A JP 2000339426A JP 2000339426 A JP2000339426 A JP 2000339426A JP 2002057065 A JP2002057065 A JP 2002057065A
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Xicheng Wang
ワン シーチェン
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Xicheng Wang
ワン シーチェン
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は薄膜コンデンサ及びその製造方法を
提供するものである。 【解決手段】 真空状態で移動中の担体表面(11)に
それぞれ誘電体気体の沈殿、マスク、電極気体の沈殿を
行い、またこれらの処理を繰り返し行うと、誘電体層
(9)と電極層(8)を交互に積層した薄膜コンデンサ
母板を形成することができる。そして、母板を分け切り
チップを形成する。チップの両端面に金属引出し面(1
3)形成すると、薄膜コンデンサを形成することができ
る。このような製造方法と製造装置で得た薄膜コンデン
サは体積が大幅に小さくなって、コストが低く、電気性
能が高いものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜コンデンサ及
びその製造方法に関し、特に薄膜コンデンサチップ及び
その製造方法に関する。

【0002】

【従来の技術】薄膜コンデンサは通常に金属化有機薄膜
コンデンサを指し、電気情報、電子機器、半導体など産
業分野に広く利用されている個別電子部品である。この
ような薄膜コンデンサの従来の製造方法として、成膜
(有機薄膜誘電体の製作)→薄膜に金属電極の蒸発→分
け切り→芯子の巻回→圧偏→熱成形(チップになる)→
チップの端面に金属引出し面の形成→金属リード線の溶
接→パケッジの包装→コンデンサの製品などの工程を備
える。この中に如何に質の良く、コストの低いコンデン
サ芯子を作ることはコンデンサ製造プロセスのキーポイ
ントである。このプロセスは複雑、面倒で、使用される
成膜機、蒸発機等が高価で、且つ成膜の精度、及び蒸発
分け切り、巻回の精度についても高く要求する必要があ
り、従って製造コストは高くなる。また、巻回の工程に
使用される誘電体膜は柔軟性の良い高分子膜であること
が必要で、脆い誘電体材料が使用できないので、厚さは
一般に1μmより薄くすることができない(1μm以下
の膜が巻回にも困難になる)、且つ分け切り、巻回が空
気雰囲気の中に行われるので、芯子が容易に汚染され
る。特に、このように巻いた高分子膜の膜厚が厚く、比
誘電率が小さい、且つ容量同じの薄膜コンデンサの体積
が主に誘電体膜の厚さと誘電体の比誘電率によって決め
られるので、このような工程によって製造されたコンデ
ンサの寸法は大きく、薄膜コンデンサの小型化を実現す
ることが困難であるという問題が存在する。電子機器の
小型化に伴って、コンデンサの性能と小型化に対する要
求もますます高くなり、如何に性能が良く、特に体積が
小さく、製造コストが低い薄膜コンデンサを製造するか
ということは重要な研究課題になっている。

【0003】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来の問
題点を解決するもので、薄膜コンデンサ及びその製造方
法、特に薄膜コンデンサチップ及びその製造方法を提供
することを目的とする。この製造方法により製造された
薄膜コンデンサは、体積が大幅に減らされ、コストが著
しく低くなって、且つ電気性能が高くなる。

【0004】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、誘電体層(9)と電極層(8)を交互に
積層した母板を形成し(図1を参照)、上記母板を分け
切り方塊状のチップを形成し(図2を参照)、上記チッ
プの両端面を研ぎ切り金属引出し面(12)を形成しあ
るいは上記チップの両端面に金属を鍍金し金属引出し面
(13)を形成する薄膜コンデンサの製造方法の中に
(図3を参照)、上記母板の製造方法は、真空の中に、
移動の担体表面(11)に誘電体気相成長法で誘電体気
体を沈殿させ誘電体層(9)形成し、沈殿の上記誘電体
層(9)の表面にマスクを行い、マスクされた上記誘電
体層(9)の表面に金属気相成長法で電極気体を沈殿さ
せ上記電極層(8)を形成し、また上記電極層(8)の
表面に誘電体気相成長法で誘電体気体を沈殿させ上記誘
電体層(9)形成し、そしてこのような手順で誘電体気
相成長、マスク、金属気相成長を繰り返して行う(図4
を参照)などの工程を備えるものとする。このように誘
電体層(9)と電極層(8)を交互に積層した複合体を
形成し、必要な層数になると母板ができる。

【0005】上記真空の状態は2×10-1Pa以下の負
気圧状態の範囲であることが好ましい。

【0006】上記の移動の担体表面(11)は往復或は
循環移動可能な平面であっても良いし、円周運動可能な
円柱面であっても良い。

【0007】また、上記誘電体気相成長法は物理の気相
成長法、或は化学の気相成長法、或は物理気相成長法と
化学の気相成長法の組み合せであるものとする。物理気
相成長法は例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオ
ンビーム成長法、イオン鍍金等の方法がある。物理気相
成長法と化学の気相成長法の組み合せの方法は例えばプ
ラズマ気相成長法等がある。気相成長法で得られた誘電
体層(9)の材料は無機絶縁体材料、或は有機絶縁体材
料、或は無機絶縁体材料と有機絶縁体材料との複合材料
である。無機化合物絶縁体材料は金属化合物、或は非金
属化合物、或は二種類或は二種類以上の化合物の混合物
或は複合物である。無機化合物絶縁体材料は例えば一酸
化ケイ素、二酸化ケイ素、二酸化チタン、三酸化二アル
ミニウム、五酸化二タンタル、チタン酸化バリウム、チ
タン酸化鉛等がある。有機絶縁体材料は例えばポリ塩化
ビニル、ポリスチレン、ポリメタクリル酸メチル等があ
る。例えば二酸化チタンが誘電体層(9)とする場合に
は、真空中に電子ビームで加熱し固体の二酸化チタンを
気化させた後、担体表面(11)に沈殿し誘電体層
(9)形成する、或は金属チタンを加熱気化させる或は
スパッタリングし金属イオンを形成した後、酸素をイオ
ン化させ、気化(或はイオン化)のチタンと混合し、担
体表面(11)に二酸化チタンを化合形成し且つ担体表
面(11)に沈殿し誘電体層(9)形成することができ
る。複合誘電体層(9)は複数無機絶縁体材料を複合さ
せた誘電体層(9)からなり、或は複数有機絶縁体材料
を複合させた誘電体層(9)からなり、或は無機絶縁体
材料と有機絶縁体材料とを複合させた誘電体層(9)か
らなることができる。

【0008】また、上記金属気相成長法は蒸発法、或は
マグネトロンスパッタリング法、或は蒸発法とマグネト
ロンスパッタリング法とを組み合せた方法、或はグロー
法と蒸発法とを組み合せた方法、或はグロー法とマグネ
トロンスパッタリング法とを組み合せた方法、或はグロ
ー法と、マグネトロンスパッタリング法と蒸発法とを組
み合せた方法であるものとする。上記金属気相成長法で
得られた電極層(8)の材料は亜鉛、アルミニウム、
銅、チタン、ニッケル、クロム及び合金材料を使用する
ことができる。

【0009】また、上記誘電体層(9)の表面にマスク
を行う方法はマスク油をスプレーする方法、或はマスク
テープを使用する方法、或はこの二つの方法を組み合せ
た方法であるものとする。

【0010】マスク油をスプレーする方法としては、マ
スク油をスプレーし誘電体層(9)の表面に条形(1
0)状或は網目状のパターンを形成することである。第
1、3、…、2n-1層の誘電体層(9)の条形(10)
の位置が同じで、第2、4、…、2n層の誘電体層
(9)の各条形(10)は隣接誘電体層(9)の二つの
各条形(10)の中間に位置する(このマスク油の特性
はマスク油をスプレーした条形(10)の表面に電極気
体を沈殿させない、且つ金属気相成長の工程で条形(1
0)上のマスク油が加熱揮発され、電極層(8)はここ
で断裂になる。これは従来の技術である)。このように
条形(10)のある誘電体層(9)の上に金属気体を沈
殿させないので、断続の電極層(8)を形成することが
できる。上記製造方法によって、必要な層数に達する
と、誘電体層(9)と電極層(8)を交互に積層した薄
膜コンデンサチップを製作するための母板を形成するこ
とができる(図4を参照)。

【0011】また、上記マスク油をスプレーする方法と
してはノズル組み合せ装置(31)でスプレーする方
法、或はマスク油ローラー(32)で塗布する方法、或
はノズル組み合せ装置(31)でスプレーする方法とマ
スク油ローラー(32)で塗布する方法とを組み合せた
方法であるものとする。

【0012】上記ノズル組み合せ装置(31)は上記担
体表面(11)に平行させ且つ上記担体表面(11)の
移動方向に垂直させた配列の複数ノズル組み合せからな
る(担体表面(11)が円柱面である場合、配列の複数
ノズルが円柱面の母線と平行にする)。使用に当たって
は配列の複数ノズルを上記担体表面(11)に平行させ
且つ上記担体表面(11)の移動方向に垂直させて、上
記各ノズルの間の距離が上記チップの両端面の距離の2
倍にし、上記担体表面(11)の移動方向と垂直方向に
沿い上記ノズル組み合せ装置(31)を往復移動させ、
上記担体(1)が一週移動する毎に上記ノズル組み合せ
装置(31)を一回移動させ、移動する距離が上記チッ
プの両端面の距離と同じで、隣接誘電体層の表面にスプ
レーされた条形(10)の位置が交錯することができ
る。

【0013】マスクテープを使用する方法としては、マ
スクテープ(7)を電極気体を沈殿すべき領域に移動中
の誘電体層(9)の表面に置き、誘電体層(9)の表面
と同歩的に移動させ、誘電体層(9)の表面に電極気体
を沈殿させる時、マスクテープ(7)のマスク条(7
1)が誘電体層(9)の表面をマスクした部分に金属気
体が沈殿できないので、誘電体層(9)の表面に断続の
電極層(8)を形成することができる。マスクテープ
(7)のマスク条(71)の形状は狭い条形網目状のパ
ターンにすることができる(図5を参照)。マスクテー
プ(7)は環形テープにすることもできる。この時、環
形テープは2組或は4組或はn組(n:偶数)のマスク
条(71)からなり、各組のマスク条(71)の位置は
隣接の2組のマスク条(71)の位置と交互に交錯する
ようにする。すべてのマスク条(71)の長さが同じで
ある。担体表面(11)が円柱面である場合、各組のマ
スク条(71)の長さは担体表面(11)の円周のm分
の一(m:奇数)である。このように、担体表面(1
1)は円周運動をする場合、各層誘電体層の上に形成さ
れた狭い条(10)の位置は隣接誘電体層の上に形成さ
れた狭い条(10)の位置と交互に交錯することができ
る。

【0014】マスク油ローラー(32)で塗布する方法
では、条形状或は網目状パターン(マスクテープのパタ
ーンと同じ)のあるマスク油ローラー(32)を用いて
誘電体層(9)にマスク油を塗布する。

【0015】チップの両端面に金属引出し面(12)或
は(13)を形成した後(図3を参照)、貼り付け式薄
膜コンデンサになる。チップの両端の金属引出し面(1
3)に更に金属脚(14)を溶接すると、抜き出し式コ
ンデンサになる。

【0016】チップの両端面はマスク油或はマスクテー
プ法により電極層に断条になる処の断面である。

【0017】また、上記誘電体気相成長法の中にコール
ド・トラップ(21)(真空のガス抜き口)が使用でき
るが、上記金属気相成長法の中にもコールド・トラップ
が使用することができる。蒸発法の中にはコールド・ト
ラップが使用できるが、マグネトロンスパッタリング法
の中にもコールド・トラップが使用できる、またグロー
法の中にもコールド・トラップが使用できる。即ち、誘
電体気体を沈殿させる工程(2)にはコールド・トラッ
プが使用できるが、電極気体を沈殿させる工程(4)に
もコールド・トラップ(44)、(45)、(46)が
使用できる。このように母板を形成する時、誘電体気体
を沈殿させる工程(2)或は電極気体を沈殿させる工程
(4)に真空状態を安定に維持することを確保すること
ができる。

【0018】母板を形成する時、加熱方式で誘電体気体
を生成すること或は加熱方式で電極を蒸発することは担
体表面(11)と母板表面の温度を変化させ、不利の影
響を生ずる可能性がある。そのために、担体(1)の中
に温度素子が置き入れされ、或は担体(1)の中に温度
調節装置が使用されることにより温度を制御することが
できる。

【0019】母板を形成する時、層の増加に従って段段
厚くになる。母板の転熱性能が良くないため、担体
(1)だけにより温度を制御することは母板(20)の
表面温度を安定に確保することができない。母板(2
0)の表面温度を安定させるために、上記誘電体気相成
長法で誘電体気体を沈殿させた後、温度調節装置(5)
を使用することができ、上記金属気相成長法で電極気体
を沈殿させた後、温度調節装置(6)を使用することが
できる。温度調節装置(5)と温度調節装置(6)は担
体表面(11)に近づけるべきである。温度調節装置
(5)はローラー(51)を母板(20)の表面に接触
させる伝導転熱方式で温度調節を行うことができるが、
非接触の温度調節板(52)による輻射転熱方式で温度
調節を行うこともできる、または温度気体(53)をス
プレーする対流転熱方式で温度調節を行うこともでき
る、または上記転熱方式の組み合せにより温度調節を行
うこともできる。

【0020】温度調節装置(6)はローラー(61)を
母板(20)の表面に接触させる伝導転熱方式で温度調
節を行うことができるが、非接触の温度調節板(62)
による輻射転熱方式で温度調節を行うこともできる、ま
たは温度気体(63)をスプレーする対流転熱方式で温
度調節を行うこともできる、または上記転熱方式の組み
合せにより温度調節を行うこともできる。ローラー(5
1)、(61)と温度調節板(52)、(62)は温度
素子が置入され、或は温度調節装置が使用されることに
より温度調節を行うことができる。温度気体(53)、
(63)は窒素気体或は他の惰性気体を使用することが
できる。温度気体(53)をスプレーする工程にコール
ド・トラップを使用することができ、温度気体(63)
をスプレーする工程にコールド・トラップを使用するこ
ともできる。このように環境の状態圧力を確保すること
ができる。

【0021】誘電体層(9)の厚さは沈殿誘電体気体装
置の入気量及び担体表面(11)の運動速度を制御する
ことにより制御される。電極層(8)の厚さは沈殿電極
気体装置の入気量により制御される。誘電体層(9)の
厚さは0.01μm〜10μmの範囲である(高分子誘
電体層のは厚く、無機化合物誘電体層のは薄くすること
ができる)。

【0022】本発明の薄膜コンデンサは交互に積層した
誘電体層(9)と電極層(8)及びその両端面に形成し
た金属引出し面からなり、上記誘電体層(9)と上記電
極層(8)は本発明の製造方法による交互に積層して製
造され、上記誘電体層(9)の厚さは0.01μmから
10μmまでの範囲で、上記誘電体層(9)は無機化合
物絶縁材料からなり、或は本体重合体の高分子材料、或
は複合誘電体層(9)からなる。

【0023】

【発明の実施の形態】(実施形態1)実施形態1は真空
状態の缶体(15)に、連続回転可能な円柱体を担体
(1)とし、その円柱面を担体表面(11)とする。担
体表面(11)の周囲に担体(1)の回転方向に沿い、
沈殿誘電体気体の工程(2)、塗布マスク油装置(3)
と沈殿電極気体の工程をそれぞれ放置する。沈殿誘電体
気体の工程(2)に沈殿無機誘電体気体装置(22)を
使用する。この沈殿無機誘電体気体装置は電子束加熱方
式により固体二酸化ケイ素を加熱気化させた後担体表面
(11)に二酸化ケイ素の誘電体層(9)を沈殿する方
法を使用することもよいし、活性イオン鍍金の方式によ
り固体ケイ素を活性ケイ素イオンにした後担体表面(1
1)に二酸化ケイ素(或は一酸化ケイ素と二酸化ケイ素
の混合物)に酸化合成し担体表面(11)に誘電体層
(9)を形成する方法を使用することもよい。沈殿電極
気体の工程は金属蒸発の工程(41)、金属スパッタリ
ングの工程(42)、グローの工程(43)に分けられ
る。金属蒸発の工程(41)は金属蒸発装置を使用し、
金属スパッタリングの工程(42)は金属スパッタリン
グ装置を使用し、グローの工程(43)はグロー装置を
使用する。

【0024】グロー装置は沈殿誘電体気体の工程(2)
と塗布マスク油装置(3)との間に置く。沈殿誘電体気
体の工程(2)とグローの工程(43)との間に温度調
節板(52)を使用する。金属蒸発の工程(41)と沈
殿誘電体気体の工程(2)との間に温度調節板(62)
を使用する。温度調節板(52)と温度調節板(62)
の中にパイプに通して温度気体(53)、(63)を吹
き込む。温度気体(53)を吹き込む工程にコールド・
トラップ(54)を使用することができる。温度気体
(63)を吹き込む工程にコールド・トラップ(64)
を使用することができる。沈殿誘電体気体の工程(2)
にコールド・トラップ(21)を使用することができ
る。金属蒸発の工程(41)、金属スパッタリングの工
程(42)、グローの工程(43)にそれぞれコールド
・トラップ(44)、コールド・トラップ(45)、コ
ールド・トラップ(46)を使用する。沈殿誘電体気体
の工程(2)と塗布マスク油装置(3)との間に誘電体
層の厚さを検査する装置(16)を置く。金属蒸発の工
程(41)と沈殿誘電体気体の工程(2)との間に電極
層の厚さを検査する装置(17)を置く。温度調節板
(52)と塗布マスク油装置(3)との間に温度検査装
置(18)を置く。温度調節板(62)と沈殿誘電体気
体の工程(2)との間に温度検査装置(19)を置く。
塗布マスク油装置(3)は連続スプレーするノズル組み
合せ装置(31)を使用することができる。担体(1)
に温度調節液(或は温度調節気体)をスプレーする。温
度調節板(52)と温度調節板(62)に温度調節液
(或は温度調節気体)をスプレーする。各工程及び装置
は図6のように配列される。

【0025】担体(1)が時計方向に連続回転する時、
まず沈殿誘電体気体の工程(2)で担体表面(11)に
誘電体気体を沈殿(スプレー)し、担体表面(11)に
誘電体層(9)を形成した後、冷却を経てグローの工程
(43)にグロー清潔の処理を行い、そして塗布マスク
油装置(3)で誘電体層(9)の表面にマスク油を塗布
し、金属スパッタリングの工程(42)で金属スパッタ
リングを行い、金属蒸発の工程(41)によりマスク油
を塗布した誘電体層(9)の表面に金属を沈殿し、電極
層(8)を形成する。その後、再び冷却を経て、沈殿誘
電体気体の工程(2)に戻って、金属層表面に誘電体気
体を沈殿する。このように繰り返しの処理を行うと、誘
電体層(9)と電極層(8)を交互に積層した母板(2
0)を形成することができる。母板(20)を形成する
間に誘電体気体と電極気体の入気量及び層の厚さ、表面
温度、担体の回転速度、温度の調節能力等を自動的に検
査、制御することができる。そして、母板(20)を担
体(1)から取り出し、図2のような形状に分け切りチ
ップを形成する。チップの両端面に金属引出し面(1
3)形成すると、金属脚(14)を溶接した後図3のよ
うな薄膜コンデンサを形成することができる。

【0026】(実施形態2)実施形態2は沈殿誘電体気
体の工程(2)に沈殿有機誘電体気体装置を使用するも
のである。本体重合体の有機材料を加熱気化させた後担
体表面(11)にスプレーし高分子重合体材料の誘電体
層(9)を形成する。方法の他の部分は実施形態1と同
じである。

【0027】(実施形態3)実施形態3は沈殿誘電体気
体の工程(2)に沈殿有機誘電体気体装置と沈殿無機誘
電体気体装置の組み合せを使用するものである。この二
装置の使用順番は任意である。この二装置の間に温度調
節装置を使用することができる。この二装置の間にコー
ルド・トラップを使用することもできる。方法の他の部
分は実施形態1と同じである。

【0028】

【発明の効果】本発明によると、薄膜コンデンサの複雑
な製造工程(誘電体材料の合成、成膜(焼結)、電極の
形成(スプレー、蒸発、塗布)、分け切り、芯子の巻
回、圧偏、熱成形等の工程)を一つ工程に簡略化させ、
生産率を高めることができる。

【0029】また、比誘電率の高い無機材料を誘電体薄
膜とし、且つ誘電体層(膜)の厚さは大幅に薄くするこ
とができる(0.01μm以下)ため、本発明の製造方
法による薄膜コンデンサの寸法は従来の同じコンデンサ
と比べて5倍から100倍まで小さくすることができ
る。

【0030】また、使用する装置のコストと材料のコス
トを低下したため、生産コストを低下することができ
る。また、本発明の製造方法による薄膜コンデンサは、
性能が安定で、信頼性が高い、インダクタンスも小さ
い、コロナ放電を生ずることがない。また、コンデンサ
の集積化をすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の母板の断面図である。

【図2】本発明のチップの斜視図である。

【図3】本発明の薄膜コンデンサの斜視図である。

【図4】本発明の方法の組成の概念図である。

【図5】本発明のマスク方法に用いるマスクテープの概
念図である。

【図6】本発明の一実施形態及び装置の概念図である。

【符号の説明】

1 担体 2 沈殿誘電体気体の工程 3 塗布マスク油装置 4 電極気体を沈殿させる工程 5 温度制御装置 6 温度調節装置 7 マスクテープ 8 電極層 9 誘電体層 10 条形 11 担体表面 12、13 金属引出し面 14 金属脚 15 缶体 16 誘電体層の厚さを検査する装置 17 電極層の厚さを検査する装置 18、19 温度検査装置 20 母板 21、44、45、46,54、64 コールド・ト
ラップ 22 沈殿無機誘電体気体装置 31 ノズル組み合せ装置 32 マスク油ローラー 41 金属蒸発の工程 42 スパッタリングの工程 43 グローの工程 51、61 ローラー 52、53、62 温度制御板 53、63 温度気体 71 マスク条

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01G 4/30 301 H01G 4/30 311F 311 4/06 102 Fターム(参考) 4K029 BB02 BB03 BD00 CA01 CA05 DA08 EA01 HA03 HA05 4K030 BB12 BB14 DA05 JA01 JA03 KA23 KA26 LA11 5E001 AA00 AB03 AH03 AH06 AJ01 AJ02 5E082 AA07 AB03 BC39 EE05 EE11 EE23 EE37 FF05 FG03 FG26 FG27 FG34 FG42 GG04 GG10 KK01 LL02 LL03 MM23

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 誘電体層(9)と電極層(8)を交互に
    積層した母板を形成し、上記母板を分け切り方塊状のチ
    ップを形成し、上記チップの両端面を研ぎ切り金属引出
    し面(12)を形成しあるいは上記チップの両端面に金
    属を鍍金し金属引出し面(13)を形成する薄膜コンデ
    ンサの製造方法の中に、上記母板の製造方法は、真空の
    中に、移動の担体表面(11)に誘電体気相成長法で誘
    電体気体を沈殿させ誘電体層(9)を形成し、沈殿の上
    記誘電体層(9)の表面にマスクを行い、マスクされた
    上記誘電体層(9)の表面に金属気相成長法で電極気体
    を沈殿させ上記電極層(8)を形成し、また上記電極層
    (8)の表面に誘電体気相成長法で誘電体気体を沈殿さ
    せ上記誘電体層(9)形成し、そしてこのような手順で
    誘電体気相成長、マスク、金属気相成長を繰り返して行
    うなどの工程を備えることを特徴とする誘電体薄膜コン
    デンサの製造方法。
  2. 【請求項2】 上記誘電体気相成長法は物理の気相成長
    法、或は化学の気相成長法、或は物理気相成長法と化学
    の気相成長法とを組み合せた方法であることを特徴とす
    る請求項1記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  3. 【請求項3】 上記金属気相成長法は蒸発法、或はマグ
    ネトロンスパッタリング法、或は蒸発法とマグネトロン
    スパッタリング法とを組み合せた方法、或はグロー法と
    蒸発法とを組み合せた方法、或はグロー法とマグネトロ
    ンスパッタリング法とを組み合せた方法、或はグロー法
    と、マグネトロンスパッタリングと蒸発法とを組み合せ
    た方法であることを特徴とする請求項1記載の薄膜コン
    デンサの製造方法。
  4. 【請求項4】 上記沈殿の誘電体層(9)の表面にマス
    クを行う方法はマスク油をスプレーする方法、或はマス
    クテープ(7)を使用する方法、或はこの二つの方法を
    組み合せた方法であることを特徴とする請求項1記載の
    薄膜コンデンサの製造方法。
  5. 【請求項5】 上記マスク油をスプレーする方法はノズ
    ル組み合せ装置(31)でスプレーする方法、或はマス
    ク油ローラー(32)で塗布する方法、或はノズル組み
    合せ装置(31)でスプレーする方法とマスク油ローラ
    ー(32)で塗布する方法とを組み合せた方法であるこ
    とを特徴とする請求項4記載の薄膜コンデンサの製造方
    法。
  6. 【請求項6】 移動の上記担体(1)の中に温度調節媒
    体が置入され、或は上記担体(1)の中に温度調節装置
    が使用されていることを特徴とする請求項1記載の薄膜
    コンデンサの製造方法。
  7. 【請求項7】 上記誘電体気相成長法の中にコールド・
    トラップ(21)が使用されていることを特徴とする請
    求項1記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  8. 【請求項8】 上記金属気相成長法の中にコールド・ト
    ラップが使用されていることを特徴とする請求項1記載
    の薄膜コンデンサの製造方法。
  9. 【請求項9】 上記誘電体気相成長法で誘電体気体を沈
    殿させた後、温度調節装置(5)を使用することを特徴
    とする請求項1記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  10. 【請求項10】 上記温度調節装置(5)はローラー
    (51)、或は温度調節板(52)、或は温度気体(5
    3)のスプレー、或はローラー(51)、温度調節板
    (52)と温度気体(53)のスプレーの組み合せを使
    用することを特徴とする請求項9記載の薄膜コンデンサ
    の製造方法。
  11. 【請求項11】 上記金属気相成長法で電極気体を沈殿
    させた後、温度調節装置(6)を使用することを特徴と
    する請求項1記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  12. 【請求項12】 上記温度調節装置(6)はローラー
    (61)と或は温度調節板(62)、或は温度気体(6
    3)のスプレー、或はローラー(61)と温度調節板
    (62)と温度気体(63)のスプレーの組み合せを使
    用することを特徴とする請求項11記載の薄膜コンデン
    サの製造方法。
  13. 【請求項13】 上記ノズル組み合せ装置(31)の使
    用方法は配列の複数ノズルを上記担体表面(11)に平
    行させ且つ上記担体表面(11)の移動方向に垂直させ
    て、上記各ノズルの間の距離が上記チップの両端面の距
    離の2倍にし、上記担体表面(11)の移動方向と垂直
    方向に沿い上記ノズル組み合せ装置(31)を往復移動
    させ、上記担体(1)が一週移動する毎に上記ノズル組
    み合せ装置(31)を一回移動させ、移動する距離が上
    記チップの両端面の距離と同じであることを特徴とする
    請求項5記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  14. 【請求項14】 上記担体(1)が円柱体で、その円柱
    面は担体表面(11)であることを特徴とする請求項1
    記載の薄膜コンデンサの製造方法。
  15. 【請求項15】 交互に積層した誘電体層(9)と電極
    層(8)及びその両端面に形成した金属引出し面からな
    り、上記誘電体層(9)と上記電極層(8)は本発明の
    製造方法による交互に積層して製造され、上記誘電体層
    (9)の厚さは0.01μmから10μmまでの範囲
    で、上記誘電体層(9)は無機化合物絶縁材料からな
    り、或は本体重合体の高分子材料、或は複合誘電体層
    (9)からなることを特徴とする請求項1記載の薄膜コ
    ンデンサの製造方法による薄膜コンデンサ。
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