JPH0744245B2 - ヒ−トシンクが設けられ区画化された高可撓性パッケ−ジ中に設置された半導体デバイス - Google Patents

ヒ−トシンクが設けられ区画化された高可撓性パッケ−ジ中に設置された半導体デバイス

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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、一般に半導体デバイスとその製造技術に関す
る。より詳細には、本発明は、熱散逸を増加させる手段
が装着され、実質的に可撓性であるパッケージ中に設け
られた半導体デバイスに関する。
（従来技術とその問題点） 半導体デバイスの幅広い製造技術において、更に集積技
術とそれに関連する製造プロセスの開発において、種々
のタイプのデバイスの特殊な要求に十分に応えることの
できる新しいタイプのパッケージが開発されてきてい
る。
該パッケージつまり半導体デバイスを包み込みそれを周
囲から保護し更にそれを回路カード上に設置し接続する
カプセル封じ（encapsulation）は、パッケージの大き
さを最小にする必要性及び／又はある量の熱散逸能を提
供する必要性とともに、集積回路中の半導体チップの単
位面積当たりのパッキング密度の増大（例えば常に増加
する多数のピンの必要性）に従って変化する要求に答え
られるものでなければならない。
いくつかのタイプの集積回路は、通常熱硬化性樹脂製で
外部ピンを有するパッケージの外表面を通しての対流と
放射による通常の散逸では得ることのできない大きな熱
（半導体ダイ中のジュール効果により発生する）の散逸
能を必要とし、大きさを減少させるためにはパッケージ
自身をできるだけ小さくし従って熱散逸面積が減少する
ということを考慮しなければならない。これらの場合、
パッケージの底部を構成する好ましくは（ニッケル被覆
された）銅である金属ベースつまり基板から実質的に形
成される特別なパッケージを使用することが知られてい
る。半導体ダイはこのような銅ヒートシンクの表面上に
都合良く載置されかつ集積回路の外部接続のために好適
なピンを与えている。前記半導体ダイ（つまりチップ）
はこのような金属ベースの上面上に形成された樹脂体中
に完全にカプセル化されている。
従ってこのような金属ベースの外部（底部）表面は実質
的に限定されないサイズを有しその上に多数のデバイス
が組み立てられている好適な外部ヒートシンクと緊密な
接触状態で載置されることができる。一般に、集積回路
パッケージの金属ベースと外部ヒートシンクの間に良好
な密着を確保するためには、好適な定着手段を提供する
ことが必要になる。
より一般的な定着手段の一つは、前記パッケージの金属
ベースを通して形成される好適な孔を通過する１又は２
以上のボルト又はネジを使用することである。
このタイプのパッケージと関連する特殊な問題は、デバ
イスを外部ヒートシンクの表面上へ載置した後に生ずる
表面のむらにより生ずる、又は外部ヒートシンクを構成
する金属が受ける熱膨張により生ずる表面の変形により
生ずる、半導体ダイ中への機械的応力の誘発の可能性に
関連する。
このような表面のむら（例えば表面の凹凸）は組み立て
作業員により容易に認識されるものではない。
このようなことが起こることのリスクは、前記パッケー
ジ中に収容される半導体ダイの機械的欠損だけでなく、
パッケージの金属ベースの外部表面と外部ヒートシンク
の表面間の密着を欠きあるいは密着の不釣り合いの可能
性に結びつき、これはデバイスの特性を悪くし性能の付
随する劣化を伴うデバイスの過熱を生じさせる。
該問題を解決し又はその程度を減少させるためにいくつ
かの新しいこのようなタイプのパッケージが提案されて
いる。これらは実質的に、定着用孔が設けられた金属プ
レートの末端と、樹脂中にカプセル化された半導体ダイ
が載置される部分の間の金属プレートの厚さを薄くする
ことにより生ずる湾曲の優先ゾーンをパッケージの底部
金属プレートに与えようとするものである。
このような提案は、例えば1979年４月６日公開の特開昭
54−43676号（1977年９月14日出願の特願昭52−109878
号）に開示されている。
このような形状も、上記問題と欠点の例外でなく、しか
もそれは上記した技術的問題を解決するための完全な方
法でも最適の方法でもない。
まず、その上に半導体結晶チップ（又はダイ）が載置さ
れそしてその上にカプセル化する樹脂体が形成される金
属プレート自身の中央部又は中央セグメントについて
の、パッケージのヒートシンク基板として機能する金属
プレートの定着点又は定着セグメント間の弾性的デカッ
プリングは、前記金属を過度に薄くしないように部分的
であることができ、この事実はヒートシンクベースプレ
ートの熱伝導断面を過度に減少させることになる。これ
は、典型的には、それが外部ヒートシンクとの主要な熱
的結合エリアのために提供される定着ネジ又はボルトの
手段により外部ヒートシンクの表面に定着される金属プ
レートの付属物だからである。該金属プレートが形成さ
れた金属は無視できない固有の弾性係数を有し、従って
優先的な湾曲ゾーンを作り出すために該プレートの部分
を薄くする場合でさえも、該金属プレートの中央部への
曲げモーメントの伝達を完全に防止することは不可能で
ある。更にこのようなタイプのパッケージの製造は、湾
曲ゾーン中にノッチを切ること、あるいは形成を容易に
しかつ樹脂体の完全な密着のために金属プレートの中央
部の表面を機械加工し、あるいは半導体ダイとピンに接
続されたワイアリードをカプセル化するといったいくつ
かの機械加工操作を行うことを意図している。
このようなタイプのパッケージの他の欠点は、カプセル
化された樹脂の収縮が金属ベースプレートの変形と平面
性の喪失を誘発する傾向があるという事実に起因する。
（発明の目的） 本発明の対象であるパッケージは、従来技術のパッケー
ジにより示される欠点を生じさせることなく上記した問
題点への最適の解決法を提示する。
（発明の構成及び効果） 本発明によると、パッケージのヒートシンクを形成する
金属ベースプレートは、カプセル化する樹脂体の周縁中
に完全に含まれ、かつ前記パッケージの定着点又は定着
セグメントから弾性的かつ完全にデカップリングされて
いる。
このような金属プレートは円形の形状を有していること
が好ましいが必ずしも円形でなくてもよい。好ましい形
状は、ほぼ完全に樹脂体の底部に収容された良好な熱伝
導体であるニッケル被覆された銅又は他の同等の物質か
らなるディスク状であり、実際には収容する樹脂の平面
からその厚さ分だけ突出している。
前記パッケージの樹脂体は３つの部分に区画されてい
る。その中に前記金属ディスクが収容され半導体ダイも
含まれている中央部に対して互いに正反対に位置する２
つの側部に、それぞれ樹脂体の薄くなったゾーンを通し
て前記中央部に機械的に連結された２つの側部又は側部
セグメントが広がっている。
このような薄いゾーンは、通常の実質的に平坦な形状を
有する前記樹脂体の両主面上に形成された、その最深部
が直接向かい合う（又は完全な整列からは僅かに偏って
いる）１又は２以上のノッチつまり溝により得ることが
できる。このような向かい合う溝の深さは、そのような
薄厚ゾーンにある樹脂体の厚さを該樹脂体の厚さの約50
％に減少させる程度にすることが好ましい。
このような側部つまり側部セグメントには、定着ネジや
定着ボルトを受け入れて外部ヒートシンクの表面上にデ
バイスを載置するための孔、スロット又はノッチが設け
られている。
デバイスのパッケージの樹脂体の３個の「セグメント」
を分離する薄い部分つまり薄い厚さを有する樹脂の２個
のゾーンにより表される２個の湾曲ゾーンは、樹脂が金
属のそれよりも実質的にかなり小さい弾性係数を有して
いるという事実と結びついて、前記樹脂体の中央底部中
に完全に収容された金属プレートの、パッケージの定着
点から外部ヒートシンクへの実質的に完全な弾性的デカ
ップリングを確保する。この方法により、表面の平面性
のむら及び／又は熱で誘発される変形に起因する引っ張
り又は曲げ応力が、前記ヒートシンク金属プレートを通
って半導体ダイへ伝達されることが効果的に防止され
る。
本発明の最良の態様に示すように、熱硬化性樹脂に対し
て小さい弾性率と大きなレジリエンスを有する熱可塑性
樹脂の使用が特別に好ましい。該使用により、上記した
技術的問題の解決に関して、本発明のパッケージの効果
を更に改良することが許容される。
とにかく、本発明のパッケージは、通常の熱硬化性樹脂
を使用してパッケージのカプセル化体を製造した場合で
さえも、従来の同等のパッケージに対して有利な状況に
維持される。
（実施例） 本発明とその利点は、添付図面を参照し特別に好ましい
態様の、純粋に例示的で限定的な意図を有しない以下の
詳細な説明を通して容易に指摘されるであろう。
第１図は、外部ヒートシンクの表面上に定着された本発
明の一実施例であるデバイスを示し、 第２図は、デバイスを形成する種々のパーツを例示する
第１図のデバイスの断面図であり、 第３図及び第４図は、本発明の一実施例に従って製造さ
れた半導体デバイスの互いに直角方向を向く２種類の図
面であり、 第５図は、単一の外部ヒートシンクの表面上に組み立て
られる本発明の一実施例であるいくつかのデバイスを示
す図面である。
第１図中に、本実施例の符号１で示されるデバイスの外
部ヒートシンク２上での組み立て方法を容易に観察する
ことができる。半導体チップを含むデバイスの中央部３
には、集積回路のカプセル封じを形成する樹脂中に部分
的に収容された熱散逸のための金属プレートが装着され
ている。このような金属プレート４は、前記中央部３の
周縁内に完全に含まれている。パッケージの樹脂体に
は、それぞれ反対側にある１対の溝つまりノッチ７及び
８、７′及び８′により前記中央部１に対して区画され
たそれぞれ５及び６である２個の側部が設けられ、前記
溝の部分では樹脂体の厚さは全厚さの約40〜80％に減少
している。
樹脂体の２個の側部つまり側部セグメント５及び６の両
者中に形成された好適な半円形ノッチ中に部分的に受け
入れられ、かつ外部ヒートシンク２中に形成された好適
な螺孔中に螺合されたそれぞれ９及び10である２個の定
着ネジは、前記デバイスを前記ヒートシンク２に定着す
る。第１図に示すように、反対方向を向くペアの溝７、
８及び７′、８′により前記樹脂体中に形成される２個
の首部に対して該樹脂体の前記２個の側部が湾曲する容
易性は、外部ヒートシンク２が完全に平坦でない場合で
さえも表面上に前記デバイスを効果的に載置することを
許容する（第１図の場合、前記外部ヒートシンク２の載
置表面は認識できる凸部を示している）。この方法によ
り、第１に、前記樹脂体の中央部３中に収容されたヒー
トシンク金属プレート４の外部表面と外部ヒートシンク
２の表面間の良好な熱的カップリングが確保される。２
対の溝７、８及び７′及び８′により形成される可撓性
ジョイントに対応する前記樹脂体の変形は、外部ヒート
シンク２の熱膨張のため、又は機械的に誘発される僅か
な変形のために生ずることのある変形の場合にもこのよ
うな良好な熱的カップリングを維持することを更に確保
する。
容易に認識できるように、パッケージ１の樹脂体中に収
容されその内部表面上に半導体ダイが載置されている金
属プレート４は、２個のネジ10及び９により表される定
着点からパッケージを通って半導体結晶のチップへ伝達
される曲げ応力及び他のタイプの応力に関して効果的に
デカップリングされている。
偶発的な湾曲や圧縮は、ペアの溝７、８及び７′及び
８′により区画される２個の湾曲ゾーンに対応する樹脂
中で容易に除去される。
第１図の実施例デバイスの完全な断面図が第２図に示さ
れている。前記パッケージ１は好ましくは予備成型され
たタイプ、つまり樹脂体１を成型し（前記プレート又は
金属製ディスクを、樹脂体と、前記デバイスの外部回路
への電気接続のための外部ピンを構成する複数の共平面
性金属セクターにより形成されるフレーム13の中央部３
の底部中に収容する）、前記パッケージの底部に収容さ
れた金属プレート４の上面の中央領域に対応して空間15
を形成することにより製造される。一般に、前記フレー
ム13の種々のセクターが、前記金属プレート４から電気
的に絶縁されるように収容されている。前記溝つまりノ
ッチ７、８及び７′及び８′は、樹脂体の成型時に都合
良く形成されるが、これらは後に形成するようにしても
よい。
前記ヒートシンクプレート４は好ましくはニッケル被覆
された銅ディスクであり、フレーム13もそうである。前
記パッケージ体の形成のために使用する樹脂は好適な型
中に熱と圧力を加えることにより形成される熱可塑性樹
脂であることが好ましいが、必ずしもこれらに限定され
ない。使用できる樹脂の例は、ホリフェニルスルフィド
樹脂（RITOH）、ポリアミド性樹脂（NORYL）、エポキシ
樹脂（MITTO、MP150）、メタクリル性樹脂等である。
半導体チップ11がヒートシンクプレート４の表面上に載
置され、接続ワイア12が、前記半導体チップ11の表面上
に存在するそれぞれの接続エリア上とフレーム13のそれ
ぞれのセクター又はピンに溶接されている。
次いで熱可撓性樹脂製の予備成型されたプラグ14が、前
記半導体チップを収容する空間15の上部を閉塞するため
に位置し、それは周縁に沿って樹脂１の予備成型体に溶
融溶接される。
第３図と第４図には、デバイスの最終製品の例が示され
ている。ピンの形状は純粋に例示的であり、他の意図さ
れた使用に適用される他の形状も可能である。第３図の
正面図では、ピンの配列は全体として13で示され、パッ
ケージ１は、２対の正反対に位置する溝７及び７′によ
り中央部３と２個の側部５及び６に区画されている。２
個の半円形のノッチつまり凹み16及び17が、組み立て用
ネジ９及び10のネジ付きステムを受け入れるための区画
されたパッケージの２個の側部５及び６のそれぞれの横
方向の端部に形成されている（第１及び２図）。実質的
に前記半円形凹み16及び17と同心的である半円形の空間
（18、19）も、組み立てネジのクラウンつまりヘッドを
少なくとも部分的に受け入れるために形成されることが
好ましい。シーリングプラグ14の輪郭は、前記パッケー
ジの樹脂体の中央部３の周縁内に内接した点線の円によ
り示されている。
第４図に示された同じデバイスの側面図において、樹脂
パッケージの中央底部に収容された金属ディスク４の突
出する輪郭を見ることができる。
集積回路カード20上の本実施例デバイスの組み立て配列
の例が第５図に示されている。容易に分かるように、本
実施例のいくつかのデバイスが前記カード20上に側面を
接するように配列され、ネジ10、９・・・により単一の
外部ヒートシンク２へ定着されている。前記外部ヒート
シンク２は多数のデバイスを収容するために比較的長
く、熱膨張のために穏やかな変形を受ける場合には、本
実施例のデバイスは、湾曲「ライン」に沿った曲げ能力
により、パッケージ中に収容された前記ヒートシンクプ
レート４と外部ヒートシンク２間の熱的カップリングを
保存し、同時にその上に半導体結晶が載置された、収容
された金属プレート４に対する機械的応力の伝達を防止
することを可能にする。
本発明の範囲を逸脱することなく、特殊な実際的要請に
本発明のより一般的な基準を適合させるために、形状、
大きさ、配置、ピンの数、定着手段の配置及び物質の利
用に関する多数の修正を容易に行うことできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、外部ヒートシンクの表面上に定着された本発
明の一実施例であるデバイスを示し、 第２図は、デバイスを形成する種々の部分を例示する第
１図のデバイスの断面図であり、 第３図及び第４図は、本発明の一実施例に従って製造さ
れた半導体デバイスの互いに直角方向を向く２種類の図
面であり、 第５図は、単一の外部ヒートシンクの表面上に組み立て
られる本発明の一実施例であるいくつかのデバイスを示
す図面である。 １……デバイス、２……ヒートシンク ３……中央部、４……金属プレート ５、６……側部、７、７′、８、８′……溝 ９、10……定着ネジ、11……半導体チップ 12……接続ワイア、13……フレーム 14……プラグ、15……空間 16、17……ノッチ 18、19……半円形空間、20……カード

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】ヒートシンク金属体の表面上に載置された
    半導体物質チップと；該、導体チップの表面上のそれぞ
    れの接続エリアへ接続ワイアにより好適に接続された複
    数のピンと；前記チップ、前記接続ワイア、その自由端
    を除く前記ピン及び前記ヒートシンク金属体の少なくと
    も一部を収容する平坦な樹脂体と；デバイスを外部支持
    ヒートシンクへ定着するための手段とを含んで成る半導
    体デバイスにおいて、 前記樹脂体が前記金属体の周縁を越えて少なくとも２個
    の正反対の部分へ広がって該樹脂体の２個の側部セグメ
    ントを形成し、 前記デバイスを定着するための手段が、前記樹脂体の各
    側部セグメントに存在し、 前記樹脂体の両主面上に形成された少なくとも１対の反
    対方向を向く溝が、定着手段を含む前記側部セグメント
    を、前記ヒートシンク金属体を含む前記樹脂体の中央セ
    グメントから分離して、前記金属体から前記樹脂体の前
    記側部セグメントを機械的にデカップリングする湾曲ゾ
    ーンを提供するようにしたことを特徴とする半導体デバ
    イス。
  2. 【請求項２】実質的に平坦な樹脂体の厚さが、反対方向
    を向く２対の溝のそれぞれの部分で、40から80％だけ全
    厚に対して減少している特許請求の範囲第１項に記載の
    半導体デバイス。
  3. 【請求項３】デバイスの定着手段が、定着ネジのステム
    を受け入れやすい、樹脂体の側部セグメントの横方向の
    端部の半円形の凹みから成る特許請求の範囲第１項に記
    載の半導体デバイス。
  4. 【請求項４】ヒートシンク金属体がディスク形状を有
    し、少なくともその厚さだけ樹脂体の表面から突出して
    いる特許請求の範囲第１項に記載の半導体デバイス。
  5. 【請求項５】実質的に平坦な形状を有し、中央部と２個
    の側部とに区画され、該側部が前記中央部の２個の反対
    部分から広がり、更に該平坦形状の予備成型樹脂体の主
    表面上に形成され実質的に反対方向を向くそれぞれの最
    深部を有する少なくとも２対の溝によりパッケージを定
    着する手段を含み、前記少なくとも２対の溝が、前記中
    央部を前記２個の側部のそれぞれから機械的に分離する
    それぞれの湾曲ゾーンを決定するものである予備成型さ
    れた熱可塑性樹脂体と、 その周縁が、前記予備形成された樹脂体の中央部の周縁
    に完全に内接し、前記予備成型された樹脂体の前記中央
    部の主表面上の樹脂中に部分的に収容されたヒートシン
    ク金属体とを含んで成る半導体デバイス用パッケージ。
JP62178831A 1986-07-17 1987-07-17 ヒ−トシンクが設けられ区画化された高可撓性パッケ−ジ中に設置された半導体デバイス Expired - Fee Related JPH0744245B2 (ja)

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IT83632/86A IT1201836B (it) 1986-07-17 1986-07-17 Dispositivo a semiconduttore montato in un contenitore segmentato altamente flessibile e fornite di dissipatore termico

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Publication Number Publication Date
JPS6331144A JPS6331144A (ja) 1988-02-09
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2670517B2 (ja) * 1989-03-30 1997-10-29 山一電機株式会社 Ｉｃキャリア搭載形ソケットにおける接触機構
JP2602545B2 (ja) * 1989-03-30 1997-04-23 山一電機工業株式会社 Ｉｃキャリア
JP2594355B2 (ja) * 1989-04-28 1997-03-26 山一電機工業株式会社 Ｉｃキャリア
US5227663A (en) * 1989-12-19 1993-07-13 Lsi Logic Corporation Integral dam and heat sink for semiconductor device assembly
US5334872A (en) * 1990-01-29 1994-08-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Encapsulated semiconductor device having a hanging heat spreading plate electrically insulated from the die pad
EP0463758A1 (en) * 1990-06-22 1992-01-02 Digital Equipment Corporation Hollow chip package and method of manufacture
IT220643Z2 (it) * 1990-10-22 1993-10-07 Marelli Autronica Dispositivo di fissaggio di componenti elettronici di potenza ad un dissipatore termico
JP2857492B2 (ja) * 1990-11-28 1999-02-17 シャープ株式会社 Ｔａｂパッケージ
US5155579A (en) * 1991-02-05 1992-10-13 Advanced Micro Devices Molded heat sink for integrated circuit package
US5107328A (en) * 1991-02-13 1992-04-21 Micron Technology, Inc. Packaging means for a semiconductor die having particular shelf structure
JP2538112Y2 (ja) * 1991-05-21 1997-06-11 シャープ株式会社 実装基板
JPH05144982A (ja) * 1991-11-19 1993-06-11 Nippon Precision Circuits Kk 集積回路装置
IT1252575B (it) * 1991-12-20 1995-06-19 Sgs Thomson Microelectronics Stampo e procedimento per la fabbricazione di dispositivi a semiconduttore in plastica, con dissipatore metallico visibile per il controllo della saldatura
US5195023A (en) * 1991-12-23 1993-03-16 At&T Bell Laboratories Integrated circuit package with strain relief grooves
FR2706729B1 (fr) * 1993-06-09 1995-09-08 Sagem Radiateur pour composants électroniques de puissance.
US5650593A (en) * 1994-05-26 1997-07-22 Amkor Electronics, Inc. Thermally enhanced chip carrier package
US5827999A (en) * 1994-05-26 1998-10-27 Amkor Electronics, Inc. Homogeneous chip carrier package
DE19609929B4 (de) * 1996-03-14 2006-10-26 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
EP0805492B1 (de) * 1996-04-03 2004-06-30 Jürgen Dr.-Ing. Schulz-Harder Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat
DE19615481C5 (de) * 1996-04-03 2013-03-14 Curamik Electronics Gmbh Gewölbtes Metall-Keramik-Substrat
CN1110846C (zh) * 1996-07-12 2003-06-04 富士通株式会社 半导体装置的制造方法
US6881611B1 (en) * 1996-07-12 2005-04-19 Fujitsu Limited Method and mold for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and method for mounting the device
US6088226A (en) * 1999-03-31 2000-07-11 Lucent Technologies, Inc. Multiple-component clamp and related method for attaching multiple heat-generating components to a heatsink
US6589820B1 (en) 2000-06-16 2003-07-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for packaging a microelectronic die
US6483044B1 (en) 2000-08-23 2002-11-19 Micron Technology, Inc. Interconnecting substrates for electrical coupling of microelectronic components
US6979595B1 (en) * 2000-08-24 2005-12-27 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices with pressure release elements and methods for manufacturing and using such packaged microelectronic devices
US6838760B1 (en) 2000-08-28 2005-01-04 Micron Technology, Inc. Packaged microelectronic devices with interconnecting units
JP2002110718A (ja) * 2000-09-29 2002-04-12 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6710457B1 (en) * 2000-10-20 2004-03-23 Silverbrook Research Pty Ltd Integrated circuit carrier
DE10149886A1 (de) 2001-10-10 2003-04-30 Eupec Gmbh & Co Kg Leistunghalbleitermodul
US7187545B2 (en) 2002-05-22 2007-03-06 Siemens Aktiengesellschaft Cooling devices for cooling electric components, module including cooling device and electric components, and assembly of cooling device or module and support
US6700195B1 (en) * 2003-03-26 2004-03-02 Delphi Technologies, Inc. Electronic assembly for removing heat from a flip chip
DE10326176A1 (de) * 2003-06-10 2005-01-05 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH Leistungshalbleitermodul
US7833456B2 (en) 2007-02-23 2010-11-16 Micron Technology, Inc. Systems and methods for compressing an encapsulant adjacent a semiconductor workpiece
TWI425907B (zh) * 2010-09-21 2014-02-01 Delta Electronics Inc 電子元件和散熱裝置之組合結構及其絕緣元件
JP6208447B2 (ja) * 2013-03-28 2017-10-04 京セラ株式会社 電子素子収納用パッケージおよび電子装置
DE102013220880B4 (de) * 2013-10-15 2016-08-18 Infineon Technologies Ag Elektronisches Halbleitergehäuse mit einer elektrisch isolierenden, thermischen Schnittstellenstruktur auf einer Diskontinuität einer Verkapselungsstruktur sowie ein Herstellungsverfahren dafür und eine elektronische Anordung dies aufweisend
EP2940718B1 (en) * 2014-04-30 2018-04-18 Vincotech GmbH Assembly for cooling a power module
JP6301857B2 (ja) * 2015-02-24 2018-03-28 株式会社東芝 半導体モジュール
US10720379B2 (en) * 2018-12-19 2020-07-21 Cree, Inc. Robust integrated circuit package
JP7325316B2 (ja) * 2019-12-16 2023-08-14 三菱電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3839660A (en) * 1973-02-05 1974-10-01 Gen Motors Corp Power semiconductor device package
DE2712543C2 (de) * 1976-03-24 1982-11-11 Hitachi, Ltd., Tokyo Anordnung eines Halbleiterbauelements auf einer Montageplatte
US4224663A (en) * 1979-02-01 1980-09-23 Power Control Corporation Mounting assembly for semiconductive controlled rectifiers
JPS55113349A (en) * 1979-02-23 1980-09-01 Hitachi Ltd Semiconductor device
FR2455785A1 (fr) * 1979-05-02 1980-11-28 Thomson Csf Support isolateur electrique, a faible resistance thermique, et embase ou boitier pour composant de puissance, comportant un tel support
IT1212780B (it) * 1983-10-21 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Contenitore in metallo e resina per dispositivo a semiconduttore adatto al fissaggio su un dissipatore non perfettamente piano e processo per la sua fabbricazione.
US4577387A (en) * 1983-10-31 1986-03-25 Kaufman Lance R Method of mounting a compact circuit package to a heat sink or the like
JPS59161055A (ja) * 1984-02-20 1984-09-11 Hitachi Ltd 樹脂封止型電子装置
US4777520A (en) * 1986-03-27 1988-10-11 Oki Electric Industry Co. Ltd. Heat-resistant plastic semiconductor device

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Publication number Publication date
EP0254692B1 (en) 1990-10-17
DE3765592D1 (de) 1990-11-22
IT1201836B (it) 1989-02-02
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JPS6331144A (ja) 1988-02-09

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