JPH0736220B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPH0736220B2 JPH0736220B2 JP61018405A JP1840586A JPH0736220B2 JP H0736220 B2 JPH0736220 B2 JP H0736220B2 JP 61018405 A JP61018405 A JP 61018405A JP 1840586 A JP1840586 A JP 1840586A JP H0736220 B2 JPH0736220 B2 JP H0736220B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording medium
- magnetic recording
- magnetic
- oxide
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、情報産業分野等で利用される高記録密度の磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
従来の技術 磁気ディスク，磁気テープ等に供せられる磁気記録媒体
の開発を目的に、従来γ−Fe2O3,Co含有γ−Fe2O3また
はCrO2等の強磁性粉末を有機バインダー中に分散して塗
布した、いわゆる塗布型磁気記録媒体に代わって、さら
に高密度化を目的として、現在、メッキ法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等によっ
て、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成した磁気記憶
媒体が活発に研究されている。
の開発を目的に、従来γ−Fe2O3,Co含有γ−Fe2O3また
はCrO2等の強磁性粉末を有機バインダー中に分散して塗
布した、いわゆる塗布型磁気記録媒体に代わって、さら
に高密度化を目的として、現在、メッキ法、スパッタリ
ング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法等によっ
て、非磁性基板上に強磁性金属薄膜を形成した磁気記憶
媒体が活発に研究されている。
しかしながら、前記の方法で作成される金属薄膜型磁気
記録媒体は、信号の記録再生の際、高速相対運動下で磁
気ヘッド等との接触により、摩擦や摩耗によって不安定
な走行性が生じたり、あるいは摩耗粉や破損が発生した
りするため長期の使用に耐えない。従って、磁気記録媒
体は円滑な走行性と耐摩耗性が使用環境条件下において
持続することが強く望まれている。
記録媒体は、信号の記録再生の際、高速相対運動下で磁
気ヘッド等との接触により、摩擦や摩耗によって不安定
な走行性が生じたり、あるいは摩耗粉や破損が発生した
りするため長期の使用に耐えない。従って、磁気記録媒
体は円滑な走行性と耐摩耗性が使用環境条件下において
持続することが強く望まれている。
このため、従来、強磁性金属薄膜上の表面改質や種々の
保護層が提案されており、例えばSi系ガスの酸化やTi等
を窒化させて蒸着した保護層が挙げられる（特開昭60−
57533号、同60−57537号公報） 発明が解決しようとする問題点 しかしながらこの場合、摩耗粉が少なくなるなど耐摩耗
性に改善が見られるものの、耐摩耗性が悪く走行安定性
に欠けるなどして不十分である。
保護層が提案されており、例えばSi系ガスの酸化やTi等
を窒化させて蒸着した保護層が挙げられる（特開昭60−
57533号、同60−57537号公報） 発明が解決しようとする問題点 しかしながらこの場合、摩耗粉が少なくなるなど耐摩耗
性に改善が見られるものの、耐摩耗性が悪く走行安定性
に欠けるなどして不十分である。
したがって、本発明はかかる点にかんがみ、磁気ヘッド
等との潤滑性を改良することにより、走行安定性にすぐ
れ、かつ耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを
目的としている。
等との潤滑性を改良することにより、走行安定性にすぐ
れ、かつ耐久性を有する磁気記録媒体を提供することを
目的としている。
問題点を解決するための手段 非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜を表面部に、Si,T
i,Zr,Mn,Al及びFeよりなる群から選ばれる少なくとも１
種の金属の酸化物の酸化物又は沈下物を中間層として形
成し、さらにその上面にフタロシアニン化合物を潤滑層
として形成する。
i,Zr,Mn,Al及びFeよりなる群から選ばれる少なくとも１
種の金属の酸化物の酸化物又は沈下物を中間層として形
成し、さらにその上面にフタロシアニン化合物を潤滑層
として形成する。
作用 前記の金属酸化物又は窒化物により耐摩耗性の改善と、
フタロシアニン化合物による潤滑層の耐摩擦性の改良効
果が加わり、良好な走行性と耐久性にすぐれた磁気記録
媒体が得られる。
フタロシアニン化合物による潤滑層の耐摩擦性の改良効
果が加わり、良好な走行性と耐久性にすぐれた磁気記録
媒体が得られる。
このことはおそらく、フタロシアニン化合物のポリフィ
ン核を形成するN,Hまたは金属元素が中間層との結合力
が強く、かつその膜が層状構造と推定されることから磁
気ヘッド等の潤滑性に良いためであろうと考えられる。
ン核を形成するN,Hまたは金属元素が中間層との結合力
が強く、かつその膜が層状構造と推定されることから磁
気ヘッド等の潤滑性に良いためであろうと考えられる。
実 施 例 図は、本発明の磁気記録媒体の断面図である。図におい
て、１は非磁性基板、２は強磁性金属薄膜、３は後述す
る金属の酸化物又は窒化物からなる中間層、４はフタロ
シアニン化合物を含有する潤滑層である。
て、１は非磁性基板、２は強磁性金属薄膜、３は後述す
る金属の酸化物又は窒化物からなる中間層、４はフタロ
シアニン化合物を含有する潤滑層である。
本発明による磁気記録媒体に使用し得る非磁性基板１と
しては、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリ酢酸セルロース、ポリ塩
化ビニル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス、磁
器等のセラミック材料等周知の材料からなるフィルム、
板等がある。
しては、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルフォン、ポ
リカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ
エチレンテレフタレート、ポリ酢酸セルロース、ポリ塩
化ビニル等の高分子材料、非磁性金属材料、ガラス、磁
器等のセラミック材料等周知の材料からなるフィルム、
板等がある。
また強磁性金属薄膜２を形成する強磁性材料としては、
Fe,Co,Niから選ばれる少なくとも１種の金属、またはこ
れらとMn,Cr,Ti,P,V,Sm,Bi等またはこれらの酸化物を組
み合わせた合金がある。そして、強磁性金属薄膜２は、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、メッキ法等の方法で形成させることができる。
Fe,Co,Niから選ばれる少なくとも１種の金属、またはこ
れらとMn,Cr,Ti,P,V,Sm,Bi等またはこれらの酸化物を組
み合わせた合金がある。そして、強磁性金属薄膜２は、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法、メッキ法等の方法で形成させることができる。
本発明において、中間層３は、Si,Zr,Ti,Mn,Al,Feから
選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物
であり、溶液法、スパッタリング法、プラズマCVD法で
形成可能である。
選ばれる少なくとも１種の元素を含む酸化物又は窒化物
であり、溶液法、スパッタリング法、プラズマCVD法で
形成可能である。
さらに詳しくいえば、Si,Ti,Zrの酸化物の場合は金属ア
ルコレートの加水分解縮合物で構成するのがよく、溶液
法によって形成することができる。また、Mn,Al,Feの酸
化物の場合はスパッタリング法でSiの窒化物の場合はプ
ラズマCVDでそれぞれ形成することができる。
ルコレートの加水分解縮合物で構成するのがよく、溶液
法によって形成することができる。また、Mn,Al,Feの酸
化物の場合はスパッタリング法でSiの窒化物の場合はプ
ラズマCVDでそれぞれ形成することができる。
また潤滑層４はフタロシアニンのメタルフリーまたは金
属塩から選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、金属
塩の種類としては、Na,K,Be,Mg,Ca,Ba,Li,Cr,Fe,Co,Ni,
Cu,Zn,V,Ti,Pb,MnまたはSn等の１〜４価の錯体が考えら
れ、これら以外のポリフィン核を有する材料でも良い。
これらの化合物は、その化学構造から、後述の実施例で
見られるように、ポリフィン核をN,Hまたは金属元素
が、中間層の酸化物又は窒化物と強く結合することによ
り、磁器ヘッド等との接触によるはがれが小さく、また
結晶構造からせん断応力も小さいため潤滑性にもすぐれ
ている。そしてさらに良いことは、これらの化合物が化
学的安定性や耐環境性にすぐれているため、高温、高湿
などにもすぐれた特性を有することである。
属塩から選ばれる少なくとも１種の化合物を含み、金属
塩の種類としては、Na,K,Be,Mg,Ca,Ba,Li,Cr,Fe,Co,Ni,
Cu,Zn,V,Ti,Pb,MnまたはSn等の１〜４価の錯体が考えら
れ、これら以外のポリフィン核を有する材料でも良い。
これらの化合物は、その化学構造から、後述の実施例で
見られるように、ポリフィン核をN,Hまたは金属元素
が、中間層の酸化物又は窒化物と強く結合することによ
り、磁器ヘッド等との接触によるはがれが小さく、また
結晶構造からせん断応力も小さいため潤滑性にもすぐれ
ている。そしてさらに良いことは、これらの化合物が化
学的安定性や耐環境性にすぐれているため、高温、高湿
などにもすぐれた特性を有することである。
潤滑層４の形成は、塗布、スピンコート、LB法等の湿式
法や蒸着法などの乾式法で容易に達せられる。
法や蒸着法などの乾式法で容易に達せられる。
以下、実施例で詳述する。
実施例１ 膜厚25μｍのポリアミドフィルム基板上に、真空連続蒸
着法でCo−Cr（原子数比Co:Cr＝8:2）の組成で膜厚1250
A（AES分析）の強磁性金属薄膜を作製しサンプルとした
（サンプルNo.1）。
着法でCo−Cr（原子数比Co:Cr＝8:2）の組成で膜厚1250
A（AES分析）の強磁性金属薄膜を作製しサンプルとした
（サンプルNo.1）。
これをさらにテトラエトキシシランとジルコニアｎ−プ
ロポキシドをSiO2,ZrO2換算で、モル比7:3で混合した液
の２−プロパノールで５倍（Wt％）希釈した溶液をスピ
ンコートし、150℃,4時間焼成してSi,Zrを含む酸化層
（膜厚200A）を形成した（サンプルNo.2）。
ロポキシドをSiO2,ZrO2換算で、モル比7:3で混合した液
の２−プロパノールで５倍（Wt％）希釈した溶液をスピ
ンコートし、150℃,4時間焼成してSi,Zrを含む酸化層
（膜厚200A）を形成した（サンプルNo.2）。
そしてサンプルNo.2の上にさらにニッケルフタロシアニ
ン（以下NiPcと称する）を真空度10-5Torr中で蒸着源温
度480℃,1.5secで膜厚170AのNiPc層を形成した（サンプ
ルNo.3）。
ン（以下NiPcと称する）を真空度10-5Torr中で蒸着源温
度480℃,1.5secで膜厚170AのNiPc層を形成した（サンプ
ルNo.3）。
以上のサンプルを、動摩擦係数の測定で比較評価し、そ
の結果を第１表に示す。
の結果を第１表に示す。
なお評価装置は、協和界面科学（株）製、DF−PM型動摩
擦係数計であり、ヘッドにφ6.4mmの鋼球（SUJ2）を用
い、荷重（Ｐ）＝5gf,走行速度（Ｖ）＝7.0mm/secで試
験した。
擦係数計であり、ヘッドにφ6.4mmの鋼球（SUJ2）を用
い、荷重（Ｐ）＝5gf,走行速度（Ｖ）＝7.0mm/secで試
験した。
第１表によると、サンプルNo.1は、初期からμ値が大き
く、約20〜30Pass以後では0.78と上昇して金属の摩耗粉
も激しく見られた。そして、サンプルNo.2は摩耗粉こそ
少なくなるものの、μ値が200Passになるにつれ高くな
り潤滑性が不十分であった。
く、約20〜30Pass以後では0.78と上昇して金属の摩耗粉
も激しく見られた。そして、サンプルNo.2は摩耗粉こそ
少なくなるものの、μ値が200Passになるにつれ高くな
り潤滑性が不十分であった。
これに対しサンプルNo.3では、μ値が初期から小さく20
0Pass後においても0.17で、かつ表面観察においても異
常がないなど良好な特性を示した。
0Pass後においても0.17で、かつ表面観察においても異
常がないなど良好な特性を示した。
従って、強磁性金属薄膜の上にSi,Zrの酸化層を形成
し、さらにNiPcのようなフタロシアニン化合物を積層し
て始めて、走行性の良い耐久性にすぐれた磁気記録媒体
記録媒体が得られることが分かる。
し、さらにNiPcのようなフタロシアニン化合物を積層し
て始めて、走行性の良い耐久性にすぐれた磁気記録媒体
記録媒体が得られることが分かる。
実施例２ 膜厚40μｍのポリイミドフィルム基板上に実施例１と同
様の金属組成で、膜厚950Aのサンプルを作製した。この
際、強磁性金属薄膜の蒸着中、酸素を導入し200Aの酸化
被膜層を形成した（サンプルNo.4）。
様の金属組成で、膜厚950Aのサンプルを作製した。この
際、強磁性金属薄膜の蒸着中、酸素を導入し200Aの酸化
被膜層を形成した（サンプルNo.4）。
これにスパッタリング法でAr,O2の雰囲気で真空度0.1To
rr,RF13.56MHz,100WでMn,Feを含むフェライト層を200A
形成した（サンプルNo.5）。
rr,RF13.56MHz,100WでMn,Feを含むフェライト層を200A
形成した（サンプルNo.5）。
また、プラズマCVD法でNH3＝50〜60sccm,SiH4＝10〜15s
ccm,RF13.56MHz,150Wの条件で、基板温度200℃の下、窒
化シラン膜を250A形成した（サンプルNo.6）。
ccm,RF13.56MHz,150Wの条件で、基板温度200℃の下、窒
化シラン膜を250A形成した（サンプルNo.6）。
以上これらのサンプルに銅フタロシアニンを実施例１と
同様の方法で95A蒸着した（サンプルNo.7,8）。
同様の方法で95A蒸着した（サンプルNo.7,8）。
そしてこれらを接触角の測定とともに、銅摩擦係数で評
価した結果を第２表に示す。
価した結果を第２表に示す。
以上のことから、これらの中で、サンプルNo.4は実施例
１と同様にμ値が高く摩耗粉も多く良くなかったのに対
し、サンプルNo.5,6は摩耗粉の発生こそ少ないものの接
触角も低いことからμ値が大きく耐摩耗性に欠けてい
る。しかしながらサンプルNo.7,8は83℃と高くμ値も0.
15〜0.16と良好な走行性を示し、耐摩耗性にもすぐれて
いた。
１と同様にμ値が高く摩耗粉も多く良くなかったのに対
し、サンプルNo.5,6は摩耗粉の発生こそ少ないものの接
触角も低いことからμ値が大きく耐摩耗性に欠けてい
る。しかしながらサンプルNo.7,8は83℃と高くμ値も0.
15〜0.16と良好な走行性を示し、耐摩耗性にもすぐれて
いた。
これのことから金属の酸化層、窒化層を強磁性薄膜の上
に形成し、さらにフタロシアニン化合物を備えることに
より、耐摩擦、耐摩耗性が改良された磁気記録媒体が実
現できる。
に形成し、さらにフタロシアニン化合物を備えることに
より、耐摩擦、耐摩耗性が改良された磁気記録媒体が実
現できる。
実施例３ 第３表に示す構成のサンプルをピン−ディスク型の試験
機で評価した。なお、表の金属薄膜欄におけるＯは表面
を酸化したことを表わし、中間層におけるO,Nは、それ
ぞれ酸化物又は窒化物を示し、組成の下に膜厚を（ ）
で表わしている。また試験条件は、φ3mmSUJ2,P＝20gf,
V＝3.0M/sで、120min後のμ値と表面観察をおこなっ
た。
機で評価した。なお、表の金属薄膜欄におけるＯは表面
を酸化したことを表わし、中間層におけるO,Nは、それ
ぞれ酸化物又は窒化物を示し、組成の下に膜厚を（ ）
で表わしている。また試験条件は、φ3mmSUJ2,P＝20gf,
V＝3.0M/sで、120min後のμ値と表面観察をおこなっ
た。
第３表によるとサンプルNo.9からNo.15のいずれもμ値
が0.2以下と小さく、また表面観察においても走行傷が
ほとんどみられないなどすぐれた特性を有していること
がわかる。またこのことが中間層、潤滑層の膜厚で400A
以内で達せられることからスペーシングロスに影響を与
えない範囲で可能な磁気記録媒体と言える。
が0.2以下と小さく、また表面観察においても走行傷が
ほとんどみられないなどすぐれた特性を有していること
がわかる。またこのことが中間層、潤滑層の膜厚で400A
以内で達せられることからスペーシングロスに影響を与
えない範囲で可能な磁気記録媒体と言える。
発明の効果 本発明による磁気記録媒体は、強磁性金属薄膜の表面部
にSi等の酸化物または窒化物を中間層として形成し、さ
らにその上にフタロシアニン化合物を潤滑層として備え
ることによって、耐摩擦、耐摩耗性が改良された磁気記
録媒体が得られる。
にSi等の酸化物または窒化物を中間層として形成し、さ
らにその上にフタロシアニン化合物を潤滑層として備え
ることによって、耐摩擦、耐摩耗性が改良された磁気記
録媒体が得られる。
図は本発明の実施例における磁気記録媒体の断面図であ
る。 １……非磁性基板、２……強磁性金属薄膜、３……中間
層、４……潤滑層。
る。 １……非磁性基板、２……強磁性金属薄膜、３……中間
層、４……潤滑層。
Claims (4)
- 【請求項１】非磁性基板上に設けた強磁性金属薄膜の表
面部に、Si,Ti,Zr,Mn,Al及びFeよりなる群から選ばれた
少なくとも１種の金属の酸化物又は窒化物を中間層とし
て形成し、さらにその上面にフタロシアニン化合物を潤
滑層として形成したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】強磁性金属薄膜の表面部が酸化物で構成さ
れた特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】フタロシアニン化合物がNi,Cu又はFeの塩
である特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】中間層と潤滑層の膜厚がそれぞれ400A以内
である特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018405A JPH0736220B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61018405A JPH0736220B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177720A JPS62177720A (ja) | 1987-08-04 |
| JPH0736220B2 true JPH0736220B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=11970760
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61018405A Expired - Lifetime JPH0736220B2 (ja) | 1986-01-30 | 1986-01-30 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736220B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02168419A (ja) * | 1988-12-22 | 1990-06-28 | Asahi Glass Co Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6038719A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-28 | Hitachi Condenser Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-30 JP JP61018405A patent/JPH0736220B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177720A (ja) | 1987-08-04 |
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