JPH0745469A - 積層セラミック電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レーザー光の照射により静電容量を容易にか
つ確実に調整することを可能とする構造を備えた積層セ
ラミック電子部品を得る。 【構成】 レーザー光を照射することにより最外層の内
部電極をトリミングすることが予定されている積層セラ
ミック電子部品であって、誘電体セラミックスよりなる
焼結体１２内にセラミック層を介して重なり合うように
形成された複数の内部電極１３〜１６を有し、最も外側
に位置する内部電極１３の外側のセラミック層１２ｄの
厚みを、内部電極１３〜１６間のセラミック層１２ｅ〜
１２ｇの厚みの１．５倍以下とした積層コンデンサ１
１。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンデンサを構成する
ための複数の内部電極を有する積層セラミック電子部品
に関し、特に、静電容量を調整するための構造が改良さ
れた積層セラミック電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層コンデンサやコンデンサを内蔵した
セラミック多層基板では、静電容量を調整するために、
従来より種々の方法が試みられている。中でも、積層コ
ンデンサやセラミック多層基板を作製した後に静電容量
を調整する方法の一つとして、レーザー光を照射するこ
とにより、内部電極の一部を切削して面積を変える方法
（以下トリミングという）が広く知られている。

【０００３】上記のようにレーザー光の照射により静電
容量を調整する工程を、図５を参照して説明する。図５
に示す積層コンデンサ１は、誘電体セラミックスよりな
るセラミック焼結体２を有する。セラミック焼結体２の
内部には、複数の内部電極３〜６がセラミック層を介し
て重なり合うように配置されている。内部電極３，５
は、セラミック焼結体２の一方端面に引き出されてお
り、該一方端面に形成された外部電極７に電気的に接続
されている。同様に、内部電極４，６は、セラミック焼
結体２の他方端面に引き出されており、該他方端面に形
成された外部電極８に電気的に接続されている。

【０００４】静電容量の調整は、上記積層コンデンサ１
を得た後に、焼結体２の上面２ａ側からレーザー光を照
射することにより行われていた。すなわち、例えば破線
Ａで示すように、所望の静電容量を実現し得るように、
内部電極３の一部を切削し、静電容量の調整を行ってい
た。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、積層コ
ンデンサ１では、内部電極３より上方のセラミック層２
ｂの厚みが１００〜２００μｍ程度と、内部電極３〜６
間のセラミック層の厚みに比べてかなり厚くされてい
た。従って、実際には、レーザー光を照射したとして
も、矢印Ｂで示すように内部電極３が形成されている部
分までレーザ光が達しなかったり、あるいは矢印Ｃで示
すように、複数の内部電極３〜６までにも達したりし、
目的とする静電容量の調整ができないことがあった。

【０００６】よって、上記のようなレーザー光の照射に
よるトリミングに際しては、レーザー光の照射強度及び
照射時間を高精度に制御しなければ、目的とする静電容
量の調整を行うことができず、たとえレーザー光の強度
及び照射時間を高精度に制御したとしても、非常に小さ
な積層コンデンサの上記セラミック層２ｂのみを確実に
レーザーで切削することは非常に困難であった。

【０００７】本発明の目的は、レーザー光の照射による
静電容量の調整を容易かつ確実に行うことを可能とする
構造を備えた積層セラミック電子部品を提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明は、誘電体セラミ
ックスと、前記誘電体セラミックス内においてセラミッ
ク層を介して重なり合うように配置された複数の内部電
極とを備え、前記複数の内部電極のうち、最外層の内部
電極の少なくとも一方にレーザー光を照射することによ
り静電容量が調整される積層セラミック電子部品におい
て、前記最外層の内部電極のうち少なくとも一方の内部
電極の外側のセラミック層の厚みが、内部電極間のセラ
ミック層の厚みの１．５倍以下とされていることを特徴
とする、積層セラミック電子部品である。

【０００９】

【作用】本発明の積層セラミック電子部品では、最外層
に位置している内部電極のうち少なくとも一方の内部電
極の外側のセラミック層の厚みが、内部電極間のセラミ
ック層の厚みに対してさほど大きくなく、すなわち上記
のように１．５倍以下の厚みとされている。従って、切
削深さが浅くなるため、そのばらつきが小さくなり、確
実に積層コンデンサやセラミック多層基板のコンデンサ
部等の静電容量の調整を行うことができる。

【００１０】

【実施例の説明】以下、図面を参照しつつ実施例を説明
することにより、本発明を明らかにする。

【００１１】図１は、本発明の一実施例に係る積層コン
デンサを示す断面図である。積層コンデンサ１１は、誘
電体セラミックスよりなる焼結体１２を有する。セラミ
ック焼結体１２内には、複数の内部電極１３〜１６がセ
ラミック層を介して重なり合うように配置されている。
内部電極１３，１５は、セラミック焼結体１２の一方端
面に引き出されており、該一方端面に形成された外部電
極１７に電気的に接続されている。内部電極１４，１６
は、セラミック焼結体１２の他方端面１２ｂに引き出さ
れており、該他方端面１２ｂに形成された外部電極１８
に電気的に接続されている。

【００１２】本実施例の積層コンデンサ１１は、焼結体
１２の上面１２ｃ側からレーザー光を照射することによ
り静電容量の調整を行うことが予定されている。そし
て、積層コンデンサ１１の特徴は、上記レーザー光が照
射される側の最外層のセラミック層１２ｄ、すなわち内
部電極１３よりも外側に位置するセラミック層１２ｄの
厚みが、内部電極１３〜１６間のセラミック層１２ｅ〜
１２ｇの１．５倍以下の厚みを有するように構成されて
いることにある。

【００１３】上記のようにセラミック層１２ｄの厚みが
セラミック層１２ｅ〜１２ｇの厚みの１．５倍以下とさ
れていることにより、レーザー光の照射により矢印Ｄで
示すように内部電極１３が形成されている部分までを確
実に切削することができ、それによって静電容量を確実
に調整することができる。

【００１４】なお、上記のようにセラミック層１２ｄの
厚みは、具体的には、以下のようにして決定される。い
ま、レーザー光の照射による切削深さの平均をバーｘ
（μｍ）、切削の深さのばらつきを、

【００１５】

【数１】

【００１６】とした場合、

【００１７】

【数２】

【００１８】となる。式（Ｉ）において、３σ＜（ａ／
２）であるσが９９．３％の確率で内部電極間のセラミ
ック層の厚みａを超えないσが決定される。従って、こ
のようなσの値を式（Ｉ）に代入すれば、σが内部電極
間のセラミック層の厚みａを超えない切削の深さの平均
値バーｘが求められる。その結果、切削可能なセラミッ
ク層１２ｄの厚みを決定することができる。

【００１９】従って、上記式（Ｉ）から、内部電極間の
セラミック層１２ｅ〜１２ｇの厚みをもとに、切削可能
なセラミック層１２ｄの厚みが決定され、上記のように
セラミック層１２ｅ〜１２ｇの厚みの１．５倍以下にセ
ラミック層１２ｄの厚みを選択することにより、レーザ
ー光の照射条件のばらつきの如何にかかわらず、確実に
内部電極１３のみを切削し、静電容量を高精度に調整す
ることができる。

【００２０】本願発明者の実験によれば、内部電極１３
〜１６間のセラミック層１２ｅ〜１２ｇの厚みが３０μ
ｍの場合、本実施例に従って、セラミック層１２ｄの厚
みを４５μｍ以下と薄くすることにより、内部電極１３
を高精度に切削し得ることが確かめられた。なお、相当
の従来例では、内部電極間のセラミック層の厚みが上記
と同じ場合において、内部電極の外側のセラミック層の
厚みが１００〜２００μｍとされていたため、前述した
ように、レーザー光の照射による静電容量の調整を高精
度に行うことができなかった。

【００２１】図２は、本発明の第２の実施例に係る積層
コンデンサを示す断面図である。第２の実施例の積層コ
ンデンサ２１では、セラミック焼結体２２内に、３枚の
内部電極２３〜２５がセラミック層を介して重なり合う
ように配置されている。ここでは、内部電極２３，２５
が外部電極２７に、内部電極２４が外部電極２８に電気
的に接続されている。第１の実施例と異なるところは、
内部電極２３の上方のセラミック層２２ａの厚みが、内
部電極２３〜２５間のセラミック層２２ｂ，２２ｃより
も薄くされていることにある。すなわち、第２の実施例
からも明らかなように、最外層の内部電極２３より外側
に位置するセラミック層２２ａの厚みは、内部電極２３
〜２５間のセラミック層２２ｂ，２２ｃよりも薄くても
よく、この場合においても、第１の実施例と同様にレー
ザー光の照射により静電容量を確実にかつ容易に調整す
ることができる。

【００２２】図３は、第３の実施例に係る積層コンデン
サを示す断面図である。第３の実施例の積層コンデンサ
３１では、セラミック焼結体３２として、第１，第２の
実施例の場合に比べてより厚みの薄いセラミック焼結体
を用いられている。この場合においても、内部電極３３
〜３５間のセラミック層３２ｂ，３２ｃの厚みに対し
て、内部電極３３よりも上方のセラミック層３２ａの厚
みを１．５倍以下とすることにより、第１，第２の実施
例と同様に、レーザー光の照射により静電容量を確実に
調整することができる。

【００２３】第１〜第３の実施例では、セラミック焼結
体１２，２２，３２の上面側からレーザー光を照射する
ことによって静電容量の調整を行うことが予定されてい
たが、本発明の積層セラミック電子部品では、セラミッ
ク焼結体の上面及び下面のいずれの側からレーザー光に
より切削し得るように構成してもよい。図４は、このよ
うな積層セラミック電子部品の一例としての、積層コン
デンサを示す断面図である。

【００２４】積層コンデンサ４１では、セラミック焼結
体４２内に、内部電極４３〜４８がセラミック層を介し
て重なり合うように配置されている。内部電極４３，４
５，４６，４８は、セラミック焼結体４２の一方端面に
引き出されており、外部電極４９に電気的に接続されて
いる。内部電極４４，４７はセラミック焼結体４２の他
方端面に引き出されており、該他方端面において外部電
極５０に電気的に接続されている。

【００２５】本実施例では、最も上方に位置する内部電
極４３の上方のセラミック層４２ａと、最下方に位置す
る内部電極４８の下方に位置するセラミック層４２ｆの
厚みが、それぞれ、内部電極間のセラミック層４２ｂ，
４２ｃ，４２ｄ，４２ｅの厚みの１．５倍以下とされて
いる。

【００２６】従って、セラミック焼結体４２の上面側及
び下面側のいずれの側からレーザー光を照射してもよ
く、それによって内部電極４３及び内部電極４８の少な
くとも一方を、目的の静電容量値に調整することができ
る。

【００２７】なお、上述してきた実施例は、積層コンデ
ンサについて適用したものであるが、本発明は、コンデ
ンサ部を有するセラミック多層基板などのコンデンサ部
を内部に有する積層型セラミック電子部品一般に適用す
ることができる。

【００２８】

【発明の効果】本発明では、コンデンサを構成している
部分を有する積層セラミック電子部品において、最外層
に位置する内部電極の少なくとも一方の外側に位置して
いるセラミック層の厚みが、内部電極間のセラミック層
の厚みの１．５倍以下とされているため、レーザー光を
最外層の内部電極に照射することにより容易かつ確実に
静電容量を目的とする値に調整することができる。

【００２９】従って、コンデンサ部を有する積層セラミ
ック電子部品の切削不良品率を大幅に低減することが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例の積層コンデンサを示す断面図。

【図２】第２の実施例の積層コンデンサを示す断面図。

【図３】第３の実施例の積層コンデンサを示す断面図。

【図４】第４の実施例の積層コンデンサを示す断面図。

【図５】従来の積層コンデンサを示す断面図。

【符号の説明】

１１，２１，３１，４１…積層コンデンサ １２，２２，３２，４２…焼結体 １２ｄ，２２ａ、３２ａ，４２ａ，４２ｆ…最外層のセ
ラミック層 １２ｅ〜１２ｇ…内部電極間のセラミック層 １３〜１６…内部電極 ２２ｂ，２２ｃ…内部電極間のセラミック層 ２３〜２５…内部電極 ３２ｂ，３２ｃ…内部電極間のセラミック層 ３３〜３５…内部電極 ４２ｂ〜４２ｅ…内部電極間のセラミック層 ４３〜４８…内部電極

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 誘電体セラミックスと、 前記誘電体セラミックス内においてセラミック層を介し
   て重なり合うように配置された複数の内部電極とを備
   え、 前記複数の内部電極のうち、最外層の内部電極の少なく
   とも一方にレーザー光を照射することにより静電容量が
   調整される積層セラミック電子部品において、 前記最外層の内部電極のうち少なくとも一方の内部電極
   の外側のセラミック層の厚みが、内部電極間のセラミッ
   ク層の厚みの１．５倍以下とされていることを特徴とす
   る、積層セラミック電子部品。