JPH0738504B2 - 配線板の製造方法 - Google Patents
配線板の製造方法Info
- Publication number
- JPH0738504B2 JPH0738504B2 JP13401186A JP13401186A JPH0738504B2 JP H0738504 B2 JPH0738504 B2 JP H0738504B2 JP 13401186 A JP13401186 A JP 13401186A JP 13401186 A JP13401186 A JP 13401186A JP H0738504 B2 JPH0738504 B2 JP H0738504B2
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- Japan
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- etching
- via hole
- wiring board
- recess
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は配線板の製造方法に関し、特に層間接続用小径
バイアホールの加工方法に関する。
バイアホールの加工方法に関する。
（従来の技術） 従来、0.02〜0.1mmφ程度の小径バイアホールの形成に
は、アスペクト比を小さくするため厚さ0.01〜0.05mm程
度の絶縁層を選択的にウエットあるいはドライエッチン
グし、次いでめっき又は金属蒸着によって層間接続を行
う方法がある。
は、アスペクト比を小さくするため厚さ0.01〜0.05mm程
度の絶縁層を選択的にウエットあるいはドライエッチン
グし、次いでめっき又は金属蒸着によって層間接続を行
う方法がある。
（発明が解決しようとする問題点） プラズマ法等のドライエッチングは異方性に富み、精度
よく孔あけ加工ができるが、（１）膜厚方向のエッチン
グ速度が遅くスループットが悪い、（２）通常の有機レ
ジストが使用できないため、バイアホール加工用の金属
レジスト加工工程が必要である。
よく孔あけ加工ができるが、（１）膜厚方向のエッチン
グ速度が遅くスループットが悪い、（２）通常の有機レ
ジストが使用できないため、バイアホール加工用の金属
レジスト加工工程が必要である。
また、エッチング液によるウエットエッチングは、膜厚
方向のエッチング速度はドライ方式に比べて速く、有機
レジストを使用できるが、（１）等方性であるからバイ
アホール寸法精度が悪い、（２）バイアホール底部コー
ナー部でのエッチングが困難であって、第２図10に示す
ようにバイアホール底部コーナーにおいてレジスト直下
に食い込むアンダーエッチの問題がある。
方向のエッチング速度はドライ方式に比べて速く、有機
レジストを使用できるが、（１）等方性であるからバイ
アホール寸法精度が悪い、（２）バイアホール底部コー
ナー部でのエッチングが困難であって、第２図10に示す
ようにバイアホール底部コーナーにおいてレジスト直下
に食い込むアンダーエッチの問題がある。
（問題点を解決するための手段） 本発明者は、以上説明したようなバイアホール形成方法
の諸問題点にかんがみ種々考察研究の結果、本発明を完
成するに至った。
の諸問題点にかんがみ種々考察研究の結果、本発明を完
成するに至った。
本発明は、バイアホールを２段階のエッチングで形成す
る。すなわち、エッチング速度の速いウエットエッチン
グで第１段階の凹部を形成した後、エッチング用レジス
トを除去する。次に第１段階の形成凹部を含みその他絶
縁層の全表面をプラズマ処理（ドライエッチング）して
パターンの一部を露出させる。このようにして得たバイ
アホールに化学めっき或るいは金属蒸着処理によって層
間接続及び回路形成を行う。
る。すなわち、エッチング速度の速いウエットエッチン
グで第１段階の凹部を形成した後、エッチング用レジス
トを除去する。次に第１段階の形成凹部を含みその他絶
縁層の全表面をプラズマ処理（ドライエッチング）して
パターンの一部を露出させる。このようにして得たバイ
アホールに化学めっき或るいは金属蒸着処理によって層
間接続及び回路形成を行う。
（作用） 第１段階で形成したバイアホールの上部径は、ウエット
エッチング時の絶縁層の硬化状態やエッチング条件、さ
らに次工程のプラズマエッチングの条件によって調整す
ることができる。また、前記バイアホールの下部径は主
としてプラズマエッングの条件によって調整することが
できる。本発明の方法においてプラズマエッチングで除
去すべき絶縁層の層の厚さは、ウエットエッチングの程
度で調整する。
エッチング時の絶縁層の硬化状態やエッチング条件、さ
らに次工程のプラズマエッチングの条件によって調整す
ることができる。また、前記バイアホールの下部径は主
としてプラズマエッングの条件によって調整することが
できる。本発明の方法においてプラズマエッチングで除
去すべき絶縁層の層の厚さは、ウエットエッチングの程
度で調整する。
（実施例） 次に本発明の実施例を図によってさら詳しく説明する。
バイアホール形成の断面図を示す第１図において、グリ
ーンシート法によって作製し所望の多層配線を内存する
アルミナ配線基板１（Al2O370％）の全面に銅続いてク
ロムを蒸着後、所望のパターン２をエッチングで形成
し、PIQ−3200（日立化成社製）を硬化後の膜厚が30μ
ｍとなるように塗布して絶縁層３を形成した。次に、10
0℃で１時間、200℃で１時間加熱後、全面にOMR−85
（東京応化社製）をスピンコータで700rpmの回転速度で
塗布した。次に90℃、30分で前加熱し、室温でフォトマ
スクを当て紫外線を照射した。現像後、135℃25分で後
加熱して厚さ２μｍ、孔径30μｍのエッチング用レジス
ト４を形成した。次に、エッチング液（ヒドラジヒドラ
ートとエチレンジアミンの体積比が7:3の混合液）を用
い40±２℃で20分間エッチングを行い凹部５を形成し
た。この場合、凹部５の深さは特定しないが、残りのエ
ッチング層の厚さが１〜７μｍ程度であることが好まし
い。次にレジスト４を剥離した後、プラズマエッチング
装置PDS−2400−CMC型（マイクロプレート社製）を用い
て凹部５の内面及び絶縁層３の表面をプラズマエッチン
グした。エッチング条件を表１に示す。
バイアホール形成の断面図を示す第１図において、グリ
ーンシート法によって作製し所望の多層配線を内存する
アルミナ配線基板１（Al2O370％）の全面に銅続いてク
ロムを蒸着後、所望のパターン２をエッチングで形成
し、PIQ−3200（日立化成社製）を硬化後の膜厚が30μ
ｍとなるように塗布して絶縁層３を形成した。次に、10
0℃で１時間、200℃で１時間加熱後、全面にOMR−85
（東京応化社製）をスピンコータで700rpmの回転速度で
塗布した。次に90℃、30分で前加熱し、室温でフォトマ
スクを当て紫外線を照射した。現像後、135℃25分で後
加熱して厚さ２μｍ、孔径30μｍのエッチング用レジス
ト４を形成した。次に、エッチング液（ヒドラジヒドラ
ートとエチレンジアミンの体積比が7:3の混合液）を用
い40±２℃で20分間エッチングを行い凹部５を形成し
た。この場合、凹部５の深さは特定しないが、残りのエ
ッチング層の厚さが１〜７μｍ程度であることが好まし
い。次にレジスト４を剥離した後、プラズマエッチング
装置PDS−2400−CMC型（マイクロプレート社製）を用い
て凹部５の内面及び絶縁層３の表面をプラズマエッチン
グした。エッチング条件を表１に示す。
以上の工程によって所望する形状のバイアホール８を得
ることができた。次に窒素気流中で350℃40分加熱後、
スパッタリング装置MLH−6315Q（日本真空技術社製）を
用いて、出力1.2kW、基板加熱150℃30分、圧力５×10-3
Torr、アルゴンガス量35secMの条件で、クロムに続いて
銅層をバイアホール８の内面及び絶縁層３の表面に設
け、エッチングによって必要な回路パターン９を形成し
た。
ることができた。次に窒素気流中で350℃40分加熱後、
スパッタリング装置MLH−6315Q（日本真空技術社製）を
用いて、出力1.2kW、基板加熱150℃30分、圧力５×10-3
Torr、アルゴンガス量35secMの条件で、クロムに続いて
銅層をバイアホール８の内面及び絶縁層３の表面に設
け、エッチングによって必要な回路パターン９を形成し
た。
さらに、前記の工程を数回繰返して多層配線を形成する
ことができる。
ことができる。
なお、配線基板１は、前記のアルミナ板に代えて、例え
ば銅張り積層板製、片面銅箔付きポリイミドフィルムの
所望部分をエッチングして導体パターンを形成したも
の、アルミナ系またはPZT系セラミック及びフォルステ
ライトなどの基板に無電解めっきによりパターン形成し
たもの、更に後工程で除去可能な保持体上にめっきなど
でパターン形成したものなどが挙げられる。また、ポリ
イミド樹脂の他にフッ素樹脂やポリエステル樹脂なども
使用可能である。
ば銅張り積層板製、片面銅箔付きポリイミドフィルムの
所望部分をエッチングして導体パターンを形成したも
の、アルミナ系またはPZT系セラミック及びフォルステ
ライトなどの基板に無電解めっきによりパターン形成し
たもの、更に後工程で除去可能な保持体上にめっきなど
でパターン形成したものなどが挙げられる。また、ポリ
イミド樹脂の他にフッ素樹脂やポリエステル樹脂なども
使用可能である。
表１ 出力 3.5kW 周波数 35kHz ガス 酸素 ガス流量 1200cc/分 装置内設定温度 110℃ 処理時間 10分 （発明の効果） 本発明の方法によるバイアホール形成は以上の構成によ
ってなるが、第１段階のエッチングにおいては厳密な制
御は必要なく、プロセス自由度はウエットエッチングを
単独で行う場合より大きい。また、絶縁層３の厚さの大
部分（約80％）をウエットエッチングするため、ドライ
エッチングを単独で行うよりもスループットが向上し
た。また、従来から問題となっていたバイアホール底部
コーナ部での接続不良部分10（第２図（ａ）参照）は皆
無であり、接続信頼性が著しく向上した。更にプラズマ
処理によって、バイアホールの内面及び絶縁層表面に微
細凹凸が形成されるため、スパッタリング層との密着性
或るいは多層化時の絶縁層３相互の密着性が向上した。
ってなるが、第１段階のエッチングにおいては厳密な制
御は必要なく、プロセス自由度はウエットエッチングを
単独で行う場合より大きい。また、絶縁層３の厚さの大
部分（約80％）をウエットエッチングするため、ドライ
エッチングを単独で行うよりもスループットが向上し
た。また、従来から問題となっていたバイアホール底部
コーナ部での接続不良部分10（第２図（ａ）参照）は皆
無であり、接続信頼性が著しく向上した。更にプラズマ
処理によって、バイアホールの内面及び絶縁層表面に微
細凹凸が形成されるため、スパッタリング層との密着性
或るいは多層化時の絶縁層３相互の密着性が向上した。
したがって、本発明の方法による小径バイアホールの加
工方法は産業上極めて価値の高いものである。
工方法は産業上極めて価値の高いものである。
第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明の方法を示す断面図、第
２図（ａ）（ｂ）は従来法によって形成するバイアホー
ルの底部欠陥を示す断面図である。 １……配線基板、２……パターン、３……絶縁層、４…
…エッチング用レジスト、５……凹部、６……バイアホ
ール底部コーナー、７……プラズマ処理面、８……バイ
アホール、９……回路パターン、10……接続不良部分。
２図（ａ）（ｂ）は従来法によって形成するバイアホー
ルの底部欠陥を示す断面図である。 １……配線基板、２……パターン、３……絶縁層、４…
…エッチング用レジスト、５……凹部、６……バイアホ
ール底部コーナー、７……プラズマ処理面、８……バイ
アホール、９……回路パターン、10……接続不良部分。
Claims (1)
- 【請求項１】次の各工程からなる配線板の製造方法。 （Ａ）特定のパターンを有する配線基板上に形成した絶
縁樹脂層の主面に選択的にエッチング用レジストを形成
する第一工程。 （Ｂ）前記絶縁樹脂層をエッチング液を用いて凹部を形
成し、凹部の底が前記パターンに達する直前にエッチン
グを終る第二工程。 （Ｃ）前記絶縁樹脂層の主面及び前記凹部内面の樹脂を
プラズマエッチングし、前記パターンを露出させる第三
工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13401186A JPH0738504B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13401186A JPH0738504B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291096A JPS62291096A (ja) | 1987-12-17 |
| JPH0738504B2 true JPH0738504B2 (ja) | 1995-04-26 |
Family
ID=15118291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13401186A Expired - Lifetime JPH0738504B2 (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0738504B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006253189A (ja) * | 2005-03-08 | 2006-09-21 | Fujitsu Ltd | 多層回路基板及びその製造方法 |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13401186A patent/JPH0738504B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62291096A (ja) | 1987-12-17 |
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