JPH0766196A - 二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法 - Google Patents
二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法Info
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- JPH0766196A JPH0766196A JP20768193A JP20768193A JPH0766196A JP H0766196 A JPH0766196 A JP H0766196A JP 20768193 A JP20768193 A JP 20768193A JP 20768193 A JP20768193 A JP 20768193A JP H0766196 A JPH0766196 A JP H0766196A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 成膜プロセスにおける取扱いが容易な原料ガ
スを用い、しかも水素の混入がない二酸化シリコン膜を
形成し得る二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法を提供
する。 【構成】 テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法により、
二酸化シリコン膜を堆積する。
スを用い、しかも水素の混入がない二酸化シリコン膜を
形成し得る二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法を提供
する。 【構成】 テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法により、
二酸化シリコン膜を堆積する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン系のＬＳＩ等
の多層積層をする際に層間絶縁膜として使用される二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜のプラズマ気相化学堆積方法
に関するものである。
の多層積層をする際に層間絶縁膜として使用される二酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）膜のプラズマ気相化学堆積方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＯ2 をＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃ
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜す
る際、Ｓｉ原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ4 ），テト
ラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕（以下、Ｔ
ＥＯＳという），四塩化シリコン（ＳｉＣｌ4 ）が使わ
れ、酸素原料ガスとしては、酸素Ｏ2 ，オゾンＯ3 ，亜
酸化窒素Ｎ2 Ｏが使われている。
ａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜す
る際、Ｓｉ原料ガスとして、シラン（ＳｉＨ4 ），テト
ラエトキシシラン〔Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 〕（以下、Ｔ
ＥＯＳという），四塩化シリコン（ＳｉＣｌ4 ）が使わ
れ、酸素原料ガスとしては、酸素Ｏ2 ，オゾンＯ3 ，亜
酸化窒素Ｎ2 Ｏが使われている。
【０００３】反応方式には熱ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ
法があり、これらの組合せにより、ＳｉＯ2 の薄膜を形
成することができる。特に、半導体集積回路用には、シ
ラン，ＴＥＯＳ，Ｏ2 が主に使われている。
法があり、これらの組合せにより、ＳｉＯ2 の薄膜を形
成することができる。特に、半導体集積回路用には、シ
ラン，ＴＥＯＳ，Ｏ2 が主に使われている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来のＳｉ原料ガスとしてのシランやＴＥＯＳには、
水素が含まれており、堆積したＳｉＯ2 膜中に多量の水
（Ｈ2 Ｏ），水酸基（ＯＨ）を含むため、種々の半導体
プロセスの過程で、配線用のアルミニウムを腐食させ、
ＬＳＩの不安定性（歩留低下）の原因となっている。
た従来のＳｉ原料ガスとしてのシランやＴＥＯＳには、
水素が含まれており、堆積したＳｉＯ2 膜中に多量の水
（Ｈ2 Ｏ），水酸基（ＯＨ）を含むため、種々の半導体
プロセスの過程で、配線用のアルミニウムを腐食させ、
ＬＳＩの不安定性（歩留低下）の原因となっている。
【０００５】また、Ｓｉ原料ガスとして四塩化シリコン
を使用する方法では、腐食性のあるハロゲンを使用して
いるため、配線材料を腐食させることになり、ＬＳＩの
層間絶縁膜の形成法としては適しないといった問題があ
った。本発明は、取扱いが容易で、しかも水素を成分と
して含まないテトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとし、これを単独あるいは酸素と共
存させながらプラズマ分解することにより、水素の混入
がない二酸化シリコン膜を形成し得る二酸化シリコン膜
の化学気相堆積方法を提供することを目的とする。
を使用する方法では、腐食性のあるハロゲンを使用して
いるため、配線材料を腐食させることになり、ＬＳＩの
層間絶縁膜の形成法としては適しないといった問題があ
った。本発明は、取扱いが容易で、しかも水素を成分と
して含まないテトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとし、これを単独あるいは酸素と共
存させながらプラズマ分解することにより、水素の混入
がない二酸化シリコン膜を形成し得る二酸化シリコン膜
の化学気相堆積方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法に
おいて、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）
4 〕を原料ガスとして用いて、原料系ガスからＨ2 Ｏが
発生する要因を根本的に取り除いて、プラズマＣＶＤ法
により二酸化シリコン膜を堆積するようにしたものであ
る。
成するために、二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法に
おいて、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）
4 〕を原料ガスとして用いて、原料系ガスからＨ2 Ｏが
発生する要因を根本的に取り除いて、プラズマＣＶＤ法
により二酸化シリコン膜を堆積するようにしたものであ
る。
【０００７】例えば、その堆積条件は、反応圧力０．１
Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力３〜３０Ｗ，基板温度２５０〜
３００℃，テトラエトキシシラン流量１０ｓｃｃｍであ
る。また、二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法におい
て、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕
を原料ガスとして、酸素を加えてプラズマＣＶＤ法によ
り二酸化シリコン膜を堆積するようにしたものである。
Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力３〜３０Ｗ，基板温度２５０〜
３００℃，テトラエトキシシラン流量１０ｓｃｃｍであ
る。また、二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法におい
て、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕
を原料ガスとして、酸素を加えてプラズマＣＶＤ法によ
り二酸化シリコン膜を堆積するようにしたものである。
【０００８】例えば、その堆積条件は、反応圧力０．２
Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２０Ｗ，基板温度２５０〜３０
０℃，テトライソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍ，
酸素流量１０ｓｃｃｍである。
Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２０Ｗ，基板温度２５０〜３０
０℃，テトライソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍ，
酸素流量１０ｓｃｃｍである。
【０００９】
【作用】本発明は、上記したように、二酸化シリコン膜
の化学気相堆積方法において、テトライソシアネートシ
ラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕を原料ガスとして、プラズマ
ＣＶＤ法により、二酸化シリコン膜を堆積する。例え
ば、その堆積条件は、反応圧力０．１Ｔｏｒｒ，投入Ｒ
Ｆ電力３〜３０Ｗ，基板温度２５０〜３００℃，テトラ
イソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍとする。
の化学気相堆積方法において、テトライソシアネートシ
ラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕を原料ガスとして、プラズマ
ＣＶＤ法により、二酸化シリコン膜を堆積する。例え
ば、その堆積条件は、反応圧力０．１Ｔｏｒｒ，投入Ｒ
Ｆ電力３〜３０Ｗ，基板温度２５０〜３００℃，テトラ
イソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍとする。
【００１０】また、二酸化シリコン膜の化学気相堆積方
法において、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとして、酸素を加えてプラズマＣＶ
Ｄ法により、二酸化シリコン膜を堆積する。例えば、そ
の堆積条件は反応圧力０．２Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２
０Ｗ，基板温度２００〜３００℃，テトライソシアネー
トシラン流量１０ｓｃｃｍ，酸素流量１０ｓｃｃｍとす
る。
法において、テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣ
Ｏ）4 〕を原料ガスとして、酸素を加えてプラズマＣＶ
Ｄ法により、二酸化シリコン膜を堆積する。例えば、そ
の堆積条件は反応圧力０．２Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２
０Ｗ，基板温度２００〜３００℃，テトライソシアネー
トシラン流量１０ｓｃｃｍ，酸素流量１０ｓｃｃｍとす
る。
【００１１】したがって、水素を含まない絶縁膜が作製
できるため、ＬＳＩの信頼性及び製造歩留が向上する。
また、液晶ディスプレイに使用される薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜としての物性も優れている。
できるため、ＬＳＩの信頼性及び製造歩留が向上する。
また、液晶ディスプレイに使用される薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）のゲート絶縁膜としての物性も優れている。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例について図を参照しな
がら詳細に説明する。本発明においては、ＳｉＯ2 膜の
形成にあたり、テトライソシアネートシラン〔ＴＩＣ
Ｓ：Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕をＳｉＯ2 ＣＶＤの原料ガスと
して使用する。従来はＳｉ原料ガスとして、シランやＴ
ＥＯＳを使用していたが、ＴＩＣＳ自体を熱分解あるい
はプラズマ分解すれば、原料ガスに水素を全く含まない
ため、水酸基や残留水分の悪影響のない良質なＳｉＯ2
膜を堆積できる。
がら詳細に説明する。本発明においては、ＳｉＯ2 膜の
形成にあたり、テトライソシアネートシラン〔ＴＩＣ
Ｓ：Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕をＳｉＯ2 ＣＶＤの原料ガスと
して使用する。従来はＳｉ原料ガスとして、シランやＴ
ＥＯＳを使用していたが、ＴＩＣＳ自体を熱分解あるい
はプラズマ分解すれば、原料ガスに水素を全く含まない
ため、水酸基や残留水分の悪影響のない良質なＳｉＯ2
膜を堆積できる。
【００１３】以下、ＴＩＣＳをプラズマＣＶＤの原料ガ
スに用いたＳｉＯ2 成膜の第１の実施例について説明す
る。図１において、１はＣＶＤ膜成長用反応室、２は原
料ガス流入口、３は高周波印加電極、４はヒータ、５は
主排気口、６は荒引き排気口、７は窓、９はＳｉ基板、
１０は真空計、１１はバルブＶ，流量制御器Ｆ及びバル
ブＶからなる流量制御系、１２は高周波電力印加系であ
り、高周波電源Ｇと、プラズマのインピーダンスと高周
波電源Ｇの出力インピーダンスが異なるために、それら
を整合させるために用いるインピーダンス整合回路Ｍを
有する。
スに用いたＳｉＯ2 成膜の第１の実施例について説明す
る。図１において、１はＣＶＤ膜成長用反応室、２は原
料ガス流入口、３は高周波印加電極、４はヒータ、５は
主排気口、６は荒引き排気口、７は窓、９はＳｉ基板、
１０は真空計、１１はバルブＶ，流量制御器Ｆ及びバル
ブＶからなる流量制御系、１２は高周波電力印加系であ
り、高周波電源Ｇと、プラズマのインピーダンスと高周
波電源Ｇの出力インピーダンスが異なるために、それら
を整合させるために用いるインピーダンス整合回路Ｍを
有する。
【００１４】また、１３は排気系であり、主バルブＭ
Ｖ，中真空用ポンプＰ1 補助バルブＳＶ，低真空用ポン
プＰ2 から排ガス処理装置へと導かれる系と、荒引きバ
ルブＲＶ，低真空用ポンプＰ2 から一般ダクトへと導か
れる系を有する。１４は凝結防止加熱装置、１５はＴＩ
ＣＳガスボンベである。図１において、ＣＶＤ膜成長用
反応室１には、Ｓｉ基板９の加熱機構と高周波印加電極
が組込まれている。ＣＶＤ膜成長用反応室１の側壁には
原料ガス流入口２が設けられている。ガス配管及び反応
室は、ＴＩＣＳの凝結を防ぐために、凝結防止加熱装置
１４で約１００℃に加熱している。
Ｖ，中真空用ポンプＰ1 補助バルブＳＶ，低真空用ポン
プＰ2 から排ガス処理装置へと導かれる系と、荒引きバ
ルブＲＶ，低真空用ポンプＰ2 から一般ダクトへと導か
れる系を有する。１４は凝結防止加熱装置、１５はＴＩ
ＣＳガスボンベである。図１において、ＣＶＤ膜成長用
反応室１には、Ｓｉ基板９の加熱機構と高周波印加電極
が組込まれている。ＣＶＤ膜成長用反応室１の側壁には
原料ガス流入口２が設けられている。ガス配管及び反応
室は、ＴＩＣＳの凝結を防ぐために、凝結防止加熱装置
１４で約１００℃に加熱している。
【００１５】図１に示すように、容量結合型平行平板電
極方式のＲＦＣＶＤ装置（電極直径８ｃｍ）を使用し、
反応圧力０．１Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力３〜３０Ｗ，基
板温度２５０〜３００℃，ＴＩＣＳ流量１０ｓｃｃｍで
成膜を行った。投入電力が大きい場合には、堆積膜にク
ラックが入る傾向があった。ＦＴ−ＩＲ（フーリェ変換
型赤外吸収分光法：Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）測
定により、堆積膜がＳｉＯ2 であることを確認した。ま
た、屈折率ｎは１．４７とＳｉＯ2 の屈折率とほぼ等し
い値であった。
極方式のＲＦＣＶＤ装置（電極直径８ｃｍ）を使用し、
反応圧力０．１Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力３〜３０Ｗ，基
板温度２５０〜３００℃，ＴＩＣＳ流量１０ｓｃｃｍで
成膜を行った。投入電力が大きい場合には、堆積膜にク
ラックが入る傾向があった。ＦＴ−ＩＲ（フーリェ変換
型赤外吸収分光法：Ｆｏｕｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｆｏｒ
ｍ Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）測
定により、堆積膜がＳｉＯ2 であることを確認した。ま
た、屈折率ｎは１．４７とＳｉＯ2 の屈折率とほぼ等し
い値であった。
【００１６】Ｓｉ基板上にＲＦ電力３Ｗで堆積時間２０
分で１００ｎｍ堆積したＳｉＯ2 膜のリーク電流特性を
図２に示す。図２において、横軸は電界Ｅ（ＭＶ／ｃ
ｍ）、縦軸は単位面積当りの電流Ｊ（Ａ／ｃｍ2 ）を示
している。測定の結果、バージンサンプルではＩ−Ｖ特
性に定電流領域が現れるという異常性をみせたが、電圧
バイアス印加後、リーク電流は減少した。抵抗率は１０
10〜１０13Ωｃｍであった。
分で１００ｎｍ堆積したＳｉＯ2 膜のリーク電流特性を
図２に示す。図２において、横軸は電界Ｅ（ＭＶ／ｃ
ｍ）、縦軸は単位面積当りの電流Ｊ（Ａ／ｃｍ2 ）を示
している。測定の結果、バージンサンプルではＩ−Ｖ特
性に定電流領域が現れるという異常性をみせたが、電圧
バイアス印加後、リーク電流は減少した。抵抗率は１０
10〜１０13Ωｃｍであった。
【００１７】このように、ＴＩＣＳを原料ガスに用いた
プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜を成膜した。次いで、Ｔ
ＩＣＳをプラズマＣＶＤの原料ガスに用いたＳｉＯ2 成
膜の第２の実施例について説明する。図３に示すよう
に、容量結合型平行平板電極方式のＲＦＣＶＤ装置（電
極直径８ｃｍ）を使用した。ここで、第１実施例と同様
のものについては、同じ番号を付してその説明を省略す
る。
プラズマＣＶＤ法でＳｉＯ2 膜を成膜した。次いで、Ｔ
ＩＣＳをプラズマＣＶＤの原料ガスに用いたＳｉＯ2 成
膜の第２の実施例について説明する。図３に示すよう
に、容量結合型平行平板電極方式のＲＦＣＶＤ装置（電
極直径８ｃｍ）を使用した。ここで、第１実施例と同様
のものについては、同じ番号を付してその説明を省略す
る。
【００１８】この実施例では、原料ガスとして、ＴＩＣ
Ｓを原料ガスに加えて、Ｏ2 を原料ガス流入口２よりＣ
ＶＤ膜成長用反応室１に流入させるようにしている。こ
こでは、反応圧力０．２Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２０
Ｗ，基板温度２５０〜３００℃，ＴＩＣＳ流量１０ｓｃ
ｃｍ，Ｏ2 １０ｓｃｃｍで３０分間成膜を行なった。
Ｓを原料ガスに加えて、Ｏ2 を原料ガス流入口２よりＣ
ＶＤ膜成長用反応室１に流入させるようにしている。こ
こでは、反応圧力０．２Ｔｏｒｒ，投入ＲＦ電力２０
Ｗ，基板温度２５０〜３００℃，ＴＩＣＳ流量１０ｓｃ
ｃｍ，Ｏ2 １０ｓｃｃｍで３０分間成膜を行なった。
【００１９】その結果、膜厚３９３０ÅのＳｉＯ2 を成
膜することができた。図４は本発明の第２実施例による
Ｓｉ基板上にＲＦ電力２０Ｗで３９３ｎｍ堆積したＳｉ
Ｏ2 膜のリーク電流特性図である。図４において、横軸
は電界Ｅ（ＭＶ／ｃｍ）、縦軸は単位面積当りの電流Ｊ
（Ａ／ｃｍ2 ）を示している。その結果、抵抗率は、約
１０13ΩｃｍとＬＳＩの層間絶縁膜に適用するには、十
分な特性を有することが確認できた。
膜することができた。図４は本発明の第２実施例による
Ｓｉ基板上にＲＦ電力２０Ｗで３９３ｎｍ堆積したＳｉ
Ｏ2 膜のリーク電流特性図である。図４において、横軸
は電界Ｅ（ＭＶ／ｃｍ）、縦軸は単位面積当りの電流Ｊ
（Ａ／ｃｍ2 ）を示している。その結果、抵抗率は、約
１０13ΩｃｍとＬＳＩの層間絶縁膜に適用するには、十
分な特性を有することが確認できた。
【００２０】図５は本発明の第２実施例によって得られ
た二酸化シリコン膜のＦＴ−ＩＲ測定法による特性図で
ある。この図において、横軸は波数（ｃｍ-1）、縦軸は
透過率（ａ．ｕ：任意単位）を示している。図５から明
らかなように、赤外線吸収は、波数１０７０ｃｍ-1と８
２０ｃｍ-1付近Ｓｉ−Ｏ結合による強い吸収ピークが観
察された。
た二酸化シリコン膜のＦＴ−ＩＲ測定法による特性図で
ある。この図において、横軸は波数（ｃｍ-1）、縦軸は
透過率（ａ．ｕ：任意単位）を示している。図５から明
らかなように、赤外線吸収は、波数１０７０ｃｍ-1と８
２０ｃｍ-1付近Ｓｉ−Ｏ結合による強い吸収ピークが観
察された。
【００２１】従来のシラン（ＳｉＨ4 ）原料ガスを用い
た二酸化シリコン膜の場合は、波数９００ｃｍ-1近傍に
Ｓｉ−ＯＨの小さい吸収ピークが観察されるが、本発明
によって堆積された二酸化シリコン膜は、そのようなＳ
ｉ−ＯＨの吸収ピークは見られず、水素の混入がないこ
とが確認できた。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
た二酸化シリコン膜の場合は、波数９００ｃｍ-1近傍に
Ｓｉ−ＯＨの小さい吸収ピークが観察されるが、本発明
によって堆積された二酸化シリコン膜は、そのようなＳ
ｉ−ＯＨの吸収ピークは見られず、水素の混入がないこ
とが確認できた。なお、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が
可能であり、これらを本発明の範囲から排除するもので
はない。
【００２２】
【発明の効果】以下、詳細に説明したように、本発明に
よれば、水素を成分として含まないテトライソシアネー
トシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕を原料ガスとし、これを
単独あるいは酸素と共存させながら、プラズマ分解する
ことにより、水素の混入がないＳｉＯ2 膜を形成するこ
とができる。
よれば、水素を成分として含まないテトライソシアネー
トシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕を原料ガスとし、これを
単独あるいは酸素と共存させながら、プラズマ分解する
ことにより、水素の混入がないＳｉＯ2 膜を形成するこ
とができる。
【００２３】このような新規なＳｉＯ2 膜の化学気相堆
積方法により、水酸基や残留水分の悪影響のない良質な
ＳｉＯ2 膜を得ることができる。また、テトライソシア
ネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕は、シラン（ＳｉＨ
4 ）のような爆発性がないため、取扱いが容易である。
このように、本発明の二酸化シリコン膜の化学気相堆積
方法によってもたらされる効果は著大である。
積方法により、水酸基や残留水分の悪影響のない良質な
ＳｉＯ2 膜を得ることができる。また、テトライソシア
ネートシラン〔Ｓｉ（ＮＣＯ）4 〕は、シラン（ＳｉＨ
4 ）のような爆発性がないため、取扱いが容易である。
このように、本発明の二酸化シリコン膜の化学気相堆積
方法によってもたらされる効果は著大である。
【図１】本発明の第１の実施例を示す容量結合型平行平
板電極方式のＲＦＣＶＤ装置の概略構成図である。
板電極方式のＲＦＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例により得られたＳｉＯ2
膜のリーク電流特性図である。
膜のリーク電流特性図である。
【図３】本発明の第２の実施例を示す容量結合型平行平
板電極方式のＲＦＣＶＤ装置の概略構成図である。
板電極方式のＲＦＣＶＤ装置の概略構成図である。
【図４】本発明の第２の実施例により得られたＳｉＯ2
膜のリーク電流特性図である。
膜のリーク電流特性図である。
【図５】本発明の第２の実施例により得られたＳｉＯ2
膜のＦＴ−ＩＲ測定法による特性図である。
膜のＦＴ−ＩＲ測定法による特性図である。
１ ＣＶＤ膜成長用反応室 ２ 原料ガス流入口 ３ 高周波印加電極 ４ ヒータ ５ 主排気口 ６ 荒引き排気口 ７ 窓 ９ Ｓｉ基板 １０ 真空計 １１ 流量制御系 １２ 高周波電力印加系 １３ 排気系 １４ 凝結防止加熱装置 １５ ＴＩＣＳガスボンベ
Claims (4)
- 【請求項１】 テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（Ｎ
ＣＯ）4 〕を原料ガスとして、プラズマＣＶＤ法により
二酸化シリコン膜を堆積することを特徴とする二酸化シ
リコン膜の化学気相堆積方法。 - 【請求項２】 前記堆積条件が、反応圧力０．１Ｔｏｒ
ｒ，投入ＲＦ電力３〜３０Ｗ，基板温度２５０〜３００
℃，テトライソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍであ
ることを特徴とする請求項１記載の二酸化シリコン膜の
化学気相堆積方法。 - 【請求項３】 テトライソシアネートシラン〔Ｓｉ（Ｎ
ＣＯ）4 〕を原料ガスとして、酸素を加えてプラズマＣ
ＶＤ法により二酸化シリコン膜を堆積することを特徴と
する二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法。 - 【請求項４】 前記堆積条件が、反応圧力０．２Ｔｏｒ
ｒ，投入ＲＦ電力２０Ｗ，基板温度２００〜３００℃，
テトライソシアネートシラン流量１０ｓｃｃｍ，酸素流
量１０ｓｃｃｍであることを特徴とする請求項３記載の
二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768193A JP3305826B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20768193A JP3305826B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766196A true JPH0766196A (ja) | 1995-03-10 |
| JP3305826B2 JP3305826B2 (ja) | 2002-07-24 |
Family
ID=16543817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20768193A Expired - Fee Related JP3305826B2 (ja) | 1993-08-23 | 1993-08-23 | 二酸化シリコン膜の化学気相堆積方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3305826B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004273835A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Toshiba Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2007115807A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Toppan Printing Co Ltd | トランジスタ |
| KR20180080704A (ko) | 2014-04-21 | 2018-07-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 밀봉막의 형성 방법 |
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