JPH05218574A - 半導体レーザおよびその製造方法 - Google Patents
半導体レーザおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH05218574A JPH05218574A JP4262724A JP26272492A JPH05218574A JP H05218574 A JPH05218574 A JP H05218574A JP 4262724 A JP4262724 A JP 4262724A JP 26272492 A JP26272492 A JP 26272492A JP H05218574 A JPH05218574 A JP H05218574A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- active layer
- wave stack
- layer
- quarter wave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N [Ga].[As].[In] Chemical compound [Ga].[As].[In] KXNLCSXBJCPWGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 14
- 230000001788 irregular Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000001017 electron-beam sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18341—Intra-cavity contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
- H01S5/0424—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer lateral current injection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18361—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors
- H01S5/18369—Structure of the reflectors, e.g. hybrid mirrors based on dielectric materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は、低い熱抵抗および低い直列抵抗を
有する平面的な半導体レ−ザを形成することを目的とす
る。 【構成】 半導体レ−ザは、光学導波路および導電性領
域２６によって提供される横型電流注入路を有する。導
電性領域は、活性層１８およびレ−ザの第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４を不規則化し、電流の流れに依存
しない光学導波路の制御を可能にする。導電性領域を形
成することによって、本発明によるレ−ザは、安定した
光学特性と弱く組み込まれた導波路による大きな放出ス
ポットとを有し、その結果、高出力，低熱抵抗および低
抵抗であるデバイスとなる。
有する平面的な半導体レ−ザを形成することを目的とす
る。 【構成】 半導体レ−ザは、光学導波路および導電性領
域２６によって提供される横型電流注入路を有する。導
電性領域は、活性層１８およびレ−ザの第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４を不規則化し、電流の流れに依存
しない光学導波路の制御を可能にする。導電性領域を形
成することによって、本発明によるレ−ザは、安定した
光学特性と弱く組み込まれた導波路による大きな放出ス
ポットとを有し、その結果、高出力，低熱抵抗および低
抵抗であるデバイスとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に半導体レ−ザに
関し、特に縦型キャビティ表面放出レ−ザ（ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉ
ｎｇ ｌａｓｅｒｓ ： ＶＣＳＥＬｓ）に関する。
関し、特に縦型キャビティ表面放出レ−ザ（ｖｅｒｔｉ
ｃａｌ ｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅ ｅｍｉｔｔｉ
ｎｇ ｌａｓｅｒｓ ： ＶＣＳＥＬｓ）に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】半導
体レ−ザは、光学デバイスに利用する際に重要である。
従来、出力光が半導体基板に平行に放出されるエッジ放
出型デバイスが用いられている。しかし、出力光が半導
体基板に垂直に放出される縦型キャビティ・デバイス
は、特定の装置において非常に有用である。縦型キャビ
ティ・デバイスは、配列（ａｒｒａｙ）および集積回路
に対する高い２次元実装密度，ウエハ・スケ−ル・テス
ト能力（ｗａｆｅｒ ｓｃａｌｅ ｔｅｓｔｉｎｇ ａ
ｂｉｌｉｔｙ）のような有用性があり、他のデバイスと
共に容易に集積化することが可能である。ＶＣＳＥＬｓ
に関して多大な研究開発がなされているが、光学的相互
接続装置および表示装置に対して、より効率的な横型注
入（ｌａｔｅｒａｌ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）ＶＣＳＥＬ
ｓを形成することが望まれている。
体レ−ザは、光学デバイスに利用する際に重要である。
従来、出力光が半導体基板に平行に放出されるエッジ放
出型デバイスが用いられている。しかし、出力光が半導
体基板に垂直に放出される縦型キャビティ・デバイス
は、特定の装置において非常に有用である。縦型キャビ
ティ・デバイスは、配列（ａｒｒａｙ）および集積回路
に対する高い２次元実装密度，ウエハ・スケ−ル・テス
ト能力（ｗａｆｅｒ ｓｃａｌｅ ｔｅｓｔｉｎｇ ａ
ｂｉｌｉｔｙ）のような有用性があり、他のデバイスと
共に容易に集積化することが可能である。ＶＣＳＥＬｓ
に関して多大な研究開発がなされているが、光学的相互
接続装置および表示装置に対して、より効率的な横型注
入（ｌａｔｅｒａｌ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ）ＶＣＳＥＬ
ｓを形成することが望まれている。
【０００３】従来用いられているＶＣＳＥＬは、メサ型
−エッチ・デバイスである。これらのメサ型−エッチ・
デバイスは、小さなスポット・サイズに限定され、その
結果低いパワ−出力，高い直列抵抗および高い熱抵抗を
有するデバイスとなる。従って、高いパワ−出力，低い
抵抗および低い熱抵抗と共に、より効率の良いＶＣＳＥ
Ｌを形成することが望まれている。メサ型−エッチ・デ
バイスの他の欠点は、非常に非平面的であること、およ
びデバイスのトップ以外で光出力を得ることが困難であ
ることである。平面的な構造は、プロセス工程および実
装工程の観点から望まれている。
−エッチ・デバイスである。これらのメサ型−エッチ・
デバイスは、小さなスポット・サイズに限定され、その
結果低いパワ−出力，高い直列抵抗および高い熱抵抗を
有するデバイスとなる。従って、高いパワ−出力，低い
抵抗および低い熱抵抗と共に、より効率の良いＶＣＳＥ
Ｌを形成することが望まれている。メサ型−エッチ・デ
バイスの他の欠点は、非常に非平面的であること、およ
びデバイスのトップ以外で光出力を得ることが困難であ
ることである。平面的な構造は、プロセス工程および実
装工程の観点から望まれている。
【０００４】平面的なＶＣＳＥＬを形成する方法は、１
９９０年９月１３日に発行されたＨａｓｎａｉｎ ｅｔ
ａｌ， ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ， Ｖｏｌ． ２６， Ｎｏ． １９， ｐｐ．
１５９０−９１に、開示されている。これらのＶＣＳＥ
Ｌは、横型電流閉じ込め（ｌａｔｅｒａｌ ｃｕｒｒｅ
ｎｔ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）のためにプロトン交換
法を用いている。しかし、これらのデバイスには、信頼
性および熱的導波路（ｔｈｅｒｍａｌ ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｉｎｇ）に関連する本質的な問題が存在する。熱的導
波路が不都合であるのは、デバイスが加熱されるとデバ
イスの光学的特性が変化するためである。さらに、これ
らのデバイスの出力ビ−ムは、回折が抑制されない。こ
れは、注入された電流分布および接合温度分布によって
のみ導波路が与えられるためである。
９９０年９月１３日に発行されたＨａｓｎａｉｎ ｅｔ
ａｌ， ｉｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅ
ｒｓ， Ｖｏｌ． ２６， Ｎｏ． １９， ｐｐ．
１５９０−９１に、開示されている。これらのＶＣＳＥ
Ｌは、横型電流閉じ込め（ｌａｔｅｒａｌ ｃｕｒｒｅ
ｎｔ ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ）のためにプロトン交換
法を用いている。しかし、これらのデバイスには、信頼
性および熱的導波路（ｔｈｅｒｍａｌ ｗａｖｅｇｕｉ
ｄｉｎｇ）に関連する本質的な問題が存在する。熱的導
波路が不都合であるのは、デバイスが加熱されるとデバ
イスの光学的特性が変化するためである。さらに、これ
らのデバイスの出力ビ−ムは、回折が抑制されない。こ
れは、注入された電流分布および接合温度分布によって
のみ導波路が与えられるためである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１導電性の
基板を含む支持構造（１０）と、前記支持構造（１０）
上に形成される前記第１導電性の第１の１／４ウェ−ブ
・スタック（１４）と、前記第１の１／４ウェ−ブ・ス
タック（１４）上に形成され、特定の動作波長の１／２
の倍数の厚さを有する活性層（１８）と、前記活性層
（１８）上に形成され、前記特定の動作波長の１／２の
倍数の厚さを有する第２導電性の分散層（２０）と、前
記分散層（２０），前記活性層（１８）および前記第１
の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）の一部分内に形成
される第２導電性の領域（２６）と、前記分散層（２
０）の一部分上に形成される第２の１／４ウェ−ブ・ス
タック（２４）から構成される特定の波長で動作する半
導体レ−ザである。
基板を含む支持構造（１０）と、前記支持構造（１０）
上に形成される前記第１導電性の第１の１／４ウェ−ブ
・スタック（１４）と、前記第１の１／４ウェ−ブ・ス
タック（１４）上に形成され、特定の動作波長の１／２
の倍数の厚さを有する活性層（１８）と、前記活性層
（１８）上に形成され、前記特定の動作波長の１／２の
倍数の厚さを有する第２導電性の分散層（２０）と、前
記分散層（２０），前記活性層（１８）および前記第１
の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）の一部分内に形成
される第２導電性の領域（２６）と、前記分散層（２
０）の一部分上に形成される第２の１／４ウェ−ブ・ス
タック（２４）から構成される特定の波長で動作する半
導体レ−ザである。
【０００６】
【作用】本発明によれば、半導体レ−ザおよびその製造
方法が開示される。その半導体レ−ザは支持構造から成
り、第１導電性の基板と、前記支持構造上に形成される
第１導電性の第１の１／４ウェ−ブ・スタックと、前記
第１の１／４ウェ−ブ・スタック上に形成される活性層
と、前記活性層上に形成される第２導電性の分散層と、
前記分散層，前記活性層および前記第１の１／４ウェ−
ブ・スタックの一部分内に形成される第２導電性の領域
と、前記分散層の一部分上に形成される第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタックとを含む。
方法が開示される。その半導体レ−ザは支持構造から成
り、第１導電性の基板と、前記支持構造上に形成される
第１導電性の第１の１／４ウェ−ブ・スタックと、前記
第１の１／４ウェ−ブ・スタック上に形成される活性層
と、前記活性層上に形成される第２導電性の分散層と、
前記分散層，前記活性層および前記第１の１／４ウェ−
ブ・スタックの一部分内に形成される第２導電性の領域
と、前記分散層の一部分上に形成される第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタックとを含む。
【０００７】
【実施例】図１は、製造工程の初期段階における本発明
の第１実施例の断面図（スケ−ルを描いたものではな
い）である。図示されているものは、第１導電性の支持
構造１０から成るＶＣＳＥＬである。好適実施例にあっ
ては、支持構造１０は、ｐ型導電性の基板から成る。ｐ
型導電性の基板を用いると、２つの有益な効果が得られ
る。１つは、ｎ型導電性の分散層２０（後述）を使用す
るので、より一様な横型電流注入が得られることであ
る。さらに、ｐ型導電性の基板およびｐ型導電性の１／
４ウェ−ブ・スタック（後述）内に電流閉じ込めが欠如
しているので、直列抵抗は減少する。好適実施例にあっ
ては、支持構造１０は、ガリウム砒素から成り、亜鉛の
ようなｐ型ド−パントによって約５ｘ１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3のｐ型にド−ピングされる。ド−パントは、他
のものを使用することも可能である。支持構造１０およ
びその後形成されるエピタキシャル層は、リン化インジ
ウム（ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）のような他
のＩＩＩ−Ｖ半導体材料から構成することも可能であ
る。
の第１実施例の断面図（スケ−ルを描いたものではな
い）である。図示されているものは、第１導電性の支持
構造１０から成るＶＣＳＥＬである。好適実施例にあっ
ては、支持構造１０は、ｐ型導電性の基板から成る。ｐ
型導電性の基板を用いると、２つの有益な効果が得られ
る。１つは、ｎ型導電性の分散層２０（後述）を使用す
るので、より一様な横型電流注入が得られることであ
る。さらに、ｐ型導電性の基板およびｐ型導電性の１／
４ウェ−ブ・スタック（後述）内に電流閉じ込めが欠如
しているので、直列抵抗は減少する。好適実施例にあっ
ては、支持構造１０は、ガリウム砒素から成り、亜鉛の
ようなｐ型ド−パントによって約５ｘ１０18ａｔｏｍｓ
／ｃｍ3のｐ型にド−ピングされる。ド−パントは、他
のものを使用することも可能である。支持構造１０およ
びその後形成されるエピタキシャル層は、リン化インジ
ウム（ｉｎｄｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）のような他
のＩＩＩ−Ｖ半導体材料から構成することも可能であ
る。
【０００８】支持構造１０上に、第１導電性のバッファ
層１２は形成される。好適実施例にあっては、バッファ
層１２は、ｐ型導電性のガリウム砒素エピタキシャル層
から成る。バッファ層１２は、デバイスが動作するため
には必ずしも必要ではないが、バッファ層１２はその後
形成されるエピタキシャル層の成長を良好にするために
用いられる。
層１２は形成される。好適実施例にあっては、バッファ
層１２は、ｐ型導電性のガリウム砒素エピタキシャル層
から成る。バッファ層１２は、デバイスが動作するため
には必ずしも必要ではないが、バッファ層１２はその後
形成されるエピタキシャル層の成長を良好にするために
用いられる。
【０００９】次に、第１の１／４ウェ−ブ・スタック１
４は、バッファ層１２上に形成される。第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４は、当該技術分野でミラ−・スタ
ックまたは分布ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれてい
る。ＶＣＳＥＬは一般に、レ−シング（ｌａｓｉｎｇ）
波長または動作波長と呼ばれる特定の波長で動作するよ
うに形成される。第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４
に使用される材料は、そのレ−シング波長に対して透明
でなければならない。好適実施例にあっては、第１の１
／４ウェ−ブ・スタック１４は、ｐ型導電性のアルミニ
ウム砒素（ＡｌＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）
の交互に積層される層から成る。さらに、各々の層の厚
さは、動作波長の１／４を屈折率で割ったものに等し
い。交互に積層される層の周期または対は、デバイスの
反射率を決定する。一般に、その周期の数は、２５ない
し３０に等しいであろう。
４は、バッファ層１２上に形成される。第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４は、当該技術分野でミラ−・スタ
ックまたは分布ブラッグ反射器（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅ
ｄ Ｂｒａｇｇ ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）とも呼ばれてい
る。ＶＣＳＥＬは一般に、レ−シング（ｌａｓｉｎｇ）
波長または動作波長と呼ばれる特定の波長で動作するよ
うに形成される。第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４
に使用される材料は、そのレ−シング波長に対して透明
でなければならない。好適実施例にあっては、第１の１
／４ウェ−ブ・スタック１４は、ｐ型導電性のアルミニ
ウム砒素（ＡｌＡｓ）およびガリウム砒素（ＧａＡｓ）
の交互に積層される層から成る。さらに、各々の層の厚
さは、動作波長の１／４を屈折率で割ったものに等し
い。交互に積層される層の周期または対は、デバイスの
反射率を決定する。一般に、その周期の数は、２５ない
し３０に等しいであろう。
【００１０】その後、活性層１８は第１の１／４ウェ−
ブ・スタック１４上に形成される。活性層１８は好適に
は、障壁層および少なくとも１つの量子井戸から成る。
その量子井戸は、公称（ｎｏｍｉｎａｌｌｙ）アンド−
プ・インジウム・ガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）から成
る。しかし、多重量子井戸を使用することも可能であ
る。さらに、異なる動作波長に対して、第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４の構成を変更し、透過性を維持す
ることによって、ガリウム砒素のような他の材料を用い
ることも可能である。量子井戸活性層および障壁層を形
成する技術は、当該分野で周知のものである。光学キャ
ビティ内で活性層１８は位相が整合する条件を満たすた
めに、活性層１８の全体の厚さは、光学キャビティ内で
位相が整合する条件を満足するために、動作波長の１／
２の倍数でなければならない。その光学キャビティは、
第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４と第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタック２４（後述）との間の全ての層から成
る。
ブ・スタック１４上に形成される。活性層１８は好適に
は、障壁層および少なくとも１つの量子井戸から成る。
その量子井戸は、公称（ｎｏｍｉｎａｌｌｙ）アンド−
プ・インジウム・ガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）から成
る。しかし、多重量子井戸を使用することも可能であ
る。さらに、異なる動作波長に対して、第１の１／４ウ
ェ−ブ・スタック１４の構成を変更し、透過性を維持す
ることによって、ガリウム砒素のような他の材料を用い
ることも可能である。量子井戸活性層および障壁層を形
成する技術は、当該分野で周知のものである。光学キャ
ビティ内で活性層１８は位相が整合する条件を満たすた
めに、活性層１８の全体の厚さは、光学キャビティ内で
位相が整合する条件を満足するために、動作波長の１／
２の倍数でなければならない。その光学キャビティは、
第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４と第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタック２４（後述）との間の全ての層から成
る。
【００１１】第２導電性の分散層２０は、活性層２１上
に形成される。分散層２０は、レ−シング波長に対して
透明な材料から構成される必要がある。光学キャビティ
によって要請される位相が整合する条件を満たすため
に、分散層２０はレ−シング波長の１／２波長倍に等し
い厚さである必要がある。さらに、分散層２０は、好適
にはバンドギャップの大きい材料から成る。好適実施例
にあっては、分散層２０はｎ型導電性のアルミニウム・
ガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）から成る。高い移動度お
よびｎ型導電性のアルミニウム・ガリウム砒素の拡散定
数によって、より一様な横型注入となる。
に形成される。分散層２０は、レ−シング波長に対して
透明な材料から構成される必要がある。光学キャビティ
によって要請される位相が整合する条件を満たすため
に、分散層２０はレ−シング波長の１／２波長倍に等し
い厚さである必要がある。さらに、分散層２０は、好適
にはバンドギャップの大きい材料から成る。好適実施例
にあっては、分散層２０はｎ型導電性のアルミニウム・
ガリウム砒素（ＡｌＧａＡｓ）から成る。高い移動度お
よびｎ型導電性のアルミニウム・ガリウム砒素の拡散定
数によって、より一様な横型注入となる。
【００１２】その後、第２の１／４ウェ−ブ・スタック
２４は、分散層２０上に形成され、開口２５を設けるた
めにパタ−ニングされる。開口２５は、通常のフォトリ
ソグラフィおよびエッチング技術によって、形成され
る。第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４は、例えば、
プラズマ化学蒸着堆積，電子ビ−ム・エバポレ−ション
（ｅｖａｐｏｌａｔｉｏｎ）またはスパッタリングによ
って形成される。好適実施例にあっては、第２の１／４
ウェ−ブ・スタック２４は、シリコンと二酸化シリコン
とが交互に積み重なった誘電体ミラ−・スタックであ
り、そのシリコンはアンド−プ・アモルファス・シリコ
ンである。しかし、窒化シリコンまたはアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）のような他の誘電体層を使用することも可能であ
る。誘電体スタックを形成する技術は、当該分野で周知
のものである。
２４は、分散層２０上に形成され、開口２５を設けるた
めにパタ−ニングされる。開口２５は、通常のフォトリ
ソグラフィおよびエッチング技術によって、形成され
る。第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４は、例えば、
プラズマ化学蒸着堆積，電子ビ−ム・エバポレ−ション
（ｅｖａｐｏｌａｔｉｏｎ）またはスパッタリングによ
って形成される。好適実施例にあっては、第２の１／４
ウェ−ブ・スタック２４は、シリコンと二酸化シリコン
とが交互に積み重なった誘電体ミラ−・スタックであ
り、そのシリコンはアンド−プ・アモルファス・シリコ
ンである。しかし、窒化シリコンまたはアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）のような他の誘電体層を使用することも可能であ
る。誘電体スタックを形成する技術は、当該分野で周知
のものである。
【００１３】開口２５を形成した後、第２導電性のド−
パントは開口２５に注入され、導電性領域２６を形成す
る。好適実施例にあっては、シリコンはイオン注入また
は堆積され、拡散され、導電性領域２６を形成する。硫
黄のような第２導電性の他のド−パントを使用すること
も可能である。導電性領域２６は、分散層２０の表面か
ら第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４の少なくとも一
部分まで伸びるように形成することが望ましい。注入さ
れるド−パントの濃度は、第１の１／４ウェ−ブ・スタ
ック１４内でＰ−Ｎ接合を形成する程、高い濃度である
必要がある。本発明にあっては、第２導電性のド−パン
トを注入し、導電性領域を形成し、従来のプロトンを使
用する技術では形成されていた抵抗性領域は形成されな
い。第２導電性のド−パントは、活性層２１と第１の１
／４ウェ−ブ・スタック１４の境界とを不規則化（ｄｉ
ｓｏｒｄｅｒｉｎｇ）する。この不規則化は、反射率を
減少させ、その結果電流の流れに依存しない光学導波路
の制御を可能にする。導電性領域２６は、分散層２０内
に横型電流注入を提供し、導波路として機能する。第２
の１／４ウェ−ブ・スタックのエッチングは、導波路領
域以外の反射率も減少させる。さらに、導電性領域２６
下のブロッキング接合の高いタ−ン・オン電圧によっ
て、電流の閉じ込めが行われる。導電性領域２６を形成
することによって、本発明によるＶＣＳＥＬは、適切な
光学特性および弱く組み込まれた導波路によるより大き
な放出スポットを有し、その結果高出力，低抵抗および
低い熱抵抗を有するデバイスとなる。導電性領域２６の
浅い接合は、低い熱抵抗を提供する。
パントは開口２５に注入され、導電性領域２６を形成す
る。好適実施例にあっては、シリコンはイオン注入また
は堆積され、拡散され、導電性領域２６を形成する。硫
黄のような第２導電性の他のド−パントを使用すること
も可能である。導電性領域２６は、分散層２０の表面か
ら第１の１／４ウェ−ブ・スタック１４の少なくとも一
部分まで伸びるように形成することが望ましい。注入さ
れるド−パントの濃度は、第１の１／４ウェ−ブ・スタ
ック１４内でＰ−Ｎ接合を形成する程、高い濃度である
必要がある。本発明にあっては、第２導電性のド−パン
トを注入し、導電性領域を形成し、従来のプロトンを使
用する技術では形成されていた抵抗性領域は形成されな
い。第２導電性のド−パントは、活性層２１と第１の１
／４ウェ−ブ・スタック１４の境界とを不規則化（ｄｉ
ｓｏｒｄｅｒｉｎｇ）する。この不規則化は、反射率を
減少させ、その結果電流の流れに依存しない光学導波路
の制御を可能にする。導電性領域２６は、分散層２０内
に横型電流注入を提供し、導波路として機能する。第２
の１／４ウェ−ブ・スタックのエッチングは、導波路領
域以外の反射率も減少させる。さらに、導電性領域２６
下のブロッキング接合の高いタ−ン・オン電圧によっ
て、電流の閉じ込めが行われる。導電性領域２６を形成
することによって、本発明によるＶＣＳＥＬは、適切な
光学特性および弱く組み込まれた導波路によるより大き
な放出スポットを有し、その結果高出力，低抵抗および
低い熱抵抗を有するデバイスとなる。導電性領域２６の
浅い接合は、低い熱抵抗を提供する。
【００１４】図２は、製造工程が更に進んだ図１の構造
を示す。先ず、第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４の
一部分は、除去される。絶縁領域２８は、導電性領域２
６に隣接して形成される。好適実施例にあっては、酸素
が注入され、絶縁領域２８を形成する。しかし、絶縁ト
レンチのような他の絶縁技術を使用することも可能であ
る。
を示す。先ず、第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４の
一部分は、除去される。絶縁領域２８は、導電性領域２
６に隣接して形成される。好適実施例にあっては、酸素
が注入され、絶縁領域２８を形成する。しかし、絶縁ト
レンチのような他の絶縁技術を使用することも可能であ
る。
【００１５】図３は、製造工程が更に進んだ図２の構造
を示す。第２導電性のオ−ミック・コンタクト３０は、
第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４上，導電性領域２
６上および絶縁領域２８上に形成される。本実施例で
は、基板−放出デバイスが形成され、その出力は支持構
造１０の背面を通じて放出される。第１導電性のオ−ミ
ック・コンタクト３１は、支持構造１０の背面上に形成
される。オ−ミック・コンタクト３１の一部分は、その
出力が支持構造１０を通じて放出されるようにエッチン
グされる。そのような形成技術および第１，第２導電性
のオ−ミック・コンタクトを使用する技術は、当該分野
で周知のものである。
を示す。第２導電性のオ−ミック・コンタクト３０は、
第２の１／４ウェ−ブ・スタック２４上，導電性領域２
６上および絶縁領域２８上に形成される。本実施例で
は、基板−放出デバイスが形成され、その出力は支持構
造１０の背面を通じて放出される。第１導電性のオ−ミ
ック・コンタクト３１は、支持構造１０の背面上に形成
される。オ−ミック・コンタクト３１の一部分は、その
出力が支持構造１０を通じて放出されるようにエッチン
グされる。そのような形成技術および第１，第２導電性
のオ−ミック・コンタクトを使用する技術は、当該分野
で周知のものである。
【００１６】図４は、本発明の第２実施例であって、製
造工程が更に進んだ図２の構造を示す。図４は、トップ
−放出デバイスの実施例であり、出力は第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタック２４を通じて放出される。本実施例で
は、第２導電性のオ−ミック・コンタクト３２は、導電
性領域２６上および絶縁領域２８上にのみ形成されてい
る。第１導電性のオ−ミック・コンタクト３３は、支持
構造１０の背面上に形成される。
造工程が更に進んだ図２の構造を示す。図４は、トップ
−放出デバイスの実施例であり、出力は第２の１／４ウ
ェ−ブ・スタック２４を通じて放出される。本実施例で
は、第２導電性のオ−ミック・コンタクト３２は、導電
性領域２６上および絶縁領域２８上にのみ形成されてい
る。第１導電性のオ−ミック・コンタクト３３は、支持
構造１０の背面上に形成される。
【００１７】
【発明の効果】容易に理解されるように、本発明による
ＶＣＳＥＬは、光学導波路および導電性領域によって与
えられる横型電流注入路を有する。その横型光学導波路
は、以下に示す２つの効果によって形成される。導電性
領域は、第１の１／４ウェ−ブ・スタックとミラ−反射
率を減少させる活性層とを不規則化する。第２の１／４
ウェ−ブ・スタックをエッチングし、導波路領域以外の
反射率も減少する。さらに、本実施例にあっては、ｐ型
導電性の基板を使用すると、より一様な横型電流注入を
行うことが可能である。これはｎ型導電性の分散層２０
を使用しているためであり、その分散層は、ｐ型導電性
の材料よりも高い移動度および拡散定数を有する。しか
し、逆の導電性の層／領域を使用してデバイスを形成す
ることも可能である。さらに、そのデバイスは容易に形
成することが可能であり、実質的に平面的であり、相互
結線および実装が簡略化される。
ＶＣＳＥＬは、光学導波路および導電性領域によって与
えられる横型電流注入路を有する。その横型光学導波路
は、以下に示す２つの効果によって形成される。導電性
領域は、第１の１／４ウェ−ブ・スタックとミラ−反射
率を減少させる活性層とを不規則化する。第２の１／４
ウェ−ブ・スタックをエッチングし、導波路領域以外の
反射率も減少する。さらに、本実施例にあっては、ｐ型
導電性の基板を使用すると、より一様な横型電流注入を
行うことが可能である。これはｎ型導電性の分散層２０
を使用しているためであり、その分散層は、ｐ型導電性
の材料よりも高い移動度および拡散定数を有する。しか
し、逆の導電性の層／領域を使用してデバイスを形成す
ることも可能である。さらに、そのデバイスは容易に形
成することが可能であり、実質的に平面的であり、相互
結線および実装が簡略化される。
【図１】製造工程の初期段階における本発明の第１実施
例の断面図である。
例の断面図である。
【図２】更に進んだ製造工程の段階における本発明の第
１実施例を示す。
１実施例を示す。
【図３】製造工程の末期段階における本発明の第１実施
例を示す。
例を示す。
【図４】製造工程の末期段階における本発明の第２実施
例を示す。
例を示す。
１０ 支持構造 １２ バッファ層 １４，２４ １／４ウェ−ブ・スタック １８ 活性層 ２０ 分散層 ２５ 開口 ２６ 導電性領域 ２８ 絶縁層 ３０，３２ オ−ミック・コンタクト
Claims (4)
- 【請求項１】 第１導電性の基板を含む支持構造（１
０）；前記支持構造（１０）上に形成される前記第１導
電性の第１の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）；前記
第１の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）上に形成さ
れ、特定の動作波長の１／２の倍数の厚さを有する活性
層（１８）；前記活性層（１８）上に形成され、前記特
定の動作波長の１／２の倍数の厚さを有する第２導電性
の分散層（２０）；前記分散層（２０），前記活性層
（１８）および前記第１の１／４ウェ−ブ・スタック
（１４）の一部分内に形成される第２導電性の領域（２
６）；および前記分散層（２０）の一部分上に形成され
る第２の１／４ウェ−ブ・スタック（２４）；から構成
されることを特徴とする特定の波長で動作する半導体レ
−ザ。 - 【請求項２】第１導電性の基板（１０）；前記基板（１
０）上に形成される前記第１導電性の第１の１／４ウェ
−ブ・スタック（１４）；前記第１の１／４ウェ−ブ・
スタック（１４）上に形成され、特定の動作波長の１／
２の倍数の厚さを有する活性層（１８）であって、少な
くとも１つの量子井戸から構成される活性層（１８）；
前記活性層（１８）上に形成され、前記特定波長の１／
２波長の倍数の厚さを有する第２導電性の分散層（２
０）；前記分散層（２０），前記活性層（１８）および
前記第１の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）内に形成
される第２導電性の導電性領域（２６）；および前記分
散層の一部分上に形成される第２の１／４ウェ−ブ・ス
タック（２４）；から構成されることを特徴とする特定
の波長で動作する半導体レ−ザ。 - 【請求項３】 ｐ型導電性のガリウム砒素基板を含む支
持構造（１０）；前記支持構造（１０）上に形成される
ｐ型導電性のアルミニウム砒素／ガリウム砒素１／４ウ
ェ−ブ・スタック（１４）；少なくとも１つのインジウ
ム・ガリウム砒素量子井戸から成る前記アルミニウム砒
素／ガリウム砒素１／４ウェ−ブ・スタック（１４）上
に形成される活性層（１８）であって、前記活性層（１
８）は特定の動作波長の１／２の倍数の厚さである活性
層（１８）；前記活性層（１８）上に形成されるｎ型導
電性のアルミニウム・ガリウム砒素分散層（２０）；前
記アルミニウム・ガリウム砒素分散層（２０），前記活
性層（１８）および前記ルミニウム砒素／ガリウム砒素
１／４ウェ−ブ・スタック（１４）の一部分内に形成さ
れ、横型電流注入および導波路を提供するシリコン・ド
−プ領域（２６）；および前記アルミニウム・ガリウム
砒素分散層（２０）の一部分上に形成される誘電体ミラ
−・スタック（２４）；から構成されることを特徴とす
る特定の波長で動作する縦型キャビティ表面放出半導体
レ−ザ。 - 【請求項４】 第１導電性の基板を含む支持構造（１
０）提供する段階；前記支持構造（１０）上に第１導電
性の第１の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）を形成す
る段階；前記第１の１／４ウェ−ブ・スタック（１４）
上に特定の動作波長の１／２の倍数の厚さを有する活性
層（１８）を形成する段階；前記活性層（１８）上に第
２導電性の分散層（２０）を形成する段階；前記分散層
（２０），前記活性層（１８）および前記第１の１／４
ウェ−ブ・スタック（１４）の一部分内に第２導電性の
領域（２６）を形成する段階；および前記分散層（２
０）の一部分上に第２の１／４ウェ−ブ・スタック（２
４）を形成する段階；から構成されることを特徴とする
特定の波長で動作する半導体レ−ザを形成する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/756,695 US5164949A (en) | 1991-09-09 | 1991-09-09 | Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection |
| US756695 | 1991-09-09 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05218574A true JPH05218574A (ja) | 1993-08-27 |
| JP3339706B2 JP3339706B2 (ja) | 2002-10-28 |
Family
ID=25044656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26272492A Expired - Lifetime JP3339706B2 (ja) | 1991-09-09 | 1992-09-07 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5164949A (ja) |
| JP (1) | JP3339706B2 (ja) |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5319655A (en) * | 1992-12-21 | 1994-06-07 | Xerox Corporation | Multiwavelength laterally-injecting-type lasers |
| US5295147A (en) * | 1992-12-22 | 1994-03-15 | Photonics Research Incorporated | Vertical cavity, surface-emitting laser with expanded cavity |
| US5446752A (en) * | 1993-09-21 | 1995-08-29 | Motorola | VCSEL with current blocking layer offset |
| US5491710A (en) * | 1994-05-05 | 1996-02-13 | Cornell Research Foundation, Inc. | Strain-compensated multiple quantum well laser structures |
| FR2724056B1 (fr) * | 1994-08-23 | 1996-11-15 | France Telecom | Composant optique, optoelectronique ou photonique comportant au moins une cavite optique confinee lateralement et procede pour sa realisation |
| US5617436A (en) * | 1995-06-07 | 1997-04-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Strain-compensated multiple quantum well laser structures |
| US5707139A (en) | 1995-11-01 | 1998-01-13 | Hewlett-Packard Company | Vertical cavity surface emitting laser arrays for illumination |
| FR2744293B1 (fr) * | 1996-01-30 | 1998-04-30 | Nabet Bernard | Composant d'emission laser a zone d'injection de largeur limitee |
| US5903590A (en) * | 1996-05-20 | 1999-05-11 | Sandia Corporation | Vertical-cavity surface-emitting laser device |
| US5940422A (en) * | 1996-06-28 | 1999-08-17 | Honeywell Inc. | Laser with an improved mode control |
| US6064683A (en) * | 1997-12-12 | 2000-05-16 | Honeywell Inc. | Bandgap isolated light emitter |
| US6044100A (en) * | 1997-12-23 | 2000-03-28 | Lucent Technologies Inc. | Lateral injection VCSEL |
| JP3111957B2 (ja) * | 1997-12-24 | 2000-11-27 | 日本電気株式会社 | 面発光素子 |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| US6611543B2 (en) * | 2000-12-23 | 2003-08-26 | Applied Optoelectronics, Inc. | Vertical-cavity surface-emitting laser with metal mirror and method of fabrication of same |
| US6791115B2 (en) * | 2001-03-09 | 2004-09-14 | Seiko Epson Corporation | Light emitting device, display device and electronic instrument |
| US6870195B2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-03-22 | Agilent Technologies, Inc. | Array of discretely formed optical signal emitters for multi-channel communication |
| KR20080049740A (ko) * | 2005-09-02 | 2008-06-04 | 고쿠리츠 다이가쿠 호진 교토 다이가쿠 | 2차원 포토닉 결정 면발광 레이저 광원 |
| US20100020837A1 (en) * | 2008-07-22 | 2010-01-28 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Semiconductor light emission device having an improved current confinement structure, and method for confining current in a semiconductor light emission device |
| US10244181B2 (en) | 2009-02-17 | 2019-03-26 | Trilumina Corp. | Compact multi-zone infrared laser illuminator |
| US20130223846A1 (en) | 2009-02-17 | 2013-08-29 | Trilumina Corporation | High speed free-space optical communications |
| US7949024B2 (en) | 2009-02-17 | 2011-05-24 | Trilumina Corporation | Multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
| US10038304B2 (en) | 2009-02-17 | 2018-07-31 | Trilumina Corp. | Laser arrays for variable optical properties |
| US8995485B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | High brightness pulsed VCSEL sources |
| US8995493B2 (en) | 2009-02-17 | 2015-03-31 | Trilumina Corp. | Microlenses for multibeam arrays of optoelectronic devices for high frequency operation |
| US11095365B2 (en) | 2011-08-26 | 2021-08-17 | Lumentum Operations Llc | Wide-angle illuminator module |
| TR201809175T4 (tr) | 2012-01-17 | 2018-07-23 | Koninklijke Philips Nv | Bir canlıyı ısıtmak için ısıtma sistemi. |
| US9065239B2 (en) | 2012-04-17 | 2015-06-23 | Trilumina Corp. | Multibeam array of top emitting VCSEL elements |
| US9735545B1 (en) | 2016-07-08 | 2017-08-15 | Northrop Grumman Systems Corporation | Vertical cavity surface emitting laser with composite reflectors |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722216B2 (ja) * | 1986-02-27 | 1995-03-08 | オムロン株式会社 | 半導体レ−ザ |
| KR970007142B1 (ko) * | 1988-01-06 | 1997-05-02 | 텔스트라 코오포레이숀 리미티드 | 전류 주입 레이저 |
| JP2863773B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1999-03-03 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| JP2799328B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-09-17 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ |
| JP2742539B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-04-22 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ |
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5038356A (en) * | 1989-12-04 | 1991-08-06 | Trw Inc. | Vertical-cavity surface-emitting diode laser |
| US5031187A (en) * | 1990-02-14 | 1991-07-09 | Bell Communications Research, Inc. | Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers |
| US5034958A (en) * | 1990-04-19 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Front-surface emitting diode laser |
| US5086430A (en) * | 1990-12-14 | 1992-02-04 | Bell Communications Research, Inc. | Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers |
| US5088099A (en) * | 1990-12-20 | 1992-02-11 | At&T Bell Laboratories | Apparatus comprising a laser adapted for emission of single mode radiation having low transverse divergence |
-
1991
- 1991-09-09 US US07/756,695 patent/US5164949A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-09-07 JP JP26272492A patent/JP3339706B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5164949A (en) | 1992-11-17 |
| JP3339706B2 (ja) | 2002-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3339706B2 (ja) | 半導体レーザおよびその製造方法 | |
| EP0858137B1 (en) | Surface emitting laser device and its method of manufacture | |
| US6542530B1 (en) | Electrically pumped long-wavelength VCSEL and methods of fabrication | |
| US6548908B2 (en) | Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices | |
| EP0497052B1 (en) | Vertical cavity surface emitting lasers with transparent electrodes | |
| US6674090B1 (en) | Structure and method for planar lateral oxidation in active | |
| US5216686A (en) | Integrated HBT and VCSEL structure and method of fabrication | |
| US7195939B2 (en) | Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits | |
| US5416044A (en) | Method for producing a surface-emitting laser | |
| US5086430A (en) | Phase-locked array of reflectivity-modulated surface-emitting lasers | |
| US7596161B2 (en) | Laterally oxidized vertical cavity surface emitting lasers | |
| US5206871A (en) | Optical devices with electron-beam evaporated multilayer mirror | |
| US5677924A (en) | Resonant-cavity optical device | |
| EP1501162A2 (en) | Phase array oxide-confined vcsels | |
| US20030185267A1 (en) | VCSEL with antiguide current confinement layer | |
| US20050063440A1 (en) | Epitaxial mode-confined vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) and method of manufacturing same | |
| US6878958B2 (en) | Vertical cavity surface emitting laser with buried dielectric distributed Bragg reflector | |
| JPH11150340A (ja) | 垂直キャビティを有する表面発光型半導体レーザ | |
| US7026178B2 (en) | Method for fabricating a VCSEL with ion-implanted current-confinement structure | |
| JPH05283808A (ja) | 低抵抗のブラッグ反射層を備えた表面発光レーザ | |
| KR100381985B1 (ko) | 수직공동표면방출레이저(vcsel)및그제조방법 | |
| US6696308B1 (en) | Electrically pumped long-wavelength VCSEL with air gap DBR and methods of fabrication | |
| KR100381984B1 (ko) | 수직공동표면방출레이저(VCSEL)및수직공동표면방출레이저들(VCSELs)용패턴화된미러들의제조방법 | |
| JP3546628B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ装置 | |
| WO2023141628A1 (en) | Long-wavelength polarized optical emitter |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080816 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090816 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100816 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130816 Year of fee payment: 11 |