JPH0766327A - 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 - Google Patents
放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法Info
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、信
頼性の高い半導体装置を提供することにある。 【構成】半導体素子４と、この半導体素子４を封止した
パッケ−ジ３と、このパッケ−ジ３に組込まれるととも
にその板面１８をパッケ−ジ３から露出させ、半導体素
子４と熱伝達可能に接続されて半導体素子４の熱をパッ
ケ−ジ３の外へ放出する金属製の放熱板１２とを備えた
半導体装置において、放熱板１２が複数の層（第１及び
第２のスキン層１３、１４、コア層１５）を有するとと
もに、複数の層１３〜１５のうちの少なくとも一つの層
（コア層１５）の側面３１を他の層１３，１４に対しず
らして放熱板１２の側面１６に凹陥部１７を形成した。
頼性の高い半導体装置を提供することにある。 【構成】半導体素子４と、この半導体素子４を封止した
パッケ−ジ３と、このパッケ−ジ３に組込まれるととも
にその板面１８をパッケ−ジ３から露出させ、半導体素
子４と熱伝達可能に接続されて半導体素子４の熱をパッ
ケ−ジ３の外へ放出する金属製の放熱板１２とを備えた
半導体装置において、放熱板１２が複数の層（第１及び
第２のスキン層１３、１４、コア層１５）を有するとと
もに、複数の層１３〜１５のうちの少なくとも一つの層
（コア層１５）の側面３１を他の層１３，１４に対しず
らして放熱板１２の側面１６に凹陥部１７を形成した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子の熱抵抗を
低減させる放熱板を備えた半導体装置及び放熱板の製造
方法に関する。
低減させる放熱板を備えた半導体装置及び放熱板の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、図１４に示すようなタイプの半
導体装置１が知られている。すなわち、このタイプの半
導体装置１には金属製の放熱板２が備えられており、こ
の放熱板２はプラスチックパッケ−ジ（以下、パッケ−
ジと称する）３に組込まれている。放熱板２は、半導体
素子４が装着されたアイランド５に接合されており、半
導体素子３との間にアイランド５を挟んでいる。放熱板
２の板面６はパッケ−ジ３から露出している。また、パ
ッケ−ジ３の主要材質としてエポキシ樹脂が採用されて
いる。
導体装置１が知られている。すなわち、このタイプの半
導体装置１には金属製の放熱板２が備えられており、こ
の放熱板２はプラスチックパッケ−ジ（以下、パッケ−
ジと称する）３に組込まれている。放熱板２は、半導体
素子４が装着されたアイランド５に接合されており、半
導体素子３との間にアイランド５を挟んでいる。放熱板
２の板面６はパッケ−ジ３から露出している。また、パ
ッケ−ジ３の主要材質としてエポキシ樹脂が採用されて
いる。
【０００３】ここで、図中の半導体装置１においては、
半導体素子４が多数のリ−ド（二つのみ図示）７にボン
ディングワイヤ８を介して結線されており、リ−ド７は
パッケ−ジ３から突出してガルウイング型に成形されて
いる。
半導体素子４が多数のリ−ド（二つのみ図示）７にボン
ディングワイヤ８を介して結線されており、リ−ド７は
パッケ−ジ３から突出してガルウイング型に成形されて
いる。
【０００４】放熱板２のパッケ−ジ３への組込みは、半
導体素子４の封止工程中、或いは、封止工程後に行われ
る。封止工程中の場合は、放熱板２が半導体素子４など
とともにインサ−ト成形される。また、封止工程後の場
合は、パッケ−ジ３に放熱板２を嵌込むための凹陥部が
予め形成される。
導体素子４の封止工程中、或いは、封止工程後に行われ
る。封止工程中の場合は、放熱板２が半導体素子４など
とともにインサ−ト成形される。また、封止工程後の場
合は、パッケ−ジ３に放熱板２を嵌込むための凹陥部が
予め形成される。
【０００５】半導体素子３の動作に伴って発生した熱
は、半導体素子３からアイランド５を経て放熱板２に伝
わり、放熱板２からパッケ−ジ３の外へ放出する。ま
た、半導体素子３の熱の一部はパッケ−ジ３へも伝わ
る。
は、半導体素子３からアイランド５を経て放熱板２に伝
わり、放熱板２からパッケ−ジ３の外へ放出する。ま
た、半導体素子３の熱の一部はパッケ−ジ３へも伝わ
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な半導体装置１においては、放熱板２の材質（金属）と
パッケ−ジ３の材質（樹脂）とが異なるため、両者の間
に充分な密着性を得ることが難しい。そして、密着性が
過度に不充分な場合には、パッケ−ジ３と放熱板２との
界面から湿気が侵入したり、放熱板２がパッケ−ジから
脱落したりして、半導体装置１の信頼性が低下する。こ
のため、半導体装置１の信頼性を確保するために、放熱
板２とパッケ−ジ３の密着性を高めることは重要であ
る。本発明の目的とするところは、放熱板とパッケ−ジ
との密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供
することにある。
な半導体装置１においては、放熱板２の材質（金属）と
パッケ−ジ３の材質（樹脂）とが異なるため、両者の間
に充分な密着性を得ることが難しい。そして、密着性が
過度に不充分な場合には、パッケ−ジ３と放熱板２との
界面から湿気が侵入したり、放熱板２がパッケ−ジから
脱落したりして、半導体装置１の信頼性が低下する。こ
のため、半導体装置１の信頼性を確保するために、放熱
板２とパッケ−ジ３の密着性を高めることは重要であ
る。本発明の目的とするところは、放熱板とパッケ−ジ
との密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供
することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために請求項１の発明は、半導体素子と、この半
導体素子を封止したパッケ−ジと、このパッケ−ジに組
込まれるとともにその板面をパッケ−ジから露出させ、
半導体素子と熱伝達可能に接続されて半導体素子の熱を
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、放熱板が複数の層を有するととも
に、複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面を他の
層に対しずらして放熱板の側面に段差を形成した半導体
装置にある。こうすることによって請求項１の本発明
は、放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体
装置の信頼性を高められるようにした。
成するために請求項１の発明は、半導体素子と、この半
導体素子を封止したパッケ−ジと、このパッケ−ジに組
込まれるとともにその板面をパッケ−ジから露出させ、
半導体素子と熱伝達可能に接続されて半導体素子の熱を
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、放熱板が複数の層を有するととも
に、複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面を他の
層に対しずらして放熱板の側面に段差を形成した半導体
装置にある。こうすることによって請求項１の本発明
は、放熱板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体
装置の信頼性を高められるようにした。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図１〜図１２に基
づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明したもの
と重複するものについては同一番号を付し、その説明は
省略する。
づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明したもの
と重複するものについては同一番号を付し、その説明は
省略する。
【０００９】図１は本発明の第１実施例を示すもので、
図中の符号１１はＱＦＰ(Quad FlatPackage) タイプの
半導体装置である。この半導体装置１１は、半導体素子
４をプラスチックパッケ−ジ（以下、パッケ−ジと称す
る）３の中に封止してなるものである。パッケ−ジ３の
側面には導電性の多数のリ−ド７（二つのみ図示）が突
設されており、これらのリ−ド７はガルウイング型に成
型されている。半導体素子４は平板状のアイランド５に
接合されており、半導体素子４の多数の電極（図示しな
い）はボンディングワイヤ８を介して対応するリ−ド７
に結線されている。
図中の符号１１はＱＦＰ(Quad FlatPackage) タイプの
半導体装置である。この半導体装置１１は、半導体素子
４をプラスチックパッケ−ジ（以下、パッケ−ジと称す
る）３の中に封止してなるものである。パッケ−ジ３の
側面には導電性の多数のリ−ド７（二つのみ図示）が突
設されており、これらのリ−ド７はガルウイング型に成
型されている。半導体素子４は平板状のアイランド５に
接合されており、半導体素子４の多数の電極（図示しな
い）はボンディングワイヤ８を介して対応するリ−ド７
に結線されている。
【００１０】図１中に符号１２で示すのは放熱板であ
る。この放熱板１２は矩形に加工されている。さらに、
放熱板１２は、三層構造を有しており、同心的に重ねら
れた第１及び第２のスキン層１３、１４及びコア層１５
により構成されている。各層の材質は金属であり、コア
層１５の材質はスキン層１３、１４の材質と異なってい
る。また、両スキン層１３、１４の外径寸法はともに略
等しく、コア層１５の外径寸法はスキン層１３、１４よ
りも小さい。
る。この放熱板１２は矩形に加工されている。さらに、
放熱板１２は、三層構造を有しており、同心的に重ねら
れた第１及び第２のスキン層１３、１４及びコア層１５
により構成されている。各層の材質は金属であり、コア
層１５の材質はスキン層１３、１４の材質と異なってい
る。また、両スキン層１３、１４の外径寸法はともに略
等しく、コア層１５の外径寸法はスキン層１３、１４よ
りも小さい。
【００１１】つまり、スキン層１３、１４とコア層１５
との輪郭の大きさ（及び長さ）は互いに異なっており、
これに伴って各スキン層１３、１４とコア層１５との間
には向い合った二つの段差が生じている。そして、放熱
板１２の側面１６には段差を利用して凹陥部１７が形成
されており、この凹陥部１７の深さは放熱板１２の全周
に亘って略均一に設定されている。
との輪郭の大きさ（及び長さ）は互いに異なっており、
これに伴って各スキン層１３、１４とコア層１５との間
には向い合った二つの段差が生じている。そして、放熱
板１２の側面１６には段差を利用して凹陥部１７が形成
されており、この凹陥部１７の深さは放熱板１２の全周
に亘って略均一に設定されている。
【００１２】放熱板１２はパッケ−ジ３の中に組込まれ
ており、第１のスキン層１３はアイランド５に接合され
ている。また、第２のスキン層１４の板面１８はパッケ
−ジ３の裏面１９から面一で露出している。放熱板１２
は半導体素子４とともにモ−ルドされており、パッケ−
ジ３の樹脂材料２０が、両スキン層１３、１４の突出し
た縁部に回り込んで、凹陥部１７に隙間なく入込んでい
る。そして、パッケ−ジ１３は放熱板１２を係止させて
いる。
ており、第１のスキン層１３はアイランド５に接合され
ている。また、第２のスキン層１４の板面１８はパッケ
−ジ３の裏面１９から面一で露出している。放熱板１２
は半導体素子４とともにモ−ルドされており、パッケ−
ジ３の樹脂材料２０が、両スキン層１３、１４の突出し
た縁部に回り込んで、凹陥部１７に隙間なく入込んでい
る。そして、パッケ−ジ１３は放熱板１２を係止させて
いる。
【００１３】半導体素子４の動作に伴って発生した熱
は、アイランド５を経て放熱板１２に伝わり、放熱板１
２の板面１８からパッケ−ジ３の外へ放出される。ま
た、半導体素子４の熱の一部、及び、半導体素子４から
放熱板１２に伝わった熱の一部はパッケ−ジ３に伝達さ
れる。
は、アイランド５を経て放熱板１２に伝わり、放熱板１
２の板面１８からパッケ−ジ３の外へ放出される。ま
た、半導体素子４の熱の一部、及び、半導体素子４から
放熱板１２に伝わった熱の一部はパッケ−ジ３に伝達さ
れる。
【００１４】つぎに、上述の放熱板１２の製造方法を図
３〜図７に基づいて説明する。まず、図３に示すよう
に、三枚の金属製シ−ト２１〜２３が重ねられて圧延さ
れる（図６中ステップα1 ）。そして、これらのシ−ト
２１〜２３が圧延に伴って圧着接合され、三層構造の積
層板母材２４が作製される。つぎに、図４及び図５に示
すように、積層板母材２４が所定の大きさで打抜かれ
（α2 ）、略正方形な積層板２５が作製される。ここ
で、この積層板２５を、一枚或いは複数枚の積層母材２
４から複数同時に打抜いてもよい。
３〜図７に基づいて説明する。まず、図３に示すよう
に、三枚の金属製シ−ト２１〜２３が重ねられて圧延さ
れる（図６中ステップα1 ）。そして、これらのシ−ト
２１〜２３が圧延に伴って圧着接合され、三層構造の積
層板母材２４が作製される。つぎに、図４及び図５に示
すように、積層板母材２４が所定の大きさで打抜かれ
（α2 ）、略正方形な積層板２５が作製される。ここ
で、この積層板２５を、一枚或いは複数枚の積層母材２
４から複数同時に打抜いてもよい。
【００１５】つぎに、積層板２５が所定のエッチング液
に所定時間浸され、放熱板１２が作製される（α3 ）。
積層板２５は、各層２１〜２３の側面２６〜２８からエ
ッチングされる。各層２１〜２３の材質として、所定の
エッチング液に対するエッチング速度の異なる材質が採
用されている。つまり、中間の層２３の材質は他の二つ
の層２１、２２の材質よりもエッチングされ易く、両側
の二つの層２１、２２は中間の層２３に比べて同じ程度
にエッチングされにくい。このため、積層板２５をエッ
チングすることにより、図５に示すように凹陥部１７を
有する放熱板１２が作製される。
に所定時間浸され、放熱板１２が作製される（α3 ）。
積層板２５は、各層２１〜２３の側面２６〜２８からエ
ッチングされる。各層２１〜２３の材質として、所定の
エッチング液に対するエッチング速度の異なる材質が採
用されている。つまり、中間の層２３の材質は他の二つ
の層２１、２２の材質よりもエッチングされ易く、両側
の二つの層２１、２２は中間の層２３に比べて同じ程度
にエッチングされにくい。このため、積層板２５をエッ
チングすることにより、図５に示すように凹陥部１７を
有する放熱板１２が作製される。
【００１６】ここで、例えば、スキン層１３、１４の材
質としてアルミニウム又はその合金を採用し、コア層１
５の材質として銅又はその合金を採用することが可能で
ある。また、この場合に利用できるエッチング液として
ＣｒＯ3 溶液等が在る。
質としてアルミニウム又はその合金を採用し、コア層１
５の材質として銅又はその合金を採用することが可能で
ある。また、この場合に利用できるエッチング液として
ＣｒＯ3 溶液等が在る。
【００１７】つぎに、上述の放熱板を備えた半導体装置
１１の製造方法を図６に基づいて説明する。まず、半導
体素子４がリ−ドフレ−ムのアイランド５に接合（ステ
ップβ1 ）されたのち、半導体素子４がリ−ドフレ−ム
のリ−ド７にワイヤボンディングされる（β2 ）。さら
に、アイランド５に放熱板１２が接合され（β3 ）、半
導体素子４及び放熱板１２が樹脂封止される（β4 ）。
この後、リ−ドフレ−ムが打抜かれ、リ−ド７が成形さ
れる（β5 ）。
１１の製造方法を図６に基づいて説明する。まず、半導
体素子４がリ−ドフレ−ムのアイランド５に接合（ステ
ップβ1 ）されたのち、半導体素子４がリ−ドフレ−ム
のリ−ド７にワイヤボンディングされる（β2 ）。さら
に、アイランド５に放熱板１２が接合され（β3 ）、半
導体素子４及び放熱板１２が樹脂封止される（β4 ）。
この後、リ−ドフレ−ムが打抜かれ、リ−ド７が成形さ
れる（β5 ）。
【００１８】すなわち、上述のような半導体装置１１に
よれば、放熱板１２の側面１６に凹陥部１７が形成され
ており、樹脂材料２０が凹陥部１７に入込んでいるの
で、側面１６が平坦な場合に比べて、放熱板１２と樹脂
材料２０との密着性を向上させることができる。そし
て、放熱板１２がパッケ−ジ３に従来よりも強固に保持
される。さらに、図２中に矢印IVで示すように、放熱板
１２とパッケ−ジ１３との接触長さが曲折されるので、
湿気の侵入経路も長なり、湿気がパッケ−ジ１３の中央
へ到達しにくくなる。この結果、密着性及び気密性が向
上する。
よれば、放熱板１２の側面１６に凹陥部１７が形成され
ており、樹脂材料２０が凹陥部１７に入込んでいるの
で、側面１６が平坦な場合に比べて、放熱板１２と樹脂
材料２０との密着性を向上させることができる。そし
て、放熱板１２がパッケ−ジ３に従来よりも強固に保持
される。さらに、図２中に矢印IVで示すように、放熱板
１２とパッケ−ジ１３との接触長さが曲折されるので、
湿気の侵入経路も長なり、湿気がパッケ−ジ１３の中央
へ到達しにくくなる。この結果、密着性及び気密性が向
上する。
【００１９】そして、これらのことから、放熱板１２の
脱落や湿気の侵入を防止することが可能になり、半導体
装置１１の信頼性が高まる。また、本実施例では、放熱
板１２の形状が矩形であるので、放熱板１２の歩留りは
略 100％である。
脱落や湿気の侵入を防止することが可能になり、半導体
装置１１の信頼性が高まる。また、本実施例では、放熱
板１２の形状が矩形であるので、放熱板１２の歩留りは
略 100％である。
【００２０】さらに、凹陥部１７はエッチングにより作
製されるので、凹陥部１７の作製のために機械加工が不
要であり、生産性に優れている。また、スキン層１３、
１４及びコア層１５は圧着されているので、接着剤を用
いた場合に比べて、各層間での熱伝達が容易であり、放
熱効果が高い。
製されるので、凹陥部１７の作製のために機械加工が不
要であり、生産性に優れている。また、スキン層１３、
１４及びコア層１５は圧着されているので、接着剤を用
いた場合に比べて、各層間での熱伝達が容易であり、放
熱効果が高い。
【００２１】なお、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種
々に変形することが可能である。例えば、本実施例にお
いては放熱板１２が三層構造であるが、本発明はこれに
限定されるものではなく、図８の放熱板４１のように二
層構造としてもよい。図８においては、輪郭の大きさの
異なる二つの層４２、４３が重ねられている。この放熱
板４１は、輪郭の小さい層４３の板面４４が露出するよ
うパッケ−ジ（図示しない）にインサ−トされる。
々に変形することが可能である。例えば、本実施例にお
いては放熱板１２が三層構造であるが、本発明はこれに
限定されるものではなく、図８の放熱板４１のように二
層構造としてもよい。図８においては、輪郭の大きさの
異なる二つの層４２、４３が重ねられている。この放熱
板４１は、輪郭の小さい層４３の板面４４が露出するよ
うパッケ−ジ（図示しない）にインサ−トされる。
【００２２】また、図９の放熱板４６のように三層以上
の構造としてもよい。図９においては、放熱板４６は五
層構造を有しており、輪郭の大きさの異なる層４７〜５
１が交互に重ねられている。
の構造としてもよい。図９においては、放熱板４６は五
層構造を有しており、輪郭の大きさの異なる層４７〜５
１が交互に重ねられている。
【００２３】さらに、図１０の放熱板５６のように形状
を円形としてもよい。この放熱板５６においては二層構
造が採用されている。また、本実施例においては、複数
の層１３〜１５を接合するために圧延・圧着が採用され
ているが、例えば、図１１に示すように複数の層１３〜
１５を接着してもよい（ステップα4 ）。この場合、接
着剤として、例えば銀ペ−スト入りのエポキシ樹脂のよ
うに、充分に熱伝導性の高いものを用いることが望まし
い。
を円形としてもよい。この放熱板５６においては二層構
造が採用されている。また、本実施例においては、複数
の層１３〜１５を接合するために圧延・圧着が採用され
ているが、例えば、図１１に示すように複数の層１３〜
１５を接着してもよい（ステップα4 ）。この場合、接
着剤として、例えば銀ペ−スト入りのエポキシ樹脂のよ
うに、充分に熱伝導性の高いものを用いることが望まし
い。
【００２４】さらに、本実施例においては、輪郭の大き
さの異なる複数の層１３〜１５が重ねられているが、例
えば図１２の放熱板６１のように示すように、輪郭の形
状及び大きさの等しい二つの層６２、６３の向きを水平
な回転方向にずらして両層６２、６３を接合しても、前
述の実施例と同様に側面６４、６５がずれ、段差６６を
形成される。この放熱板６１においては、二層構造が採
用されており、各層６２、６３の形状は正方形である。
さらに、図１３に示すように、各層６２、６３は母材か
ら打抜かれた後（γ1 ）に接合されている（γ2 ）。
さの異なる複数の層１３〜１５が重ねられているが、例
えば図１２の放熱板６１のように示すように、輪郭の形
状及び大きさの等しい二つの層６２、６３の向きを水平
な回転方向にずらして両層６２、６３を接合しても、前
述の実施例と同様に側面６４、６５がずれ、段差６６を
形成される。この放熱板６１においては、二層構造が採
用されており、各層６２、６３の形状は正方形である。
さらに、図１３に示すように、各層６２、６３は母材か
ら打抜かれた後（γ1 ）に接合されている（γ2 ）。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように請求項１の発明は、
半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−ジ
と、このパッケ−ジに組込まれるとともにその板面をパ
ッケ−ジから露出させ、半導体素子と熱伝達可能に接続
されて半導体素子の熱をパッケ−ジの外へ放出する金属
製の放熱板とを備えた半導体装置において、放熱板が複
数の層を有するとともに、複数の層のうちの少なくとも
一つの層の側面を他の層に対しずらして放熱板の側面に
段差を形成した。したがって請求項１の本発明は、放熱
板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体装置の信
頼性を高められるという効果がある。
半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−ジ
と、このパッケ−ジに組込まれるとともにその板面をパ
ッケ−ジから露出させ、半導体素子と熱伝達可能に接続
されて半導体素子の熱をパッケ−ジの外へ放出する金属
製の放熱板とを備えた半導体装置において、放熱板が複
数の層を有するとともに、複数の層のうちの少なくとも
一つの層の側面を他の層に対しずらして放熱板の側面に
段差を形成した。したがって請求項１の本発明は、放熱
板とパッケ−ジとの密着性を向上させ、半導体装置の信
頼性を高められるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例の半導体装置の断面図。
【図２】湿気の侵入経路を示す説明図。
【図３】放熱板の製造のための圧延・圧着の工程を示す
説明図。
説明図。
【図４】積層板の打抜きを説明する図。
【図５】積層板を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図。
は側面図。
【図６】放熱板を示すもので、（ａ）は平面図、（ｂ）
は側面図。
は側面図。
【図７】半導体装置及び放熱板の製造方法を示す工程
図。
図。
【図８】放熱板の変形例を示すもので、（ａ）は平面
図、（ｂ）は側面図。
図、（ｂ）は側面図。
【図９】放熱板の他の変形例を示すもので、（ａ）は平
面図、（ｂ）は側面図。
面図、（ｂ）は側面図。
【図１０】放熱板の他の変形例を示すもので、（ａ）は
平面図、（ｂ）は側面図。
平面図、（ｂ）は側面図。
【図１１】放熱板の製造方法の変形例を示す工程図。
【図１２】放熱板の他の変形例を示すもので、（ａ）は
平面図、（ｂ）は側面図。
平面図、（ｂ）は側面図。
【図１３】放熱板の製造方法の他の変形例を示す工程
図。
図。
【図１４】従来の半導体装置を示す断面図。
３…パッケ−ジ、４…半導体素子、１１…半導体装置、
１２…放熱板、１３…第１のスキン層、１４…第２のス
キン層、１５…コア層、１６…放熱板の側面、１７…凹
陥部、１８…放熱板の板面、２４…積層板母材、２５…
積層板、４１…放熱板、４２、４３…層、４４…放熱板
の板面、４５…段差、４６…放熱板、４７〜５１…層、
５６…放熱板、５７…段差、５８、５９…層、６１…放
熱板、６２、６３…層、６４、６５…層の側面、６６…
段差。
１２…放熱板、１３…第１のスキン層、１４…第２のス
キン層、１５…コア層、１６…放熱板の側面、１７…凹
陥部、１８…放熱板の板面、２４…積層板母材、２５…
積層板、４１…放熱板、４２、４３…層、４４…放熱板
の板面、４５…段差、４６…放熱板、４７〜５１…層、
５６…放熱板、５７…段差、５８、５９…層、６１…放
熱板、６２、６３…層、６４、６５…層の側面、６６…
段差。
Claims (12)
- 【請求項１】 半導体素子と、この半導体素子を封止し
たパッケ−ジと、このパッケ−ジに組込まれるとともに
その板面を上記パッケ−ジから露出させ、上記半導体素
子と熱伝達可能に接続されて上記半導体素子の熱を上記
パッケ−ジの外へ放出する金属製の放熱板とを備えた半
導体装置において、上記放熱板が複数の層を有するとと
もに、上記複数の層のうちの少なくとも一つの層の側面
を他の層に対しずらして上記放熱板の側面に段差を形成
したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記放熱板の複数の層のうち少なくとも
一つの層の輪郭の大きさが他の層と異なっていることを
特徴とする前記請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記複数の層のうち少なくとも一つの層
の材質のエッチング速度が他の層と異なることを特徴と
する前記請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記放熱板の複数の層のうちの少なくと
も一つの層の側面が、他の層の表面に平行な回転方向に
ずらされていることを特徴とする前記請求項１記載の半
導体装置。 - 【請求項５】 半導体素子と、この半導体素子を封止す
るパッケ−ジとを有する半導体素子に備えられる放熱板
の製造方法において、複数の層を重ねて接合し積層板母
材を作製する第１の工程と、上記積層板母材から積層板
を打抜く第２の工程と、上記積層板の少なくとも一つの
層の側面を他の側面に対しずらして上記積層板の側面に
段差を形成する第３の工程とを具備した放熱板の製造方
法。 - 【請求項６】 上記第１の工程において、少なくとも一
つがエッチング速度の異なる材質からなる複数の層が重
ねられるとともに、上記第３の工程において、上記積層
板の側面がエッチングされることを特徴とする前記請求
項５記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項７】 上記第１の工程において、上記複数の層
が圧着されることを特徴とする前記請求項５記載の放熱
板の製造方法。 - 【請求項８】 上記第１の工程において、上記複数の層
が接着されることを特徴とする前記請求項５記載の放熱
板の製造方法。 - 【請求項９】 半導体素子と、この半導体素子を封止す
るパッケ−ジとを有する半導体素子に備えられた放熱板
の製造方法において、所定の形状を有する金属製の層を
複数作製する第１の工程と、上記複数の層を重ねるとと
もに互いの側面をずらし段差を形成して上記複数の層を
接合する第２の工程とを具備した放熱板の製造方法 - 【請求項１０】 上記第１の工程において、互いに輪郭
の大きさが異なる複数の層が作製されることを特徴とす
る前記請求項９記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項１１】 上記第２の工程において、上記複数の
層のうちの少なくとも一つの層の側面が、他の層の表面
に平行な回転方向にずらされることを特徴とする前記請
求項９記載の放熱板の製造方法。 - 【請求項１２】 上記第２の工程において、上記複数の
層が接着されることを特徴とする前記請求項９記載の放
熱板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21070993A JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21070993A JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766327A true JPH0766327A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16593808
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21070993A Pending JPH0766327A (ja) | 1993-08-25 | 1993-08-25 | 放熱板を有する半導体装置及び放熱板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766327A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
| JP2012059927A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| JP2014220537A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-08-25 JP JP21070993A patent/JPH0766327A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006502568A (ja) * | 2002-10-07 | 2006-01-19 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 半導体デバイス及びそれを製造する方法 |
| JP2014199960A (ja) * | 2005-03-11 | 2014-10-23 | ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド | 複数の発光セルを有する発光素子 |
| JP2012059927A (ja) * | 2010-09-09 | 2012-03-22 | Rohm Co Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JP2014220537A (ja) * | 2014-08-27 | 2014-11-20 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体装置 |
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