JPH0290622A - 金バンプの形成方法 - Google Patents
金バンプの形成方法Info
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- JPH0290622A JPH0290622A JP63242997A JP24299788A JPH0290622A JP H0290622 A JPH0290622 A JP H0290622A JP 63242997 A JP63242997 A JP 63242997A JP 24299788 A JP24299788 A JP 24299788A JP H0290622 A JPH0290622 A JP H0290622A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の金バンプ形成方法に関するもので
ある。
ある。
金バンプの形成方法において、半導体ウェハ上に下地と
密着性の良い金属層、めっき性の良い金ｍｌを形成し、
これらをフォトエツチング法によりＮ電極バンド部上に
パッド状に形成した後、半導体ウェハ上に上記と同様の
めっき性の良い金属層あるいは後工程での除去の際、上
記金属層に与える影響の少ない金属層を形成し、以下バ
ンプめっき工程を行なうことにより、バンプの高密度化
に対応可能な金バンプの形成方法を達成したものである
。
密着性の良い金属層、めっき性の良い金ｍｌを形成し、
これらをフォトエツチング法によりＮ電極バンド部上に
パッド状に形成した後、半導体ウェハ上に上記と同様の
めっき性の良い金属層あるいは後工程での除去の際、上
記金属層に与える影響の少ない金属層を形成し、以下バ
ンプめっき工程を行なうことにより、バンプの高密度化
に対応可能な金バンプの形成方法を達成したものである
。
従来、金バンプの形成方法としては、第２図に示すよう
に、回路を形成しＮ電極部２以外を保護膜３で被覆した
半導体ウェハ１ （第１図囚）に下地と密着性の良い金
属Ｊｉ４．めっき性の良い金属層５を順次形成しく第２
図Ｄ）１次にＡ７電極２パッド部以外へのマスキング層
８を形成しく第２図囚）金バンプ９のめっきを行い（第
２図０）、マスキングｒｒ！ｉ８を除去した後、金バン
プ９を含む領域にバンド状にマスキングｒＦＪ１０を形
成しく第２図Ｄ）、めっき性の良い金属層５および下地
と密着性の良い金属Ｗｓ４の除去を行い（第２図ｆｆ１
）、最後にマスキング層ＩＯの除去を行い、金バンプを
形成する方法が一般的であった。
に、回路を形成しＮ電極部２以外を保護膜３で被覆した
半導体ウェハ１ （第１図囚）に下地と密着性の良い金
属Ｊｉ４．めっき性の良い金属層５を順次形成しく第２
図Ｄ）１次にＡ７電極２パッド部以外へのマスキング層
８を形成しく第２図囚）金バンプ９のめっきを行い（第
２図０）、マスキングｒｒ！ｉ８を除去した後、金バン
プ９を含む領域にバンド状にマスキングｒＦＪ１０を形
成しく第２図Ｄ）、めっき性の良い金属層５および下地
と密着性の良い金属Ｗｓ４の除去を行い（第２図ｆｆ１
）、最後にマスキング層ＩＯの除去を行い、金バンプを
形成する方法が一般的であった。
しかしながら、従来の方法においては、金バンプピッチ
が狭くなり、高密度の金バンプを形成する場合において
、金バンプを含む領域をパッド状にマスキング層を形成
する部分において、金バンプといった凸部が形成されて
いる関係で、マスキングを行なうためのフォトレジスト
の塗布が均一にいかず、金バンプ周辺部でレジストが厚
くなったりして、露光、現像後バッド状パターンが精度
良く形成できず、隣接パッド間でショートが発生したり
するなど解像上の問題があり、高密度化の障害となって
いた。
が狭くなり、高密度の金バンプを形成する場合において
、金バンプを含む領域をパッド状にマスキング層を形成
する部分において、金バンプといった凸部が形成されて
いる関係で、マスキングを行なうためのフォトレジスト
の塗布が均一にいかず、金バンプ周辺部でレジストが厚
くなったりして、露光、現像後バッド状パターンが精度
良く形成できず、隣接パッド間でショートが発生したり
するなど解像上の問題があり、高密度化の障害となって
いた。
〔課題を解決するための７手段〕
上記のような問題点を解決するため、本発明では、あら
かじめ下地と密着性の良い金属層とめっき性の良い金属
層をパッド状に形成した後、金バンプ形成が可能な方法
とした。
かじめ下地と密着性の良い金属層とめっき性の良い金属
層をパッド状に形成した後、金バンプ形成が可能な方法
とした。
即ち、回路を形成しＡ！電極パッド部以外を保護膜で被
覆した半導体ウェハに下地と密着性の良い金属層、めっ
き性の良い金属層を順次形成し、フォトレジスト等を使
用したマスキングを行い、Ｍ電極パッド部に上記金属層
をパッド状に形成し、その後半導体ウェハ全面に上記と
同様のめっき性の良い金属層あるいは後工程での除去の
際、上記各金属層に与える影響の少ないめっき性の良い
金属層を形成し、Ａ７電極パッド部以外へのマスキング
層形成、金バンプめっき、マスキング剤除去、上記金属
層除去を行なうものである。
覆した半導体ウェハに下地と密着性の良い金属層、めっ
き性の良い金属層を順次形成し、フォトレジスト等を使
用したマスキングを行い、Ｍ電極パッド部に上記金属層
をパッド状に形成し、その後半導体ウェハ全面に上記と
同様のめっき性の良い金属層あるいは後工程での除去の
際、上記各金属層に与える影響の少ないめっき性の良い
金属層を形成し、Ａ７電極パッド部以外へのマスキング
層形成、金バンプめっき、マスキング剤除去、上記金属
層除去を行なうものである。
このような金バンプ形成方法とすることにより、バンプ
ピッチを狭くしようとする場合、形成される金バンプの
大きさがバンプピッチの制限要素となり、従来に比ベパ
ンプピッチを狭くすることができるものである。
ピッチを狭くしようとする場合、形成される金バンプの
大きさがバンプピッチの制限要素となり、従来に比ベパ
ンプピッチを狭くすることができるものである。
以下、実施例により本発明の詳細な説明する。
第１図囚に示すような回路を形成し、Ａ！電極部２以外
を保護膜３で被覆した半導体ウェハｌに下地と密着性の
良い金属層４．めっき性の良い金属層５を形成する。こ
こにおいて、これら層は蒸着あるいはスパッタにより形
成し、下地と密着性の良い金［１４としてはクロム、ニ
クロムが使用され、めっき性の良い金属層５としては、
形成する金バンプとの電気化学的な反応による腐食等を
避けるため、金が一般的に使用される０次にフォトレジ
スト等を使用して、Ｍ電極部２にパッド状にマスキング
ＪＩ６を形成する。（第１図（Ｉ３）ここにおいて、マ
スキング部の大きさとしては、保護膜３の開口部より大
きく、形成する金バンプの大きさより小さいことが、機
能上、バンプ高密度化の上で好ましい。ただし、バンプ
ピッチ上問題なければ形成する金バンプの大きさより大
きくしても機能上は問題ない。
を保護膜３で被覆した半導体ウェハｌに下地と密着性の
良い金属層４．めっき性の良い金属層５を形成する。こ
こにおいて、これら層は蒸着あるいはスパッタにより形
成し、下地と密着性の良い金［１４としてはクロム、ニ
クロムが使用され、めっき性の良い金属層５としては、
形成する金バンプとの電気化学的な反応による腐食等を
避けるため、金が一般的に使用される０次にフォトレジ
スト等を使用して、Ｍ電極部２にパッド状にマスキング
ＪＩ６を形成する。（第１図（Ｉ３）ここにおいて、マ
スキング部の大きさとしては、保護膜３の開口部より大
きく、形成する金バンプの大きさより小さいことが、機
能上、バンプ高密度化の上で好ましい。ただし、バンプ
ピッチ上問題なければ形成する金バンプの大きさより大
きくしても機能上は問題ない。
次に下地と密着性の良い金ｒ；１４層４．めっき性の良
い金属Ｎ５を一般的に使用されるエノチンダ液（例えば
クロム、ニクロムの場合セリウムアンモン系エツチング
液、金の場合ヨウ素−よう化カリ系エツチング液があげ
られる。）により不要部を除去し、次にマスキング層６
をはくり液により除去する。この半導体ウェハｌ上に上
記と同様のめっき性の良い金属層あるいは後工程での除
去の際、上記各金属層に影響を与える影響の少ないめっ
き性の良い金属層７を蒸着、スパッタなどにより形成す
る（第１図０）。
い金属Ｎ５を一般的に使用されるエノチンダ液（例えば
クロム、ニクロムの場合セリウムアンモン系エツチング
液、金の場合ヨウ素−よう化カリ系エツチング液があげ
られる。）により不要部を除去し、次にマスキング層６
をはくり液により除去する。この半導体ウェハｌ上に上
記と同様のめっき性の良い金属層あるいは後工程での除
去の際、上記各金属層に影響を与える影響の少ないめっ
き性の良い金属層７を蒸着、スパッタなどにより形成す
る（第１図０）。
ここにおいてこのような金属層としては、金の他に、後
工程で上記金属層に影響を与えない金属として銅、ニッ
ケルなどがあげられる。
工程で上記金属層に影響を与えない金属として銅、ニッ
ケルなどがあげられる。
次にフォトレジストなどを使用して、金めつき液に対し
耐性のあるマスキング層８を金バンプ形成部であるＭ電
極部２を除いて形成する。このときのマスキング層８の
開口部の大きさは、保護膜３の開口部より大きいことが
機能上好ましい。
耐性のあるマスキング層８を金バンプ形成部であるＭ電
極部２を除いて形成する。このときのマスキング層８の
開口部の大きさは、保護膜３の開口部より大きいことが
機能上好ましい。
このような半導体ウェハｌを金バンプめっき装置を使用
し、マスキングｒｒ３８開口部に金バンプ９のめっきを
行なう（第１図０）。このとき金属層７として、銅、ニ
ッケルなどの後工程の除去の際上記各金属層に影響の少
ない金属を使用した場合においては金との電気化学的な
反応による腐食等を避けるため、あらかじめ、エツチン
グ？ｆｌにて、開口部の層を除去した後、金バンプめっ
きを行なうことが好ましい。
し、マスキングｒｒ３８開口部に金バンプ９のめっきを
行なう（第１図０）。このとき金属層７として、銅、ニ
ッケルなどの後工程の除去の際上記各金属層に影響の少
ない金属を使用した場合においては金との電気化学的な
反応による腐食等を避けるため、あらかじめ、エツチン
グ？ｆｌにて、開口部の層を除去した後、金バンプめっ
きを行なうことが好ましい。
なお、この金バンプめっきにおいては、めっき液として
シアン系、非シアン系の金めつき液が使用され、ＴＡＢ
実装用の金バンプとしては、１０〜３０ミクロンの厚さ
である。ただ厚さとして、実装上問題なければ、これに
限らず種々の厚さに本発明の方法は応用できる。
シアン系、非シアン系の金めつき液が使用され、ＴＡＢ
実装用の金バンプとしては、１０〜３０ミクロンの厚さ
である。ただ厚さとして、実装上問題なければ、これに
限らず種々の厚さに本発明の方法は応用できる。
最後にマスキング層８をばくり液にて除去し、続いて金
属層７もエツチング除去して金バンプ形成を完成した（
第１図■）。
属層７もエツチング除去して金バンプ形成を完成した（
第１図■）。
このような金バンプにおいては、従来と変わらず品質的
、実装上も問題ないものであっり。
、実装上も問題ないものであっり。
以上述べてきたように本発明によれば、あらかじめ下地
を密着性の良い金属層とめっき性の良い金属層をバンド
状に形成した後、金ハンプめっきを行なうため、従来の
ような金バンプ形成後の上記二種の金属層のエツチング
除去によるバンプピッチ縮小という点での制約がなくな
り、単に金バンプの大きさという面からの制約のみとな
り、飛躍的なバンプピッチの縮小、バンプの高密度化が
可能となる。
を密着性の良い金属層とめっき性の良い金属層をバンド
状に形成した後、金ハンプめっきを行なうため、従来の
ような金バンプ形成後の上記二種の金属層のエツチング
除去によるバンプピッチ縮小という点での制約がなくな
り、単に金バンプの大きさという面からの制約のみとな
り、飛躍的なバンプピッチの縮小、バンプの高密度化が
可能となる。
また、形成方法としても、従来設備、材料がそのまま使
用でき、大きな投資等がなく、変更が可能である。
用でき、大きな投資等がなく、変更が可能である。
第１図囚〜Ｄは本発明による金バンプ形成方法の一例を
示す工程断面図、第２図囚〜［Ｆ］は従来の金バンプ形
成方法を示す工程断面図である。 以上 の−伊１と示す工Ｒ肘面図 第 ） 図 従来の金バ〉ブ形へ方達友示す工程「面マ男２図
示す工程断面図、第２図囚〜［Ｆ］は従来の金バンプ形
成方法を示す工程断面図である。 以上 の−伊１と示す工Ｒ肘面図 第 ） 図 従来の金バ〉ブ形へ方達友示す工程「面マ男２図
Claims (1)
- 半導体装置の金バンプ形成方法において、回路を形成し
、かつＡｌ電極パッド部以外を保護膜で被覆した半導体
ウェハに、下地と密着性の良い金属層、めっき性の良い
金属層を順次形成し、次にフォトレジスト等を使用して
、Ｍ電極パッド部のみマスキングを行い、上記二種の金
属層をエッチングし、マスキング層除去を行い、上記二
種の金属層をパッド状に形成した後、半導体ウェハ全面
に上記と同様めっき性の良い金属層あるいは後工程での
除去の際、上記金属層に与える影響の少ないめっき性の
良い金属層を形成し、Ｍ電極パッド部以外へのマスキン
グ層形成、金バンプめっき、マスキング層除去、上記金
属層除去を行なうことを特徴とする金バンプの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242997A JPH0290622A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 金バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63242997A JPH0290622A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 金バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0290622A true JPH0290622A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17097355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63242997A Pending JPH0290622A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 金バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0290622A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5339670A (en) * | 1993-05-24 | 1994-08-23 | Anthony Granelli | Apparatus and method for bending tubing |
| US5426965A (en) * | 1993-05-25 | 1995-06-27 | Eaton Leonard, Inc. | Carriage boost drive |
| US5481891A (en) * | 1993-12-20 | 1996-01-09 | Eagle Precision Technologies Inc. | Tube bending apparatus and method |
| WO2009113486A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | プローブカード |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469382A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5932154A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | はんだバンプの形成方法 |
| JPS63128648A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-06-01 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP63242997A patent/JPH0290622A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5469382A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
| JPS5932154A (ja) * | 1982-08-18 | 1984-02-21 | Seiko Instr & Electronics Ltd | はんだバンプの形成方法 |
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| US5426965A (en) * | 1993-05-25 | 1995-06-27 | Eaton Leonard, Inc. | Carriage boost drive |
| US5481891A (en) * | 1993-12-20 | 1996-01-09 | Eagle Precision Technologies Inc. | Tube bending apparatus and method |
| WO2009113486A1 (ja) | 2008-03-14 | 2009-09-17 | 富士フイルム株式会社 | プローブカード |
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