JPH076677A - 基板型温度ヒュ−ズ - Google Patents
基板型温度ヒュ−ズInfo
- Publication number
- JPH076677A JPH076677A JP17275193A JP17275193A JPH076677A JP H076677 A JPH076677 A JP H076677A JP 17275193 A JP17275193 A JP 17275193A JP 17275193 A JP17275193 A JP 17275193A JP H076677 A JPH076677 A JP H076677A
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- JP
- Japan
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- flux
- alloy piece
- melting point
- low melting
- fusible alloy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】絶縁基板１の片面上に一対の層状電極２，２を
設け、これら電極２の先端部間に低融点可溶合金片３を
橋設し、この低融点可溶合金片３上にフラックス４を塗
布し、電極２の後端部にリ−ド線５を接続し、上記絶縁
基板片面に絶縁層６を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、
作動性を損じることなくフラックス層厚みを充分に薄く
し得て、全体の薄肉化を図り得る基板型温度ヒュ−ズを
提供する。 【構成】低融点可溶合金片３の電極２との接続箇所ｅに
穴ａ又は切り込みを形成した。
設け、これら電極２の先端部間に低融点可溶合金片３を
橋設し、この低融点可溶合金片３上にフラックス４を塗
布し、電極２の後端部にリ−ド線５を接続し、上記絶縁
基板片面に絶縁層６を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、
作動性を損じることなくフラックス層厚みを充分に薄く
し得て、全体の薄肉化を図り得る基板型温度ヒュ−ズを
提供する。 【構成】低融点可溶合金片３の電極２との接続箇所ｅに
穴ａ又は切り込みを形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヒュ−ズエレメントに低
融点可溶合金片を使用した合金タイプの基板型温度ヒュ
−ズに関するものである。
融点可溶合金片を使用した合金タイプの基板型温度ヒュ
−ズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】電気機器を過電流から保護し、電気機器
の熱的損傷、ひいては火災の発生を未然に防止する電気
部品として温度ヒュ−ズが存在する。この温度ヒュ−ズ
として、ヒュ−ズエレメントに低融点可溶合金片を用い
た合金タイプの温度ヒュ−ズが汎用されている。
の熱的損傷、ひいては火災の発生を未然に防止する電気
部品として温度ヒュ−ズが存在する。この温度ヒュ−ズ
として、ヒュ−ズエレメントに低融点可溶合金片を用い
た合金タイプの温度ヒュ−ズが汎用されている。
【０００３】この合金タイプの温度ヒュ−ズの基本的な
構造は、リ−ド線間に低融点可溶合金片を橋設し、その
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、このフラッ
クス塗布合金片を絶縁体で包囲した構成であり、被保護
機器における過電流で発熱し易い箇所に取り付けて使用
され、その作動過程は次の通りである。
構造は、リ−ド線間に低融点可溶合金片を橋設し、その
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、このフラッ
クス塗布合金片を絶縁体で包囲した構成であり、被保護
機器における過電流で発熱し易い箇所に取り付けて使用
され、その作動過程は次の通りである。
【０００４】すなわち、被保護機器が過電流で発熱する
と、その発生熱により低融点可溶合金片が溶融され、こ
の溶融金属が溶融フラックスとの共存による表面張力の
もとで分断され、この分断間距離がア−ク消滅距離に達
するまでア−クが継続し、分断が進んでア−クが消滅す
ると、機器への通電が遮断されるに至る。この場合、溶
融金属の分断には、溶融金属のリ−ド線への濡れ性が主
に関与し、濡れ性が良好なほど迅速な分断が期待でき
る。而るに、溶融フラックスにおいては、溶融金属の濡
れ性を良好にするから、溶融金属の分断の促進に寄与す
る。
と、その発生熱により低融点可溶合金片が溶融され、こ
の溶融金属が溶融フラックスとの共存による表面張力の
もとで分断され、この分断間距離がア−ク消滅距離に達
するまでア−クが継続し、分断が進んでア−クが消滅す
ると、機器への通電が遮断されるに至る。この場合、溶
融金属の分断には、溶融金属のリ−ド線への濡れ性が主
に関与し、濡れ性が良好なほど迅速な分断が期待でき
る。而るに、溶融フラックスにおいては、溶融金属の濡
れ性を良好にするから、溶融金属の分断の促進に寄与す
る。
【０００５】本出願人においては、合金タイプの温度ヒ
ュ−ズとして、基板型温度ヒュ−ズを開発した。この基
板型温度ヒュ−ズの基本的構造は、図２の（イ）並びに
図２の（ロ）〔図２の（イ）のロ−ロ断面図〕に示すよ
うに、絶縁基板１’の片面上に一対の層状電極２’，
２’を設け、これら電極２’，２’の先端部間に低融点
可溶合金片３’を橋設し、この低融点可溶合金片３’上
にフラックス層４’を設け、電極２’の後端部にリ−ド
線５’を接続し、上記絶縁基板片面に絶縁層６’を被覆
した構成であり、絶縁基板面を被保護機器に接触させて
使用される。
ュ−ズとして、基板型温度ヒュ−ズを開発した。この基
板型温度ヒュ−ズの基本的構造は、図２の（イ）並びに
図２の（ロ）〔図２の（イ）のロ−ロ断面図〕に示すよ
うに、絶縁基板１’の片面上に一対の層状電極２’，
２’を設け、これら電極２’，２’の先端部間に低融点
可溶合金片３’を橋設し、この低融点可溶合金片３’上
にフラックス層４’を設け、電極２’の後端部にリ−ド
線５’を接続し、上記絶縁基板片面に絶縁層６’を被覆
した構成であり、絶縁基板面を被保護機器に接触させて
使用される。
【０００６】この基板型温度ヒュ−ズの作動過程は、原
理的には、上記した通りであり、被保護機器での過電流
に基づく発生熱により低融点可溶合金片が溶融され、こ
の溶融金属が表面張力で分断され、この分断間距離がア
−ク消滅距離に達するまでア−クが継続し、分断が進ん
でア−クが消滅すると、機器への通電が遮断されるに至
る。
理的には、上記した通りであり、被保護機器での過電流
に基づく発生熱により低融点可溶合金片が溶融され、こ
の溶融金属が表面張力で分断され、この分断間距離がア
−ク消滅距離に達するまでア−クが継続し、分断が進ん
でア−クが消滅すると、機器への通電が遮断されるに至
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板型
温度ヒュ−ズにおいては、ケ−スタイプの合金型温度ヒ
ュ−ズとは異なり、溶融フラックスで満たされた空間
を、上記分断溶融金属が溶融フラックスを押しのけるよ
うにして分断されていく。従って、分断溶融金属の分断
が進み、分断溶融金属が低融点可溶合金片の電極との接
続箇所に引っ張られるに伴いその接続箇所近傍の溶融フ
ラックスにおいては、両接続箇所間の中央側に押し出さ
れていき同上接続箇所近傍の溶融フラックス量が減少し
ていく。
温度ヒュ−ズにおいては、ケ−スタイプの合金型温度ヒ
ュ−ズとは異なり、溶融フラックスで満たされた空間
を、上記分断溶融金属が溶融フラックスを押しのけるよ
うにして分断されていく。従って、分断溶融金属の分断
が進み、分断溶融金属が低融点可溶合金片の電極との接
続箇所に引っ張られるに伴いその接続箇所近傍の溶融フ
ラックスにおいては、両接続箇所間の中央側に押し出さ
れていき同上接続箇所近傍の溶融フラックス量が減少し
ていく。
【０００８】而るに、通電遮断直前での溶融金属の状態
は、低融点可溶合金片の電極との各接続箇所を中心とす
る球状化であり、この段階での溶融金属の球状化を効果
的に促すためには、同上接続箇所周囲に充分な量のフラ
ックスを存在させることが必要である。
は、低融点可溶合金片の電極との各接続箇所を中心とす
る球状化であり、この段階での溶融金属の球状化を効果
的に促すためには、同上接続箇所周囲に充分な量のフラ
ックスを存在させることが必要である。
【０００９】従って、図２の（イ）並びに図２の（ロ）
において、低融点可溶合金片３’の電極２’との接続箇
所ｅ’でのフラックスの理想的な塗布量は、この通電遮
断直前の段階で必要なフラックス量と、溶融金属の分断
進行に伴い両接続箇所間の中央側に押し出されていくフ
ラックス量の総和である。
において、低融点可溶合金片３’の電極２’との接続箇
所ｅ’でのフラックスの理想的な塗布量は、この通電遮
断直前の段階で必要なフラックス量と、溶融金属の分断
進行に伴い両接続箇所間の中央側に押し出されていくフ
ラックス量の総和である。
【００１０】しかしながら、図２の（イ）並びに図２の
（ロ）に示す基板型温度ヒュ−ズにおいては、低融点可
溶合金片の電極との接続箇所でのフラックスの塗布量を
かかる量に設定すると、全体のフラックス層の厚みｈ’
が相当に厚くなり、基板型温度ヒュ−ズの薄肉化が困難
となる。
（ロ）に示す基板型温度ヒュ−ズにおいては、低融点可
溶合金片の電極との接続箇所でのフラックスの塗布量を
かかる量に設定すると、全体のフラックス層の厚みｈ’
が相当に厚くなり、基板型温度ヒュ−ズの薄肉化が困難
となる。
【００１１】本発明の目的は、絶縁基板の片面上に一対
の層状電極を設け、これら電極の先端部間に低融点可溶
合金片を橋設し、この低融点可溶合金片上にフラックス
を塗布し、電極の後端部にリ−ド線を接続し、上記絶縁
基板片面に絶縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、作
動性を損じることなくフラックス層厚みを充分に薄くし
得て、全体の薄肉化を図り得る基板型温度ヒュ−ズを提
供することにある。
の層状電極を設け、これら電極の先端部間に低融点可溶
合金片を橋設し、この低融点可溶合金片上にフラックス
を塗布し、電極の後端部にリ−ド線を接続し、上記絶縁
基板片面に絶縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、作
動性を損じることなくフラックス層厚みを充分に薄くし
得て、全体の薄肉化を図り得る基板型温度ヒュ−ズを提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の基板型温度ヒュ
−ズは、絶縁基板の片面上に一対の層状電極を設け、こ
れら電極の先端部間に低融点可溶合金片を橋設し、この
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、電極の後端
部にリ−ド線を接続し、上記絶縁基板片面に絶縁層を被
覆した温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金片の電極
との接続箇所に穴又は切り込みを形成したことを特徴と
する構成である。
−ズは、絶縁基板の片面上に一対の層状電極を設け、こ
れら電極の先端部間に低融点可溶合金片を橋設し、この
低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、電極の後端
部にリ−ド線を接続し、上記絶縁基板片面に絶縁層を被
覆した温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金片の電極
との接続箇所に穴又は切り込みを形成したことを特徴と
する構成である。
【００１３】
【作用】当該基板型温度ヒュ−ズの作動時、低融点可溶
合金片が溶融し、溶融金属が溶融フラックスとの共存下
分断され、分断溶融金属の分断が進み、分断溶融金属が
低融点可溶合金片の電極との接続箇所に向かうに伴いそ
の接続箇所近傍の溶融フラックスが、両接続箇所間の中
央側に押し出されていき同上接続箇所近傍の溶融フラッ
クス量が減少していく。
合金片が溶融し、溶融金属が溶融フラックスとの共存下
分断され、分断溶融金属の分断が進み、分断溶融金属が
低融点可溶合金片の電極との接続箇所に向かうに伴いそ
の接続箇所近傍の溶融フラックスが、両接続箇所間の中
央側に押し出されていき同上接続箇所近傍の溶融フラッ
クス量が減少していく。
【００１４】しかしながら、低融点可溶合金片の同上接
続箇所に穴または切り込みが形成されており、この穴ま
たは切り込みへのフラックスの充填のために、当該接続
箇所にそれだけ多量にフラックスを塗着できるから、当
該接続箇所から両接続箇所間中央側への溶融フラックス
の押出流動にもかかわらず、当該接続箇所に充分量の溶
融フラックスを残存させることができる。従って、当該
接続箇所を中心としての分断溶融金属の球状化をよく促
進でき、良好な作動性が保証される。
続箇所に穴または切り込みが形成されており、この穴ま
たは切り込みへのフラックスの充填のために、当該接続
箇所にそれだけ多量にフラックスを塗着できるから、当
該接続箇所から両接続箇所間中央側への溶融フラックス
の押出流動にもかかわらず、当該接続箇所に充分量の溶
融フラックスを残存させることができる。従って、当該
接続箇所を中心としての分断溶融金属の球状化をよく促
進でき、良好な作動性が保証される。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ説
明する。図１の（イ）は本発明の実施例を示す一部切欠
き平面説明図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ
−ロ断面図である。図１の（イ）並びに図１の（ロ）に
おいて、１は耐熱性、熱良伝導性の絶縁基板、例えば、
セラミックス板である。２，２は絶縁基板１の片面上に
巾方向に間隔を隔てて設けた一対の層状電極であり、低
融点可溶合金片が接続される先端部２１とリ−ド線先端
部が接続される後端部２２を有し、銀ペ−スト等の導電
性塗料の焼き付け、銅箔積層絶縁基板の銅箔のエッチン
グ等により形成してある。
明する。図１の（イ）は本発明の実施例を示す一部切欠
き平面説明図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ
−ロ断面図である。図１の（イ）並びに図１の（ロ）に
おいて、１は耐熱性、熱良伝導性の絶縁基板、例えば、
セラミックス板である。２，２は絶縁基板１の片面上に
巾方向に間隔を隔てて設けた一対の層状電極であり、低
融点可溶合金片が接続される先端部２１とリ−ド線先端
部が接続される後端部２２を有し、銀ペ−スト等の導電
性塗料の焼き付け、銅箔積層絶縁基板の銅箔のエッチン
グ等により形成してある。
【００１６】３は両電極２，２の先端部間に溶接等によ
り橋設した低融点可溶合金片であり、電極２との溶接箇
所はほぼ半球状であり、この半球状溶接箇所の上面に、
穴ａを形成してある。４は低融点可溶合金片３上に、表
面を略平滑にして塗布したフラックスである。５はリ−
ド線であり、単線導体にプラスチック絶縁層を押出被覆
した絶縁被覆線を使用し、口出導体５１を電極後端部２
２に半田付け、溶接等により接続してある。６は絶縁基
板片面の全面に設けた絶縁被覆層、例えば、エポキシ樹
脂液の滴下塗布層であり、フラックス層４の表面が平滑
であるために、この絶縁被覆層６の表面も平滑である。
り橋設した低融点可溶合金片であり、電極２との溶接箇
所はほぼ半球状であり、この半球状溶接箇所の上面に、
穴ａを形成してある。４は低融点可溶合金片３上に、表
面を略平滑にして塗布したフラックスである。５はリ−
ド線であり、単線導体にプラスチック絶縁層を押出被覆
した絶縁被覆線を使用し、口出導体５１を電極後端部２
２に半田付け、溶接等により接続してある。６は絶縁基
板片面の全面に設けた絶縁被覆層、例えば、エポキシ樹
脂液の滴下塗布層であり、フラックス層４の表面が平滑
であるために、この絶縁被覆層６の表面も平滑である。
【００１７】上記基板型温度ヒュ−ズの各部の寸法につ
いては、通常、絶縁基板の縦，横が４〜７mm、厚みが
０．３〜１．０mm、電極の先端部の巾が０．５〜１．１
mm、後端部の巾が１．０〜２．０mm、電極間の間隔が
０．９〜１．５mm、、低融点可溶合金片（断面四角形）
の厚み，巾が０．３〜０．５mm、低融点可溶合金片端の
半球状溶接部の半径が０．２〜０．４５mm、半球状溶接
部上の穴の最大直径が０．１〜０．６mm、穴の深さが
０．１〜０．５mm、フラックスの厚み〔図１の（ロ）の
ｈ4で示されている〕が０．２〜１．０mm、絶縁被覆層
の厚み〔図１の（ロ）のｈ6で示されている〕が０．３
〜１．１mm、絶縁被覆リ−ド線の導体直径が０．５１mm
とされる。
いては、通常、絶縁基板の縦，横が４〜７mm、厚みが
０．３〜１．０mm、電極の先端部の巾が０．５〜１．１
mm、後端部の巾が１．０〜２．０mm、電極間の間隔が
０．９〜１．５mm、、低融点可溶合金片（断面四角形）
の厚み，巾が０．３〜０．５mm、低融点可溶合金片端の
半球状溶接部の半径が０．２〜０．４５mm、半球状溶接
部上の穴の最大直径が０．１〜０．６mm、穴の深さが
０．１〜０．５mm、フラックスの厚み〔図１の（ロ）の
ｈ4で示されている〕が０．２〜１．０mm、絶縁被覆層
の厚み〔図１の（ロ）のｈ6で示されている〕が０．３
〜１．１mm、絶縁被覆リ−ド線の導体直径が０．５１mm
とされる。
【００１８】上記基板型温度ヒュ−ズの作動時、低融点
可溶合金片３が溶融されると、該溶融金属が表面張力に
より分断され、溶融フラックスの共存下電極の濡れ性の
ために分断溶融金属が電極２に向け引っ張られ、電極２
と低融点可溶合金片３との接続箇所ｅを中心として分断
溶融金属が球状化されていくと共にその接続箇所ｅ周辺
の溶融フラックスが両接続箇所ｅ，ｅ間の中央側に押し
出されていく。
可溶合金片３が溶融されると、該溶融金属が表面張力に
より分断され、溶融フラックスの共存下電極の濡れ性の
ために分断溶融金属が電極２に向け引っ張られ、電極２
と低融点可溶合金片３との接続箇所ｅを中心として分断
溶融金属が球状化されていくと共にその接続箇所ｅ周辺
の溶融フラックスが両接続箇所ｅ，ｅ間の中央側に押し
出されていく。
【００１９】しかしながら、本発明の基板型温度ヒュ−
ズにおいては、低融点可溶合金片３の電極２との接続箇
所ｅに穴ａを形成してあり、この穴ａへのフラックスの
充填により、フラックス層厚みｈ4の同一下、該接続箇
所ｅにそれだけ多量のフラックスを塗着できるから、接
続箇所ｅ周辺の溶融フラックスが両接続箇所ｅ，ｅ間の
中央側に押し出されても、当該接続箇所ｅ周辺にまだ充
分な量の溶融フラックスを残存させることができ、接続
箇所ｅを中心として分断溶融金属の球状化を効果的に促
すことができる。従って、優れた作動性を保証できる。
ズにおいては、低融点可溶合金片３の電極２との接続箇
所ｅに穴ａを形成してあり、この穴ａへのフラックスの
充填により、フラックス層厚みｈ4の同一下、該接続箇
所ｅにそれだけ多量のフラックスを塗着できるから、接
続箇所ｅ周辺の溶融フラックスが両接続箇所ｅ，ｅ間の
中央側に押し出されても、当該接続箇所ｅ周辺にまだ充
分な量の溶融フラックスを残存させることができ、接続
箇所ｅを中心として分断溶融金属の球状化を効果的に促
すことができる。従って、優れた作動性を保証できる。
【００２０】上記において、低融点可溶合金片端の半球
状溶接部の半径を低融点可溶合金片の半径（断面が四角
形の場合は、同一断面積の円形の半径）の１．２〜１．
６倍とし、穴の最大半径を低融点可溶合金片の半径の
０．７〜１．２倍とし、穴深さを低融点可溶合金片の半
径の１．０〜１．３倍とすることが好ましい。上記の穴
は縦穴、横穴の何れであってもよく、また、穴に代え切
り込みを形成することもできる。穴又は切り込みの個数
は、通常一個とされるが、穴寸方の如何によっては２又
は３個とすることも可能である。
状溶接部の半径を低融点可溶合金片の半径（断面が四角
形の場合は、同一断面積の円形の半径）の１．２〜１．
６倍とし、穴の最大半径を低融点可溶合金片の半径の
０．７〜１．２倍とし、穴深さを低融点可溶合金片の半
径の１．０〜１．３倍とすることが好ましい。上記の穴
は縦穴、横穴の何れであってもよく、また、穴に代え切
り込みを形成することもできる。穴又は切り込みの個数
は、通常一個とされるが、穴寸方の如何によっては２又
は３個とすることも可能である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の基板型温度ヒュ−ズは上述した
通りの構成であり、低融点可溶合金片の電極との接続箇
所に、全体のフラックス層厚みを厚くすることなくフラ
ックスを多量に塗着でき、溶融した低融点可溶合金片が
その接続箇所を中心として球状化し、これに伴い当該接
続箇所周辺の溶融フラックスが両接続箇所の中央側に押
し出されても、その接続箇所周辺にまだ充分な量の溶融
フラックスを残存させることができるから、溶融金属の
その接続箇所を中心としての球状化を効果的に促すこと
ができる。従って、良好な作動性を保証でき、かつフラ
ックス層を厚くする必要がないので、基板型温度ヒュ−
ズの薄肉化を図ることができる。
通りの構成であり、低融点可溶合金片の電極との接続箇
所に、全体のフラックス層厚みを厚くすることなくフラ
ックスを多量に塗着でき、溶融した低融点可溶合金片が
その接続箇所を中心として球状化し、これに伴い当該接
続箇所周辺の溶融フラックスが両接続箇所の中央側に押
し出されても、その接続箇所周辺にまだ充分な量の溶融
フラックスを残存させることができるから、溶融金属の
その接続箇所を中心としての球状化を効果的に促すこと
ができる。従って、良好な作動性を保証でき、かつフラ
ックス層を厚くする必要がないので、基板型温度ヒュ−
ズの薄肉化を図ることができる。
【図１】図１の（イ）は本発明の実施例を示す平面説明
図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図
である。
図、図１の（ロ）は図１の（イ）におけるロ−ロ断面図
である。
【図２】図２の（イ）は従来例を示す平面説明図、図２
の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
の（ロ）は図２の（イ）におけるロ−ロ断面図である。
【符号の説明】 １ 絶縁基板 ２ 層状電極 ３ 低融点可溶合金片 ｅ 低融点可溶合金片の電極との接続箇所 ａ 穴 ４ フラックス ５ リ−ド線 ６ 絶縁被覆層
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基板の片面上に一対の層状電極を設
け、これら電極の先端部間に低融点可溶合金片を橋設
し、この低融点可溶合金片上にフラックスを塗布し、電
極の後端部にリ−ド線を接続し、上記絶縁基板片面に絶
縁層を被覆した温度ヒュ−ズにおいて、低融点可溶合金
片の電極との接続箇所に穴又は切り込みを形成したこと
を特徴とする基板型温度ヒュ−ズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17275193A JP3252025B2 (ja) | 1993-06-19 | 1993-06-19 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17275193A JP3252025B2 (ja) | 1993-06-19 | 1993-06-19 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH076677A true JPH076677A (ja) | 1995-01-10 |
| JP3252025B2 JP3252025B2 (ja) | 2002-01-28 |
Family
ID=15947653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17275193A Expired - Fee Related JP3252025B2 (ja) | 1993-06-19 | 1993-06-19 | 基板型温度ヒュ−ズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3252025B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09236382A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Shimatani Giken:Kk | 液体除去装置、液体除去方法及び真空乾燥システム |
| US6653925B1 (en) * | 2000-06-16 | 2003-11-25 | Anzen Dengu Kabushiki Kaisha | Method for insulating leads of thermal fuse with insulating tubes and thermal fuse therefor |
| US7477130B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
-
1993
- 1993-06-19 JP JP17275193A patent/JP3252025B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09236382A (ja) * | 1996-02-29 | 1997-09-09 | Shimatani Giken:Kk | 液体除去装置、液体除去方法及び真空乾燥システム |
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| US7477130B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3252025B2 (ja) | 2002-01-28 |
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