JPH0740446B2 - 被覆透明導電パネル - Google Patents
被覆透明導電パネルInfo
- Publication number
- JPH0740446B2 JPH0740446B2 JP59169658A JP16965884A JPH0740446B2 JP H0740446 B2 JPH0740446 B2 JP H0740446B2 JP 59169658 A JP59169658 A JP 59169658A JP 16965884 A JP16965884 A JP 16965884A JP H0740446 B2 JPH0740446 B2 JP H0740446B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coating
- group
- film
- transparent conductive
- conductive panel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は画像認識と耐久性にすぐれた入力装置などに有
用な透明でかつ導電性を有するガラス基板パネルに関す
る。
用な透明でかつ導電性を有するガラス基板パネルに関す
る。
ディスプレイの表示面上にその指示、図形に従って入力
を行なうことは他のキーボードなどの画面と離れた位置
での入力に比較して簡便で誤動作が少ない。さらに入力
ボードを一定化し、その下の入力指示をテーブルなどの
差しかえによって多種の入力を可能ならしめることが考
えられる。この際前記の表示画面、可変テーブルを見な
がらその面上で入力させるための透明でかつ入力位置が
検出される入力装置が必要であり、光センサを用いるも
の、ストレインゲージを用いるもの、透明電極の接触に
より入力するものなど各種の方式が提案されている。本
発明は透明電極としての透明導電膜上に誘電体を被覆し
これを指またはその他の物体で接触し、静電容量変化か
ら入力位置を検出する方式において表示面に重ねるべき
被覆透明導電パネルに関するものである。ここで透明導
電膜を被覆するに要する被膜としては所定の範囲内の静
電容量を有する誘電体を用いれば良いのであるが、耐久
性とくに透明性の維持および絶縁膜の保護の観点からは
硬質の被膜が好ましい。かかる硬質の被膜を基材上に形
成する一般的な方法としては蒸着、スパッタリングによ
る無機薄膜の形成法が古くから知られており、また液相
から形成するものとしてプラスチックレンズなどに用い
られた有機ケイ素系高硬度被膜（例えば特公昭51−234
3、特開昭52−119618）がある。
を行なうことは他のキーボードなどの画面と離れた位置
での入力に比較して簡便で誤動作が少ない。さらに入力
ボードを一定化し、その下の入力指示をテーブルなどの
差しかえによって多種の入力を可能ならしめることが考
えられる。この際前記の表示画面、可変テーブルを見な
がらその面上で入力させるための透明でかつ入力位置が
検出される入力装置が必要であり、光センサを用いるも
の、ストレインゲージを用いるもの、透明電極の接触に
より入力するものなど各種の方式が提案されている。本
発明は透明電極としての透明導電膜上に誘電体を被覆し
これを指またはその他の物体で接触し、静電容量変化か
ら入力位置を検出する方式において表示面に重ねるべき
被覆透明導電パネルに関するものである。ここで透明導
電膜を被覆するに要する被膜としては所定の範囲内の静
電容量を有する誘電体を用いれば良いのであるが、耐久
性とくに透明性の維持および絶縁膜の保護の観点からは
硬質の被膜が好ましい。かかる硬質の被膜を基材上に形
成する一般的な方法としては蒸着、スパッタリングによ
る無機薄膜の形成法が古くから知られており、また液相
から形成するものとしてプラスチックレンズなどに用い
られた有機ケイ素系高硬度被膜（例えば特公昭51−234
3、特開昭52−119618）がある。
透明導電パネル上の誘電体被膜は一般に傷がつき易く耐
久性に乏しかった。
久性に乏しかった。
硬質被膜としての無機薄膜は硬度、付着性などに有効で
ある半面、薄膜形成の能率が低いこと、膜厚制御の困難
さ、とくに１μｍ前後以上の膜における耐熱性の低さが
問題になる。一方有機系被膜はとくにウェットコートの
場合には被膜形成の能率、膜厚制御は比較的容易である
が被膜の耐久性とくにその硬度が低いためすり傷などの
欠陥が生じ易く十分なものが得られていなかった。さら
にそのガラス板および透明導電膜の両者に付着するもの
が得られにくく、とくにパターン形成パネルへのコート
には良いものが得られていなかった。
ある半面、薄膜形成の能率が低いこと、膜厚制御の困難
さ、とくに１μｍ前後以上の膜における耐熱性の低さが
問題になる。一方有機系被膜はとくにウェットコートの
場合には被膜形成の能率、膜厚制御は比較的容易である
が被膜の耐久性とくにその硬度が低いためすり傷などの
欠陥が生じ易く十分なものが得られていなかった。さら
にそのガラス板および透明導電膜の両者に付着するもの
が得られにくく、とくにパターン形成パネルへのコート
には良いものが得られていなかった。
本発明はかかる問題点を一挙に解決するもので特許請求
の範囲に記載の有機ケイ素化合物から得られる被膜を有
する透明導電パネルがその製造も簡便で有効であること
を見出したものである。
の範囲に記載の有機ケイ素化合物から得られる被膜を有
する透明導電パネルがその製造も簡便で有効であること
を見出したものである。
本発明はガラス基板上の全面もしくはその１部に透明導
電性を有する層を設けかつその上から誘電体被膜を設け
てなる透明導電層を中間に有するパネルに関するもので
あって誘電体被膜が 一般式 で表わされる化合物ないしはその加水分解物の少なくと
も１種から得られる被膜からなるものである。
電性を有する層を設けかつその上から誘電体被膜を設け
てなる透明導電層を中間に有するパネルに関するもので
あって誘電体被膜が 一般式 で表わされる化合物ないしはその加水分解物の少なくと
も１種から得られる被膜からなるものである。
ここでR1、R2はC1〜C10のアルキル、アリール、ハロゲ
ン化アルキル、ハロゲン化アリール、アルケニルまたは
エポキシ基、（メタ）アクリルオキシ基、アミノ基、メ
ルカプト基もしくはシアノ基を有する有機基であって炭
素−ケイ素結合でSiに結合されているものであり、R3は
C1〜C6のアルキル基、アルコキシアルキル基またはアシ
ル基であり、ａおよびｂは0,1または２でかつａ＋ｂは
0,1または２である。
ン化アルキル、ハロゲン化アリール、アルケニルまたは
エポキシ基、（メタ）アクリルオキシ基、アミノ基、メ
ルカプト基もしくはシアノ基を有する有機基であって炭
素−ケイ素結合でSiに結合されているものであり、R3は
C1〜C6のアルキル基、アルコキシアルキル基またはアシ
ル基であり、ａおよびｂは0,1または２でかつａ＋ｂは
0,1または２である。
本発明に用いられるガラス基板は透明なものであれば特
に限定されない。ここで透明であるとは本発明の目的に
必要な程度に、透明導電板の後方にある各種表示が十分
に識別できれば良く、必ずしも無色あるいはクリアであ
る必要はない。かえって画像のコントラストを上げたり
ちらつきをなくするために着色した基板を用いたり、画
像の認識を妨げない程度の微小凹凸をつけることも可能
である。
に限定されない。ここで透明であるとは本発明の目的に
必要な程度に、透明導電板の後方にある各種表示が十分
に識別できれば良く、必ずしも無色あるいはクリアであ
る必要はない。かえって画像のコントラストを上げたり
ちらつきをなくするために着色した基板を用いたり、画
像の認識を妨げない程度の微小凹凸をつけることも可能
である。
また使用される基板の形状は必ずしも平板である必要は
なく、例えばCRTのような曲面の表示装置に装着される
場合はこれに適合する曲面の基板を使用するのが好まし
い場合もある。
なく、例えばCRTのような曲面の表示装置に装着される
場合はこれに適合する曲面の基板を使用するのが好まし
い場合もある。
このガラス基板上に適用される透明導電膜はこれまでそ
の名の下に知られている各種材料、すなわち金、銀、パ
ラジウムなどの金属薄膜、導電性を有する無機酸化物薄
膜などを用いることができるがとくに酸化インジウム／
酸化すず系薄膜（ITOと略称する）が有用である。これ
らの薄膜は要求される入力機構によって異なるが該当す
るガラス基板の全面もしくは入力位置がブロック化され
ているパターン状に形成される。薄膜の厚さは要求され
る導電性および透明性によって選択されるが好ましくは
10nm〜300nmである。
の名の下に知られている各種材料、すなわち金、銀、パ
ラジウムなどの金属薄膜、導電性を有する無機酸化物薄
膜などを用いることができるがとくに酸化インジウム／
酸化すず系薄膜（ITOと略称する）が有用である。これ
らの薄膜は要求される入力機構によって異なるが該当す
るガラス基板の全面もしくは入力位置がブロック化され
ているパターン状に形成される。薄膜の厚さは要求され
る導電性および透明性によって選択されるが好ましくは
10nm〜300nmである。
かかる薄膜の形成にあたっては真空蒸着法、スパッタリ
ング法その他の物理的気相法や該当する金属のハロゲン
化物、有機系誘導体の化学的気相法や場合により液相か
らの薄膜形成法が適宜用いられる。かかる薄膜形成にあ
たっての各種化学的、物理的なガラス表面の処理、ガラ
スの表面改質は必要に応じ行なうことができる。
ング法その他の物理的気相法や該当する金属のハロゲン
化物、有機系誘導体の化学的気相法や場合により液相か
らの薄膜形成法が適宜用いられる。かかる薄膜形成にあ
たっての各種化学的、物理的なガラス表面の処理、ガラ
スの表面改質は必要に応じ行なうことができる。
透明導電膜をその表面に形成したガラス基板の上に形成
するべき誘電体被膜としては特許請求の範囲記載の化合
物ないしはその加水分解物から成る被膜が適用できるが
これらの化合物の例としてはメチルシリケート、エチル
シリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｉ−プロピルシ
リケート、ｎ−ブチルシリケート、sec−ブチルシリケ
ートおよびｔ−ブチルシリケートなどのテトラアルコキ
シシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メ
チルトリアセトキシシラン、メチルトリブトキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメト
キシエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシ
ラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−ク
ロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピル
トリアセトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（β−グリシドキシエトキシ）プロピルトリ
メトキシシラン、β−（3,4−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシタン、β−（3,4−エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β−メタ
クリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン、γ−シアノプロピルト
リメトキシシランなどのトリアルコキシシラン、トリア
ルコキシアルコキシシラン、ないしはトリアシルオキシ
シラン類およびジメチルジメトキシシラン、フェニルメ
チルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フ
ェニルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
フェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
フェニルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキ
シシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルビニル
ジメトキシシラン、メチルビニルジアセトキシシラン、
γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシ
ランなどのジアルコキシシランないしはジアシルオキシ
シランが挙げられる。これらは単独または複数種用いる
ことができるし、複数種を共加水分解することでオリゴ
マを作成した後被膜の形成に供することもできる。これ
らの化合物はそれ自体でも使用できるが好ましくは加水
分解することにより塗布後の被膜形成性を向上させるこ
とができる。
するべき誘電体被膜としては特許請求の範囲記載の化合
物ないしはその加水分解物から成る被膜が適用できるが
これらの化合物の例としてはメチルシリケート、エチル
シリケート、ｎ−プロピルシリケート、ｉ−プロピルシ
リケート、ｎ−ブチルシリケート、sec−ブチルシリケ
ートおよびｔ−ブチルシリケートなどのテトラアルコキ
シシラン類、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエ
トキシシラン、メチルトリメトキシエトキシシラン、メ
チルトリアセトキシシラン、メチルトリブトキシシラ
ン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシ
ラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシ
シラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメト
キシエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フ
ェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシ
ラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−ク
ロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピル
トリアセトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルト
リメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメト
キシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシ
ラン、γ−（β−グリシドキシエトキシ）プロピルトリ
メトキシシラン、β−（3,4−エポキシシクロヘキシ
ル）エチルトリメトキシシタン、β−（3,4−エポキシ
シクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β−メタ
クリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノ
プロピルトリメトキシシラン、γ−（β−アミノエチ
ル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプ
トプロピルトリメトキシシラン、γ−シアノプロピルト
リメトキシシランなどのトリアルコキシシラン、トリア
ルコキシアルコキシシラン、ないしはトリアシルオキシ
シラン類およびジメチルジメトキシシラン、フェニルメ
チルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フ
ェニルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
フェニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピル
フェニルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチル
ジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキ
シシラン、ジメチルジアセトキシシラン、メチルビニル
ジメトキシシラン、メチルビニルジアセトキシシラン、
γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシ
ランなどのジアルコキシシランないしはジアシルオキシ
シランが挙げられる。これらは単独または複数種用いる
ことができるし、複数種を共加水分解することでオリゴ
マを作成した後被膜の形成に供することもできる。これ
らの化合物はそれ自体でも使用できるが好ましくは加水
分解することにより塗布後の被膜形成性を向上させるこ
とができる。
加水分解物を製造することは対応する化合物を化学量論
以下ないしはそれ以上の水と混合撹拌することによって
得られる。すなわちこれらの化合物を単独または２種以
上組み合わせて無溶剤または適当な溶剤の存在下で水を
添加して行なわれる。
以下ないしはそれ以上の水と混合撹拌することによって
得られる。すなわちこれらの化合物を単独または２種以
上組み合わせて無溶剤または適当な溶剤の存在下で水を
添加して行なわれる。
この場合塩酸などの酸を少量併用すると加水分解が効果
的に進行することが多い。この際通常加水分解中に１部
生成したシラノールの縮合が起こることがあるが著しい
増粘ゲル化に至らない限りとくにさしつかえない。加熱
はとくに必要ないが場合により適用する方が反応が早い
場合もある。またとくに発熱が著しい場合は冷却しつつ
加水分解を行なうことが好ましいこともある。これらの
化合物ないしはそれらの加水分解物はそのまま適用する
ことができるが被膜形成のために要求される各種作業特
性、被膜として要求される各種物性からその他の各種物
質を併用することができる。
的に進行することが多い。この際通常加水分解中に１部
生成したシラノールの縮合が起こることがあるが著しい
増粘ゲル化に至らない限りとくにさしつかえない。加熱
はとくに必要ないが場合により適用する方が反応が早い
場合もある。またとくに発熱が著しい場合は冷却しつつ
加水分解を行なうことが好ましいこともある。これらの
化合物ないしはそれらの加水分解物はそのまま適用する
ことができるが被膜形成のために要求される各種作業特
性、被膜として要求される各種物性からその他の各種物
質を併用することができる。
これらの化合物から被膜を形成するにはこれらの化合物
を含有する組成物を塗布後、加熱により乾燥硬化させ
る。この際塗布にあたっては水その他の有機溶剤で希釈
して用いることもできる。
を含有する組成物を塗布後、加熱により乾燥硬化させ
る。この際塗布にあたっては水その他の有機溶剤で希釈
して用いることもできる。
塗布法は公知の各種方式たとえば浸漬コート、スプレー
コート、スピンコート、カーテンフローコートなどが適
用できる。
コート、スピンコート、カーテンフローコートなどが適
用できる。
塗布後溶剤を除去すると同時に加熱硬化する。硬化温度
は選択される化合物、作業条件によっても異なるが50〜
300℃、好ましくは60〜250℃が用いられる。これより低
温度では硬化が不十分であり、高温度ではクラック、被
膜の分解などの不都合が生ずる。
は選択される化合物、作業条件によっても異なるが50〜
300℃、好ましくは60〜250℃が用いられる。これより低
温度では硬化が不十分であり、高温度ではクラック、被
膜の分解などの不都合が生ずる。
さらに被膜形式組成物中に物性改良の目的で各種の物質
が混入可能である。これらの中には硬化触媒、硬化剤、
変性用樹脂、微粒子状酸化物などが好ましく用いられ
る。硬化剤、硬化触媒としてはこれまでシラノール化合
物ないしは特許請求の範囲中に記載された有機官能基と
反応またはそれらの反応を促進することが知られている
各種の化合物が使用可能であり、これらの例としては次
のようなものがある。
が混入可能である。これらの中には硬化触媒、硬化剤、
変性用樹脂、微粒子状酸化物などが好ましく用いられ
る。硬化剤、硬化触媒としてはこれまでシラノール化合
物ないしは特許請求の範囲中に記載された有機官能基と
反応またはそれらの反応を促進することが知られている
各種の化合物が使用可能であり、これらの例としては次
のようなものがある。
触媒としてはシラノールの縮合触媒、重合触媒として知
られる各種化合物（W.Noll,“Chemistry and Technolog
y of silicones"、Academic press（1968）参照） すなわちルイス酸、ルイス塩基を含む酸、塩およびこれ
らから形成される塩基性または中性塩、各種金属のアル
コキシド、キレート化合物、とくにアセチルアセトナー
ト、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｃ、Ｎ＝ＣおよびまたはＮ≡Ｃ結合を
含む有機化合物が挙げられる。この他エポキシ基を官能
基として有するシランにあってはエポキシ樹脂の硬化剤
として知られる化合物（H.Lee,K.Neville,“Handbook o
f epoxy resins"、Mc Graw Hill（1967）．参照） すなわち上記シラノール用触媒を重複しないものとして
酸無水物、多官能チオール、などが挙げられる。
られる各種化合物（W.Noll,“Chemistry and Technolog
y of silicones"、Academic press（1968）参照） すなわちルイス酸、ルイス塩基を含む酸、塩およびこれ
らから形成される塩基性または中性塩、各種金属のアル
コキシド、キレート化合物、とくにアセチルアセトナー
ト、Ｎ−Ｈ、Ｎ−Ｃ、Ｎ＝ＣおよびまたはＮ≡Ｃ結合を
含む有機化合物が挙げられる。この他エポキシ基を官能
基として有するシランにあってはエポキシ樹脂の硬化剤
として知られる化合物（H.Lee,K.Neville,“Handbook o
f epoxy resins"、Mc Graw Hill（1967）．参照） すなわち上記シラノール用触媒を重複しないものとして
酸無水物、多官能チオール、などが挙げられる。
これらのうちとくに好ましいものとしては有機カルボン
酸のアルカリ金属塩、アルミニウムキレート化合物、イ
ミダゾール化合物、などの含窒素系化合物、ジチオ酸な
どの含イオウ系化合物などがある。
酸のアルカリ金属塩、アルミニウムキレート化合物、イ
ミダゾール化合物、などの含窒素系化合物、ジチオ酸な
どの含イオウ系化合物などがある。
さらに炭素−炭素不飽和結合を有するシランにあっては
アゾ系、過酸化物系のラジカル開始剤を用いるともでき
る。
アゾ系、過酸化物系のラジカル開始剤を用いるともでき
る。
変性用樹脂としては形成される被膜の透明性を損わない
程度の相溶性を有するものであれば何でも良いのである
がとくにアクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、繊維素系樹脂などが好ましい。とくにこれ
らの中でも特許請求の範囲に述べたケイ素化合物と反応
し得る官能基、例えば水酸基、メチロール基、エポキシ
基を有するものが強靭な被膜を形成する。
程度の相溶性を有するものであれば何でも良いのである
がとくにアクリル樹脂、メラミン樹脂、ポリビニルアル
コール樹脂、繊維素系樹脂などが好ましい。とくにこれ
らの中でも特許請求の範囲に述べたケイ素化合物と反応
し得る官能基、例えば水酸基、メチロール基、エポキシ
基を有するものが強靭な被膜を形成する。
さらに被膜の硬度向上に好ましい配合物として微粒子状
酸化物がある。
酸化物がある。
微粒子状の酸化物とは被膜としての透明性を失わない粒
子径に分散された化合物を指す。これらの例としては酸
化チタン、酸化ジルコニウムのゾル体が有効であるがと
くに平均粒子径５〜200nmのシリカ微粒子（コロイダル
シリカ）が有効である。これは粉末状または溶剤中にコ
ロイド状に分散された形で供されるものであり、他の塗
膜形成成分を含む溶液中に容易に分散されるものであ
る。また分散性を向上させる意味で表面処理ないしは表
面被覆したシリカ微粒子もこれに含めることができる。
これらの微粒子状酸化物は被膜形成後も透明性を失うも
のであってはならない。
子径に分散された化合物を指す。これらの例としては酸
化チタン、酸化ジルコニウムのゾル体が有効であるがと
くに平均粒子径５〜200nmのシリカ微粒子（コロイダル
シリカ）が有効である。これは粉末状または溶剤中にコ
ロイド状に分散された形で供されるものであり、他の塗
膜形成成分を含む溶液中に容易に分散されるものであ
る。また分散性を向上させる意味で表面処理ないしは表
面被覆したシリカ微粒子もこれに含めることができる。
これらの微粒子状酸化物は被膜形成後も透明性を失うも
のであってはならない。
これらの配合物の使用によって被膜は所望の硬度、耐久
性の他に付着性、耐汚染性、耐薬品性の向上が見られ、
さらに帯電防止性、防曇性、印刷性などを付与すること
もできる。さらにエポキシシランを含有するものにあっ
ては染色性を付与することができ、捺染、浸染、各種の
方法で着色、模様付けを行なうこともできる。
性の他に付着性、耐汚染性、耐薬品性の向上が見られ、
さらに帯電防止性、防曇性、印刷性などを付与すること
もできる。さらにエポキシシランを含有するものにあっ
ては染色性を付与することができ、捺染、浸染、各種の
方法で着色、模様付けを行なうこともできる。
上記配合物は被膜形成成分中微粒子状酸化物は70重量％
以下、その他は40重量％以下で使用されるべきであり、
この限度を越えると微粒子状酸化物にあってはクラック
の発生、その他の成分では硬度の低下を生ずる。
以下、その他は40重量％以下で使用されるべきであり、
この限度を越えると微粒子状酸化物にあってはクラック
の発生、その他の成分では硬度の低下を生ずる。
またその他の添加剤としては塗布段階での塗膜の流動性
を調節して表面平滑性を増し、かつ表面の摩擦係数を減
少するために各種の界面活性剤が有効である。さらに紫
外線吸収剤、抗酸化剤、発泡防止剤、粘度調節剤などが
随時使用できる。
を調節して表面平滑性を増し、かつ表面の摩擦係数を減
少するために各種の界面活性剤が有効である。さらに紫
外線吸収剤、抗酸化剤、発泡防止剤、粘度調節剤などが
随時使用できる。
得られた被膜の比誘導率は入力装置として使用される場
合の方式、検出感度、精度などによっても異なり、かつ
所要とされる膜厚によっても異なるが２〜50好ましくは
２〜15のものが使用される。
合の方式、検出感度、精度などによっても異なり、かつ
所要とされる膜厚によっても異なるが２〜50好ましくは
２〜15のものが使用される。
以下実施例を挙げて本発明をさらに詳しく説明する。
実施例１ （１） 被覆組成物の調製 （ａ） γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
加水分解物の調製 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン63.6gを
ビーカー中に入れ、マグネチックスターラーで撹拌しつ
つ、10±２℃で0.01N−塩酸水溶液14.6gを滴下混合し
て、加水分解物を得た。
加水分解物の調製 γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン63.6gを
ビーカー中に入れ、マグネチックスターラーで撹拌しつ
つ、10±２℃で0.01N−塩酸水溶液14.6gを滴下混合し
て、加水分解物を得た。
（ｂ） 塗料の調製 前記シラン加水分解物にエポキシ樹脂（“デナコールEx
−320"、長瀬産業（株）製品）30g、ジアセトンアルコ
ール26.3g、ベンジルアルコール13.1g、メタノール111.
2g、シリコーン系界面活性剤0.4g、アルミニウムアセチ
ルアセトネート3.8gをそれぞれ撹拌しながら室温下で添
加混合し被覆組成物を得た。
−320"、長瀬産業（株）製品）30g、ジアセトンアルコ
ール26.3g、ベンジルアルコール13.1g、メタノール111.
2g、シリコーン系界面活性剤0.4g、アルミニウムアセチ
ルアセトネート3.8gをそれぞれ撹拌しながら室温下で添
加混合し被覆組成物を得た。
（２） 塗布およびキュア 前項被覆組成物を用いてITO膜をつけた透明導電性ガラ
ス基板に浸漬法（引き上げ速度10cm/分）で塗布し、90
℃の熱風乾燥機で４時間加熱キュアした。
ス基板に浸漬法（引き上げ速度10cm/分）で塗布し、90
℃の熱風乾燥機で４時間加熱キュアした。
（３） 試験結果 得られた被覆透明導電性パネルの性能試験のために次の
テストを行なった。
テストを行なった。
（ａ） スチールウール硬度 ＃0000のスチールウールで塗面をこすり、傷のつき具合
を目視により以下の３段階に分けて判定した。
を目視により以下の３段階に分けて判定した。
Ａ……まったく傷がつかない。
Ｂ……わずかに傷あとがみとめられる。
Ｃ……通常の有機プラスチックと同程度の全面すり傷あ
とがつく。
とがつく。
（ｂ） 付着性 ゴバン目、セロテープ剥離試験。
100個のゴバン目中付着残存しているゴバン目の数で表
示する。
示する。
（ｃ） 透明性 ITO蒸着部の全光線透過率（％）を測定した。
試験結果は第１表に示す。
実施例２ 実施例１の（１）、（ａ）項のシラン加水分解物にエポ
キシ樹脂（“デナコールEx−320"）30g、ジアセトンア
ルコール52.5g、ベンジルアルコール26.3g、メタノール
80.6g、メタノール分散コロイド状シリカ250.0g、シリ
コーン系界面活性剤0.8g、アルミニウムアセチルアセト
ネート7.6gをそれぞれ撹拌しながら室温下で添加混合し
被覆組成物を得た。
キシ樹脂（“デナコールEx−320"）30g、ジアセトンア
ルコール52.5g、ベンジルアルコール26.3g、メタノール
80.6g、メタノール分散コロイド状シリカ250.0g、シリ
コーン系界面活性剤0.8g、アルミニウムアセチルアセト
ネート7.6gをそれぞれ撹拌しながら室温下で添加混合し
被覆組成物を得た。
なお塗布とキュアは実施例１と同様にして行なった。試
験結果を第１表に示す。
験結果を第１表に示す。
実施例３ γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン89.8
g、メタノール分散コロイド状シリカ320.8g、エポキシ
樹脂（“デナコールEx−921"、長瀬産業（株）製品）1
5.8g、アルミニウムアセチルアセトネート5.3g、硝酸ア
ンモニウム0.032g、アセチルアセトン10.5gをそれぞれ
撹拌しながら室温下で添加混合し被覆組成物を得た。
g、メタノール分散コロイド状シリカ320.8g、エポキシ
樹脂（“デナコールEx−921"、長瀬産業（株）製品）1
5.8g、アルミニウムアセチルアセトネート5.3g、硝酸ア
ンモニウム0.032g、アセチルアセトン10.5gをそれぞれ
撹拌しながら室温下で添加混合し被覆組成物を得た。
なお塗布は実施例１と同様であるがキュアを160℃/60分
とした。試験結果を第１表に示す。
とした。試験結果を第１表に示す。
比較例１ （１） 被覆組成物の調製 アクリル系共重合体ワニス（“コータックスSA−105"東
レ（株）製品、固形分50％）31.8g、ブチル化メチロー
ルメラミン樹脂（“スーパーベッカミンＧ−821"大日本
インキ化学工業（株）製品、固形分60％）7.6g、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（“エピコート1001"シェル
化学（株）製品）4.5gをｎ−ブタノール／キシレン混合
（30/70重量比）溶媒に溶解したワニス（固形分50％）
をさらにキシレン、セロソルブアセテートの等量混合溶
媒で希釈し固形分25％の被覆組成物を得た。
レ（株）製品、固形分50％）31.8g、ブチル化メチロー
ルメラミン樹脂（“スーパーベッカミンＧ−821"大日本
インキ化学工業（株）製品、固形分60％）7.6g、ビスフ
ェノールＡ型エポキシ樹脂（“エピコート1001"シェル
化学（株）製品）4.5gをｎ−ブタノール／キシレン混合
（30/70重量比）溶媒に溶解したワニス（固形分50％）
をさらにキシレン、セロソルブアセテートの等量混合溶
媒で希釈し固形分25％の被覆組成物を得た。
（２） 塗布およびキュア 前項被覆組成物を用いてITO膜を付けた透明導電性ガラ
ス基板に浸漬法（引き上げ速度10cm/分）で塗布し、160
℃の熱風乾燥機で１時間加熱キュアした。
ス基板に浸漬法（引き上げ速度10cm/分）で塗布し、160
℃の熱風乾燥機で１時間加熱キュアした。
試験結果を第１表に示す。
実施例の結果本発明の被膜を有する透明導電パネルが十
分な耐すり傷性と透明性を兼備していることがわかる。
分な耐すり傷性と透明性を兼備していることがわかる。
本発明による透明導電パネルはその製造が簡便でありか
つ膜厚すなわち静電容量が均一でその入力位置の検出が
容易である。かつ高硬度であるために導電膜の保護効果
もあって信頼性の高いものである。
つ膜厚すなわち静電容量が均一でその入力位置の検出が
容易である。かつ高硬度であるために導電膜の保護効果
もあって信頼性の高いものである。
Claims (1)
- 【請求項１】ガラス基板上の全面もしくはその１部に透
明導電性を有する層を設けかつその上に下記一般式で表
わされる化合物または加水分解物の少なくとも１種から
得られる被膜を設けてなる被覆透明導電パネル。 ここでR1、R2はC1〜C10のアルキル、アリール、ハロゲ
ン化アルキル、ハロゲン化アリール、アルケニルまたは
エポキシ基、（メタ）アクリルオキシ基、アミノ基、メ
ルカプト基もしくはシアノ基を有する有機基であって炭
素−ケイ素結合でSiに結合されているものであり、R3は
C1〜C6のアルキル基、アルコキシアルキル基またはアシ
ル基であり、ａおよびｂは0,1または２でかつａ＋ｂは
0,1または２である。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169658A JPH0740446B2 (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 被覆透明導電パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59169658A JPH0740446B2 (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 被覆透明導電パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6149307A JPS6149307A (ja) | 1986-03-11 |
| JPH0740446B2 true JPH0740446B2 (ja) | 1995-05-01 |
Family
ID=15890535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59169658A Expired - Lifetime JPH0740446B2 (ja) | 1984-08-14 | 1984-08-14 | 被覆透明導電パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0740446B2 (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54103414A (en) * | 1978-02-02 | 1979-08-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Formation of transparent electric condutive film |
| JPS591248A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | ダイセル化学工業株式会社 | 透明導電性積層体 |
| JPS5912550A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 帯電防止性を有するブラウン管 |
-
1984
- 1984-08-14 JP JP59169658A patent/JPH0740446B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54103414A (en) * | 1978-02-02 | 1979-08-14 | Tokyo Shibaura Electric Co | Formation of transparent electric condutive film |
| JPS591248A (ja) * | 1982-06-25 | 1984-01-06 | ダイセル化学工業株式会社 | 透明導電性積層体 |
| JPS5912550A (ja) * | 1982-07-13 | 1984-01-23 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 帯電防止性を有するブラウン管 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6149307A (ja) | 1986-03-11 |
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