JPH0758176A - 半導体ウェハの形状認識装置 - Google Patents
半導体ウェハの形状認識装置Info
- Publication number
- JPH0758176A JPH0758176A JP5205257A JP20525793A JPH0758176A JP H0758176 A JPH0758176 A JP H0758176A JP 5205257 A JP5205257 A JP 5205257A JP 20525793 A JP20525793 A JP 20525793A JP H0758176 A JPH0758176 A JP H0758176A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- shape
- wafer
- semiconductor
- photographing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
- H01L21/682—Mask-wafer alignment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Dicing (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
ウェハ上に形成された回路パターンによらず、テープの
色の透明度によらず、正確な形状認識が安定的におこな
えるようにする装置を提供することを目的とする。 【構成】 照明される半導体ウェハ100に対向して配
置され、半導体ウェハ100の像を撮影してビデオ信号
を出力する撮影手段3と、ビデオ信号を処理して半導体
ウェハ100の形状を認識するウェハ形状認識手段6と
を備える半導体ウェハの形状認識装置において、半導体
ウェハ100を挟んで撮影手段3の反対側で半導体ウェ
ハ100に対向して配置され、半導体ウェハ100を照
明する照明手段1を備えて構成する。
Description
装置に関し、特にダイシング装置等で半導体ウェハに加
工や処理を行う場合に、半導体ウェハに割れや欠けがあ
っても形状に応じた加工や処理が正確に且つ効率良く行
えるようにするために半導体ウェハの形状を自動的に認
識する半導体ウェハの形状認識装置に関する。
ップが形成される。そしてその状態の半導体ウェハに対
して、プローバを介してのICテスタによる各チップの
検査やダイシング装置による溝加工が施される。半導体
ウェハは円形であり、円形であるという前提のもとに自
動的にアライメントを実行して各種の処理を行う自動化
が進められている。以下ダイシング装置を例として説明
を行う。ダイシング装置は高速に回転する切削刃で細い
溝を加工する装置であり、半導体ウェハ上に形成された
半導体チップをウェハから切り出すための加工に広く利
用されている。
視図である。図3において、参照番号100は溝加工が
施される半導体ウェハである。11はダイアモンド等の
砥粒をニッケル等で固着した切削刃(ブレード)であ
り、スピンドルモータ12によって高速に回転する。1
3は半導体ウェハ100を真空吸着によって固定するス
テージであり、精密な移動機構14によって図の矢印方
向に移動される。参照番号16乃至18はステージ13
に載置された半導体ウェハ100の位置を測定するため
の撮影装置である。回転するブレード11に対して半導
体ウェハ100が載置されたステージ13を移動するこ
とにより溝加工を行う。なおすべての図において、共通
の機能部分には同一の参照番号を付し、説明を省略する
ものとする。
されるが、加工中にばらばらになるのを防止するため、
半導体ウェハ100の裏面に粘着テープを貼り付けた上
でステージ13に固定するのが一般的である。半導体ウ
ェハ100の裏面に粘着テープを貼り付ける場合、図示
するように、中央部を打ちぬいたフレーム101に粘着
テープ102を貼り付け、その中央の部分に半導体ウェ
ハ100を貼り付けたものをステージ13に載置して固
定している。工程間の搬送もこの状態で行われる。
拡大して投影する対物レンズ16と、鏡筒17と、TV
カメラ18とを有しており、半導体ウェハ100の表面
を拡大した画面のビデオ信号が出力される。半導体ウェ
ハ100をステージ13に載置しただけでは、半導体ウ
ェハ100の表面に形成された半導体チップの配列パタ
ーンとブレード11の加工位置との間の位置関係が定ま
っていないため、そのままでは半導体ウェハ100上の
所望の位置に正確に溝を加工することはできない。そこ
で、半導体ウェハ100が載置されたステージ13を撮
影装置の視野の下に移動させ、半導体ウェハ100上の
所定位置を投影装置の視野内の所定位置に合わせる。投
影装置はあらかじめブレード11の加工位置に対して所
定の位置関係になるように調整されており、上記のよう
な位置調整を行うことにより半導体ウェハ100の表面
上の位置とブレード11の加工位置との位置関係が決定
され、精密な移動機構14によってステージ13を移動
することで、半導体ウェハ100上の所望の位置に正確
に溝を加工することが可能になる。このような位置合わ
せ動作をアラインメント動作と呼んでいる。
TVカメラ18からのビデオ信号をモニタに表示させ、
モニタ画面を見ながら位置合わせを行う。しかし近年ダ
イシング装置は生産性の改善のため自動化が求められて
おり、アラインメント動作についても自動化が行われて
いる。アラインメント動作の自動化は、TVカメラ18
のビデオ信号出力を画像処理することにより行われてい
る。
のためのパターン認識位置を示す図である。本図はダイ
シング装置において半導体ウェハが加工される時のフレ
ームと粘着テープに保持された半導体ウェハの状態を示
す。半導体ウェハ100はフレーム101に貼り付けら
れた粘着テープ102に貼り付けられて保持される。半
導体ウェハ100上には多数の半導体チップ110が配
列されている。各半導体チップ110の列の間の部分に
溝が加工される。画像処理による自動アラインメント動
作は、図のa乃至eで示した各部分をそれぞれTVカメ
ラ18の視野内に移動した上でチップ列の間を識別す
る。そしてその検出結果からチップ列の傾きと位置を求
め、チップ列が移動機構の軸に一致するようにステージ
13を回転し、TVカメラ18の画像の所定位置に半導
体ウェハ100の所定位置が一致する時の移動機構の座
標を記憶する。図のa乃至eで示した部分での各チップ
列の識別は、公知のパターンマッチング手法等で行われ
る。従って、識別動作のためにa乃至eの部分をTVカ
メラ18の視野内に移動した時に、その部分が視野の中
心に近い位置にあれば、チップ列の識別に要する時間が
短くなる。もしa乃至eの部分がTVカメラ18の視野
の中心から離れていると、パターンマッチング等の動作
を多数回繰り返す必要があるため、自動アラインメント
動作に要する時間が長くなる。
しており、自動アラインメント動作において図4のa乃
至eで示した各部分をそれぞれTVカメラ18の視野内
に移動する場合も半導体ウェハ100が円形であり、フ
レーム101のほぼ中心に一致するように配置されてお
り、更にフレーム101に設けられた切り欠きに対して
チップ列の方向がある程度の範囲内にあるものとして移
動される。そしてその位置でパターンマッチング動作等
が行われる。しかし実際の製造工程においては、半導体
ウェハが割れたり、欠けを生じる場合がある。またフレ
ームの中心と半導体ウェハの中心とが一致しない場合も
ある。
の例を示す図である。図5の(a)は割れ、図5の
(b)はフレームに対する半導体ウェハの配置ずれを示
す。半導体ウェハが割れたり、欠けが生じた場合に、そ
のまま廃棄したのでは歩留りの低下を招くため、たとえ
割れたり欠けが生じた状態であっても問題のない半導体
チップについては、溝加工を行って切り出す必要があ
る。そのため図5(a)に示したような割れた半導体ウ
ェハ100についても加工が行われる。しかし図5
(a)のような半導体ウェハ100に対して上記の自動
アラインメント動作を行った場合、どの部分でチップ列
の識別を行うかが判らず、従来と同様に移動させたので
は、チップ列の存在しない部分が視野内に入ってしま
い、自動的にチップ列を識別することはできない。ま
た、図5(b)のように、半導体ウェハ100の中心C
1がフレーム101の中心C2から大きく外れた場合に
も、同様の理由で自動的にチップ列を識別することがで
きなくなる。
2号(特開平4−109652)で、あらかじめ半導体
ウェハの形状を認識した上で処理を行うようにしたダイ
シング装置を開示している。また特開平4─23325
0号公報では、半導体ウェハの形状認識を画像処理によ
り行うダイシング装置が開示されている。図6は形状認
識のために半導体ウェハの形状をTVカメラで撮影する
場合の基本的な配置を示す図である。図6において、参
照番号1は半導体ウェハ100を照明する照明装置であ
り、ランプ2を有している。3は撮影装置であり、レン
ズ4とTVカメラ5とを有している。ここでは、照明装
置1からの照明光は半導体ウェハ100に対して斜め方
向から入射し、撮影装置3は垂直方向から半導体ウェハ
100を撮影する。
体ウェハの映像を示す図であり、(a)は通常の場合、
(b)は異常の場合を示す図である。撮影装置3は、反
射した照明光を直接受けない位置に配置されており、通
常の場合TVカメラ5の出力する映像は、図7の(a)
に示すようになる。すなわち、半導体ウェハ100の表
面が高精度の平面であるため、半導体ウェハ100に入
射した照明光はほとんど正反射し、撮影装置3には入射
しない。従って、半導体ウェハ100の部分は真っ暗に
なる。フレーム101の部分は半導体ウェハ100の表
面に比べて平面度は低いが、ある程度平面であるためや
はり暗くなる。そして粘着テープ102の部分は照明光
が乱反射するため明るくなる。そこで半導体ウェハ10
0の形状を認識する画像処理は、適当な閾値を設定して
二値化画像を生成し、半導体ウェハ100の外形を認識
することにより行う。
部分の乱反射よりウェハ表面が明るくなることがある。
この場合には明るさを画像データの段階で反転させ(明
るいところを暗く、暗いところを明るく)上記と同様の
処理を実施することにより半導体ウェハの外形を認識す
ることができる。半導体ウェハ100の外形を認識すれ
ば、アラインメント動作を行なう場合も半導体チップ列
の認識を行う部分を指定することができるため自動的に
行うことが可能であり、また溝加工の動作も必要な部分
についてのみおこなえばよいため無駄な加工時間が省け
る。
明した従来技術の半導体ウェハの形状認識装置において
は、半導体ウェハ100上に形成された回路パターンに
よっては、半導体ウェハ100に入射した照明光のすべ
てが正反射せず、一部が撮影装置3に入射するという現
象が発生する。これは光の回折の影響と考えられる。こ
のような現象が生じるとTVカメラ5の出力する映像
は、図7の(b)に示すように、半導体ウェハ100の
一部が明るくなり、図7の(a)の場合と同様の閾値で
二値化したのでは、半導体ウェハ100が欠けていると
認識され、正確な形状の認識が行えなくなるという問題
が発生する。
上り具合が不均一のために図7(b)に示すのと同様な
状況が発生し正確な形状認識が行えなくなるという問題
が発生する。さらに、粘着テープ102の色の透明度に
よっては、同様に半導体ウェハ100に入射した照明光
のすべてが正反射するわけでなく、粘着テープ102の
部分はステージ13を白く塗っているため通常照明光が
乱反射し明るくなり撮影装置3に入射するが、粘着テー
プ102の色の透明度によって、粘着テープ102の色
の透明度の高い部分は乱反射して撮影装置3に入射し、
透明度の低い部分は乱反射しないので撮影装置3に入射
しないという現象が発生する。
されたものであり、半導体ウェハの形状認識装置におい
て、半導体ウェハ上に形成された回路パターンによらず
又ウェハの反りやウェハ表面の仕上り状態に依存せず、
かつ粘着テープの色に依存せず正確な形状認識が安定的
におこなえる半導体ウェハの形状認識装置を実現するこ
とを目的とする。
め、本発明の半導体ウェハの形状認識装置は、照明され
る半導体ウェハに対向して配置され、その半導体ウェハ
の像を撮影してビデオ信号を出力する撮影手段と、その
ビデオ信号を処理してその半導体ウェハの形状を認識す
るウェハ形状認識手段とを有する半導体ウェハの形状認
識装置において、半導体ウェハを挟んで撮影手段の反対
側にその半導体ウェハに対向して配置され、その半導体
ウェハを透過して照明する照明手段を備えることを特徴
とする。
体ウェハを照明手段と撮影手段の中間に配置して透過方
式で半導体ウェハを撮影して形状認識を行うので、半導
体ウェハの表面状態に関係なく、かつ粘着テープの色に
も関係なく、粘着テープ上に置かれた半導体ウェハの存
在の有無だけでそのコントラストが決まるので明瞭な形
状を撮影することができ、安定した正確な形状認識を行
うことができる。
イシング装置の実施例の構成を示す斜視図である。本図
において、参照番号11は切削刃(ブレード)であり、
12はブレード11を高速で回転させるスピンドルモー
タで図の矢印方向に移動可能である。13は溝加工が施
される半導体ウェハ100を保持するステージであり、
移動機構14により図の矢印方向に移動される。これら
の移動機構は制御部15によって制御される。半導体ウ
ェハ100は、図4に示したフレーム101に付けられ
た粘着テープ102に貼り付けられた状態でステージ1
3上に載置されて加工される。16乃至18は、自動ア
ラインメント動作用の撮影装置であり、顕微鏡レンズ1
6と、鏡筒17と、TVカメラ18とを有している。実
際には更に照明装置が設けられているが、ここでは省略
してある。顕微鏡レンズ16は直下に移動された半導体
ウェハ100、フレーム101及び粘着テープ102の
表面の像を拡大してTVカメラ18に投影し、TVカメ
ラ18はビデオ信号を出力する。19はこのビデオ信号
を処理して半導体ウェハ100上の回路パターンを識別
し、画面に対する回路パターンの傾きや位置を算出する
自動アラインメント部である。制御部15は、自動アラ
インメント部からの算出値に基づいてステージ13を回
転し、移動機構14の軸方向と半導体チップ列の方向を
合わせ、画面の中心に回路パターンの所定位置が一致す
るようにステージ13を移動する。そして、その時の移
動機構14の座標を原点として記憶し、以後の移動制御
を行う。
有する。1は形状認識のために半導体ウェハ100を撮
影する時に使用される複数本の蛍光灯8と蛍光灯8に被
せられた散乱板9からなる照明装置である。3は形状認
識のための撮影装置であり、ウェハ形状認識部6はその
ビデオ信号に基づいて画像処理を行い、半導体ウェハ1
00の形状を認識する。移動機構14から右方に離れて
プリアラインメントステージが配置される。このプリア
ラインメントステージ上に、図示しないカセットに複数
枚収納される中空のフレーム101に貼られた粘着テー
プ102に貼り付けられた半導体ウェハ100が1枚づ
つ自動的に置かれる。
ける半導体ウェハを撮影する時の断面図である。本図に
おいて、参照番号4は撮影装置3の投影用レンズであ
り、5はTVカメラである。前述のプリアラインメント
ステージ上に置かれた半導体ウェハ100は照明装置1
により投光され撮影装置3により撮影される。すなわ
ち、照射装置1の蛍光灯8から出た光は、粘着テープ1
02、半導体ウェハ100を介して撮影装置3へ投光さ
れる。このとき投光された光は粘着テープ102の上に
置かれた半導体ウェハ100の表面形状の状態に関わら
ず、半導体ウェハ100が存在しない部分は透過し、半
導体ウェハ100が存在する部分は遮られて透過しな
い。それゆえその半導体ウェハ100の形状が撮影装置
3の光電面7に結像される。このとき使用する粘着テー
プ102の色は光を透過できればいかなる色でもよい。
このように撮影された半導体ウェハ100のビデオ信号
はビデオカメラ5からウェハ形状認識部6に送られ、ウ
ェハ形状認識部6はそのビデオ信号に基づいて画像処理
を行い、半導体ウェハ100の形状を認識する。 ま
た、ここで使用する照明装置1は面発光のものがよく、
例えば図2に示すように複数本の蛍光灯8を設け散乱板
9を被せて均一な光が半導体ウェハ100に投光するよ
うにしたものが好適である。
メントステージから移動機構14のテーブル上に移動さ
れてダイシング装置にとる半導体ウェハ100の溝加工
が行われるが、このときの半導体ウェハ100の搬送も
自動で行われ、移動機構14のテーブル上に半導体ウェ
ハ100が置かれる位置も繰り返し精度がよいので、前
述のアラインメント動作を行うことにより半導体ウェハ
100の溝加工は精度に影響なく行うことができる。
ェハの形状認識装置によれば、半導体ウェハを照明手段
と撮影手段の中間に配置して透過方式で半導体ウェハを
撮影して半導体ウェハの形状認識を行うので、反射方式
と異なり半導体ウェハの表面状態に関係なく、かつ粘着
テープの色にも関係なく形状認識ができる。すなわち半
導体ウェハの形状は、粘着テープは光を透過し、粘着テ
ープ上に置かれた半導体ウェハは光を透過しないのでコ
ントラストがはっきりし明瞭な半導体ウェハの形状を撮
像することができ、それゆえ正確な安定した形状認識を
行うことができる。また、反射方式のように繊細な注意
を要し時間のかかる光学系の感度調整は一切不要であ
り、操作が簡単である。
装置の実施例の構成を示す斜視図である。
る半導体ウェハを撮影する時の断面図である。
る。
ターン認識位置を示す図である。
図である。(a)は割れ、(b)は配置ずれを示す図で
ある。
メラで撮影する場合の基本的な配置を示す図である。
像を示す図であり、(a)は通常の場合、(b)は異常
の場合を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 照明される半導体ウェハ(100)に対
向して配置され、前記半導体ウェハ(100)の像を撮
影してビデオ信号を出力する撮影手段(3)と、 前記ビデオ信号を処理して前記半導体ウェハ(100)
の形状を認識するウェハ形状認識手段(6)とを備える
半導体ウェハの形状認識装置において、 前記半導体ウェハ(100)を挟んで前記撮影手段
(3)の反対側に前記半導体ウェハ(100)に対向し
て配置され、前記半導体ウェハ(100)を透過して照
明する照明手段(1)を備えることを特徴とする半導体
ウェハの形状認識装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5205257A JP2991593B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 |
EP94304398A EP0639855A1 (en) | 1993-08-19 | 1994-06-17 | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
US09/110,440 US6014965A (en) | 1993-08-19 | 1998-07-06 | Apparatus for recognizing the shape of a semiconductor wafer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5205257A JP2991593B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0758176A true JPH0758176A (ja) | 1995-03-03 |
JP2991593B2 JP2991593B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=16503996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5205257A Expired - Lifetime JP2991593B2 (ja) | 1993-08-19 | 1993-08-19 | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6014965A (ja) |
EP (1) | EP0639855A1 (ja) |
JP (1) | JP2991593B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153338A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2010010539A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | アライメント手段を備えた加工装置 |
KR100973569B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2010-08-02 | (주)네온테크 | 백라이트 모듈을 구비한 웨이퍼 브레이킹 장치 |
JP2011142126A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割方法 |
JP2012052991A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Topcon Corp | 検査装置 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6709985B1 (en) * | 1999-08-26 | 2004-03-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Arrangement and method for providing an imaging path using a silicon-crystal damaging laser |
JP2001196328A (ja) * | 2000-01-12 | 2001-07-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | Csp基板の分割方法 |
US6705925B1 (en) * | 2000-10-20 | 2004-03-16 | Lightwave Microsystems | Apparatus and method to dice integrated circuits from a wafer using a pressurized jet |
JP2002141310A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシング装置 |
US20020114507A1 (en) * | 2001-02-21 | 2002-08-22 | Mark Lynch | Saw alignment technique for array device singulation |
KR100391264B1 (ko) * | 2001-07-31 | 2003-07-12 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 절단 장치 |
JP2003151920A (ja) * | 2001-11-09 | 2003-05-23 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削機における被加工物位置合わせ方法 |
DE10253250B4 (de) * | 2002-11-15 | 2004-09-30 | Uni-Tek System Inc. | Automatisches Präzisionsausrichtungsverfahren für eine Halbleiterwaferschneidevorrichtung |
JP4088232B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2008-05-21 | 株式会社新川 | ボンディング方法、ボンディング装置及びボンディングプログラム |
JP4128513B2 (ja) * | 2003-10-07 | 2008-07-30 | 株式会社新川 | ボンディング用パターン識別方法、ボンディング用パターン識別装置及びボンディング用パターン識別プログラム |
DE102005046479B4 (de) * | 2005-09-28 | 2008-12-18 | Infineon Technologies Austria Ag | Verfahren zum Spalten von spröden Materialien mittels Trenching Technologie |
US20100029022A1 (en) * | 2007-02-02 | 2010-02-04 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | Method for improved utilization of semiconductor material |
CH701168B1 (de) * | 2007-08-17 | 2010-12-15 | Kellenberger & Co Ag L | Verfahren und Bearbeitungsmaschine zur Behandlung von Werkstücken. |
CN102198670B (zh) * | 2010-03-22 | 2013-10-02 | 宏恒胜电子科技(淮安)有限公司 | 板材裁切系统 |
JP5774968B2 (ja) * | 2011-11-15 | 2015-09-09 | ヤマハ発動機株式会社 | 部品移載装置および部品移載装置における吸着位置調整方法 |
DE102014118833A1 (de) * | 2014-12-17 | 2016-06-23 | Mechatronic Systemtechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Vorausrichten eines flachen Substrats |
JP6935168B2 (ja) * | 2016-02-12 | 2021-09-15 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4328553A (en) * | 1976-12-07 | 1982-05-04 | Computervision Corporation | Method and apparatus for targetless wafer alignment |
US4233625A (en) * | 1978-11-03 | 1980-11-11 | Teledyne, Inc. | Television monitoring system for automatically aligning semiconductor devices during manufacture |
DE2910580C3 (de) * | 1979-03-17 | 1982-01-21 | Texas Instruments Deutschland Gmbh, 8050 Freising | Ausrichtvorrichtung |
JPS57198642A (en) * | 1981-05-30 | 1982-12-06 | Toshiba Corp | Wafer position detection device |
JPS58116748A (ja) * | 1981-12-29 | 1983-07-12 | Fujitsu Ltd | チツプ認識方式 |
JPS59157505A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-06 | Hitachi Ltd | パタ−ン検査装置 |
DE3639266A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Fsk K K | Haftfolie |
US5187007A (en) * | 1985-12-27 | 1993-02-16 | Lintec Corporation | Adhesive sheets |
JPS62209305A (ja) * | 1986-03-10 | 1987-09-14 | Fujitsu Ltd | 寸法良否判定方法 |
US4819167A (en) * | 1987-04-20 | 1989-04-04 | Applied Materials, Inc. | System and method for detecting the center of an integrated circuit wafer |
GB8800570D0 (en) * | 1988-01-12 | 1988-02-10 | Leicester Polytechnic | Measuring method |
US5113454A (en) * | 1988-08-19 | 1992-05-12 | Kajaani Electronics Ltd. | Formation testing with digital image analysis |
JPH03256341A (ja) * | 1990-03-06 | 1991-11-15 | Seiko Epson Corp | パターン比較検査装置 |
US5298989A (en) * | 1990-03-12 | 1994-03-29 | Fujitsu Limited | Method of and apparatus for multi-image inspection of bonding wire |
JP3173052B2 (ja) * | 1990-12-12 | 2001-06-04 | 株式会社ディスコ | 半導体ウェーハのダイシング方法 |
US5255199A (en) * | 1990-12-14 | 1993-10-19 | Martin Marietta Energy Systems, Inc. | Cutting tool form compensaton system and method |
JP2985323B2 (ja) * | 1991-03-04 | 1999-11-29 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
JP3087384B2 (ja) * | 1991-10-08 | 2000-09-11 | 松下電器産業株式会社 | 異物検査装置 |
-
1993
- 1993-08-19 JP JP5205257A patent/JP2991593B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-06-17 EP EP94304398A patent/EP0639855A1/en not_active Ceased
-
1998
- 1998-07-06 US US09/110,440 patent/US6014965A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008153338A (ja) * | 2006-12-15 | 2008-07-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2010010539A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | アライメント手段を備えた加工装置 |
KR100973569B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2010-08-02 | (주)네온테크 | 백라이트 모듈을 구비한 웨이퍼 브레이킹 장치 |
JP2011142126A (ja) * | 2010-01-05 | 2011-07-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 分割方法 |
JP2012052991A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Topcon Corp | 検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6014965A (en) | 2000-01-18 |
EP0639855A1 (en) | 1995-02-22 |
JP2991593B2 (ja) | 1999-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2991593B2 (ja) | ダイシング装置の半導体ウェハ形状認識装置 | |
US6222624B1 (en) | Defect inspecting apparatus and method | |
US7460219B2 (en) | Method for optically inspecting a wafer by sequentially illuminating with bright and dark field light beams wherein the images from the bright and dark field illuminated regions are spatially offset | |
KR101638883B1 (ko) | 웨이퍼 검사 시스템 및 방법 | |
KR101656045B1 (ko) | 웨이퍼 검사 시스템 및 방법 | |
KR100361962B1 (ko) | 웨이퍼 테두리 결함 검사장치 및 검사방법 | |
KR100746114B1 (ko) | 평면형 반사성 대상물 상의 결함부를 이미징하는 이미징 시스템 | |
TWI773032B (zh) | 一種拱形照明裝置、具有其之成像系統及成像方法 | |
KR20010101550A (ko) | 결함검사데이터처리시스템 | |
US6407810B1 (en) | Imaging system | |
CN106290390B (zh) | 缺陷检测装置及方法 | |
CN111654242B (zh) | 检测太阳能晶片上的豁口的方法和系统 | |
US6963394B2 (en) | Inspecting device for semiconductor wafer | |
KR101079686B1 (ko) | 영상인식장치 및 영상인식방법 | |
JPH06258056A (ja) | 半導体ウエハの形状認識装置 | |
JP2008175818A (ja) | 表面検査装置及び方法 | |
JP4327485B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
KR102364376B1 (ko) | 검사 및 리페어 기능을 갖는 레이저 마킹 시스템 | |
US6128034A (en) | High speed lead inspection system | |
KR200188365Y1 (ko) | 웨이퍼 테두리 결함 검사장치 | |
JPH11242002A (ja) | 観測装置 | |
JP2000099625A (ja) | 文字認識装置 | |
CN217086532U (zh) | 半导体晶圆位置检测装置 | |
JP7372173B2 (ja) | 基板エッジ検査装置 | |
US10684118B1 (en) | Apparatus for determining an orientation of a die |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071015 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081015 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091015 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101015 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111015 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121015 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121015 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131015 Year of fee payment: 14 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |