JPS62291096A - 配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 五　発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は配線板の製造方法に関し、特に層間接続用小径
バイアホールの加工方法に関する。

（従来の技術〉 従来、Ｑ、０２〜［ｌｊｍｍφ程度の小径バイアホール
の形成には、アスペクト比を小さくするため厚さ０．０
１〜０．０５　ｆｆ１ｆｆｌ程度の絶縁層を選択的にウ
ェットあるいはドライエッチングし、次いでめっき又は
全域蒸着によって層間接続を行う方法がある。

（発明が解決しようとする問題点） プラズマ法等のドライエッチングは異方性に富み、精度
よく孔あけ加工ができるが、（１）＃厚方向のエッチン
グ速度が遅くスループットが悪い、（２）通常の有機レ
ジストが使用できないため、バイアホール加工用の金属
レジスト加工工程が必要である。、 また、エッチング液によるウェットエッチングは、膜厚
方向のエッチング速度はドライ方式に比べて速く、有機
レジストｉ便用できるが、（１）等力性であるからバイ
アホール寸法精度が悪い、（２）パイ１ホール底部コー
ナ一部でのエッチングが困難であって、第２図１０に示
すようにバイアホール底部コーナーにおいてレジスト直
下に食い込むアンダーエッチの間順がある。

（問題点を解決するための手段〉 本発明者は、以上説明した工うなバイアホール形成方法
の諸問題点にかんがみ種々考察研究の結果、本発明を完
成するに至った。

本発明を工、パイ１ホールを２段階のエッチングで形成
する。すなわち、エッチング速度の速いウェットエッチ
ングで第１段階の凹部を形成した後、エッチング用しジ
ストヲ除去する。次に第１段階の形成凹部を含みその他
絶縁層の全表面をプラズマ処理（ドライエッチング）し
てパターンの一部ヲ露出させる。このようにして得たバ
イアホールに化学めっき成るいは金属蒸着処理によって
層間接続及び回路形成を行う。

（作用） 第１段階で形成したバイアホールの上部径は、ウェット
エッチング時の絶縁層の硬化状態やエッチング条件、さ
らに次工程のプラズマエッチングの条件によって調整す
ることができる。また、前記バイアホールの下部径は主
としてプラズマエッチングの条件によって調整すること
ができる。本発明の方法においてプラズマエッチングで
除去すべき絶縁層の層の厚さは、ウェットエッチングの
程度で調整する。

（実施例） 次に本発明の実施例を図によってさらに祥しく説明する
。バイアホール形成の断囲図を示す第１図において、グ
リーンシート法によって作製し所望の多層配線を内存す
るアルミナ配線基板１　（Ａｌｔｏｓ　７０％）の全面
に鋼続いてクロムを族Ｎ後、所望のパターン２會エッチ
ングで形成し、ＰＩＱ−３２００（日立化成社製）を硬
化後の膜厚が３０μｍとなるように塗布して絶縁層３を
形成した。次に、１００℃で１時間、２００℃で１時間
加熱後、全面にＯＭＲ−８５（東京応化社！Ｊｉりをス
ピンコータで７０　Ｏｒｐｍの回転速度で塗布した。次
に９０℃、３０分で前加熱し、室温でフォトマスクを当
て紫外線全照射した。現像後、１３５℃２５分で俊加熱
して厚さ２８ｍ１孔径３０μｍのエッチング用レジスト
４を形成した。次に、エッチング液（ヒドラジンヒトラ
ードとエチレンジアミンの体積比が７：５の混合液）を
用い４０土２℃で２０分間エッチングを行い凹部５を形
成した。この場合、凹部５の深さは特定しないが、残り
のエッチングｌ−の厚さが１〜７μｍ程度であることが
好ましい。次にレジスト４全剥離した後、プラズマエッ
チング装ｆＰＤｓ−２４００−ＣＭＣ型（マイクロプレ
ート社製）を用いて四部５の内面及び絶縁層３０表面を
プラズマエッチングした。エッチング条件全表１に示す
。

以上の工程によって、所望する形状のバイアホール８を
得ることができた。次に、窒素気流中で３５０℃４０分
加＃Ｉ後、スパッタリング装置Ｍｌ、Ｈ−６５１５Ｑ（
日本真空技術社製）全相いて、出力１．２　ｔｔｖ、基
板加熱１５０℃３０分、圧力５Ｘ　１０−’　　Ｔｏｒ
ｒ、　　アルゴンガスｉｔ３５ｓｅｃＭの条件で、クロ
ムに続いて銅層をパイγホール８０内面及び絶縁層３０
表向に設け、エッチングによって必要な回路パターン９
を形成した。

さらに、前記の工程を数回繰返して多層配線を形成する
ことができる。

なお、配線基板１は、前記のアルミナ板に代７えて、例
えば鋼張り積層板製、片面鋼箔付きポリイミドフィルム
の所望部分ケエッチングして導体パターンを形成したも
の、アルミナ系またはＰＺＴ系セラミック及びフォルス
テライトなどの基板に無電解めっきによりパターン形成
したもの、更に後工程で除去可能な保持体上にめっきな
どでパターン形成したものなどが挙げらｎる。また、ポ
リイミド樹脂の他にフッ素樹脂やポリエステル樹脂など
も使用可能である。

表１ 出力　　　　　　　五５に宵 周波数　　　　　　３５ｋｌｌｚ ガス　　　　　　　酸素 カス流ｉ１　　　　　　１２０　Ｄ　ｃｃ／分装分装膜
内設定温度１１０℃ 処理時間　　　　　１０分 （発明の効果） 本発明の方法によるバイアホール形成は以上の構成によ
ってなるが、第１段階のエッチングにおいては厳密な制
御は心安なく、プロセス自由度はウェットエッチングを
単独で行う場合より太きい。また、絶縁層５の厚さの大
部分（約８０％）全ウェフトエッチングするため、ドラ
イエッチング會単独で行うエリもスループットが向上し
た。また、従来から問題となっていたバイアホール低部
コーナ一部での接続不良部分１０（第２図ｔａＪ参照）
は皆無であり、接続信頼性が著しく向上した。更にプラ
ズマ処理ｉｃよって、バイアホールの内面及び絶縁層表
面に微細凹凸が形成さｒしるため、スパッタリングノー
との密着性成るいは多層化時の絶縁層３相互の密着性が
同士した。

したがって、本発明の方法による小径バイアホールの加
工力法は産業上極めて価値の高いものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ｔａ＋〜（ｆ）は本発明の方法葡示す＠面図、第
２図ｔａＪ　（ｂＪは従来法によって形成するバイアホ
ールの底部欠陥を示す断面図である。 １・・・・・・配線基板、２・・・・・・パターン、６
・・・・・・絶縁層、４・・・・・・エッチング用レジ
スト、５・・・・・・凹部、６・・・・・・バイアホー
ル底部コーナー、７・・・・・・プラズマ処理面、８・
・・・・・バイアホール、９・・・・・・回路パターン
、１０・・・・・・接続不良部分。 Ｃｅ） 箆１図 （ｂ） 策？図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、次の各工程からなる配線板の製造方法。 （Ａ）特定のパターンを有する配線基板上に形成した絶
   縁樹脂層の主面に選択的にエッチ ング用レジストを形成する第一工程。 （Ｂ）前記絶縁樹脂層をエッチング液を用いて凹部を形
   成し、凹部の底が前記パターンに 達する直前にエッチングを終る第二工程。 （Ｃ）前記絶縁樹脂層の主面及び前記凹部内面の樹脂を
   プラズマエッチングし、前記パタ ーンを露出させる第三工程。