JPH0770555A - 帯電防止材料及びこの帯電防止材料がコートされた記録媒体 - Google Patents
帯電防止材料及びこの帯電防止材料がコートされた記録媒体Info
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- JPH0770555A JPH0770555A JP5158388A JP15838893A JPH0770555A JP H0770555 A JPH0770555 A JP H0770555A JP 5158388 A JP5158388 A JP 5158388A JP 15838893 A JP15838893 A JP 15838893A JP H0770555 A JPH0770555 A JP H0770555A
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Abstract
ある。 【構成】 (メタ)アクリロイル基を有する共重合可能
な化合物(A)と、第4級アンモニウム塩基、エチレン
グリコール鎖、炭素数4以上の炭化水素基、及び共重合
可能な反応基を有する反応型帯電防止剤(B)と、シリ
コーン化合物(C)とを含有する帯電防止材料。
Description
の帯電防止材料がコートされた記録媒体に関するもので
ある。
て、成形性や透明性の観点からポリカーボネートやポリ
メチルメタクリレート等が提案されていることは周知の
通りである。ところで、この種のプラスチック材料は耐
擦傷性が十分ではなく、かつ、静電気が帯電し易く、表
面に塵や埃が付着し易いといった問題を抱えている。こ
の為、ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等
の樹脂製品の表面に透明で耐擦傷性に富み、そして帯電
防止機能を備えた膜を設けることが提案されている。例
えば、導電性フィラーを添加したハードコート膜を設け
る手段や、界面活性剤を練り込んだハードコート膜を設
ける手段が知られている。
のものでは、帯電特性をある程度満足することが出来る
ものの、導電性フィラーを多量に添加する為、光学特
性、硬度、その他コーティング特性に問題が有る。又、
後者のものでは、静電気が帯電し易い低湿下においては
十分な効果が期待でき難く、又、ブリード現象の為に濁
りの問題や帯電防止機能の失活といった問題が有る。
シアン酸塩及びアルキレングリコール鎖を有するアニオ
ン性界面活性剤からなる帯電防止性組成物と、共重合可
能な(メタ)アクリル酸エステルと、光重合開始剤とが
混合されてなる帯電防止性紫外線硬化型コーティング材
が提案(特開平4−80266号公報)されている。こ
の他にも、特開平4−33968号公報や特開平3−2
75705号公報において帯電防止性の組成物が提案さ
れている。
にあっても帯電防止機能が十分なものとは言えなかっ
た。又、汚れは静電気の帯電による塵や埃の付着といっ
たことにのみ起因するものではない。例えば、油性粘着
物質、水溶性粘着物質、あるいは高湿環境での液架橋力
からの粒子の付着による汚れが有る。
る為には、あるいは付着した汚れを簡単に除去できるよ
うにする為には、表面エネルギーを低いものとしておく
必要がある。ところで、前述したような物質で表面処理
してなる場合には、帯電防止の役割が発揮され、塵や埃
の付着が防止されても、表面エネルギーが高いものとな
っていることから、油性粘着物質、水溶性粘着物質、あ
るいは高湿環境での液架橋力からの粒子の付着による汚
れが大きなものとなっている。
記録媒体の分野では大きな問題であると指摘されてい
る。
技術を提供することである。この本発明の目的は、(メ
タ)アクリロイル基を有する共重合可能な化合物(A)
と、第4級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、
炭素数4以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を
有する反応型帯電防止剤(B)と、シリコーン化合物
(C)とを含有することを特徴とする帯電防止材料によ
って達成される。
合可能な化合物(A)と、第4級アンモニウム塩基、エ
チレングリコール鎖、炭素数4以上の炭化水素基、及び
共重合可能な反応基を有する反応型帯電防止剤(B)
と、シリコーン化合物(C)とが用いられて重合されて
なることを特徴とする帯電防止材料によって達成され
る。
れてなることを特徴とする記録媒体によって達成され
る。尚、上記の帯電防止材料において、化合物(A)
は、分子中に(メタ)アクリロイル基を2個以上有する
(メタ)アクリレート、分子中に(メタ)アクリロイル
基を2個以上有し、かつ、エチレングリコール基を有す
る(メタ)アクリレート、及び共重合可能な単官能(メ
タ)アクリレートの群の中から選ばれるものであること
が好ましく、特に、分子中に(メタ)アクリロイル基を
2個以上有する(メタ)アクリレートが20〜80重量
%、分子中に(メタ)アクリロイル基を2個以上有し、
かつ、エチレングリコール基を有する(メタ)アクリレ
ート5〜50重量%、及び共重合可能な単官能(メタ)
アクリレート0〜30重量%の割合からなる混合物であ
るものが好ましい。
び/又はアリル基を有し、下記の一般式
〔I〕,〔II〕,〔III〕,〔IV〕
水素基、A- は対イオン、nは1〜25の数〕で表され
るものが好ましい。又、シリコーン化合物(C)はポリ
エーテル変性シリコーン(特に、下記の一般式〔V〕で
表されるもの)、より好ましくは反応基を有するポリエ
ーテル変性シリコーン(特に、下記の一般式〔VI〕で
表されるもの)であることが好ましい。
基、R4 ,R5 はH又はメチル基、x,yは1〜100
0、sは1〜20の数〕
基、R4 ,R5 ,R6 はH又はメチル基、x,yは1〜
1000、sは1〜20の数〕 又、化合物(A)と反応型帯電防止剤(B)とシリコー
ン化合物(C)との割合は、化合物(A)100重量部
に対して反応型帯電防止剤(B)が0.1〜20重量
部、シリコーン化合物(C)が0.1〜10重量部の割
合であることが好ましい。
は、化合物(A)の架橋によって硬度を発現させてお
り、この硬化重合に際して長鎖炭化水素成分の存在によ
って反応型帯電防止剤(B)の表面への偏析が促進さ
れ、反応型帯電防止剤(B)は少量でも帯電防止機能が
効果的に発揮され、硬度や光学的透明性にも優れた特長
が奏される。ところで、前記の帯電防止機能は、空気中
の水分子を表面に吸着させ、導電回路を構成することに
よって発揮されるものであるが、本発明になる帯電防止
材料における化合物(B)は長い分子鎖に第4級アンモ
ニウム塩基とエチレングリコール鎖を側鎖に有している
から、低湿下においても良好な帯電防止特性が奏される
のである。又、化合物(A)と反応型帯電防止剤(B)
とは化学反応によってベース表面に完全に固定され、エ
タノール等による拭き取りによっても帯電防止機能の失
活は認められない。かつ、シリコーン化合物(C)が複
合化されていることから、表面エネルギーが低い(水の
接触角が80℃以上)ものとなっており、汚れが付き難
いものとなっている。又、潤滑性も付与される為、表面
の滑性が向上し、拭き取りの際に一層傷が付き難くな
る。そして、磁界変調型の光磁気ディスクにおいては、
磁気ヘッドとの摺動性向上にも効果が発揮される。
(メタ)アクリロイル基を有する共重合可能な化合物
(A)〔モノマーあるいはオリゴマー等の形であっても
良い〕としては、耐擦傷性や表面保護効果を発現させる
為、1分子中に2個以上の官能基を持つ架橋性のあるも
のを含むことが好ましく、例えばトリメチロールプロパ
ントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタント
リ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテ
トラ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)ア
クリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリ
レート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレ
ート、及びそのエチレンオキサイドやプロピレンオキサ
イド変性物などの3官能以上の多官能(メタ)アクリレ
ート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレー
ト、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、
1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、ジ
エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチ
レングリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチル
グリコールジ(メタ)アクリレート、シクロペンタジエ
ニルアルコールジ(メタ)アクリレート等の2官能(メ
タ)アクリレート、その他ポリエステルポリ(メタ)ア
クリレート、エポキシ(メタ)アクリレート、ウレタン
ポリ(メタ)アクリレート、ポリシロキサンポリ(メ
タ)アクリレート、ポリアミドポリ(メタ)アクリレー
ト等の中から一種又は二種以上用いられる。
進、粘度調節、基材との密着性向上の観点から、例えば
2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒド
ロキシプロピル(メタ)アクリレート、3−ヒドロキシ
ブチル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル
(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシペンチル(メ
タ)アクリレート、4−ヒドロキシペンチル(メタ)ア
クリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレー
ト、エトキシエチル(メタ)アクリレート、N−ヒドロ
キシメチル(メタ)アクリルアミド、N−メトキシメチ
ル(メタ)アクリルアミド等を用いることも出来る。
3官能以上の多官能(メタ)アクリレートを20〜80
重量%、望ましくは50〜70重量%、2官能(メタ)
アクリレート、特に鎖長が2〜20のポリエチレングリ
コールジ(メタ)アクリレートを5〜50重量%、望ま
しくは20〜40重量%、そして必要に応じて30重量
%以下の単官能(メタ)アクリレートの混合物であるこ
とが好ましいものである。
ニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素数4以上の炭
化水素基、及び共重合可能な反応基を分子中に有するも
のである。ここで、炭素数4以上の炭化水素基は、相分
離(表面への偏析)を促進させる為に必要な基であっ
て、炭化水素は飽和、不飽和、直鎖、分岐、環状構造の
如何を問わないが、炭素数が4〜30、より望ましくは
8〜22の直鎖状のものであることが好ましい。そし
て、この炭素数4以上の炭化水素基は(B)中に一つで
あっても、二つ以上あっても良い。
ンモニウム塩基及びエチレングリコール鎖(好ましくは
炭素数が2〜50、より好ましくは炭素数が4〜30の
ポリエチレングリコール鎖)を持たせる必要が有る。こ
れは、如何なる型のものであっても良いが、
い。共重合可能な反応基は、例えば光重合可能なもので
あれば良く、例えば(メタ)アクリロイル基、ビニル
基、アリル基などが好ましいものとして挙げられる。
又、電子線やγ線を照射することにより化合物(A)と
化合物(B)の重合を図る場合には不要なものでもある
が、例えば紫外線照射によって重合を図るには、重合開
始剤を用いることが好ましい。例えば、4−フェノキシ
ジクロロアセトフェノン、4−t−ブチルジクロロアセ
トフェノン、ジエトキシアセトフェノン、2−ヒドロキ
シ−2−メチル−フェニルプロパン−1−オン等のアセ
トフェノン系の光重合開始剤、ベンゾインメチルエーテ
ル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルジメチ
ルケタール等のベンゾイン系の光重合開始剤、チオキサ
ンソン、2−クロルチオキサンソン、2,4−ジメチル
チオキサンソン、2,4−ジエチルチオキサンソン等の
チオキサンソン系の光重合開始剤などが挙げられる。勿
論、一種でも二種以上の重合開始剤が用いられても良
い。添加量は、化合物(A)100重量部に対して10
重量部以下であることが好ましい。
ケイ素(オルガノシリコン)と酸素とが交互に結合して
出来たポリマーであり、化合物(A)との相溶性を考慮
すると、前記の一般式〔V〕や〔VI〕で表されるよう
なポリエーテル(ポリオキシアルキレン、例えばポリエ
チレングリコールやポリプロピレングリコール等)変性
シリコーンが好適であり、特にポリエチレングリコール
(炭素数2〜100)変性、あるいはポリエチレングリ
コール(炭素数2〜100)変性とポリプロピレングリ
コール(炭素数3〜180)変性との混合されたものが
好ましい。
やyは5〜200であることが好ましいものである。
又、シリコーン化合物(C)は、粘度が10〜5000
cSt(25℃)、より望ましくは50〜2000cS
t(25℃)のものであることが好ましい。そして、上
記のような特徴のシリコーン化合物(C)は、ポリエー
テル鎖がベース樹脂と相溶することから、表面に固定さ
れるものとなる。尚、一般式〔VI〕で表された共重合
性の反応基(例えば、(メタ)アクリロイル基)を有す
るタイプの場合には、完全にベース表面に固定できるこ
とから好ましいものである。
ノール、イソプロピルアルコール等の溶剤で希釈し、所
定のプラスチック表面に所望の手段でコーティングし、
活性エネルギー線(紫外線、電子線やγ線)を照射して
重合処理することにより、透明で耐擦傷性に富み、そし
て帯電防止機能に優れ、又、汚れが付き難いものが得ら
れる。
あるいは両面の保護膜)とする場合には、スピンコート
法により上記の組成物を約0.5〜20μm厚塗布し、
紫外線照射することによって硬化させれば、透明で、耐
擦傷性に富み、かつ、帯電防止機能に優れ、さらには汚
れが付き難いものが得られる。又、磁気ヘッドに接触す
る面では、これらの特性に加えてヘッドとの摺動性を向
上できる。
剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤などの各種の添加剤が用
いられても良いものである。又、本発明の帯電防止材料
は記録媒体にコートされたもので説明しているが、これ
を再生装置のピックアップ側に塗布しても良い。すなわ
ち、ピックアップ側に塗布しておけば、ピックアップに
静電気が帯電し難くなり、この結果再生時に塵や埃が記
録媒体に付着し難くなるといった特長が奏されるのであ
る。
(株)製の界面活性剤)7.15g(11.5ミリモ
ル)、クロロメチルスチレン1.93g(12.7ミリ
モル)及びハイドロキノンモノメチルエーテル(重合禁
止剤)30mgのエタノール25g溶液を48時間還流
し、反応溶液を減圧下で留去した。残渣をシリカゲルク
ロマトグラフィ(ジクロロメタン〜クロロホルム:メタ
ノール=10:1(v/v))により精製し、下記の構
造式で表される化合物(B−1)を得た。
下でジオレイルアミンにエチレンオキサイドを反応さ
せ、エチレンオキサイド鎖を6モル付加した。次に、こ
の反応物12.5g(16ミリモル)とアリルグリシジ
ルエーテル9.13g(80ミリモル)、2N−HCl
8ml、水4ml、ハイドロキノンモノメチルエーテ
ル(重合禁止剤)20mgのイソプロピルアルコール5
0ml溶液を7時間還流し、その後クロロホルム、水、
及び過剰のアリルグリシジルエーテルを除去する為にア
ンモニア水を添加し、抽出液を塩酸で洗浄した後、水洗
を繰り返して行い、そしてクロロホルムで抽出し、溶媒
を留去して下記の構造式で表される化合物(B−2)を
得た。
性ポリシロキサン化合物(東芝シリコーン(株)製XF
40−A2346)10重量部、ポリエチレングリコー
ルモノアクリルエーテル(エチレンオキサイドの平均付
加数10モル;PEGMA10)20重量部、トルエン
20重量部、テトラヒドロフラン30重量部、メチルハ
イドロキノン0.02重量部を窒素雰囲気中で混合攪拌
する。
0.03重量部、ヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物
の10%イソプロピルアルコール溶液0.03重量部を
添加し、60℃で約10時間反応させる。さらに、アリ
ルメタクリレート5.2重量部を添加して約7時間反応
させ、そして常温に冷却後に活性炭を加えて1時間攪拌
した後、濾過し、続いて溶媒を減圧下で留去し、下記の
構造式で表されるメタクリロイル基をもつポリエーテル
変性シリコーン(C−2)を得た。
x=12,y+z=12,s=10〕 〔実施例1〕アクリロイル基(多官能アクリレート)を
有する共重合可能な化合物(A)として70重量部のエ
チレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアク
リレート(TMPTA)と30重量部のポリエチレング
リコールジアクリレート(Peg鎖長9)に、上記の反
応型帯電防止剤(B−1)を5重量部、光重合開始剤I
rg.651(日本チバガイギー製)を3重量部、及び
ポリエーテル変性シリコーンTSF4441(東芝シリ
コーン(株)製)を1重量部添加し、さらにエタノール
10重量部添加し、45℃で完全に溶解させた。
厚が4〜5μmとなるようにスピンコート法で塗布し、
そして窒素気流下で紫外線照射(高圧水銀タイプ;65
0mW/cm2 ,1800mJ/cm2 )により硬化を
行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。 〔実施例2〕アクリロイル基(多官能アクリレート)を
有する共重合可能な化合物(A)として70重量部のエ
チレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアク
リレート(TMPTA)と30重量部のポリエチレング
リコールジアクリレート(Peg鎖長9)に、上記の反
応型帯電防止剤(B−1)を5重量部、光重合開始剤I
rg.651(日本チバガイギー製)を3重量部、及び
上記のシリコーン化合物(C−2)を1重量部添加し、
さらにエタノール10重量部添加し、45℃で完全に溶
解させた。
厚が4〜5μmとなるようにスピンコート法で塗布し、
そして窒素気流下で紫外線照射(高圧水銀タイプ;65
0mW/cm2 ,1800mJ/cm2 )により硬化を
行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。 〔実施例3〕実施例1において、反応型帯電防止剤(B
−1)の代わりに上記反応型帯電防止剤(B−2)を用
いて同様に行った。
リレート)を有する共重合可能な化合物(A)として7
0重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロ
パントリアクリレート(TMPTA)と30重量部のポ
リエチレングリコールジアクリレート(Peg鎖長9)
に、上記の反応型帯電防止剤(B−1)を5重量部、光
重合開始剤Irg.651(日本チバガイギー製)を3
重量部、及びポリエーテル変性シリコーンTSF444
1(東芝シリコーン(株)製)を1重量部添加し、さら
にエタノール10重量部添加し、45℃で完全に溶解さ
せた。
ク基板(ポリカーボネート)上に乾燥厚が4μmとなる
ようにスピンコート法で塗布し、そして窒素気流下で紫
外線照射(高圧水銀タイプ;650mW/cm2 ,18
00mJ/cm2 )により硬化を行わせ、表面に放射線
硬化型コーテイング膜を設けた。このようにして得られ
たものを基にして光磁気ディスクを作製した。
リレート)を有する共重合可能な化合物(A)として7
0重量部のエチレンオキサイド変性トリメチロールプロ
パントリアクリレート(TMPTA)と30重量部のポ
リエチレングリコールジアクリレート(Peg鎖長9)
に、上記の反応型帯電防止剤(B−1)を5重量部、光
重合開始剤Irg.651(日本チバガイギー製)を3
重量部、及びポリエーテル変性シリコーンTSF444
1(東芝シリコーン(株)製)を1重量部添加し、さら
にエタノール10重量部添加し、45℃で完全に溶解さ
せた。
ク(基板はポリカーボネート製)の磁気ヘッド面側に乾
燥厚が5μmとなるように塗布し、そして窒素気流下で
紫外線照射(高圧水銀タイプ;650mW/cm2 ,1
800mJ/cm2 )により硬化を行わせ、放射線硬化
型コーテイング膜を設けた。 〔比較例1〕アミート320(花王(株)製)をベンジ
ルクロライドで4級化することにより下記の構造式で表
される化合物(B−X)を得た。
有する共重合可能な化合物(A)として70重量部のエ
チレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアク
リレート(TMPTA)と30重量部のポリエチレング
リコールジアクリレート(Peg鎖長9)に、上記の化
合物(B−X)を5重量部、光重合開始剤Irg.65
1(日本チバガイギー製)を3重量部、及びポリエーテ
ル変性シリコーンTSF4441(東芝シリコーン
(株)製)を1重量部添加し、さらにエタノール10重
量部添加し、45℃で完全に溶解させた。
厚が4〜5μmとなるようにスピンコート法で塗布し、
そして窒素気流下で紫外線照射(高圧水銀タイプ;65
0mW/cm2 ,1800mJ/cm2 )により硬化を
行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。 〔比較例2〕アクリロイル基(多官能アクリレート)を
有する共重合可能な化合物(A)として70重量部のエ
チレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリアク
リレート(TMPTA)と30重量部のポリエチレング
リコールジアクリレート(Peg鎖長9)に、上記の反
応型帯電防止剤(B−1)を5重量部、光重合開始剤I
rg.651(日本チバガイギー製)を3重量部添加
し、さらにエタノール10重量部添加し、45℃で完全
に溶解させた。
厚が4〜5μmとなるようにスピンコート法で塗布し、
そして窒素気流下で紫外線照射(高圧水銀タイプ;65
0mW/cm2 ,1800mJ/cm2 )により硬化を
行わせ、表面に放射線硬化型コーテイング膜を設けた。 〔比較例3〕比較例2の材料を基にして光磁気ディスク
を作製した。
記の諸特性を調べたので、その結果を表1、表2、表3
及び表4に示す。 表面電気抵抗:印加電圧500V(DC),1分値 リング電極
(JISK-6911に準拠)単位はΩ/□ 24℃、50%RH
で測定 親水性接触角:基板を水平に置き、その表面に水(純
水)滴を滴下し、接触角(θ)を協和界面化学(株)社
製のCA−Z150で測定した。測定は、24℃,50
%RHで実施。
製BEMCOT M-3で100回表面を拭き取った後表面電気抵抗
及び親水性接触角(θ)を測定。
40℃、80%RHの環境下で30日連続走行させ、そ
してダートチャンバー試験(ASTM D2741-68)を行い、そ
の後ディスクのエラーレートを測定 表 1(初期特性) 表面電気抵抗 接触角(θ) 硬度 密着性 外観 実施例1 5×1011 92° 2H 100/100 ○ 実施例2 3×1011 89° 2H 100/100 ○ 実施例3 8×1011 94° 2H 100/100 ○ 比較例1 1×1011 90° 2H 100/100 ○ 比較例2 6×1011 56° 2H 100/100 ○ 表 2(拭取り後試験) 表面電気抵抗 接触角(θ) 硬度 密着性 外観 実施例1 6×1011 92° 2H 100/100 ○ 実施例2 5×1011 90° 2H 100/100 ○ 実施例3 9×1011 95° 2H 100/100 ○ 比較例1 1×1014 90° 2H 100/100 ○ 比較例2 3×1011 60° 2H 100/100 ○ 表 3(24℃、50%RH下に24時間放置後) 表面電気抵抗 接触角(θ) 硬度 密着性 外観 実施例1 4×1011 93° 2H 100/100 ○ 実施例2 2×1011 91° 2H 100/100 ○ 実施例3 6×1011 94° 2H 100/100 ○ 比較例1 2×1013 90° 2H 100/100 △ 比較例2 4×1011 60° 2H 100/100 ○ 表 4(エラーレート増加率) 24℃,30%RH下 24℃,80%RH下 実施例4 一桁以内 一桁以内 比較例3 一桁以内 三桁増加 又、実施例5のものについて、24℃、40%RH中
で、ソニー製録音型MDドライブから取り外した磁気ヘ
ッドをコート面に接触させた状態にて3000rpmで
回転させ、2000時間後に動摩擦係数を測定した処、
動摩擦係数は約0.2であり、試験前後における差は認
められなかった。又、コート面に塵や埃の付着も認めら
れなかった。これに対して、比較例2のコーテイング膜
を設けたものでは、磁気ヘッドをコート面に接触させた
直後においてコート面及び磁気ヘッドの双方に傷が付い
た。
く、そして硬度や光学的透明性にも優れた特長が奏さ
れ、これが記録媒体の保護膜として用いられた場合には
エラーレートが著しく低く、再生特性が優れたものであ
る。
Claims (11)
- 【請求項1】 (メタ)アクリロイル基を有する共重合
可能な化合物(A)と、 第4級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素
数4以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有す
る反応型帯電防止剤(B)と、 シリコーン化合物(C)とを含有することを特徴とする
帯電防止材料。 - 【請求項2】 (メタ)アクリロイル基を有する共重合
可能な化合物(A)と、 第4級アンモニウム塩基、エチレングリコール鎖、炭素
数4以上の炭化水素基、及び共重合可能な反応基を有す
る反応型帯電防止剤(B)と、 シリコーン化合物(C)とが用いられて重合されてなる
ことを特徴とする帯電防止材料。 - 【請求項3】 化合物(A)は、分子中に(メタ)アク
リロイル基を2個以上有する(メタ)アクリレート、分
子中に(メタ)アクリロイル基を2個以上有し、かつ、
エチレングリコール基を有する(メタ)アクリレート、
及び共重合可能な単官能(メタ)アクリレートの群の中
から選ばれるものであることを特徴とする請求項1また
は請求項2の帯電防止材料。 - 【請求項4】 反応型帯電防止剤(B)はビニル基及び
/又はアリル基を有し、下記の一般式で表される構造を
有するものであることを特徴とする請求項1または請求
項2の帯電防止材料。 【化1】 - 【請求項5】 反応型帯電防止剤(B)が下記の一般式
〔I〕,〔II〕,〔III〕または〔IV〕で表され
る構造を有するものであることを特徴とする請求項1ま
たは請求項2の帯電防止材料。 【化2】 〔但し、R1 ,R2 は炭素数4以上の炭化水素基、A-
は対イオン、nは1〜25の数〕 - 【請求項6】 シリコーン化合物(C)がポリエーテル
変性シリコーンであることを特徴とする請求項1または
請求項2の帯電防止材料。 - 【請求項7】 シリコーン化合物(C)が反応基を有す
るポリエーテル変性シリコーンであることを特徴とする
請求項1または請求項2の帯電防止材料。 - 【請求項8】 シリコーン化合物(C)が下記の一般式
〔V〕で表される構造を有するものであることを特徴と
する請求項1または請求項2の帯電防止材料。 【化3】 〔但し、R3 は炭素数1〜20のアルキル基、R4 ,R
5 はH又はメチル基、x,yは1〜1000、sは1〜
20の数〕 - 【請求項9】 シリコーン化合物(C)が下記の一般式
〔VI〕で表される構造を有するものであることを特徴
とする請求項1または請求項2の帯電防止材料。 【化4】 〔但し、R3 は炭素数1〜20のアルキル基、R4 ,R
5 ,R6 はH又はメチル基、x,yは1〜1000、s
は1〜20の数〕 - 【請求項10】 化合物(A)100重量部に対して反
応型帯電防止剤(B)が0.1〜20重量部、シリコー
ン化合物(C)が0.1〜10重量部の割合であること
を特徴とする請求項1または請求項2の帯電防止材料。 - 【請求項11】 請求項1〜請求項10の帯電防止材料
が表面にコートされてなることを特徴とする記録媒体。
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- 1993-06-29 JP JP15838893A patent/JP3552060B2/ja not_active Expired - Lifetime
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