JPH0773970A - 有機電界発光素子 - Google Patents
有機電界発光素子Info
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- JPH0773970A JPH0773970A JP5217345A JP21734593A JPH0773970A JP H0773970 A JPH0773970 A JP H0773970A JP 5217345 A JP5217345 A JP 5217345A JP 21734593 A JP21734593 A JP 21734593A JP H0773970 A JPH0773970 A JP H0773970A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低い駆動電圧で、高輝度が得られる有機電界
発光素子を得る。 【構成】 電極の少なくとも一方が透明電極からなり、
（Ａ）陽極、（Ｂ）熱処理されたフェノキシ樹脂層、
（Ｃ）少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光
物質層及び（Ｄ）陰極の順序に構成されたことを特徴と
する有機電界発光素子。
発光素子を得る。 【構成】 電極の少なくとも一方が透明電極からなり、
（Ａ）陽極、（Ｂ）熱処理されたフェノキシ樹脂層、
（Ｃ）少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光
物質層及び（Ｄ）陰極の順序に構成されたことを特徴と
する有機電界発光素子。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電極間に少なくとも一
種類の有機化合物からなる電界発光物質層を設けた素子
で、平面光源や表示装置に利用される、低い駆動電圧で
高輝度が得られる有機電界発光素子に関するものであ
る。
種類の有機化合物からなる電界発光物質層を設けた素子
で、平面光源や表示装置に利用される、低い駆動電圧で
高輝度が得られる有機電界発光素子に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、有機化合物を原料とした電界発光
素子は、安価な大面積のフルカラー表示装置を実現する
ものとして注目を集めている。例えば、アントラセンや
ペリレン等の縮合多環芳香族系化合物を原料として、Ｌ
Ｂ膜法や真空蒸着法で薄膜化した有機電界発光素子が開
発され、その発光特性が注目されている。最近、Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ、ＶＯＬ ５１、p.９１３、
（１９８７）にて、有機薄膜を２層構造にした新しいタ
イプの有機電界発光素子が報告され、駆動電圧６〜７ｖ
で、数１００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られることが示され
ている。しかしながら、これまで報告された有機電界発
光素子は高輝度ではあるが、駆動電圧が高く、他の発光
素子に比べ電力あたりの発光輝度が低く、その結果寿命
も短いという問題があった。
素子は、安価な大面積のフルカラー表示装置を実現する
ものとして注目を集めている。例えば、アントラセンや
ペリレン等の縮合多環芳香族系化合物を原料として、Ｌ
Ｂ膜法や真空蒸着法で薄膜化した有機電界発光素子が開
発され、その発光特性が注目されている。最近、Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ、ＶＯＬ ５１、p.９１３、
（１９８７）にて、有機薄膜を２層構造にした新しいタ
イプの有機電界発光素子が報告され、駆動電圧６〜７ｖ
で、数１００ｃｄ／ｍ2の輝度が得られることが示され
ている。しかしながら、これまで報告された有機電界発
光素子は高輝度ではあるが、駆動電圧が高く、他の発光
素子に比べ電力あたりの発光輝度が低く、その結果寿命
も短いという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電極間に少
なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層を
設けた素子で、電極からの電荷の注入効率を向上させ、
低い駆動電圧で高輝度が得られる有機電界発光素子を提
供することを目的とするものである。
なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層を
設けた素子で、電極からの電荷の注入効率を向上させ、
低い駆動電圧で高輝度が得られる有機電界発光素子を提
供することを目的とするものである。
【０００４】本発明者等は、従来の構成である、陽極、
少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層
及び陰極からなる有機電界発光素子について、電極から
の電荷の注入効率を向上させるべく、鋭意検討した結
果、陽極と前記の電界発光物質層の間に、新たに、熱処
理されたフェノキシ樹脂層を設けることによって、電荷
の注入効率を向上させ、低い駆動電圧で高い輝度を発現
する有機電界発光素子を見いだし、本発明に到達した。
少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層
及び陰極からなる有機電界発光素子について、電極から
の電荷の注入効率を向上させるべく、鋭意検討した結
果、陽極と前記の電界発光物質層の間に、新たに、熱処
理されたフェノキシ樹脂層を設けることによって、電荷
の注入効率を向上させ、低い駆動電圧で高い輝度を発現
する有機電界発光素子を見いだし、本発明に到達した。
【０００５】
【課題を解決する手段】すなわち、本発明は、電極の少
なくとも一方が透明電極からなり、（Ａ）陽極、（Ｂ）
熱処理されたフェノキシ樹脂層、（Ｃ）少なくとも一種
類の有機化合物からなる電界発光物質層及び（Ｄ）陰極
の順序に構成されたことを特徴とする有機電界発光素子
を提供するものである。
なくとも一方が透明電極からなり、（Ａ）陽極、（Ｂ）
熱処理されたフェノキシ樹脂層、（Ｃ）少なくとも一種
類の有機化合物からなる電界発光物質層及び（Ｄ）陰極
の順序に構成されたことを特徴とする有機電界発光素子
を提供するものである。
【０００６】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
有機電界発光素子は、陽極、少なくとも一種類の有機化
合物からなる電界発光物質層及び陰極を基本構成として
いる。本発明の有機電界発光素子を構成する電界発光物
質層は、少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発
光物質からなるものであり、必要に応じて、該電界発光
物質層の片側又は両側に、正孔輸送層又は／及び電子輸
送層を含むものであってもよい。さらに、電界発光物質
層は、電子輸送能を有する発光物質層又は正孔輸送能を
有する発光物質層であってもよい。
有機電界発光素子は、陽極、少なくとも一種類の有機化
合物からなる電界発光物質層及び陰極を基本構成として
いる。本発明の有機電界発光素子を構成する電界発光物
質層は、少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発
光物質からなるものであり、必要に応じて、該電界発光
物質層の片側又は両側に、正孔輸送層又は／及び電子輸
送層を含むものであってもよい。さらに、電界発光物質
層は、電子輸送能を有する発光物質層又は正孔輸送能を
有する発光物質層であってもよい。
【０００７】その構成としては、（１）１層型、（２）
２層型及び（３）３層型がある。（１）１層型は少なく
とも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層をもつ
ものである。（２）２層型は２種類のタイプがあり、
（２）−１は陽極に近い側に正孔輸送層をもち、陰極に
近い側に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発
光物質層をもつものであり、（２）−２は陽極に近い側
に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質
層をもち、陰極に近い側に電子輸送層をもつものであ
る。（３）３層型は陽極に近い側に正孔輸送層、陰極に
近い側に電子輸送層をもち、正孔輸送層と電子輸送層の
間に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物
質層をもつものである。
２層型及び（３）３層型がある。（１）１層型は少なく
とも一種類の有機化合物からなる電界発光物質層をもつ
ものである。（２）２層型は２種類のタイプがあり、
（２）−１は陽極に近い側に正孔輸送層をもち、陰極に
近い側に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発
光物質層をもつものであり、（２）−２は陽極に近い側
に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物質
層をもち、陰極に近い側に電子輸送層をもつものであ
る。（３）３層型は陽極に近い側に正孔輸送層、陰極に
近い側に電子輸送層をもち、正孔輸送層と電子輸送層の
間に少なくとも一種類の有機化合物からなる電界発光物
質層をもつものである。
【０００８】次に、図１に示した本発明の有機電界発光
素子の断面構造を用いて、具体的に説明する。ガラス、
透明プラスチック等の透明基板Ｅの上に、陽極Ａとなる
透明電極を形成する。この透明電極の材料としては導電
性の金属酸化物、半透明の金属薄膜が用いられる。具体
的には金、白金、パラジウム等の金属薄膜または錫、錫
・ドープ・酸化インジウム等の酸化薄膜が用いらる。薄
膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、メッキ法などが用いられる。
素子の断面構造を用いて、具体的に説明する。ガラス、
透明プラスチック等の透明基板Ｅの上に、陽極Ａとなる
透明電極を形成する。この透明電極の材料としては導電
性の金属酸化物、半透明の金属薄膜が用いられる。具体
的には金、白金、パラジウム等の金属薄膜または錫、錫
・ドープ・酸化インジウム等の酸化薄膜が用いらる。薄
膜の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング
法、メッキ法などが用いられる。
【０００９】ついで、この上に熱処理されたフェノキシ
樹脂層Ｂを形成するが、この形成方法としては、フェノ
キシ樹脂をＴＨＦに溶解しフェノキシ樹脂溶液とし、次
に、Ａ層上に、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法等を用いて製膜する。製膜後、乾燥
処理及び熱処理を行う。乾燥処理は空気中、室温〜２０
０℃で行うことが好ましい。熱処理は、２００℃〜１０
００℃の温度が好ましく、かつ、真空下又は不活性ガス
中が好ましく、特に真空下が好ましい。以上の操作によ
り、熱処理されたフェノキシ樹脂層が形成される。熱処
理されたフェノキシ樹脂層の膜厚は、好ましくは１０Å
〜１μｍであり、特に好ましくは２０Å〜２０００Åの
範囲である。フェノキシ樹脂を熱処理することにより、
架橋構造を有するフェノキシ樹脂が得られる。架橋構造
を有するかの判断は、該樹脂をＴＨＦ溶液に溶解して行
った。架橋構造を有するフェノキシ樹脂は、ＴＨＦに溶
解しないもの（膨潤するが、溶解しないものを含む）で
ある。
樹脂層Ｂを形成するが、この形成方法としては、フェノ
キシ樹脂をＴＨＦに溶解しフェノキシ樹脂溶液とし、次
に、Ａ層上に、スピンコーティング法、キャスティング
法、ディッピング法等を用いて製膜する。製膜後、乾燥
処理及び熱処理を行う。乾燥処理は空気中、室温〜２０
０℃で行うことが好ましい。熱処理は、２００℃〜１０
００℃の温度が好ましく、かつ、真空下又は不活性ガス
中が好ましく、特に真空下が好ましい。以上の操作によ
り、熱処理されたフェノキシ樹脂層が形成される。熱処
理されたフェノキシ樹脂層の膜厚は、好ましくは１０Å
〜１μｍであり、特に好ましくは２０Å〜２０００Åの
範囲である。フェノキシ樹脂を熱処理することにより、
架橋構造を有するフェノキシ樹脂が得られる。架橋構造
を有するかの判断は、該樹脂をＴＨＦ溶液に溶解して行
った。架橋構造を有するフェノキシ樹脂は、ＴＨＦに溶
解しないもの（膨潤するが、溶解しないものを含む）で
ある。
【００１０】本発明に使用されるフェノキシ樹脂は、化
１の（１）に示される化学式のものである。尚、化学式
中のｎの数値は１００程度の整数である。
１の（１）に示される化学式のものである。尚、化学式
中のｎの数値は１００程度の整数である。
【００１１】
【化１】
【００１２】ついで、熱処理されたフェノキシ樹脂層Ｂ
の上に、電界発光物質層Ｃを形成する。電界発光物質層
Ｃとしては、例えば、（１）１層型は、有機化合物から
なる電界発光物質層から形成される。（２）２層型の
（２）−１は、正孔輸送層として正孔輸送剤をもち、発
光層として電子輸送能を有する発光剤をもつもので形成
され、（２）−２は、電子輸送層として電子輸送剤、発
光層として正孔輸送能を有する発光剤をもつもので形成
される。（３）３層型は、正孔輸送層として正孔輸送
剤、発光層として発光剤、電子輸送層として電子輸送剤
とする場合等の組合せから形成される。更に上記組合せ
からなる物質の混合物または上記組合せからなる物質層
の層間で成分が連続して変化する傾斜構造を示すもの等
がある。また、正孔輸送剤や電子輸送剤は無機半導体で
あってもよい。
の上に、電界発光物質層Ｃを形成する。電界発光物質層
Ｃとしては、例えば、（１）１層型は、有機化合物から
なる電界発光物質層から形成される。（２）２層型の
（２）−１は、正孔輸送層として正孔輸送剤をもち、発
光層として電子輸送能を有する発光剤をもつもので形成
され、（２）−２は、電子輸送層として電子輸送剤、発
光層として正孔輸送能を有する発光剤をもつもので形成
される。（３）３層型は、正孔輸送層として正孔輸送
剤、発光層として発光剤、電子輸送層として電子輸送剤
とする場合等の組合せから形成される。更に上記組合せ
からなる物質の混合物または上記組合せからなる物質層
の層間で成分が連続して変化する傾斜構造を示すもの等
がある。また、正孔輸送剤や電子輸送剤は無機半導体で
あってもよい。
【００１３】本発明の少なくとも一種類の有機化合物か
らなる電界発光物質としては、一般的に使われている、
正孔輸送能を有する発光剤及び電子輸送能を有する発光
剤等が用いられる。正孔輸送能を有する発光剤として
は、トリフェニルアミン誘導体等があり、具体的には、
化２の（５）に示されるＮＳＤが挙げられる。電子輸送
能を有する発光剤としては、具体的には、トリス（８オ
キシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ3と略す）等
が挙げられる。 正孔輸送剤としては、芳香族アミン誘
導体、ポルフィン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール、および無定形Ｐ型シリコン、無定
形Ｐ型炭化シリコン等が用いられる。具体的には、芳香
族アミン誘導体の N,N'-ジフェニル-N,N'-(3-メチルフ
ェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン、化２の
（２）に示されるＴＰＤが挙げられる。電子輸送剤とし
てはオキサジアゾール誘導体、無定形ｎ型シリコン等が
あり、具体的には、化２の（３）に示されるＰＢＤ及び
化２の（４）に示されるＯＸＤが挙げられる。
らなる電界発光物質としては、一般的に使われている、
正孔輸送能を有する発光剤及び電子輸送能を有する発光
剤等が用いられる。正孔輸送能を有する発光剤として
は、トリフェニルアミン誘導体等があり、具体的には、
化２の（５）に示されるＮＳＤが挙げられる。電子輸送
能を有する発光剤としては、具体的には、トリス（８オ
キシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ3と略す）等
が挙げられる。 正孔輸送剤としては、芳香族アミン誘
導体、ポルフィン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポリ
ビニルカルバゾール、および無定形Ｐ型シリコン、無定
形Ｐ型炭化シリコン等が用いられる。具体的には、芳香
族アミン誘導体の N,N'-ジフェニル-N,N'-(3-メチルフ
ェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジアミン、化２の
（２）に示されるＴＰＤが挙げられる。電子輸送剤とし
てはオキサジアゾール誘導体、無定形ｎ型シリコン等が
あり、具体的には、化２の（３）に示されるＰＢＤ及び
化２の（４）に示されるＯＸＤが挙げられる。
【００１４】
【化２】
【００１５】これらの電界発光物質層Ｃの形成方法とし
ては、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスティ
ング法、ディッピング法等がある。なお、均一な薄膜を
形成するという点において、蒸着法及びスピンコーティ
ング法が好ましい。
ては、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスティ
ング法、ディッピング法等がある。なお、均一な薄膜を
形成するという点において、蒸着法及びスピンコーティ
ング法が好ましい。
【００１６】電界発光物質層Ｃは、少なくともピンホー
ルが発生しないような膜厚である必要がある反面、余り
厚いと、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。した
がって、電界発光物質層の膜厚は、好ましくは１０Å〜
１μｍ、特に好ましくは５０Å〜２０００Åである。
ルが発生しないような膜厚である必要がある反面、余り
厚いと、高い駆動電圧が必要となり好ましくない。した
がって、電界発光物質層の膜厚は、好ましくは１０Å〜
１μｍ、特に好ましくは５０Å〜２０００Åである。
【００１７】本発明において、正孔輸送層として正孔輸
送剤、電子輸送層として電子輸送剤を設ける場合は、少
なくともピンホールが発生しないような膜厚である必要
がある反面、余り厚いと、高い駆動電圧が必要となり好
ましくない。したがって、これらの膜厚は、好ましくは
１０Å〜１μｍ、特に好ましくは５０Å〜２０００Åで
ある。
送剤、電子輸送層として電子輸送剤を設ける場合は、少
なくともピンホールが発生しないような膜厚である必要
がある反面、余り厚いと、高い駆動電圧が必要となり好
ましくない。したがって、これらの膜厚は、好ましくは
１０Å〜１μｍ、特に好ましくは５０Å〜２０００Åで
ある。
【００１８】ついで、電界発光物質層Ｃの上に陰極Ｄを
設けるが、陰極を形成する物質の具体例としてはＡｌ、
Ｉｎ、Ｍｇ等の金属、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｉｎ−Ａｇ合
金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、グラファイト薄膜等が挙げられ
る。真空蒸着やスパッタ膜が形成できる固体金属であれ
ば、単独金属薄膜でも共蒸着合金でもよい。この中で仕
事関数が小さいものが特に好ましい。以上のようにして
本発明の有機電界発光素子を製造する。
設けるが、陰極を形成する物質の具体例としてはＡｌ、
Ｉｎ、Ｍｇ等の金属、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｉｎ−Ａｇ合
金、Ｍｇ−Ｉｎ合金、グラファイト薄膜等が挙げられ
る。真空蒸着やスパッタ膜が形成できる固体金属であれ
ば、単独金属薄膜でも共蒸着合金でもよい。この中で仕
事関数が小さいものが特に好ましい。以上のようにして
本発明の有機電界発光素子を製造する。
【００１９】
【作用】熱処理されたフェノキシ樹脂層の作用として
は、陽極から有機電界発光物質層への正孔の注入が改良
されるため、有機電界発光素子の駆動電圧が低下し、高
輝度が得られる。更に、絶縁耐圧の高い熱処理されたフ
ェノキシ樹脂層を用いることにより、耐絶縁破壊性が向
上するなど素子の駆動安定性が大幅に改良される。
は、陽極から有機電界発光物質層への正孔の注入が改良
されるため、有機電界発光素子の駆動電圧が低下し、高
輝度が得られる。更に、絶縁耐圧の高い熱処理されたフ
ェノキシ樹脂層を用いることにより、耐絶縁破壊性が向
上するなど素子の駆動安定性が大幅に改良される。
【００２０】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００２１】実施例１ ガラス基板として、１０００ÅのＩＴＯ（錫・ドープ・
酸化インジウム）膜が形成された透明電極付きガラス基
板（松崎真空社製）を用い、この基板をアセトン中で超
音波洗浄し、次いで、オーブン中、５００℃で加熱処理
した。次に、フェノキシ樹脂（商品名「フェノレー
ト」、東都化成社製）をＴＨＦ溶剤に溶解し、７重量％
フェノキシ樹脂溶液を作製した。この溶液を表面処理し
た透明電極付きガラス基板上にスピンコーティング法で
１０００Å製膜した。このＩＴＯ基板をよく乾燥した
後、さらに真空中で９００℃で２０分間熱処理し、熱処
理されたフェノキシ樹脂層を形成した。
酸化インジウム）膜が形成された透明電極付きガラス基
板（松崎真空社製）を用い、この基板をアセトン中で超
音波洗浄し、次いで、オーブン中、５００℃で加熱処理
した。次に、フェノキシ樹脂（商品名「フェノレー
ト」、東都化成社製）をＴＨＦ溶剤に溶解し、７重量％
フェノキシ樹脂溶液を作製した。この溶液を表面処理し
た透明電極付きガラス基板上にスピンコーティング法で
１０００Å製膜した。このＩＴＯ基板をよく乾燥した
後、さらに真空中で９００℃で２０分間熱処理し、熱処
理されたフェノキシ樹脂層を形成した。
【００２２】この熱処理されたフェノキシ樹脂層を設け
た透明電極付きガラス基板を真空装置にセットし、８×
１０-6 torrの真空度で正孔輸送剤の N,N'-ジフェニル-
N,N'-(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジア
ミン（ＴＰＤ）を６５０Å蒸着し、引き続き発光剤のト
リス（８オキシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ
3）を６５０Å蒸着した。更に、マグネシウム（Ｍｇ）
と銀（Ａｇ）を１０：１の原子比で２８７０Å共蒸着し
有機電界発光素子を作成した。この有機電界発光素子を
直流で駆動した結果、緑色の発光が観察された。駆動電
圧１６Ｖ、発光輝度１０．４３０ｃｄ／ｍ2であった。
また、発光表面も均一であった。
た透明電極付きガラス基板を真空装置にセットし、８×
１０-6 torrの真空度で正孔輸送剤の N,N'-ジフェニル-
N,N'-(3-メチルフェニル)-1,1'-ビフェニル-4,4'-ジア
ミン（ＴＰＤ）を６５０Å蒸着し、引き続き発光剤のト
リス（８オキシキノリネート）アルミニウム（Ａｌｑ
3）を６５０Å蒸着した。更に、マグネシウム（Ｍｇ）
と銀（Ａｇ）を１０：１の原子比で２８７０Å共蒸着し
有機電界発光素子を作成した。この有機電界発光素子を
直流で駆動した結果、緑色の発光が観察された。駆動電
圧１６Ｖ、発光輝度１０．４３０ｃｄ／ｍ2であった。
また、発光表面も均一であった。
【００２３】比較例１ 実施例１において、熱処理されたフェノキシ樹脂層を設
けない以外は同様に行った。この有機電界発光素子を直
流で駆動した結果、緑色の発光が観察された。駆動電圧
１６Ｖ、発光輝度３．３２０ｃｄ／ｍ2であった。
けない以外は同様に行った。この有機電界発光素子を直
流で駆動した結果、緑色の発光が観察された。駆動電圧
１６Ｖ、発光輝度３．３２０ｃｄ／ｍ2であった。
【００２４】
【発明の効果】以上のとおり本発明は、（Ａ）陽極と
（Ｃ）電界発光物質層の間に熱処理されたフェノキシ樹
脂層を設けることにより、従来の有機電界発光素子に比
較して、駆動電圧が低下し、最高輝度が向上し、発光の
均一性をより向上することができた。更に、絶縁耐圧の
高い熱処理されたフェノキシ樹脂層を用いることによ
り、耐絶縁破壊性が向上するなど素子の駆動安定性が大
幅に改良されるため、その工業的価値は高いものであ
る。
（Ｃ）電界発光物質層の間に熱処理されたフェノキシ樹
脂層を設けることにより、従来の有機電界発光素子に比
較して、駆動電圧が低下し、最高輝度が向上し、発光の
均一性をより向上することができた。更に、絶縁耐圧の
高い熱処理されたフェノキシ樹脂層を用いることによ
り、耐絶縁破壊性が向上するなど素子の駆動安定性が大
幅に改良されるため、その工業的価値は高いものであ
る。
【図１】本発明の有機電界発光素子の断面構造を示す。
Ａ ：陽極（透明電極） Ｂ ：熱処理されたフェノキシ樹脂層 Ｃ ：電界発光物質層 Ｄ ：陰極 Ｅ ：透明基板
Claims (1)
- 【請求項１】 電極の少なくとも一方が透明電極からな
り、（Ａ）陽極、（Ｂ）熱処理されたフェノキシ樹脂
層、（Ｃ）少なくとも一種類の有機化合物からなる電界
発光物質層及び（Ｄ）陰極の順序に構成されたことを特
徴とする有機電界発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217345A JPH0773970A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 有機電界発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5217345A JPH0773970A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 有機電界発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0773970A true JPH0773970A (ja) | 1995-03-17 |
Family
ID=16702726
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5217345A Pending JPH0773970A (ja) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | 有機電界発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0773970A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008189920A (ja) * | 1994-12-28 | 2008-08-21 | Cambridge Display Technol Ltd | 高分子および光学素子 |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP5217345A patent/JPH0773970A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008189920A (ja) * | 1994-12-28 | 2008-08-21 | Cambridge Display Technol Ltd | 高分子および光学素子 |
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