JPH07500950A - 可視光表面照射半導体レーザ - Google Patents

可視光表面照射半導体レーザ

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JPH07500950A JP5508726A JP50872692A JPH07500950A JP H07500950 A JPH07500950 A JP H07500950A JP 5508726 A JP5508726 A JP 5508726A JP 50872692 A JP50872692 A JP 50872692A JP H07500950 A JPH07500950 A JP H07500950A
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ブライアン，ロバート，ピー．
オルブライト，グレゴリー，アール．
ロット，ジェイムズ，エイ．
シュナイダー，リチャード，ピー．
ジュウェル，ジャック，エル．
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フォトニクス　リサーチ　インコーポレーテッド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 可視光表面照射半導体レーザ 技術分野 本発明は、半導体レーザに関するもので、特に、可視スペクトル（すなわち、４ ００から７００ナノメータの範囲）の電磁放射線を照射する垂直に配列したヘテ ロ構造レーザに関するものである。
背景技術 従来のエツジ照射レーザダイオードは周知である。
これらのダイオードにおいて、レーザ放射線は該ダイオードを形成するｐ−ｎ接 合平面に連続した平面内に照射される。これらのダイオードの異なったタイプは 、赤外および可視領域のレーザ放射線を提供するために広く用いられている。一 方、これらのダイオードは商業的にかなりな成功を収めており、それらは比較的 大きく、結果的に、他のデバイスと集積することが難しい。
最近、垂直キャビティ表面照射レーザとして新しいクラスの半導体レーザが開発 されている。エツジ照射レーザと異なり、これらの垂直キャビティレーザしよレ ーザ放射線を該レーザダイオード中に形成されているｐ−ｎ接合面に直交する方 向に照射する。このようなレーザダイオードの構造および形成に関するかなりの 情報は、例えば、米国特許第４，９４９．３５０号や、Ｊ、　Ｊｅｗｅｌｌらに よる゛°マクロレーザＳｃｉｅｎｔｉｆｉｃＡｍｅｒｉｃａｎ、　２６５巻、Ｎ ｏ、　５、第８６〜９４頁（１９９１年１１月）や、Ｊ、　Ｊｅｗｅｌｌらによ る゛垂直キャビティ表面照射レーザ：設計、成長製造法、特性”ＩＥＥＥ　Ｊｏ ｕｒｎａｌ　ｏｆＱｕａｎｔｕｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ　、　２７巻、Ｎｏ 、６、第１３３２　Ｎ１３４６頁（１９９１年６月）や、Ｇ、Ｒ，Ｏｌｂｒｉｇ ｈｔらによる°゛カスケイダブルレーザ　ロジック　デバイス二表面照射レーザ ダイオードを有する光トランジスタの不連続集積法”　ＥｌｅＣｔ、ｒｏｎｉｃ ｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ　、　２７巻、Ｎ０９３、第２１６〜２１７頁（１９９１年 ）や、そしてＪ、　Ｊｅｗｅｌｌらによる“°光相互通信用垂直キャビティレー ザ”５ＰＩＥ　１３１１１９巻Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎ ｃｅ　ｏｎ　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ　ａｎ ｄ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　第４０１　Ｎ４０７頁（１９９０年）に示されており 、これらはすべては、ここに参照することにより本明細書の一部分を構成するも のとする。
上記参照刊行物のいくつかに説明されているように、垂直キャビティレーザはエ ツジ照射レーザより多くの利点を持っており、そのうちの最も重要なものは、素 子を大変小さなサイズ（例えば、直径１マイクロメータ）に製造でき、トランジ スタのような他のデバイスと容易に集積することができることである。
しかしながら、今までのところ、垂直キャビティレーザの応用は、可視レーザ放 射線を照射する垂直キャビティレーザが全（ないために、限られたものとなって いた。
発明の開示 我々は、可視領域でレーザ放射線を照射する垂直キャビティレーザを発明した。
これらのデバイスにおいて、レーザ放射線は光ポンプまたは電気注入によって励 起することができる。
本発明の好適な実施例において、垂直キャビティ表面照射レーザは、二つの分散 ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ　Ｂｒａｇｇ　ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ　 ）間に挟まれたレーザキャビティから構成されている。このレーザキャビティは 、このデバイスの活性光学照射材料として働く、可視にバンドギャップを有する 活性光照射量子井戸の一つあるいはそれ以上を囲む一対のスペーサ層から構成さ れている。該レーザキャビティの厚さは、ｍを整数、えをレーザ照射線の波長、 ｎ＠ｔｔをキャビティの実効屈折率とすると、ｍλ／２ｎｅｆｒである。該レー ザの電気ボンピングは、底部ミラーと基板に一方の導電型を多量にドープすると ともに上部ミラー領域に逆の導電型を多量にドープしてダイオード構造を形成す るとともに、該ダイオード構造に適当な電圧を印加することによって、実行され る。赤、緑および青の放射線を発生するための本発明の特別な実施例も説明する 。
図面の簡単な説明 本発明のこれらのおよび他の目的、特徴および利点は、以下に示す本発明の詳細 な説明によって、より詳しく説明するが、そこにおいて、 第１図は、本発明の表面照射レーザの好適な−・実施例の一部分の断面図であり ； 第２図〜第７図は、第１図の表面照射レーザの他の部分の断面図であり：そして 第８図は、第１図の表面照射レーザの一部分の頂面図である。
発明を実施するための最良の形態 第１図に示すように、本発明の表面照射レーザ（ま、第１のミラ一層１０、第１ のスペーサ層２０、量子井戸層３０、第２のスペーサ層４０および第２のミラ一 層５０とカ）ら構成される。当業者に周知の、そして、例え（ｆ、」二記参照の 米国特許第４．９４９，３５０号に記載の技術に従って、層１０．２０．３０、 および４０と、層５０の一部（よ、基（及６０上にエピタキシャルに形成される 。層５０の残りの部分は、絶縁（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）堆積によって形成され る。その結果、層１．０，２０，３０，４０　、および５０は、基板６０と同寸 法の直径を持つことになる。前記複数層のエピタキシャル形成の後、井戸層３０ 、スペーサ層４０、そしてミラ一層５０が光りソグラフイとエツチングにより成 形されて、多数のカラム（柱体）７０が形成される。第２のミラ一層５０および 基板６０への電気的接続は、５６および６６とにおいて、なされる。
第８図の頂面図に示されているように、電気接点５６は、好ましくはカラム７０ の一部分上に配置されてしするポンディングパッドである。この場合、各カラム ７０は、側部が約２０ミクロンメータの第１の部分７１（第１図にも示されてい る）と、前記ポンプイングツ（・ノド下に位置し、側部が約１００ミクロンメー タの第２の部分７２を有している。そして、基板は、エピタキシャル処理を通し て、直径３ないし４インチ（７，５なｌ／Ｘ６１０ｃｍ）であり、数個の単位に 賽の回春こ切断されてイ吏用Ｉこ供される。
赤色光を発生させるのに用いられる本発明の女子適な実施例でば、基板６０はｎ １ドープＧａＡｓであり、各層ｔｏ、２０，３０，４０　、および５０はそれぞ れ多数の層力）ら＋Ｘ成されており、それらの組成は第２図〜第７図に示すとと もに、以下にさらに詳しく説明する。
第２図に示すように、ミラ一層ＩＯは、交互に置力）れたｎ４ド一プＡｌＡｓ層 １１およびＡｌＧａＡｓ層１２から構成される。各層は、該し・−ザにより照射 される放射線の該層における波長の四分の−の厚さである。当業者によって理解 されるであろうように、ミラ一層ｌＯの構造は、分散ブラッグ反射器の構造であ り、そこでは、ＡｌＡｓは低屈折率を有する層であり、Ａ１ＧａＡｓは高屈折率 を有する層である。また、同様に周知のように、ＡｌＡｓの屈折率は波長に依存 して約３．０あり、ＡｌＧａＡｓの屈折率は波長およびＡＩとＧａの相対濃度と に依存して約３．０から３．６の範囲である。
第３図に示すように、該レーザキャビティは、スペーサ層２０、量子井戸層３０ 、およびスペーサ層４０から構成される。該レーザキャビティの長さくずなわぢ 、ｌＷ２Ｏ，３０、および４０の厚さ）は、えを照射されたＬ／　−ザ放射線の 自由空間波長、ｍを整数、そしてｎ。２、をキャビティの実効屈折率とすると、 ｍん／２ｎ＠ｔｔである。都合良く、活性量子井戸３４が注入陽子の環状領域３ ３によって成形されており、前記環状領域３３は前記活性量子井戸層を囲んでお り、それによって電流を活性量子井戸へ限定的に流す。このような電流の狭隘通 過をなすためのイオン注入の利用の詳細は、Ｙ、　Ｈ，Ｌｅｅらによる°’Ｔｏ ｐ−Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ＧａＡｓ　Ｆｏｕｒ−Ｑｕａｎｔｕｍ −Ｗｅｌｌ　Ｌａ５ｅｒｓ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ａｔ　０．８５　ｇｍ　”　Ｅ ｌｅｃｔｒｏｎｌｅｔｔ、第２６巻　第１３０８〜１３＋、０頁（１，９９０年 ）と、ｔｌ、　−Ｊ、　Ｙｏｏらによる’Ｌｏｗ　５ｅｒｉｅｓ　Ｒｅ５ｉｓｔ 、ａｎｃｅＶｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ　Ｆｒｏｎｔ−３ｕｒｆａｃｅ−Ｅ ｍｉｔｔｉｎｇ　Ｌａ５ｅｒＤｉｏｄｅ　”　Ａｐｐｌ、　Ｐｈｙｓ、　Ｌｅｔ ｔ、第５６巻　Ｎｏ、２０　第１９４２〜１９４５貫（１９９０年５月１４日） とに説明されており、これらはここに参照することにより、本明細書の一部分を 構成するものとするつ 第４図に示すように、スペーサ層２０は、Ｇａ量が量子井戸層に向かって徐々に 増加する多数のＡＩＧａＩｎＰ層から構成される。当業者には周知のようば、こ れらの層は、ＧａＡｓに格子整合している。同様に周知のように、これらの層の 屈折率はＧａ量の増加に伴って増加し、そのバンドギャップは減、少する。第６ 図に示すように、スペーサ層４０は、（ｉａ量がミラ一層５０に向かって徐々に 減少する類似の構造である。
第５図に示すように、量子井戸層３０は、２つの約９０オングストローム厚のＡ ＩＧａＩｎＰ　Ｎ３２によって分離された３つの約５０オ：ノブストローム厚の ＧａｌｎＰ層３１から構成されている。陽子の周辺領域３３は、これらの層内に 注入によって形成されている。この領域は、１１３１の陽子が注入されていない 部分３４に活性量子井戸を限定している。また、周辺領域３３は、電流を該レー ザダイオードを介して層３１および３２の陽子が注入されていない部分へだけ流 し、それにより、量子井戸を通る電流密度を増加させる。
第７図に示すように、第２のミラ一層５０は、多数の交互に配列したｐ゛ドープ ＡｌＡｓ層５１とＡｌＧａＡｓ層５２と、周辺の電気接続Ａｕ層５３、および多 数の交互に配列したＴｉｎ、層５４とＳｉＯ□層５５とから構成されている。前 と同様に、層５１および５２と層５４および５５のそれぞれは、四分の一波長厚 であり、これらの層は分散ブラッグ反射器を構成している。しかし、この反射器 は、最上層からレーザ放射線の照射を与えるように部分的な伝達を行う。都合良 く、接続層５３における中心孔は、該照射レーザ放射線の伝搬モードをＴＥＭ０ ０モードに制限するように寸法化されている。
好ましくは、第８図の頂面図に示すように、接続層５３の電気的接続は、ポンデ ィングパッド５６を用いる従来法により形成されるものであり、このポンディン グパッド５６は、第２図〜第７図に示した層の部分７１に極く隣接したエピタキ シャル層の部分７２上の層５３と同時に形成される。
必要であれば、第２のミラ一層５０の構造は、層１０の構造と同じでも良い。し かしながら、ＡｌＡｓ層およびＡｌＧａＡｓ層は、比較的高い抵抗を持っており 、それにより第２のミラ一層の不所望な加熱をもたらす。したがって、我々は、 電気接続層５３と基板６０との間のダイオード領域内に少数のミラ一層５１．５ ２のみを含むことによって、第２のミラ一層の抵抗を低減すると良いことを知り 得た。第２のミラ一層の残りの層は、接続層５３の頂面上に交互にＳｉＯ□層と Ｔｉｏｚ層を絶縁堆積することによって、形成される。
個々のレーザは、該デバイスを光リングラフィで成形し、該デバイスを公知のガ ス状エッチャントもしくは化学エッチャントを用いてエツチングすることによっ て、形成される。
材料と層の寸法を適正に選択することにより、第１図〜第８図のレーザは、スペ クトルの可視領域の異なった部分のレーザ放射線を発生するために用いることが できる。第１図〜第８図に関連して説明された特別な実施例は、赤色領域の放射 線を発生するために用いることができる。
スペクトルの黄色から緑色部分に放射線を発生させるためには、活性量子井戸層 を好ましくはＡｌＧａＰから構成するとともに、バリア層もＡｌＧａＰから構成 し、これらにおいてＡｌおよびＧａ組成を量子井戸層とバリアとに応じて異なら せることが必要である。第２のミラ一層は、ＡｌＧａＰ層とＡＬＰ層を交互に配 置して構成する必要がある。
スペクトルの青色部分に放射線を発生させるためには、活性量子井戸層を好まし くはＡＩＧａＮから構成するとともに、バリア層もＡＩＧａＮから構成し、これ らにおいてＡＩおよびＧａ組成を量子井戸層とバリアとに応じて異ならせること が必要である。第２のミラ一層は、ＡＩＧａＮ層とＡＩＮ層を交互に配置して構 成する必要がある。
当業者には、前述の説明から本発明の数多くの態様が明らかであろう。例えば、 ＺｎＣｄＳｅなどのＩＩＩ−ＶおよびＩＮ−ＶＩ半導体から選択された他の材料 を前記量子井戸層、スペーサ層およびミラ一層のために特定された材料の替わり に用いることができる。
産業上の利用可能性 以上説明したように、本発明の半導体レーザば、可視レーザ故躬線を照射するこ とができ、しかも大変小さなサイズ（例えば、直径１マイクロメータ）に製造で き、トランジスタのような他のデバイスと容易に集積することができる。
ＦＩＧ、　２ ＦＩＧ、　３ ＦＩＧ、　４ ＦＩＧ、　６ フロントページの続き （８１）指定国　ＥＰ（ＡＴ、ＢＥ、ＣＨ，ＤＥ。
ＤＫ、ＥＳ、ＦＲ，ＧＢ、ＧＲ，ＩＥ、ＩＴ、ＬＵ、ＭＣ，ＮＬ、ＳＥ）、０Ａ （ＢＦ、ＢＪ、ＣＦ、ＣＧ、ＣＩ、　ＣＭ、　ＧＡ、　ＧＮ、　ＭＬ、　ＭＲ， ＳＮ、　ＴＤ、　ＴＧ）、　ＡＵ、　ＢＢ、　ＢＧ、　ＢＲ，ＣＡ、　Ｃ３，Ｆ Ｉ、　ＨＵ。
、Ｉ　Ｐ、　ＫＲ，ｉ、に、　ＭＧ、　ＭＮ、　ＭＷ、　Ｎｏ、　ＰＬ、　ＲＯ ，ＲＵ、ＳＤ、ＵＡ （７２）発明者　ロット、ジェイムズ９エイ。
アメリカ合衆国　８７１１１　ニューメキシコ州　アルブケルケ　ノース　イー スト　スペイン　９９００　アパート、イー−２０２６（７２）発明者　シュナ イダー、リチャード、ビー。
アメリカ合衆国　８７１１２　ニューメキシコ州　アルブケルケ　ノース　イー スト　モント　ランゴ　１４４１ （７２）発明者　シュウエル、ジャック、エル。
アメリカ合衆国　８０３０４　コロラド州　ボウルダー　アルパイン　１８９５ 　ユニットシー１３

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. １．４００から７００ナノメータの範囲の波長λを有する放射線を照射する垂直 キャビティ表面照射レーザであって、 基板と、 前記基板上に形成された多数の層からなり、これら各層が該層の屈折率をｎとす るとλ／４ｎの厚みを持つ、第１のミラーと、 前記第１のミラー上に形成されている第１のスペーサと、 前記第１のスペーサ上に形成され、少なくとも一つの量子井戸層を有する活性層 と、 前記活性層上に形成されている第２のスペーサと、そして 前記第２のスペーサ上に形成されている多数の層から構成され、これらの層のそ れぞれがλ／４ｎの厚さを有する、第２のミラーと、 を有し、 前記第１および第２のミラーの間に血λ／２ｎｅｆｆ表される長さを有するレー ザキャビティが形成されており（ここで、ｍは整数で、ｎｎｆｆは該レーザキャ ビティの実効屈折率）、そして 前記第２のスペーサと前記第２のミラーが波長λ／ｎの放射線を伝達できる材料 から構成されていることを特徴とする垂直キャビティ表面照射レーザ。
  2. ２．少なくとも前記第１のミラーと前記第２のミラーとが反対の導電型のドーパ ントによりドープされてダイオード構造を形成し、該レーザがさらに前記ダイオ ード構造にバイアス電圧を印加するための第１および第２の電極を有することを 特徴とする請求の範囲第１項に記載のレーザ。
  3. ３．前記量子井戸層がＧａＩｎＰであり、前記第２のミラーがＡｌＡｓ層とＡｌ ＧａＡｓ層とが交互に積層された層からなり、該レーザがスペクトルの赤色領域 の放射線を照射するものであることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のレー ザ。
  4. ４．前記量子井戸層がＡｌＧａＮまたはＧａＮであり、前記第２のミラーがＡｌ ＧａＮ層とＡｌＮ層とが交互に積層された層からなり、該レーザがスペクトルの 青色領域の放射線を照射するものであることを特徴とする請求の範囲第１項に記 載のレーザ。
  5. ５．前記量子井戸層がＡｌＧａＰまたはＧａＰであり、前記第２のミラーがＡｌ ＧａＰ層とＡｌＰ層とが交互に積層された層からなり、該レーザがスペクトルの 黄色から緑色領域の放射線を照射するものであることを特徴とする請求の範囲第 １項に記載のレーザ。
  6. ６．該レーザは、該レーザによって照射される放射線より短い波長を有する放射 線によって、光ポンプされることを特徴とする請求の範囲第１項に記載のレーザ 。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999008351A1 (fr) * 1997-08-11 1999-02-18 Seiko Epson Corporation Laser a semi-conducteur a emission par la surface et son procede de fabrication
JP2004039717A (ja) * 2002-07-01 2004-02-05 Ricoh Co Ltd 半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム
JP2008235574A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光半導体レーザ

Families Citing this family (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245622A (en) * 1992-05-07 1993-09-14 Bandgap Technology Corporation Vertical-cavity surface-emitting lasers with intra-cavity structures
US5351256A (en) * 1993-04-28 1994-09-27 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Electrically injected visible vertical cavity surface emitting laser diodes
JPH06314854A (ja) * 1993-04-30 1994-11-08 Fujitsu Ltd 面型発光素子とその製造方法
US5513202A (en) * 1994-02-25 1996-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser
US5557626A (en) * 1994-06-15 1996-09-17 Motorola Patterned mirror VCSEL with adjustable selective etch region
US5729563A (en) * 1994-07-07 1998-03-17 Hewlett-Packard Company Method and apparatus for optically and thermally isolating surface emitting laser diodes
JPH0897500A (ja) * 1994-09-28 1996-04-12 Sony Corp 発光素子およびそれを用いたレーザｃｒｔ
US5804834A (en) * 1994-10-28 1998-09-08 Mitsubishi Chemical Corporation Semiconductor device having contact resistance reducing layer
GB2295270A (en) * 1994-11-14 1996-05-22 Sharp Kk Surface-emitting laser with profiled active region
US5777350A (en) 1994-12-02 1998-07-07 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor light-emitting device
US6900465B2 (en) * 1994-12-02 2005-05-31 Nichia Corporation Nitride semiconductor light-emitting device
US5493577A (en) * 1994-12-21 1996-02-20 Sandia Corporation Efficient semiconductor light-emitting device and method
DE69637304T2 (de) * 1995-03-17 2008-08-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Halbleitervorrichtung bestehend aus einer III-V Nitridverbindung
US5513203A (en) * 1995-04-05 1996-04-30 At&T Corp. Surface emitting laser having improved pumping efficiency
US5557627A (en) * 1995-05-19 1996-09-17 Sandia Corporation Visible-wavelength semiconductor lasers and arrays
US5978401A (en) * 1995-10-25 1999-11-02 Honeywell Inc. Monolithic vertical cavity surface emitting laser and resonant cavity photodetector transceiver
US5959307A (en) * 1995-11-06 1999-09-28 Nichia Chemical Industries Ltd. Nitride semiconductor device
US5719891A (en) * 1995-12-18 1998-02-17 Picolight Incorporated Conductive element with lateral oxidation barrier
US7330494B1 (en) * 1995-12-18 2008-02-12 Jds Uniphase Corporation Conductive element with lateral oxidation barrier
US5748665A (en) * 1996-01-16 1998-05-05 Motorola, Inc. Visible VCSEL with hybrid mirrors
US5940422A (en) * 1996-06-28 1999-08-17 Honeywell Inc. Laser with an improved mode control
US5745515A (en) * 1996-07-18 1998-04-28 Honeywell Inc. Self-limiting intrinsically eye-safe laser utilizing an increasing absorption layer
US5812581A (en) * 1996-07-26 1998-09-22 Honeywell Inc. Lens for a semiconductive device with a laser and a photodetector in a common container
US5799030A (en) * 1996-07-26 1998-08-25 Honeywell Inc. Semiconductor device with a laser and a photodetector in a common container
US5774487A (en) * 1996-10-16 1998-06-30 Honeywell Inc. Filamented multi-wavelength vertical-cavity surface emitting laser
US6304588B1 (en) * 1997-02-07 2001-10-16 Xerox Corporation Method and structure for eliminating polarization instability in laterally-oxidized VCSELs
US5903588A (en) * 1997-03-06 1999-05-11 Honeywell Inc. Laser with a selectively changed current confining layer
US5943359A (en) * 1997-04-23 1999-08-24 Motorola, Inc. Long wavelength VCSEL
JPH11154774A (ja) * 1997-08-05 1999-06-08 Canon Inc 面発光半導体デバイスの製造方法、この方法によって製造された面発光半導体デバイス及びこのデバイスを用いた表示装置
US6051848A (en) * 1998-03-02 2000-04-18 Motorola, Inc. Optical device packages containing an optical transmitter die
US6160833A (en) * 1998-05-06 2000-12-12 Xerox Corporation Blue vertical cavity surface emitting laser
US6160834A (en) * 1998-11-14 2000-12-12 Cielo Communications, Inc. Vertical cavity surface emitting lasers with consistent slope efficiencies
US6577658B1 (en) 1999-09-20 2003-06-10 E20 Corporation, Inc. Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers
JP2001119102A (ja) * 1999-10-15 2001-04-27 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体レーザダイオード
DE10108079A1 (de) * 2000-05-30 2002-09-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US6990135B2 (en) * 2002-10-28 2006-01-24 Finisar Corporation Distributed bragg reflector for optoelectronic device
US6905900B1 (en) 2000-11-28 2005-06-14 Finisar Corporation Versatile method and system for single mode VCSELs
US7065124B2 (en) 2000-11-28 2006-06-20 Finlsar Corporation Electron affinity engineered VCSELs
US6727520B2 (en) * 2000-12-29 2004-04-27 Honeywell International Inc. Spatially modulated reflector for an optoelectronic device
US6782027B2 (en) 2000-12-29 2004-08-24 Finisar Corporation Resonant reflector for use with optoelectronic devices
US6836501B2 (en) * 2000-12-29 2004-12-28 Finisar Corporation Resonant reflector for increased wavelength and polarization control
TWI227799B (en) * 2000-12-29 2005-02-11 Honeywell Int Inc Resonant reflector for increased wavelength and polarization control
US6606199B2 (en) 2001-10-10 2003-08-12 Honeywell International Inc. Graded thickness optical element and method of manufacture therefor
KR100428253B1 (ko) * 2001-10-11 2004-04-28 (주)옵토웨이 표면 방출형 반도체 레이저 어레이 및 그의 제조방법
US6965626B2 (en) 2002-09-03 2005-11-15 Finisar Corporation Single mode VCSEL
US6813293B2 (en) 2002-11-21 2004-11-02 Finisar Corporation Long wavelength VCSEL with tunnel junction, and implant
US20040222363A1 (en) * 2003-05-07 2004-11-11 Honeywell International Inc. Connectorized optical component misalignment detection system
US20040247250A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Honeywell International Inc. Integrated sleeve pluggable package
US7298942B2 (en) 2003-06-06 2007-11-20 Finisar Corporation Pluggable optical optic system having a lens fiber stop
US7433381B2 (en) 2003-06-25 2008-10-07 Finisar Corporation InP based long wavelength VCSEL
US7277461B2 (en) 2003-06-27 2007-10-02 Finisar Corporation Dielectric VCSEL gain guide
US7054345B2 (en) 2003-06-27 2006-05-30 Finisar Corporation Enhanced lateral oxidation
US7075962B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Finisar Corporation VCSEL having thermal management
US7149383B2 (en) 2003-06-30 2006-12-12 Finisar Corporation Optical system with reduced back reflection
US6961489B2 (en) 2003-06-30 2005-11-01 Finisar Corporation High speed optical system
US20060056762A1 (en) * 2003-07-02 2006-03-16 Honeywell International Inc. Lens optical coupler
US7210857B2 (en) 2003-07-16 2007-05-01 Finisar Corporation Optical coupling system
US20050013542A1 (en) * 2003-07-16 2005-01-20 Honeywell International Inc. Coupler having reduction of reflections to light source
US20050013539A1 (en) * 2003-07-17 2005-01-20 Honeywell International Inc. Optical coupling system
US6887801B2 (en) 2003-07-18 2005-05-03 Finisar Corporation Edge bead control method and apparatus
US7257141B2 (en) * 2003-07-23 2007-08-14 Palo Alto Research Center Incorporated Phase array oxide-confined VCSELs
US7031363B2 (en) 2003-10-29 2006-04-18 Finisar Corporation Long wavelength VCSEL device processing
US7920612B2 (en) 2004-08-31 2011-04-05 Finisar Corporation Light emitting semiconductor device having an electrical confinement barrier near the active region
US7829912B2 (en) 2006-07-31 2010-11-09 Finisar Corporation Efficient carrier injection in a semiconductor device
US7596165B2 (en) 2004-08-31 2009-09-29 Finisar Corporation Distributed Bragg Reflector for optoelectronic device
US7693204B2 (en) * 2006-02-03 2010-04-06 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser device and surface-emitting laser array including same
WO2007103527A2 (en) 2006-03-07 2007-09-13 Brenner Mary K Red light laser
WO2008023813A1 (en) * 2006-08-23 2008-02-28 Ricoh Company, Ltd. Surface-emitting laser array, optical scanning device, and image forming device
JP5447719B2 (ja) * 2006-08-23 2014-03-19 株式会社リコー 面発光レーザアレイ、それを備えた光走査装置および画像形成装置
US7809040B2 (en) * 2007-02-14 2010-10-05 Canon Kabushiki Kaisha Red surface emitting laser element, image forming device, and image display apparatus
US8031752B1 (en) 2007-04-16 2011-10-04 Finisar Corporation VCSEL optimized for high speed data
US7947991B2 (en) * 2008-07-29 2011-05-24 Huga Optotech Inc. High efficiency lighting device
EP2335296A2 (en) * 2008-09-04 2011-06-22 3M Innovative Properties Company Light source having light blocking components
US8385380B2 (en) * 2008-09-04 2013-02-26 3M Innovative Properties Company Monochromatic light source
CN102197551A (zh) * 2008-09-04 2011-09-21 3M创新有限公司 由gan ld光泵的散热器上式ⅱ-ⅵ族mqw vcsel
JP5527049B2 (ja) * 2010-06-30 2014-06-18 セイコーエプソン株式会社 発光装置、およびプロジェクター
GB2493186A (en) * 2011-07-27 2013-01-30 Oclaro Technology Ltd High speed vertical-cavity surface-emitting laser
TWI818941B (zh) * 2017-12-28 2023-10-21 美商普林斯頓光電公司 包括窄光束發散半導體源之經結構化光投射系統
US11283240B2 (en) * 2018-01-09 2022-03-22 Oepic Semiconductors, Inc. Pillar confined backside emitting VCSEL
US10852532B2 (en) 2018-11-21 2020-12-01 Microsoft Technology Licensing, Llc VCSEL array scanning display

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6042890A (ja) * 1983-08-18 1985-03-07 Mitsubishi Electric Corp 面発光形半導体レ−ザ及びその製造方法
US4660207A (en) * 1984-11-21 1987-04-21 Northern Telecom Limited Surface-emitting light emitting device
US4675877A (en) * 1985-02-14 1987-06-23 Northern Telecom Limited Bragg distributed feedback surface emitting laser
US4675876A (en) * 1985-02-14 1987-06-23 Northern Telecom Limited Bragg distributed feedback surface emitting laser
EP0207699A3 (en) * 1985-06-28 1989-03-08 Hitachi, Ltd. Light-emitting element having multiquantum-well structure
JPH01264285A (ja) * 1988-04-15 1989-10-20 Omron Tateisi Electron Co 面発光型半導体レーザ
US4943970A (en) * 1988-10-24 1990-07-24 General Dynamics Corporation, Electronics Division Surface emitting laser
US4901327A (en) * 1988-10-24 1990-02-13 General Dynamics Corporation, Electronics Division Transverse injection surface emitting laser
US4873696A (en) * 1988-10-31 1989-10-10 The Regents Of The University Of California Surface-emitting lasers with periodic gain and a parallel driven nipi structure
JP2863773B2 (ja) * 1988-12-28 1999-03-03 科学技術振興事業団 面発光型半導体レーザ装置
US4999842A (en) * 1989-03-01 1991-03-12 At&T Bell Laboratories Quantum well vertical cavity laser
US4991179A (en) * 1989-04-26 1991-02-05 At&T Bell Laboratories Electrically pumped vertical cavity laser
US4949350A (en) * 1989-07-17 1990-08-14 Bell Communications Research, Inc. Surface emitting semiconductor laser
US5034344A (en) * 1989-07-17 1991-07-23 Bell Communications Research, Inc. Method of making a surface emitting semiconductor laser
US5038356A (en) * 1989-12-04 1991-08-06 Trw Inc. Vertical-cavity surface-emitting diode laser
US5034958A (en) * 1990-04-19 1991-07-23 Bell Communications Research, Inc. Front-surface emitting diode laser
US5052016A (en) * 1990-05-18 1991-09-24 University Of New Mexico Resonant-periodic-gain distributed-feedback surface-emitting semiconductor laser
US5063569A (en) * 1990-12-19 1991-11-05 At&T Bell Laboratories Vertical-cavity surface-emitting laser with non-epitaxial multilayered dielectric reflectors located on both surfaces
US5115441A (en) * 1991-01-03 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes
US5146465A (en) * 1991-02-01 1992-09-08 Apa Optics, Inc. Aluminum gallium nitride laser

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999008351A1 (fr) * 1997-08-11 1999-02-18 Seiko Epson Corporation Laser a semi-conducteur a emission par la surface et son procede de fabrication
US6501778B1 (en) 1997-08-11 2002-12-31 Seiko Epson Corporation Plane emission type semiconductor laser and method of manufacturing the same
JP2004039717A (ja) * 2002-07-01 2004-02-05 Ricoh Co Ltd 半導体分布ブラッグ反射鏡および面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム
JP4497796B2 (ja) * 2002-07-01 2010-07-07 株式会社リコー 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム
JP2008235574A (ja) * 2007-03-20 2008-10-02 Sumitomo Electric Ind Ltd 面発光半導体レーザ

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Publication number Publication date
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EP0611494A1 (en) 1994-08-24

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