JPH073636Y2 - 半導体素子固定用耐熱接着フイルム - Google Patents

半導体素子固定用耐熱接着フイルム

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JPH073636Y2
JPH073636Y2 JP1987001075U JP107587U JPH073636Y2 JP H073636 Y2 JPH073636 Y2 JP H073636Y2 JP 1987001075 U JP1987001075 U JP 1987001075U JP 107587 U JP107587 U JP 107587U JP H073636 Y2 JPH073636 Y2 JP H073636Y2
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Tomoegawa Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は半導体素子をリードフレームに固定するための
耐熱接着フィルムに関する。
〈従来の技術〉 従来の半導体装置は第1図に示すようなダイパッド1、
リードピン2およびサポートバー3から構成されるリー
ドフレームのダイパッドの上に第2図に示すようにダイ
ボンディング接着層5を介して半導体素子4を載置し、
該素子上に形成された電極7とリードピンとを接続した
ボンディングワイヤー6と共に封止樹脂8により一体化
した構成を有する。
この場合、リードフレームを構成するダイパッドは、多
種多様をきわめる半導体素子の大きさ、形状に対応すべ
くその寸法、形状を変更する必要があり、これに付随し
てリードピンの寸法、形状にも変更を余儀なくされる。
このように多種多様の半導体素子に合わせてリードフレ
ームの設計変更をすることは、リードフレームの金型を
何種類も作製しなければならず金型の費用、強いてはリ
ードフレームの費用が高価となって問題が多い。
〈考案が解決しようとする問題点〉 本考案は上記の事情に鑑みてなされたものであり、同一
のリードフレームにて各種の大きさ、形状を有する半導
体素子に対応しうる半導体素子固定用耐熱接着フィルム
を提案するものである。
〈問題点を解決するための手段〉 本考案の耐熱接着フィルムは第3図に示すごとき従来の
ダイパッドを除去した構成を有するリードフレームに適
用するもので、その空隙部9の位置においてリードピン
2の上に半導体素子の形状、大きさに合わせて任意の寸
法に作製されて接着載置されるものである。
本考案でいう半導体素子固定用耐熱接着フィルムの層構
成は第4図に示すとおり耐熱性フィルムからなる支持体
10のダイボンディング接着剤との隣接面に、熱硬化させ
た熱硬化性樹脂からなる表面処理層11を設け、もう一方
の面に半硬化状の熱硬化性樹脂からなる接着層12を設け
たものである。
次に本考案の半導体素子固定用耐熱接着フィルムを構成
する材料について述べる。
支持体は例えば厚さ10〜150μm、好ましくは25〜75μ
mのポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリフェニレン
サルファイド、ポリエーテルケトン等の耐熱性フィルム
や、エポキシ−ガラスクロス、エポキシ−ポリイミド−
ガラスクロス等の複合耐熱フィルムが本考案に使用され
る。
表面処理層はダイボンディング接着剤との親和性を向上
する目的で設けるものであり、ポリイミド樹脂、エポキ
シ樹脂等の熱硬化性樹脂を塗布厚が1〜10μmとなるよ
うに塗布し熱硬化して形成される。
又、接着層はリードフレームのリードピンの表面に、半
導体素子を載置した耐熱接着フィルムを固着するための
もので、耐熱性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂を5〜50
μm、好ましくは20〜30μmの塗布厚になるように半硬
化の状態で塗布して形成される。
本考案で得られる半導体素子固定用耐熱接着フィルムは
通常、幅が3〜10mm、長さが200〜300mのテープ状に加
工されリールに巻回されて供給することが出来、その場
合、半導体素子の寸法に合わせて裁断したうえで所定の
リードフレームに適用される。
第5図は本考案の耐熱接着フィルムを使用した半導体装
置の断面図である。すなわち支持体10のダイボンディン
グ接着剤との隣接面に、熱硬化させた表面処理層11を、
又、反対側面に接着層12を有する本考案の耐熱接着フィ
ルムの該接着層はリードフレームのリードピン3の上に
接着され、一方、前記表面処理層の上にはダイボンディ
ング接着剤により半導体素子4が固着され電極7とリー
ドピン6とを接続したボンディングワイヤーと共に封止
樹脂8により一体化した構成をなす。
〈実施例〉 以下実施例により本考案を詳述する。
厚さ75μmのポリイミド樹脂フィルム(「カプトンHタ
イプ」、デュポン社製)からなる支持体の片面に表面処
理層として超耐熱性ポリイミド樹脂(「LARC-TPI」、三
井東圧化学社製)のジメチルホルムアミド5%溶液を乾
燥後の塗布厚が5μmになるよう塗布し熱硬化させた。
次に前記支持体の反対側面にポリイミド樹脂(LARC-TP
I、三井東圧化学社製)のジメチルホルムアミド20%溶
液を半硬化(Bステージ)になるよう乾燥後の塗布厚25
μmを目標に塗布して、本考案の半導体素子固定用耐熱
接着フィルムを作製した。
得られた耐熱接着フィルムを使用してリードフレーム上
に半導体素子を固定したところ、接着層の電流のリーク
はみられず安定した接着力が確認された。又、ワイヤー
ボンダビリティーも良好で信頼性のある半導体装置を構
成することができた。
〈考案の効果〉 本考案は上記の構成よりなるので、半導体素子の形状、
寸法に合わせて任意に裁断してリードフレームの半導体
素子搭載部に供給できるので、同一のリードフレームで
各種の半導体素子に対応することができ、リードフレー
ムの設計作製上の効率化とコストダウンに有効である。
又、従来のリードフレームにあるようなリードピンの先
端とダイパッドとの間の隙間に相当するものがないの
で、モールド加工時にボンディングワイヤーが流れた
り、切れたりすることがない効果も期待できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術によるリードフレームの斜視図、第2
図は従来の半導体装置の断面図、第3図は本考案の耐熱
接着フィルムが適用されるリードフレームの斜視図、第
4図は本考案の耐熱接着フィルムの層構成を示す図、第
5図は本考案の耐熱接着フィルムを使用した半導体装置
の断面図である。 10……支持体 11……表面処理層 12……接着層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)考案者 津島 正企 静岡県静岡市用宗巴町3番1号 株式会社 巴川製紙所技術研究所内 審査官 今井 淳一 (56)参考文献 特開 昭59−231823(JP,A) 特開 昭60−167454(JP,A) 特開 昭58−169912(JP,A) 実開 昭57−102137(JP,U)

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】耐熱性フィルムからなる支持体のダイボン
    ディング接着剤との隣接面に、熱硬化させた熱硬化性樹
    脂よりなる表面処理層を設け、もう一方の面に半硬化状
    の熱硬化性樹脂からなる接着層を設け、かつダイパッド
    を除去した構成を有するリードフレームに使用すること
    を特徴とする半導体素子固定用耐熱接着フィルム。
JP1987001075U 1987-01-09 1987-01-09 半導体素子固定用耐熱接着フイルム Expired - Lifetime JPH073636Y2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987001075U JPH073636Y2 (ja) 1987-01-09 1987-01-09 半導体素子固定用耐熱接着フイルム
KR1019880000060A KR880009429A (ko) 1987-01-09 1988-01-08 반도체 소자 고정용 내열 접착필름
KR2019940021708U KR940007545Y1 (ko) 1987-01-09 1994-08-26 반도체 소자 고정용 내열필름(Heat-resistance bonding film for attaching semiconductor device)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1987001075U JPH073636Y2 (ja) 1987-01-09 1987-01-09 半導体素子固定用耐熱接着フイルム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63110034U JPS63110034U (ja) 1988-07-15
JPH073636Y2 true JPH073636Y2 (ja) 1995-01-30

Family

ID=30778641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1987001075U Expired - Lifetime JPH073636Y2 (ja) 1987-01-09 1987-01-09 半導体素子固定用耐熱接着フイルム

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JPS57102137U (ja) * 1980-12-12 1982-06-23
JPS58169912A (ja) * 1982-03-31 1983-10-06 Hitachi Ltd 半導体装置
JPS59146963U (ja) * 1983-03-22 1984-10-01 凸版印刷株式会社 リ−ドフレ−ム
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JPS60167454A (ja) * 1984-02-10 1985-08-30 Hitachi Ltd 半導体装置

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Publication number Publication date
JPS63110034U (ja) 1988-07-15
KR880009429A (ko) 1988-09-15

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