JPH0742162U - ハイブリッドｉｃの構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 複数のプリント配線基板を並列に配設した導
体パターン上に、それぞれの回路と構造とを結合する面
実装部品を半田にて接合し、実装密度を上げるハイブリ
ッドＩＣの構造の提供を目的とする。 【構成】 導体パターンＡ３にて回路と面実装部品Ａ
２、Ｃ７を接合する接合面８とを形成した第１のプリン
ト配線基板１上に、導体パターンＢ５にて回路と面実装
部品Ｂ６、Ｃ７を接合する接合面８とを形成した第２の
プリント配線基板４の前記接合面８に、メタライズした
導電棒、若しくは両端に電極を有する面実装部品Ｃ７を
垂直に載置して一端を半田にて接合し、他端を前記第１
のプリント配線基板１の前記接合面８に半田にて接合す
る。

Description

【考案の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】

本考案はハイブリッドＩＣに代表される組立品に係わり、より詳細には複数の プリント配線基板を合体する構造に関する。

【０００２】

【従来の技術】

従来のハイブリッドＩＣに代表される組立品の構造は、図３の側面図に示すよ うに、例えば、第１のプリント配線基板２１上に、導体パターン２２にて回路と 面実装部品を接合する接合面と挿入部品接合する接合面と孔とを形成する一方、 第２のプリント配線基板２３上の導体パターン２４に面実装部品２５を装着して 所要の回路を構成し、同回路から外部との接続に供するために形成した入出力用 の複数の導体パターン２４の一端に、接続端子２６の一端を半田にて接合し、同 接続端子２６の他端を前記第１のプリント配線基板２１に設けられている複数の 孔に挿通して導体パターン２２に接合することにより、前記第２のプリント配線 基板２３上の回路と前記第１のプリント配線基板２１上の回路とを接続して合体 した回路が構成され、図示されていないが、この第１のプリント配線基板２１の 所定の位置に設けた外部接続端子から前記導体パターン２２を経由して前記第２ のプリント配線基板２３を含めた合体した回路に接続されているのが一般的な構 造である。

【０００３】 しかしながら、これらのハイブリッドＩＣの構造によれば、第２のプリント配 線基板２３に構成した回路から第１のプリント配線基板２１に構成した回路へ接 続するために、第２のプリント配線基板２３に構成した回路からの所定の端面え 導体パターン２４を延出して接続端子２６の一端を半田にて接合する一方、第１ のプリント配線基板２１上に、前記接続端子２６に相対向する位置に導体パター ン２２と孔とを設け、同孔に接続端子２６の他端を手作業にて接合する構造とな っている。従って、それぞれの回路から接続端子２６に至るまでの長さを有する 導体パターン２２、２４を引き出す必要がある。よって、この導体パターン２２ 、２４が双方のプリント配線基板２１、２３内の相当の面積を占めるため、面実 装部品２５を装着する密度が低下して形状が大きくなり、また、設計時において は、前記導体パターン２２、２４を引き出すためのレイアウト設計に時間を要し 、また、接続端子２６の装着方法が他の面実装部品２５と同じような形状となっ ていないため、自動実装機による装着が困難と言う種々の問題があった。

【０００４】

【考案が解決しようとする課題】

本考案はこのような点に鑑みなされたもので、並列に配設した複数のプリント 配線基板の導体パターン上に、各プリント配線基板の回路と構造とを合体する複 数の面実装部品を半田にて接合し、実装密度を上げるハイブリッドＩＣの構造を 提供するものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】

本考案は上述の課題を解決するため、導体パターンにて回路と面実装部品を接 合する接合面とを形成した第１のプリント配線基板上に、導体パターンにて回路 と面実装部品を接合する接合面とを形成した第２のプリント配線基板の前記接合 面に、メタライズした導電棒、若しくは両端に電極を有する面実装部品を垂直に 載置して一端を半田にて接合し、他端を前記第１のプリント配線基板の前記接合 面に半田にて接合してなることを特徴とする。

【０００６】

【作用】

以上のように構成したので、本考案によるハイブリッドＩＣの構造によれば、 第２のプリント配線基板の導体パターン上の接合面に、両端をメタライズしたセ ラミック棒、若しくは面実装部品の一端を半田にて接合する一方、第１のプリン ト配線基板の導体パターン上の接合面に、前記セラミック棒、若しくは面実装部 品の他端を半田にて接合すると、この前記セラミック棒、若しくは面実装部品を 介して前記第２のプリント配線基板と前記第１のプリント配線基板とを電気的お よび構造的に合体とすることができる。

【０００７】

【実施例】

以下、図面に基づいて本考案による実施例を詳細に説明する。図１はハイブリ ッドＩＣの構造を示す展開側面図で、図２は図１のハイブリッドＩＣの構造を示 す側面図である。図において、１は第１のプリント配線基板で、この両面には面 実装部品Ａ２と導体パターンＡ３とにより電気回路が構成されている。４は第２ のプリント配線基板で、この両面には前述同様に導体パターンＢ５と面実装部品 Ｂ６とにより回路が構成されている。そして、前記第１のプリント配線基板と前 記第２のプリント配線基板とを対面する所要の同位置には、この双方の回路との 間に接続される面実装部品Ｃ７を接合する接合面８が設けられ、前記第２のプリ ント配線基板４の前記導体パターンＢ５に、前記面実装部品Ｂ６と前記接合面８ に前記面実装部品Ｃ７を垂直に載置して端子の一端を接着材とクリーム半田にて 固着し、リフロー半田の工程を経ることにより、前記第２のプリント配線基板４ 上の回路と前記面実装部品Ｃ７の端子の他端を回路の入出力の接続点とした完成 体が形成される。一方、前記第１のプリント配線基板１にも前述同様に前記面実 装部品Ａ２を装着して回路を構成し、この第１のプリント配線基板１の前記接合 面８に、既に装着されている前記第２のプリント配線基板４の前記面実装部品Ｃ ７の他端を、ウエーブソルダー等の方法にて接合することにより、この二つのプ リント配線基板が電気的および構造的に合体され、所要の回路を構成したハイブ リッドＩＣが形成されるようにしている。

【０００８】 従って、並列に配設した前記第１のプリント配線基板１と前記第２のプリント 配線基板との接続に前記面実装部品Ｃ７を介するためには、それぞれの前記接合 面８を、回路上必要とする位置にそれぞれが相対向して設ければよく、よって、 両プリント配線基板上の自由な位置に設けることができ、従来の一般的な技術で ある、それぞれのプリント配線基板の回路から所定の位置に配設した接続端子ま で導体パターンを延出する必要はなくなる。そして、例えば、この面実装部品Ｃ ７を、表面をメタライズしたセラミック棒とすれば、抵抗値０Ω端子として従来 技術に用いた接続端子と同一の機能を有し、また、両端をメタライズした所定の 長さを有する抵抗器、コンデンサ、ダイオードおよびトランジスタ等の回路部品 とすれば、これらの回路部品が接続端子の機能をも兼ねることになり、この結果 、前述のプリント配線基板上に占める導体パターンの面積を少なくして回路部品 の実装密度が上げられ、更には、接続端子に至るまでの導体パターンに起因する 高周波特性並びに耐雑音性能の低下を防ぐことにもなる。

【０００９】

【考案の効果】

以上に説明したように、本考案のハイブリッドＩＣの構造によれば、並列に配 設した複数のプリント配線基板上の必要とする位置に、所定の長さを有する面実 装部品を装着し、この面実装部品を介して双方のプリント配線基板を電気的およ び構造的に結合するものである。従って、従来技術による接続端子を不要とし、 かつ、回路上必要とする位置に相対向して設けることにより、回路から接続端子 に延出する導体パターンもなくなり実装密度が向上すると共に接続端子に至るま での導体パターンによって生ずる高周波特性並びに耐雑音性能の低下を防ぎ、更 には、自動実装機による装着ができるので組立時間を短縮でき、設計時において は、自由な位置に面実装部品を配置できるのでパターンレイアウトの設計時間を も短縮できる等多岐にわたる効果は大である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本考案に適用したハイブリッドＩＣの構
造を示した展開側面図で、第１のプリント配線基板に第
２のプリント配線基板を合体する前を示す。

【図２】図２は図１のハイブリッドＩＣの構造を示した
側面図で、第１のプリント配線基板に第２のプリント配
線基板を合体した状態を示す。

【図３】図３は従来のハイブリッドＩＣの構造を示した
側面図である。

【符号の説明】

１ 第１のプリント配線基板 ２ 面実装部品Ａ ３ 導体パターンＡ ４ 第２のプリント配線基板 ５ 導体パターンＢ ６ 面実装部品Ｂ ７ 面実装部品Ｃ ８ 接合面

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】 導体パターンにて回路と面実装部品を接
   合する接合面とを形成した第１のプリント配線基板上
   に、導体パターンにて回路と面実装部品を接合する接合
   面とを形成した第２のプリント配線基板の前記接合面
   に、メタライズした導電棒、若しくは両端に電極を有す
   る面実装部品を垂直に載置して一端を半田にて接合し、
   他端を前記第１のプリント配線基板の前記接合面に半田
   にて接合してなることを特徴とするハイブリッドＩＣの
   構造。