JPS63127516A - 積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS63127516A JPS63127516A JP27468586A JP27468586A JPS63127516A JP S63127516 A JPS63127516 A JP S63127516A JP 27468586 A JP27468586 A JP 27468586A JP 27468586 A JP27468586 A JP 27468586A JP S63127516 A JPS63127516 A JP S63127516A
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- Japan
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- capacitance
- electrode pattern
- trimmer capacitor
- multilayer ceramic
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は積層セラミックトリマコンデンサの製造方法に
関し、特に容量調整用電極パターンの切断方法に関する
。
関し、特に容量調整用電極パターンの切断方法に関する
。
一般に積層セラミックコンデンサは内部電極がセラミッ
ク中に埋没して一体化されているため、各個体の容量調
整が不可能である事に対し、本発明者は、特開昭６０−
５８６０５号公報において、積層セラミックコンデンサ
素子の最外層表面に容量調整用の電極パターンを設け、
この電極パターンを任意長に切断して内容調整を行う積
層セラミックトリマコンデンサを提案した。第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）にその構造を示す。従来この種の積
層セラミックトリマコンデンサ１の容量調整用電極パタ
ーン３の切断方法として、レーザ切断方法が用いられて
いる。その原理は第２図に示すように、積層セラリック
トリマコンデンサ１の容量調整用電極パターン３に対し
て垂直にレーザ光発生部６よりレーザ光を照射し、これ
を図中矢印方向に走査して容量調整用電極パターン３を
所定長に切断する。
ク中に埋没して一体化されているため、各個体の容量調
整が不可能である事に対し、本発明者は、特開昭６０−
５８６０５号公報において、積層セラミックコンデンサ
素子の最外層表面に容量調整用の電極パターンを設け、
この電極パターンを任意長に切断して内容調整を行う積
層セラミックトリマコンデンサを提案した。第３図（ａ
）、（ｂ）、（ｃ）にその構造を示す。従来この種の積
層セラミックトリマコンデンサ１の容量調整用電極パタ
ーン３の切断方法として、レーザ切断方法が用いられて
いる。その原理は第２図に示すように、積層セラリック
トリマコンデンサ１の容量調整用電極パターン３に対し
て垂直にレーザ光発生部６よりレーザ光を照射し、これ
を図中矢印方向に走査して容量調整用電極パターン３を
所定長に切断する。
上述した従来の積層セラミックトリマコンデンサの製造
方法は、容量調整用電極パターンに垂直にレーザ光を照
射するので容量調整用電極パターン３の直下の誘電体層
５に影響を及ぼさずにトリミングすることは困難であっ
た。
方法は、容量調整用電極パターンに垂直にレーザ光を照
射するので容量調整用電極パターン３の直下の誘電体層
５に影響を及ぼさずにトリミングすることは困難であっ
た。
すなわち、容量調整用電極パターン３を切断したあとの
レーザ光が容量調整用電極パターン３の直下の誘電体層
５に垂直に当り、この誘電体層５の表面を局所的に加熱
し、ために誘電体層５の表面溶融による変質あるいは半
導体化を誘起し容量値を変化させてしまう問題点がある
。
レーザ光が容量調整用電極パターン３の直下の誘電体層
５に垂直に当り、この誘電体層５の表面を局所的に加熱
し、ために誘電体層５の表面溶融による変質あるいは半
導体化を誘起し容量値を変化させてしまう問題点がある
。
本発明の目的は、容量調整用電極パターンの切断に際し
て誘電体層の変質をもたらすことの少ない積層セラミッ
クトリマコンデンサの製造方法を提供することにある。
て誘電体層の変質をもたらすことの少ない積層セラミッ
クトリマコンデンサの製造方法を提供することにある。
［′問題点を解決するための手段〕
本発明の積層セラミックトリマコンデンサの製造方法は
、内部電極パターンを設けた生シートを１枚以上積み重
ねたものを保護絶縁層用の生シートで挟んで焼成してな
る積層セラミック構体の最外層表面に、１個以上設けた
容量調整用電極パターンの平面に平行な方向からレーザ
光を照射して、前記容量調整用電極パターンを所定の長
さに切断して容量調整を行うというものである。
、内部電極パターンを設けた生シートを１枚以上積み重
ねたものを保護絶縁層用の生シートで挟んで焼成してな
る積層セラミック構体の最外層表面に、１個以上設けた
容量調整用電極パターンの平面に平行な方向からレーザ
光を照射して、前記容量調整用電極パターンを所定の長
さに切断して容量調整を行うというものである。
次に本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例で使用するレーザトリ
ミング装置の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ
−Ａ”線断面図である。支持台８の傾斜面８ａに、容量
調整用電極パターン３が上面になり、かつ、容量ｆＪｑ
用電極電極パターン側縁線３ａが支持台８の底面８ｂに
平行になるよう積層セラミックトリマコンデンサ１を設
置する。
ミング装置の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ
−Ａ”線断面図である。支持台８の傾斜面８ａに、容量
調整用電極パターン３が上面になり、かつ、容量ｆＪｑ
用電極電極パターン側縁線３ａが支持台８の底面８ｂに
平行になるよう積層セラミックトリマコンデンサ１を設
置する。
積層セラミックＩ・リマコンデンサ１の端子電極４に容
量測定用端子９を接続する。傾斜面８ａに平行にかつ電
極パターン３の側縁線３ａにレーザー光を照射するよう
レーザ光発生部６および受光部７を設置する。レーザ光
発生部６および受光部７を第１図（ｂ）の図中矢印に示
す方向にレーザ光発光部６の出力と受光部７の入力が常
に同じになるよう制御しながら移動させる。レーザ光発
生部６より発するレーザ光が積層セラミックトリマコン
デンサ１の容量調整用電極パターン３に当ると、容量調
整電極パターン３の切断が始まる。切断完了は容量測定
用端子９で容量値の変化として検知される。
量測定用端子９を接続する。傾斜面８ａに平行にかつ電
極パターン３の側縁線３ａにレーザー光を照射するよう
レーザ光発生部６および受光部７を設置する。レーザ光
発生部６および受光部７を第１図（ｂ）の図中矢印に示
す方向にレーザ光発光部６の出力と受光部７の入力が常
に同じになるよう制御しながら移動させる。レーザ光発
生部６より発するレーザ光が積層セラミックトリマコン
デンサ１の容量調整用電極パターン３に当ると、容量調
整電極パターン３の切断が始まる。切断完了は容量測定
用端子９で容量値の変化として検知される。
以上説明したように本発明の積層セラミックトリマコン
デンサの製造方法は、容量調整用電極パターンを切断す
る手段として、これに平行にレーザ光を照射しているた
めに、切断完了後にレーザ光が電極パターン直下の誘電
体層に及ばす影響が極めて少なく、積層セラミックトリ
マコンデンサを精度よく製造できる効果がある。
デンサの製造方法は、容量調整用電極パターンを切断す
る手段として、これに平行にレーザ光を照射しているた
めに、切断完了後にレーザ光が電極パターン直下の誘電
体層に及ばす影響が極めて少なく、積層セラミックトリ
マコンデンサを精度よく製造できる効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例で使用するレーザトリ
ミング装置の傾斜図、第１図（ｂ）は第１図の（ａ＞の
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は従来例を説明するための斜
視図、第３図（ａ）は積層セラミックトリマコンデンサ
の斜視図、第３図（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第３図（ａ
）のＡ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。 １・・・積層セラミックトリマコンデンサ、２・・・内
部電極、３・・・容量調整用電極パターン、３ａ・・・
容量調整用電極パターンの側縁線、４・・・端子電極、
５・・・誘電体層、６・・・レーザ光発生部、７・・・
レーザ光受光部、８・・・支持台、８ａ・・・支持台の
傾斜面、８ｂ・・・支持台の底面、９・・・容量測定用
端子。
ミング装置の傾斜図、第１図（ｂ）は第１図の（ａ＞の
Ａ−Ａ’線断面図、第２図は従来例を説明するための斜
視図、第３図（ａ）は積層セラミックトリマコンデンサ
の斜視図、第３図（ｂ）、（ｃ）はそれぞれ第３図（ａ
）のＡ−Ａ′線断面図及びＢ−Ｂ’線断面図である。 １・・・積層セラミックトリマコンデンサ、２・・・内
部電極、３・・・容量調整用電極パターン、３ａ・・・
容量調整用電極パターンの側縁線、４・・・端子電極、
５・・・誘電体層、６・・・レーザ光発生部、７・・・
レーザ光受光部、８・・・支持台、８ａ・・・支持台の
傾斜面、８ｂ・・・支持台の底面、９・・・容量測定用
端子。
Claims (1)
- 内部電極パターンを設けた生シートを１枚以上積み重
ねたものを保護絶縁層用の生シートで挟んで焼成してな
る積層セラミック構体の最外層表面に、１個以上設けた
容量調整用電極パターンの平面に平行な方向からレーザ
光を照射して、前記容量調整用電極パターンを所定の長
さに切断して容量調整を行うことを特徴とする積層セラ
ミックトリマコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468586A JPS63127516A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27468586A JPS63127516A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127516A true JPS63127516A (ja) | 1988-05-31 |
Family
ID=17545132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27468586A Pending JPS63127516A (ja) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | 積層セラミツクトリマコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63127516A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016081558A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 株式会社豊田自動織機 | 電極組立体の製造装置および電極組立体の製造方法 |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP27468586A patent/JPS63127516A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016081558A (ja) * | 2014-10-09 | 2016-05-16 | 株式会社豊田自動織機 | 電極組立体の製造装置および電極組立体の製造方法 |
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