JPH077757B2 - クロム膜のパターニング方法 - Google Patents
クロム膜のパターニング方法Info
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- JPH077757B2 JPH077757B2 JP62245035A JP24503587A JPH077757B2 JP H077757 B2 JPH077757 B2 JP H077757B2 JP 62245035 A JP62245035 A JP 62245035A JP 24503587 A JP24503587 A JP 24503587A JP H077757 B2 JPH077757 B2 JP H077757B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chromium film
- etching
- film
- pattern
- etching liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、クロム膜のパターニング方法に係り、特に
多層配線体の形成に適したパターニング方法に関するも
のである。
多層配線体の形成に適したパターニング方法に関するも
のである。
第１表は、例えば楢岡・二瓶著「フオツトエツチングと
微細加工」；総合電子出版社発行（昭和52年５月10日）
に記載された、クロム膜のパターニングを行うにあたり
使用するクロムエツチング液の液組成を示す表である。
第３図は従来のクロム膜パターニング方法の各工程段階
での状態を示す断面図で、（１）は基板、（２）はクロ
ム膜、（３）はレジストパターンである。
微細加工」；総合電子出版社発行（昭和52年５月10日）
に記載された、クロム膜のパターニングを行うにあたり
使用するクロムエツチング液の液組成を示す表である。
第３図は従来のクロム膜パターニング方法の各工程段階
での状態を示す断面図で、（１）は基板、（２）はクロ
ム膜、（３）はレジストパターンである。
次に、そのエツチング方法について説明する。クロム膜
（２）上に通常用いられる写真製版技術を用いて第３図
（ａ）に示すように、レジストパターン（３）を形成
後、第１表に示した組成の薬液からなるエツチング液に
クロム膜（２）を浸漬する。クロム膜（２）はエツチン
グ液中の薬品に酸化され、イオンとなり、エツチング液
中に溶出する。この時、レジストパターン（３）で被覆
された部分はエツチング液に接触しないので、レジスト
パターン（３）下のクロム膜（２）は溶解しない。この
ようにして第３図（ｂ）に示すように、レジストパター
ン（３）が無い部分のクロム膜（２）の溶解後、水洗
し、第３図（ｃ）に示すように、レジストパターン
（３）を除去することにより、クロム膜（２）のパター
ンが得られる。
（２）上に通常用いられる写真製版技術を用いて第３図
（ａ）に示すように、レジストパターン（３）を形成
後、第１表に示した組成の薬液からなるエツチング液に
クロム膜（２）を浸漬する。クロム膜（２）はエツチン
グ液中の薬品に酸化され、イオンとなり、エツチング液
中に溶出する。この時、レジストパターン（３）で被覆
された部分はエツチング液に接触しないので、レジスト
パターン（３）下のクロム膜（２）は溶解しない。この
ようにして第３図（ｂ）に示すように、レジストパター
ン（３）が無い部分のクロム膜（２）の溶解後、水洗
し、第３図（ｃ）に示すように、レジストパターン
（３）を除去することにより、クロム膜（２）のパター
ンが得られる。
従来のクロム膜パターニング方法は以上のように構成さ
れているので、クロム膜のエツチング端面がほぼ垂直状
態になる。従つて、このクロム膜上に更に膜形成を行う
と、その段差部で段切れが発生するなどの問題点があつ
た。
れているので、クロム膜のエツチング端面がほぼ垂直状
態になる。従つて、このクロム膜上に更に膜形成を行う
と、その段差部で段切れが発生するなどの問題点があつ
た。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、クロム膜のエツチング端面をテーパー状に形
成できるパターン形成方法を得ることを目的とする。
たもので、クロム膜のエツチング端面をテーパー状に形
成できるパターン形成方法を得ることを目的とする。
この発明に係るクロム膜パターニング方法は、クロム膜
上に形成するレジストにフエノールノボラツクを主鎖と
した高分子を、エツチング液に硝酸を２モル／リツトル
以上含むエツチング液を用いてパターン形成するもので
ある。
上に形成するレジストにフエノールノボラツクを主鎖と
した高分子を、エツチング液に硝酸を２モル／リツトル
以上含むエツチング液を用いてパターン形成するもので
ある。
この発明におけるクロム膜パターニング方法は、エツチ
ング液中の硝酸により、レジストを剥しながらエツチン
グすることにより、クロム膜のエツチング端面をテーパ
ー状に形成できる。
ング液中の硝酸により、レジストを剥しながらエツチン
グすることにより、クロム膜のエツチング端面をテーパ
ー状に形成できる。
以下、この発明の一実施例を図及び表について説明す
る。第１図はこの実施例におけるクロム膜パターン形成
方法の各段階での状態を示す断面図であり、第２表はこ
の実施例におけるクロムエツチング液組成である。第１
図において、（１）は基板で、例えば、シリコン基板、
（２）は基板（１）上に形成したクロム膜で、例えば、
メツキ技術により形成したクロム膜、（３）はクロム膜
上に例えば写真製版技術を用いて所定のパターンに形成
したフエノールノボラツク樹脂を主鎖とするレジストの
膜で、例えば、フオトレジストOFPR−77E（東京応化社
製）である。
る。第１図はこの実施例におけるクロム膜パターン形成
方法の各段階での状態を示す断面図であり、第２表はこ
の実施例におけるクロムエツチング液組成である。第１
図において、（１）は基板で、例えば、シリコン基板、
（２）は基板（１）上に形成したクロム膜で、例えば、
メツキ技術により形成したクロム膜、（３）はクロム膜
上に例えば写真製版技術を用いて所定のパターンに形成
したフエノールノボラツク樹脂を主鎖とするレジストの
膜で、例えば、フオトレジストOFPR−77E（東京応化社
製）である。
この実施例方法によるクロム膜パターン形成方法を説明
する。シリコン基板（１）上に、例えば、メツキ法でク
ロム膜（２）を厚さ500〜5000Åとなるように形成す
る。このクロム膜（２）上に、例えば通常の写真製版技
術を用いて厚さ0.5〜３μｍのOFPR−77Eのパターン
（３）を形成する〔第１図（ａ）〕。この基板（１）
を、例えば、第２表に示した組成比からなるエツチング
液（45℃）中に浸漬する。この時、OFPR−77Eのパター
ン（３）は端部からエツチング液中の硝酸により剥され
はじめ、同時にエツチング液中の酸化剤によりクロム膜
（２）が酸化され、エツチング液中にイオンとなつて溶
出しエツチングが進行する。この反応は同時に連続的に
進行するため、クロム膜（２）のエツチング端面はテー
パー形状となる〔第１図（ｂ）〕。最後にレジストパタ
ーン（３）を除去してパターニング工程は完了する〔第
１図（ｃ）〕。
する。シリコン基板（１）上に、例えば、メツキ法でク
ロム膜（２）を厚さ500〜5000Åとなるように形成す
る。このクロム膜（２）上に、例えば通常の写真製版技
術を用いて厚さ0.5〜３μｍのOFPR−77Eのパターン
（３）を形成する〔第１図（ａ）〕。この基板（１）
を、例えば、第２表に示した組成比からなるエツチング
液（45℃）中に浸漬する。この時、OFPR−77Eのパター
ン（３）は端部からエツチング液中の硝酸により剥され
はじめ、同時にエツチング液中の酸化剤によりクロム膜
（２）が酸化され、エツチング液中にイオンとなつて溶
出しエツチングが進行する。この反応は同時に連続的に
進行するため、クロム膜（２）のエツチング端面はテー
パー形状となる〔第１図（ｂ）〕。最後にレジストパタ
ーン（３）を除去してパターニング工程は完了する〔第
１図（ｃ）〕。
第２図にエツチング液中の硝酸濃度とクロム膜テーパー
角との関係の一例をエツチング液温をパラメータとして
グラフにて示す。液温，硝酸濃度制御によつてテーパー
角制御が可能であることが判る。
角との関係の一例をエツチング液温をパラメータとして
グラフにて示す。液温，硝酸濃度制御によつてテーパー
角制御が可能であることが判る。
なお、上記実施例で、基板（１）にシリコン基板を用い
たが、他の材質の基板でも良く、クロム膜（２）にメツ
キ技術を用いて形成されたクロム膜を用いたが、真空蒸
着法等のドライ成膜技術を用いて形成されたクロム膜で
も良い。レジスト（３）にフオトレジストOFPR−77Eを
用いたが、他のフエノールノボラツク樹脂を主鎖とする
高分子でも良く、レジスト（３）を所定のパターンに形
成する方法として写真製版技術を用いたが、印刷技術
等、他の技術を用いても良い。又、エツチング液に第２
表に示した組成からなるエツチング液を用いたが、硝酸
を２モル／リツトル以上含むエツチング液であれば、他
のエツチング液でも良い。
たが、他の材質の基板でも良く、クロム膜（２）にメツ
キ技術を用いて形成されたクロム膜を用いたが、真空蒸
着法等のドライ成膜技術を用いて形成されたクロム膜で
も良い。レジスト（３）にフオトレジストOFPR−77Eを
用いたが、他のフエノールノボラツク樹脂を主鎖とする
高分子でも良く、レジスト（３）を所定のパターンに形
成する方法として写真製版技術を用いたが、印刷技術
等、他の技術を用いても良い。又、エツチング液に第２
表に示した組成からなるエツチング液を用いたが、硝酸
を２モル／リツトル以上含むエツチング液であれば、他
のエツチング液でも良い。
以上のように、この発明によれば、クロム膜端面をテー
パー状にパターン形成するように構成したので、このク
ロム膜上に更に膜形成を行つても、そのパターン段差部
で段切れが発生せず、信頼性の高い多層配線体を得られ
る効果がある。
パー状にパターン形成するように構成したので、このク
ロム膜上に更に膜形成を行つても、そのパターン段差部
で段切れが発生せず、信頼性の高い多層配線体を得られ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるクロム膜パターン形
成方法の各段階での状態を示す断面図、第２図はこの発
明に用いるエツチング液中の硝酸濃度とクロム膜テーパ
ー角との関係の一例をエツチング液温をパラメータとし
て示すグラフ、第３図は従来のクロム膜パターン形成方
法の各段階での状態を示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）はクロム膜、（３）
はレジストパターンである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
成方法の各段階での状態を示す断面図、第２図はこの発
明に用いるエツチング液中の硝酸濃度とクロム膜テーパ
ー角との関係の一例をエツチング液温をパラメータとし
て示すグラフ、第３図は従来のクロム膜パターン形成方
法の各段階での状態を示す断面図である。 図において、（１）は基板、（２）はクロム膜、（３）
はレジストパターンである。 なお、図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に形成したクロム膜上にフエノール
ノボラツク樹脂を主鎖とするレジストを所要パターンに
形成し、 硝酸を２モル／リツトル以上含むエツチング液にてエツ
チングすることを特徴とするクロム膜のパターニング方
法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245035A JPH077757B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | クロム膜のパターニング方法 |
| US07/249,905 US5007984A (en) | 1987-09-28 | 1988-09-27 | Method for etching chromium film formed on substrate |
| US07/599,782 US5183533A (en) | 1987-09-28 | 1990-10-17 | Method for etching chromium film formed on substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62245035A JPH077757B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | クロム膜のパターニング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6486524A JPS6486524A (en) | 1989-03-31 |
| JPH077757B2 true JPH077757B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=17127614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62245035A Expired - Lifetime JPH077757B2 (ja) | 1987-09-28 | 1987-09-28 | クロム膜のパターニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077757B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09298202A (ja) * | 1996-04-30 | 1997-11-18 | Nec Corp | 配線パターンの形成方法 |
| JP4510979B2 (ja) | 2000-02-23 | 2010-07-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ルテニウム又は酸化ルテニウム除去液の使用方法、及びルテニウム又は酸化ルテニウムの除去方法 |
| EP3050698B1 (en) | 2002-02-05 | 2019-10-23 | Mitsubishi Heavy Industries Machinery Systems, Ltd. | System for fabricating corrugated board |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568700A (en) * | 1978-11-14 | 1980-05-23 | Philips Nv | Wiring device and method of manufacturing same |
| JPS61124589A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-12 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
-
1987
- 1987-09-28 JP JP62245035A patent/JPH077757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5568700A (en) * | 1978-11-14 | 1980-05-23 | Philips Nv | Wiring device and method of manufacturing same |
| JPS61124589A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-12 | Daikin Ind Ltd | エツチング剤組成物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6486524A (en) | 1989-03-31 |
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Legal Events
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