JPH0739230Y2 - トランスファ成形用金型 - Google Patents
トランスファ成形用金型Info
- Publication number
- JPH0739230Y2 JPH0739230Y2 JP14669488U JP14669488U JPH0739230Y2 JP H0739230 Y2 JPH0739230 Y2 JP H0739230Y2 JP 14669488 U JP14669488 U JP 14669488U JP 14669488 U JP14669488 U JP 14669488U JP H0739230 Y2 JPH0739230 Y2 JP H0739230Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mold
- runner
- lead frame
- gap
- flash
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
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- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、樹脂封止形半導体素子を成形するトランスフ
ァ成形用金型に関する。
ァ成形用金型に関する。
まず、頭記したトランスファ成形用金型の従来構造を第
２図，第３図に示す。図において、１は上型、２は下
型、３はキャビテイ、４はランナ、５はゲートである。
２図，第３図に示す。図において、１は上型、２は下
型、３はキャビテイ、４はランナ、５はゲートである。
かかるトランスファ成形用金型により樹脂封止形半導体
素子を成形するには、リードフレーム６にチップ７をマ
ウントして所定の結線を施した半導体素子の仮組立体
を、図示のように上型１と下型２との間にインサート
し、この状態で図示されてないポットより射出された溶
融樹脂をランナ4,ゲート５を経てキャビテイ３に注入
し、成形することは周知の通りである。
素子を成形するには、リードフレーム６にチップ７をマ
ウントして所定の結線を施した半導体素子の仮組立体
を、図示のように上型１と下型２との間にインサート
し、この状態で図示されてないポットより射出された溶
融樹脂をランナ4,ゲート５を経てキャビテイ３に注入
し、成形することは周知の通りである。
また、この場合に上型１と下型２との間の合わせ面であ
る金型のパーティング面に対し、そのキャビテイブロッ
ク領域にはあらかじめリードフレーム６をインサートす
るためにリードフレームの板厚寸法ｄ（0.2mm程度）に
相当する隙間を確保してあるが、それ以外のランナブロ
ック領域では、パーティング面のフラッシュ発生をでき
るだけ防ぐために、隙間を0.005〜0.01mm程度で抑えて
構成している。
る金型のパーティング面に対し、そのキャビテイブロッ
ク領域にはあらかじめリードフレーム６をインサートす
るためにリードフレームの板厚寸法ｄ（0.2mm程度）に
相当する隙間を確保してあるが、それ以外のランナブロ
ック領域では、パーティング面のフラッシュ発生をでき
るだけ防ぐために、隙間を0.005〜0.01mm程度で抑えて
構成している。
ところで、前記のような寸法設定条件で構成された従来
のトランスファ成形用金型では、次記の難点がある。す
なわち、リードフレームの板厚寸法はバラツキもあり、
このために金型のパーティング面，特にランナブロック
領域のパーティング面には成形の際に溶融樹脂が流れ込
んで極薄い膜状のフラッシュが発生する。しかも、この
フラッシュは薄膜であるために、金型より製品を取り出
す際に金型のパーティング面に貼り付いたまま取り残さ
れるようになる。
のトランスファ成形用金型では、次記の難点がある。す
なわち、リードフレームの板厚寸法はバラツキもあり、
このために金型のパーティング面，特にランナブロック
領域のパーティング面には成形の際に溶融樹脂が流れ込
んで極薄い膜状のフラッシュが発生する。しかも、この
フラッシュは薄膜であるために、金型より製品を取り出
す際に金型のパーティング面に貼り付いたまま取り残さ
れるようになる。
しかも、このフラッシュ残渣を残したまま次の成形を行
うと、型締めの際にパーティング面に打痕が生じて金型
に傷を付ける、あるいは完全に金型が閉じないために樹
脂未充填の成形欠陥が生じることがある。このために、
従来では各回の成形毎にパーティング面に付着している
膜状のフラッシュ残渣を箆などの治具で除去するように
しているが、その除去作業が極めて厄介であり、このこ
とが作業能率を低める要因となっている。
うと、型締めの際にパーティング面に打痕が生じて金型
に傷を付ける、あるいは完全に金型が閉じないために樹
脂未充填の成形欠陥が生じることがある。このために、
従来では各回の成形毎にパーティング面に付着している
膜状のフラッシュ残渣を箆などの治具で除去するように
しているが、その除去作業が極めて厄介であり、このこ
とが作業能率を低める要因となっている。
本考案は上記の点にかんがみなされたものであり、頭記
のように樹脂封止形半導体素子を成形するトランスファ
成形用金型を対象に、製品を金型より取り出す際に成形
過程でパーティング面に生じたフラッシュがランナの溝
内で固まった部分に連なったまま一緒に引き出され、金
型内にフラッシュを取り残すことがないようにした金型
を提供することを目的とする。
のように樹脂封止形半導体素子を成形するトランスファ
成形用金型を対象に、製品を金型より取り出す際に成形
過程でパーティング面に生じたフラッシュがランナの溝
内で固まった部分に連なったまま一緒に引き出され、金
型内にフラッシュを取り残すことがないようにした金型
を提供することを目的とする。
本考案は、上述の目的を達成するため、溶融樹脂が供給
されるランナと、リードフレームに搭載された複数の半
導体チップをそれぞれ収容する複数のキャビティと、該
複数のキャビティのそれぞれと前記ランナの間に設けら
れ、当該ランナから当該複数のキャビティのそれぞれに
溶融樹脂を導くゲートと、前記リードフレームをインサ
ートする間隙とを上型と下型との間に有するトランスフ
ァ成形用金型において、前記ランナと前記間隙の間の上
型と下型のパーティング面の間隙を0.02mm以上かつ前記
リードフレームの板厚寸法以下としたことを特徴として
いる。
されるランナと、リードフレームに搭載された複数の半
導体チップをそれぞれ収容する複数のキャビティと、該
複数のキャビティのそれぞれと前記ランナの間に設けら
れ、当該ランナから当該複数のキャビティのそれぞれに
溶融樹脂を導くゲートと、前記リードフレームをインサ
ートする間隙とを上型と下型との間に有するトランスフ
ァ成形用金型において、前記ランナと前記間隙の間の上
型と下型のパーティング面の間隙を0.02mm以上かつ前記
リードフレームの板厚寸法以下としたことを特徴として
いる。
本考案においては、リードフレームをインサートする間
隙とランナの間（ランナブロック領域）の上型と下型の
パーティング面の間隙を0.02mm以上かつリードフレーム
の板厚寸法以下としたので、このパーティング面には厚
めな肉厚のフラッシュが生じる。したがって、成形後に
金型から製品を取り出す際には、前記のフラッシュがラ
ンナの溝内で固まった部分に連なったままパーティング
面から確実に剥離して一緒に取り出されるようになる。
つまり、金型内のパーティング面にフラッシュ残渣が貼
り付いたまま取り残されることがなくなる。
隙とランナの間（ランナブロック領域）の上型と下型の
パーティング面の間隙を0.02mm以上かつリードフレーム
の板厚寸法以下としたので、このパーティング面には厚
めな肉厚のフラッシュが生じる。したがって、成形後に
金型から製品を取り出す際には、前記のフラッシュがラ
ンナの溝内で固まった部分に連なったままパーティング
面から確実に剥離して一緒に取り出されるようになる。
つまり、金型内のパーティング面にフラッシュ残渣が貼
り付いたまま取り残されることがなくなる。
第１図は本考案実施例による金型の断面図を示すもので
あり、第２図に対応する同一部には同じ符号が付してあ
る。すなわち本考案により、ランナ４からゲート５を経
てキャビテイ３に至るランナブロック領域には、金型を
閉じた状態で上型１と下型２との間のパーティング面域
に、間隙寸法が0.02mmないしリードフレーム６の板厚寸
法ｄに相当する寸法となるよう設定したフラッシュ生成
間隙８があらかじめ設けてある。
あり、第２図に対応する同一部には同じ符号が付してあ
る。すなわち本考案により、ランナ４からゲート５を経
てキャビテイ３に至るランナブロック領域には、金型を
閉じた状態で上型１と下型２との間のパーティング面域
に、間隙寸法が0.02mmないしリードフレーム６の板厚寸
法ｄに相当する寸法となるよう設定したフラッシュ生成
間隙８があらかじめ設けてある。
かかる金型構成で、リードフレーム６にチップ７をマウ
ントした半導体素子の仮組立体を上型１と下型２との間
にインサートして樹脂成形を行うと、ランナ４からキャ
ビテイ３に樹脂が注入される過程で、同時に前記したフ
ラッシュ生成間隙８が余剰分の樹脂で充填されることに
なる。しかもこのパーティング面に生成したフラッシュ
は前記した間隙寸法ｇに相当する肉厚のものであり、第
２図で述べたように従来における金型のパーティング面
に生じた薄膜状のフラッシュと比べて肉厚がかなり厚め
である。したがって、成形後に金型から製品を取り出す
際に、フラッシュがランナ４の溝内で固まった樹脂と連
なったまま一緒に引き出されるようになる。この結果、
金型内のパーティング面にフラッシュ残渣が貼り付いた
まま取り残されるような事態がなくなる。なお、このフ
ラッシュは金型から取り出した後に行うバリ取り作業の
際に製品から切り離して処分される。
ントした半導体素子の仮組立体を上型１と下型２との間
にインサートして樹脂成形を行うと、ランナ４からキャ
ビテイ３に樹脂が注入される過程で、同時に前記したフ
ラッシュ生成間隙８が余剰分の樹脂で充填されることに
なる。しかもこのパーティング面に生成したフラッシュ
は前記した間隙寸法ｇに相当する肉厚のものであり、第
２図で述べたように従来における金型のパーティング面
に生じた薄膜状のフラッシュと比べて肉厚がかなり厚め
である。したがって、成形後に金型から製品を取り出す
際に、フラッシュがランナ４の溝内で固まった樹脂と連
なったまま一緒に引き出されるようになる。この結果、
金型内のパーティング面にフラッシュ残渣が貼り付いた
まま取り残されるような事態がなくなる。なお、このフ
ラッシュは金型から取り出した後に行うバリ取り作業の
際に製品から切り離して処分される。
本考案のトランスファ成形用金型は、以上説明したよう
に構成されているので、次記の効果を奏する。
に構成されているので、次記の効果を奏する。
（１）ランナブロック領域のパーティング面に生成した
フラッシュは、パーティング面に貼り付いたまま金型内
に取り残されることがなく、金型より製品を取り出す際
に一緒に引き出されるので、成形毎に金型内からフラッ
シュ残渣を取り除く厄介な作業が不要となり、成形工程
の作業能率アップが図れる。
フラッシュは、パーティング面に貼り付いたまま金型内
に取り残されることがなく、金型より製品を取り出す際
に一緒に引き出されるので、成形毎に金型内からフラッ
シュ残渣を取り除く厄介な作業が不要となり、成形工程
の作業能率アップが図れる。
（２）金型内にフラッシュ残渣が残らないので、次回の
成形時にフラッシュ残渣の取り残しに起因する打痕，並
びに樹脂の未充填による成形欠陥の発生を防止できる。
成形時にフラッシュ残渣の取り残しに起因する打痕，並
びに樹脂の未充填による成形欠陥の発生を防止できる。
第１図は本考案実施例の構造を示す金型の断面図、第２
図は従来におけるトランスファ成形用金型の断面図、第
３図は第２図における下型の斜視図である。図におい
て、 1:上型、2:下型、3:キャビテイ、4:ランナ、5:ゲート、
6:リードフレーム、7:半導体チップ、8:フラッシュ生成
間隙、g:間隙寸法、d:リードフレームの板厚寸法。
図は従来におけるトランスファ成形用金型の断面図、第
３図は第２図における下型の斜視図である。図におい
て、 1:上型、2:下型、3:キャビテイ、4:ランナ、5:ゲート、
6:リードフレーム、7:半導体チップ、8:フラッシュ生成
間隙、g:間隙寸法、d:リードフレームの板厚寸法。
Claims (1)
- 【請求項１】溶融樹脂が供給されるランナと、リードフ
レームに搭載された複数の半導体チップをそれぞれ収容
する複数のキャビティと、該複数のキャビティのそれぞ
れと前記ランナの間に設けられ、当該ランナから当該複
数のキャビティのそれぞれに溶融樹脂を導くゲートと、
前記リードフレームをインサートする間隙とを上型と下
型との間に有するトランスファ成形用金型において、前
記ランナと前記間隙の間の上型と下型のパーティング面
の間隙を0.02mm以上かつ前記リードフレームの板厚寸法
以下としたことを特徴とするトランスファ成形用金型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669488U JPH0739230Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | トランスファ成形用金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14669488U JPH0739230Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | トランスファ成形用金型 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0267639U JPH0267639U (ja) | 1990-05-22 |
| JPH0739230Y2 true JPH0739230Y2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=31416424
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14669488U Expired - Fee Related JPH0739230Y2 (ja) | 1988-11-10 | 1988-11-10 | トランスファ成形用金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0739230Y2 (ja) |
-
1988
- 1988-11-10 JP JP14669488U patent/JPH0739230Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0267639U (ja) | 1990-05-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |