JPH07502147A - はんだバンプの製造方法および相互接続システム - Google Patents

はんだバンプの製造方法および相互接続システム

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ハンダバンブの形成方法およびこの方法により形成したハンダバンブ 発明の分野 本発明は超小型電子装置を製造する方法ならびにさらに特に超小型電子基板用の 電気的および機械的接続を形成する方法、またそのように形成された接続に関す る。
発明の背景 高性能超小型電子装置には他の超小型電子装置への電気的相互接続のためのハン ダボールまたはハンダバンブがしばしば用いられる。例えば、超大規模集積（Ｖ ＬＳＩ）チップをハンダボールまたはハンダバンブを用いて回路板または他の次 のレベルのパッケージング基板に電気的に接続することができる。またこの接続 技術は”制御された崩壊チップ接続−Ｃ４”または”フリップチップ”技術、と 称され”ハンダバンブとしてここに言及する。
ＩＢＭにより開示されている最初のハンダバンブ技術では、ハ　−ンダバンブは 集積回路ウェファに締めつけられたシャドウマスクの開口部を介した蒸着により 形成される。電気メツキ処理に基づくハンダバンブ技術は、特に一層大きな基板 および一層小さなバンブについて、盛んに追求された。この処理において、”バ ンブ下側金属（ｕｎｄｅｒ−ｂｕｍｐ　ｍｅｔａｌｌｕｒｇｙ）”（ＩＢＭ）を 接点パッドを有する超小型電子基板上に、蒸着またはスパッタリングにより、代 表的に堆積する。ハンダメッキ中に電流が流れるように、連続的なバンブ下側金 属を代表的にパッドとパッドとの間の基板に設ける。
接点パッド上にハンダバンブを形成するための部位を画成するために、ハンダバ ンブの部位を、バンブ下側金属上にフォトレジストの厚い層を堆積することおよ びフォトレジストをパターン化して接点パッド上にバンブ下側金属を露出するこ とにより、フォトリソグラフィでパターン化する。次にハンダパッドを、接点パ ッド上で、パターン電気メッキにより、バンブ下側金属の露出した領域に形成す る。メッキしたハンダはフォトレジストのキャビティに、接点パッドにわたって 蓄積する。次いで、メッキしたハンダパッドの間のバンブ下側金属をエツチング マスクのようなハンダを用いてエツチングし、ハンダバンブの間の電気接続を破 壊する。フォトリソグラフィによるパターン化およびバンブ下側金属エツチング 工程は、ハンダバンブと接点パッドとの間の、ハンダバンブの底部てバンブ下側 金属の幾何学的形状を画成する。ハンダバンブの製造方法は、本発明の譲り受け 人である、ディジョン（Ｄｉｓｈｏｎ）の米国特許第４．９５０゜６２３号明細 書ニジヤスキー、ジュニア（Ｊｕｓｋｅｙ、　Ｊｒ、）等の第４゜９４０、１８ １号明細書：およびシェリー（Ｓｈｅｒｒｙ）の第４．７６３．８２９号明細書 に記載されている。
残念ながら、上述の工程を用いたハンダバンブの製造ては、接点パッドで、ハン ダハンプの底部を保護するのは困難である。
底部の保護は重要である。この理由はハンダバンブの底部が接点パッドを封止す るために設計されるからである。上述の工程はしばしば底部を減少させ、この工 程は下にある接点パッドを露出させ機械的および電気的欠陥を起こす。
底部は上述の工程の少なくとも２つの工程のために減少する。
まず、しばしばパターン化した厚膜フォトレジスト層の固有の歪み、およびその 下に位置する接点パッドに関する位置決め誤差が生じる。代表的に、乾燥した厚 膜フォトレジスト（デュポンのＲ［５ＴＯＮＯフオトレジスト レジストの多数のコーティングを、十分な量のメッキハンダを蓄積するために、 用いる。ＩＯミクロン程度の厚さく例えば５０ミクロン）を用いる。厚膜フォト レジスト歪みを生じることなく、接点パッド上に正確にパターン化する必要があ る。
残念ながら、乾燥フィルムフォトレジストについて、バンブ部位の形の歪みはフ ォトレジストが平坦なバンブ下側金属に比較的わずかにしか被着しないことから 生じることがある。厚膜フォトレジストおよび被覆層による光散乱、および厚膜 フォトレジストの現像工程の不正確な性質は、さらに接点パッド上のフォトレジ ストマスクパターンの歪みの一因となる。多層液状フすトレジストに対する、長 期の焼成、および縁部ビーズ強化のためフォトレジストの硬化のような因子は、 接点パッド上のフォトレジストマスクパターンに歪みを生じることがある。従っ て、得られたハンダバンブはしばしば全接点パッドを被覆しない。
ハンダバンブ底部を減少することがある第２の主要因子はバンブ下側金属の化学 的エツチング中のアンダーカッティングである。特に、上述のように、バンブ下 側金属を、ハンダバンブの間で、その間の電気的接続を破壊するために、代表的 にエツチングする。すべての望ましくないバンブ下側金属が除去されるのを保証 するために、代表的に過剰のエツチングを行う必要かあり、この理由はエツチン グが基板表面の全域でしばしば均一に処理されないからである。しかし、この過 剰エツチングは代表的にハンダバンブと接点パッドとの間のバンブ下側金属をア ンダーカッティングし、これがハンダバンブ底部を減少させる。ハンダバンブ接 続の電気的および機械的信頼性はこれにより減少する。
発明の開示 従って本発明の目的は超小型電子装置接続のためのハンダバンブを形成する優れ た方法およびそれにより形成された優れたハンダバンブを提供することにある。
本発明の他の目的はその形成中にハンダバンブの底部を保護する方法を提供する ことである。
また本発明の他の目的は形成中のハンダバンブ底部のアンダーカッティングを減 少することにある。
さらに本発明の他の目的はハンダバンブと下に位置する接点パッドの間の位置決 め誤差を減少させることである。
これらのおよび他の目的は本発明によればハンダパッドの間のバンブ下側金属を エツチングする前にハンダパッドをリフローイングあるいは溶融することにより 、達成する。この場合バンブ下側金属をエツチングする前に、ハンダバンブの底 部て、バンブ下側金属とハンダとの金属間化合物層がハンダバンブと接点パット の間に形成される。従って、ハンダバンブと接点パッドとの間でバンブ下側金属 の層の少なくとも一部かバンブ下側金属をエツチングする前に、ハンダとバンブ 下側金属との金属間化合物に変換される。バンブ下側金属か銅の上部層を含み、 さらに鉛スズハンダを用いる場合、はとんどすべての上部銅層を銅とスズとの金 属間化合物に変換するのが好ましい。
金属間化合物層はバンブ下側金属のエツチングに用いる腐食剤に耐性を有する。
そのためバンブ下側金属を接点パッド間で除去するとともに、ハンダバンブの底 部て金属間化合物層を保護することができる。従って、ハンダバンブのアンダー カッティングを底部の寸法が保護され接点パッドが露出しないように最小にする 。ハンダバンブ接続の電気的および機械的信頼性がこれにより高まる。
また本発明によりハンダパッドとその下にある接点パッドとの間の位置決め誤差 か減少し、ハンダ蓄積層のパターン化における歪みが許容できる。特に、連続し たバンブ下側金属を接点パッドおよび接点パットの間の超小型電子基板に形成す る。次にハンダ障壁が接点パッド上のバンブ下側金属を露出するようにハンダ障 壁を接点パッドの間のバンブ下側金属に形成する。
接点バフ１〜上の露出したバンブ下側金属はハンダバンブ底部の配置を画成する 。リフローイング中、ハンダはこれらの領域に収縮したり広かったりする。
ハンダ障壁は、さらにハンダストッパーと称され、クロムの薄膜（　１，　５０ ０人程度の厚さ）のような薄膜層（１ミクロン以下の程度のうから形成するのが 好ましく、この薄膜はバンブ下側金属に良好に固着する。ハンダ障壁を下にある 接点パッドに既　−知の集積回路）オドリソグラフィを用いて正確に位置決めす る。
ハンダ障壁をリフトオフ（剥離）技術を用いてパターン化するのか好ましい。他 のフォトリソグラフィ技術を用いてハンダ障壁をパターン化することかできる。
次にハンダ蓄積領域をハンダ障壁上に形成する。厚膜（５０ミクロンの程度の） フォトレジスト領域とすることができる、これらの蓄積領域はハンダを蓄積する ためにのみ必要となるものである。これらの蓄積領域は位置決めのために用いる 必要はなく、この理由はハンダ障壁が正確に位置決めするからである。
従って、厚膜ハンダ蓄積領域の位置決め誤差および歪みは接点パッドとのハンダ バンブの底部を減少させない。次にハンダパッドを接点パッド上の、ハンダ障壁 およびハンダ蓄積領域により露出されるバンブ下側金属の領域で基板に電気メッ キする。
次いでハンダ蓄積領域を除去することができる。
次に、接点バット間のバンブ下側金属を除去する前に、ハンダをリフローイング （溶融）して接点パッドに隣接するハンダバンブの底部にハンダとバンブ下側金 属との金属間化合物層を有するハンダバンブを形成する。例えば、バンブ下側金 属の最も上の成分が銅であり通常の鉛／スズハンダを用いる場合、銅／スズの２ 種以上の金属か代表的に形成される。リフローイング中、ハンダ障壁はハンダの 横方向の広かりおよび橋絡を防止し、さらにバンブ底部の寸法を決定する。
次にハンダ障壁およびバンブ下側金属を、金属間化合物層をハンダバンブおよび バンブ下側金属よりも緩徐にエツチングする少なくとも１ｆｆｆ［の腐食剤を用 いて、エツチングしてハンダバンブを単離する。金属間化合物がハンダバンブの 底部で形成されるので、バンブは比較的腐食剤の影響を受けない。特に、水酸化 アンモニウムと少量の過酸化水素との混合物を用いて銅をエツチングし、さらに 塩酸を基とする腐食剤を用いてクロムをエツチングすることかできる。これらの 腐食剤はいずれも銅／スズの金属間化合物に対して有効でない。
本発明により形成されたハンダバンブの底部はバンブ下側金属エツチングまたは ハンダパッドの位置決め誤差／歪みにより縮小しない。底部の幾何学的形状を保 つことにより、機械的および電気的信頼性を高める。
さらに、本発明のりフローイング工程中にハンダパッドとバンブ下側金属との間 で横方向の反応があることが見出された。
従って、各ハンダバンブの底部で形成された金属間化合物層がバンブを超えて広 がりハンダバンブの底部の周りに舌片を形成する。この舌片はハンダバンブの縁 部およびハンダバンブの下の接点パッドの縁部に対して追加の保護を行う。従っ て、本発明により新規なプロファイルのハンダバンブが形成され、これにより機 械的および電気的信頼性か改良される。
図面の簡単な説明 図１〜５は本発明のハンダバンブを形成する過程を示す超小型電子基板の断面図 である。
図６は本発明の方法により形成されたハンダバンブの走査電子顕微鏡写真である 。
好適例の詳細な説明 次に本発明を添付図面を参照して以下に一層詳細に説明するか、ここには本発明 の好適例を示す。しかし、本発明は多数の異なる形態に具体化することができさ らにここに示す例に制限されると解釈してはならず；むしろ、この例はこの開示 が徹底した完全なものとなり、本発明の範囲を当業者に十分示唆できるように提 供するものである。明細書を通じて同一の符号は同様の要素を意味する。
まず図１には、多数の接点パッド１２を有する超小型電子基板１０を示す。超小 型電子基板ＩＯが集積回路チップ、回路板もしくは超小型電子パッケージ基板、 または電気的および機械的連結を必要とする任意の他の基板でよいことは当業者 なら理解することができる。接点パッド１２はここに記載する必要はないがよく 知られた方法を用いて基板ＩＯに形成する。接点パッドは代表的に集積回路チッ プ用のアルミニウムであるが、また他の金属および金属複合物を集積回路チップ および他の基板に用いることができる。
さらに図１に示すように、表面安定化誘電体１４を基板ＩＯに形成し、通常のプ ラズマまたは反応性イオンエツチングあるいは他のよく知られたパターン化法を 用いて、パターン化して接点バット１２を露出する。次に連続したバンブ下側金 属Ｉ６を接点パッド１２上の基板上の接点パッド１２の間に形成する。当業者に よく知られているように、バンブ下側金属１６には代表的に（底部の）クロム層 （約１，０００人の厚さの）隣接基板１０およびバット１２が含まれ、このバラ Ｉ−はバンブ下側金属のための被着層および拡散障壁として機能する。上部銅層 （約１ミクロンの厚さ）を代表的に設けてハンダ付は可能な金属として作用させ 、さらに調整したクロム／銅層（約１．０００人の厚さ）をクロムと銅の暖の間 に形成する。ハンプ下側金属を蒸着またはスパッタリングのような、さらにここ に説明する必要はない、通常の薄膜堆積法により形成することかできる。
次に図２に関し、ハンダ障壁またはハンクストッパ層１８を接点バット１０の間 のバンブ下側金属層１６に形成し、パッド１２上のハンプ下側金属層を露出させ る。ハンダ障壁層１８はハンダに湿潤しない薄膜か好ましい。約１．５００人の 厚さのクロムまたはチタンハンダ障壁を用いることかできる。ハンダ障壁層１８ は連続したハンダ障壁層１８を堆積することおよびリフトオフ法またはエツチン グ法を用いたパターン化により形成するのか好ましい。集積回路フォトリソグラ フィを用いることにより、厚膜フォトレジストと比へて、薄膜は位置決め誤差お よび歪みがほとんど生しないようにパターン化することができ、その理由は光散 乱か減少し、被着が良好となり現像がより正確となるからである。ハンダバンブ を固定するハンダ障壁層１８のギャップとその下の接点パッド１２との間の位置 決めはリフトオフ技術を用いてパッド１２上のハンダ障壁層を除去することによ り改善することかできる。
図３に関して、ハンダ蓄積領域２８をハンダ障壁１８上４こ形成する。これらの 領域は厚膜フォトレジストでよい。ハンダ蓄積領域がハンダ容積、を蓄積するの に用いることができ、さらに接点パッドＩ２に関連する位置決めのために用いる 必要がないので、それらの不正確な位置決めおよび歪んだ形がハンダバンブの底 部を縮小しない。
さらに図３に関して、次にハンダパッド２０を、代表的に電気メッキにより、基 板１０上に形成する。ハンダパッドの量はメッキ中にハンダ蓄積領域２８の空間 を満たす量とする。ハンダバット２０をハンダ障壁層Ｉ８のギャップ内に制限す ることができあるいは図３に示すように、ハンダ障壁上に広がらせることかでき る。次いてハンダ蓄積領域２８を除去することができる。
次に図４に関して、各ハンダバンブ２４の底部で金属間化合物層２２を形成する ために、接点パッド１２の間のバンブ下側金属層１６を除去する前にハンダバッ ト２０をリフローイングさせる。バンブ下側金属層の最上部の成分が銅（約１ミ クロンの厚さ）であり通常の鉛−スズハンダ（５重量９６のスズ）を用いる場合 、形成される金属間化合物２２はＣｕ３Ｓｎである。バンブ下側金属１６の薄層 、代表的には底部クロム層および調整したクロム−銅層（図４に示さず）は金属 間化合物ｆ１２２と接点パッド１２との間の接点パッド１２に残る場合があるこ とは当業者に理解される。
バンブ下側金属の上部層で銅を銅／スズの金属間化合物にほぼ完全に変換させる のを確実にするため、リフローイングをハンダの融点より高くして１〜２分間行 うのが好ましい。調整したクロム−綱領域の被覆されていない銅がハンダバンブ のクロム被着層からの剥離を防ぎ、これにより構造上の完全性が高められる。リ フローイング中、ハンダ障壁１８はハンダの横方向の広がりおよび橋絡を防止し これによりハンダバンブ底部の寸法を制御する。リフローイングは代表的に適用 したフラックスを用いた、空気中あるいは窒素のような不活性な環境中で、また はフラックスを用いない水素のような還元環境で行うことができる。当業者によ く知られているように、フラックス残留物は、存在する場合、ハンダ障壁１８お よびバンブ下側金属１６をエツチングする前に清潔にする必要かある。
また図４に示すように、リフローイング中にノ為ンダ２０とバンブ下側金属１６ との間に横方向の反応が起こる。従って、各バンブの下に形成される金属間化合 物層には代表的にバンブから数ミクロン広がる舌片２Ｇが含まれる。この舌片を 用いて本発明の方法により形成したハンダバンブを確認することがてきる。この 理由はバンブ下側金属を用いた横の反応が接点パッドの間のすへてのバンブ下側 金属がりフローイング前に除去される場合、発生しないからである。またこの舌 片またはラネ２６はハンダバンブの底部に追加の保護を行う。これにより優れた 性能のハンダバンブか提供される。
次に図５に関して、ノ１ンダ障壁１８および接点パッドＩ２の間のバンブ下側金 属１６を除去するとともに、リフローイングしたハンダバンブ２４の底部を保護 する。ハンダバンブ２４と接点パッド１２の間のバンブ下側金属の上部鋼層が金 属間化合物層に変換するので、ハンダ障壁および接点パッド１２の間の残留する バンブ下側金属を、金属間化合物をほとんど除去することなく、除去することが できる。金属間化合物２２をハンダ障壁１８およびバンブ下側金属１６より著し く緩徐にエツチングする腐食剤を用いる。この腐食剤は金属間化合物２２をエツ チングしないが、ハンダ障壁１８および金属間化合物２２を除去する。
例えば、クロムハンダ障壁１８のための、Ｔｒａｎｓｅｎｅ　ＣＲＢ４７３のよ うな塩酸を基とする腐食剤は有効な腐食剤であり、さらの水酸化アンモニウムと 追跡量の過酸化水素との混合物は有効な銅腐食剤である。クロムのエツチングを 開始するには基板中の金属表面に亜鉛捧を接触させる必要かある。チタンをノ１ ンダ障壁として用いる場合、水酸化アルミニウムと過酸化水素（銅腐食剤てのも のより代表的に高いペルオキシド濃度）の混合物が有効である。多数のエツチン グサイクルは段階的に調整されたクロム銅層および底部クロム層を除去するのに 必要である場合がある。これらの腐食剤はいずれも銅／スズの金属間化合物に対 して効果的でなくこれらの腐食剤はいずれもノ＼ンダを検出可能な範囲にまで冒 すことはない。銅エツチング中に、バンブの間の鋼を完全に除去するのに必要な だけ長く装置を腐食剤中に放置することができることは当業者であれば理解でき る。また他の腐食剤を用いることができ、さらに他の除去工程を用いることかで きることも当業者なら理解できる。
従って、優れたハンダバンブの製造方法を提供する。また厚膜フォトレジストの フ才ｌ・リソグラフィ処理の欠陥は配列を弱めない。さらに、バンブ下側金属エ ツチング中にハンダバンブ底部のアンダーカッティングはほとんど減少しあるい は排除される。そのためハンダバンブの底部の幾何学的形状が保護される。実際 、この方法はハンダバンブの底部で舌片を形成しさらにハンダバンブを保護し、 また電気的および機械的信頼性を高めるのか好ましい。図６は本発明の方法によ り形成されたハンダバンブの走査電子顕微鏡写真であり、ハンダバンブ２４、舌 片２６および基板ｌＯを示す。
縮小したバンブ底部アンダーカッティングを、接点パッドの間のバンブ下側金属 を除去する前にハンダをリフローイングさせることにより、位置決め誤差／歪み の減少に関係なく、本発明を用いて得ることができる。例えば、いくつかの超小 型電子基板設計において、設計されたバンブ底部は接点パッドより十分に大きい 場合があるので、接点パッドに対するハンダバンブの配列は比較的重要でない。
接点パッドに関してハンダバンブの位置決め誤差または歪みは許容される場合が ある。
ハンダバンブと接点パッドとの間の位置決め誤差または歪みを許容する簡略化し た方法を次に説明する。バンブ下側金属には上述した同一の底部クロム層、段階 的に調整されたクロム／銅層および上部鋼層が含まれる。しかし、第２クロム層 を上部鋼層に加える。ハンダ蓄積層、例えば厚膜フォトレジストを形成し上述の ようにパターン化する。上述のパターン化したハンダ障壁層は形成しない。
次に第２クロム層をハンダ蓄積層のキャピテイで除去し、さらにハンダを既に記 載したようにメッキする。ハンダ蓄積層を除去した後、ハンダをリフローイング させて金属間化合物を形成し既に記載したようにバンブ底部を保護する。接点パ ッドの間の第２クロム層はリフローイングしたハンダが橋絡するのを防ぐ。第２ クロム層は接点パッドに関して位置決め誤差が発生するが、この位置決め誤差は 基板設計を考慮すると比較的重要でない。接点パッドの間のバンブ下側金属を除 去する前にリフローイングによってバンブ下側金属をエツチングする間にさらに ハンダバンブの底部を保護する。
図面および明細書には、本発明の代表的な好適例が記載されておりさらに、専門 用語を用いるが、これらは一般的な記述的な意味で用いたに過ぎず制限するため のものではなく、本発明の範囲は次の請求項で示される。
国際調査報告 国際調査報告

Claims (27)

    【特許請求の範囲】
  1. １．基板上の多数の接点パッドにハンダバンプを形成するにあたり： 前記接点パッドおよび前記接点パッドの間の前記基板にバンプ下側金属を形成し ；次いで 前記接点パッド間の前記バンプ下側金属にハンダ障壁を形成し、前記ハンダ障壁 が前記接点パッド上の前記バンプ下側金属を露出し；次いで 前記ハンダ障壁上にハンダ蓄積領域を形成し、前記ハンダ蓄積領域が前記接続パ ッド上の前記バンプ下側金属を露出し次いで 前記ハンダ障壁と前記ハンダ蓄積領域により露出するバンプ下側金属上に、前記 接続パッド上にハンダパッドを形成し次いで； ハンダパッドをリフローイングさせて前記バンプ下側金属と前記接点パッドに隣 接する前記ハンダとの金属間化合物層を有するハンダバンプを形成し；さらに次 に前記ハンダ障壁および前記接点パッドの間の前記バンプ下側金属を、前記金属 間化合物層を前記ハンダ障壁および前記バンプ下側金属より緩徐にエッチングす る少なくとも１つの腐食剤を用いてエッチングして、これにより前記接点パッド に隣接する前記ハンダバンプのアンダーカッティングを減少させる工程を含むこ とを特徴とするハンダバンプの製造方法。
  2. ２．前記バンプ下側金属を形成する工程が前記接点パッドの間で、前記基板上に 表面安定化層を形成する工程より前にあることを特徴とする請求項１に記載の方 法。
  3. ３．前記バンプ下側金属を形成する工程が前記基板および前記接点パッドに隣接 するクロム層を有するバンプ下側金属、前記クロム層上の中間のクロム／銅の調 整した層、および前記クロム／銅層上の銅層を形成する工程を含むことを特徴と する請求項１に記載の方法。
  4. ４．前記ハンダ障壁を形成する工程が：前記基板上の、前記接点パッドの間およ び上で薄膜ハンダ障壁層を形成し；さらに 前記接点パッド上の前記薄膜ハンダ障壁層を除去する工程を含むことを特徴とす る請求項１に記載の方法。
  5. ５．前記除去工程が前記接点パッド上の前記ハンダ障壁層をリフトオフする工程 を含むことを特徴とする請求項４に記載の方法。
  6. ６．前記ハンダ堆積工程が前記接点パッド上に、前記ハンダ障壁および前記ハン ダ蓄積領域により露出されるバンプ下側金属上にハンダをメッキする工程を含む ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  7. ７．前記リフローイング工程が前記ハンダパッドを溶融する工程を含むことを特 徴とする請求項１に記載の方法。
  8. ８．さらに前記リフローイング工程がハンダパッドをリフローイングさせて前記 金属間化合物層に舌片を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の 方法。
  9. ９．前記ハンダが鉛／スズハンダを含み、前記バンプ下側金属には銅が含まれ、 さらに前記リフローイング工程がハンダパッドをリフローイングして銅およびス ズの金属間化合物層を有するハンダバンプを形成する工程を含むことを特徴とす る請求項１に記載の方法。
  10. １０．前記ハンダ蓄積領域を形成する工程が、前記ハンダパッドを形成する工程 中に前記ハンダパッド含ませるための、前記ハンダ障壁上に厚膜ハンダ蓄積領域 を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
  11. １１．基板上の多数の接点パッドにハンダバンプを形成するにあたり： 前記接点パッドおよび前記接点パッドの間の前記基板にバンプ下側金属を形成し ；次いで 前記接点パッド上のバンプ下側金属上にハンダを形成し、前記接点パッドの間の バンプ下側金属がハンダを含まず；次に 前記接点パッド上の少なくとも一部の前記バンプ下側金属を、前記ハンダをリフ ローイングさせることにより前記バンプ下側金属および前記ハンダの金属間化合 物層に変換し；さらに次いで 前記接点パッドの間のバンプ下側金属を除去するとともに前記接点パッド上の前 記金属間化合物層を保護し、これによりリフローイングさせたハンダのアンダー カッティングを減少させる工程を含むことを特徴とするハンダバンプの製造方法 。
  12. １２．前記バンプ下側金属を形成する工程が接点パッドの間で、前記基板上に表 面安定化層を形成する工程より前にあることを特徴とする請求項１１に記載の方 法。
  13. １３．前記バンプ下側金属を形成する工程が前記基板および前記接点パッド、前 記クロム層上の中間のクロム／銅の調整した層、および前記クロム／銅層上の銅 層に隣接するクロム層を有するバンプ下側金属を形成する工程を含むことを特徴 とする請求項１１に記載の方法。
  14. １４．前記ハンダを形成する工程が前記接点パッド上のバンブ下側金属にハンダ をメッキする工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  15. １５．前記ハンダを形成する工程が前記接点パッド上のバンプ下側金属にハンダ を形成するとともに、前記接点パッドの間でハンダの形成を制限する工程を含む ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
  16. １６．前記変換工程が前記ハンダを溶融させる工程を含むことを特徴とする請求 項１１に記載の方法。
  17. １７．さらに前記変換工程が前記ハンダをリフローイングさせることにより前記 金属間化合物層に舌片を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１１に記載 の方法。
  18. １８．前記ハンダが鉛／スズハンダを含み、前記バンプ下側金属には銅が含まれ 、さらに前記変換工程が前記接点パッド上の少なくとも１部の前記バンプ下側金 属を銅およびスズの金属間化合物層に変換する工程を含むことを特徴とする請求 項１１に記載の方法。
  19. １９．前記ハンダを形成する工程が： 前記接点パッドの間の前記バンプ下側金属上にハンダ蓄積領域を形成し、前記ハ ンダ蓄積領域が前記接点パッド上の前記バンプ下側金属を露出し；次に 前記接点パッド上のバンプ下側金属にハンダを形成し、前記ハンダ蓄積領域が前 記接点パッドの間のハンダの形成を制限する工程を含むことを特徴とする請求項 １５に記載の方法。
  20. ２０．さらに前記バンプ下側金属を形成する工程が前記銅層上に第２クロム層を 形成する工程を含み；さらに前記ハンダを形成する工程が： 前記接点パッドの間の前記バンプ下側金属上にハンダ蓄積領域を形成し、前記ハ ンダ蓄積領域が前記接点パッド上で前記バンプ下側金属を露出し；次いで 前記接点パッド上の前記第２クロム層を除去し；さらに次いで 前記接点パッド上で前記バンプ下側金属にハンダを形成し、前記ハンダ蓄積領域 が前記接点パッドの間のハンダの形成を制限する工程を含むことを特徴とする請 求項１３に記載の方法。
  21. ２１．超小型電子基板のための相互接続システムであって：前記基板上の多数の 接点パッド； それぞれの前記接点パッド上のハンダバンプ；および各ハンダバンプと接点パッ ドとの間の金属間化合物層、前記金属間化合物層が結合した接点パッド上で前記 ハンダバンプから外見上広がる舌片を含み、これにより接点パッドを保護するこ とを含むことを特徴とするシステム。
  22. ２２．前記ハンダバンプが鉛／スズハンダバンプであり前記金属間化合物層が銅 ／スズの金属間化合物舌片であることを特徴とする請求項２１に記載の相互接続 システム。
  23. ２３．前記舌片が外見上前記ハンダバンプから数ミクロン広がることを特徴とす る請求項２１に記載の相互接続システム。
  24. ２４．前記ハンダバンプが前記それぞれの接点パッド上の回転楕円面伏のハンダ バンプであり前記舌片が外見上結合した接点パッド上で前記ハンダバンプから広 がる円形舌片であることを特徴とする請求項２１に記載の相互接続システム。
  25. ２５．超小型電子基板のための相互接続システムであって：前記基板上の多数の 接点パッド； 前記接点パッド上に底部を有する前記それぞれの接点パッド上の回転楕円面伏の ハンダバンプ；および結合した接点パッド上で前記ハンダバンプから外見上広が る、その底部の前記回転楕円面伏のハンダバンプ上の円形舌片を含み、これによ り接点パッドを保護することを特徴とするシステム。
  26. ２６．前記回転楕円面伏のハンダバンプが回転楕円面伏の鉛／スズハンダバンプ であり前記円形舌片が銅／スズ金属間化合物円形舌片であることを特徴とする請 求項２５に記載の相互接続システム。
  27. ２７．前記円形舌片が外見上前記ハンダバンプから数ミクロン広がることを特徴 とする請求項２５に記載の相互接続システム。
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