JPH0734237A - 金属膜形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 軽量・加工の容易さ・量産性に優れたメタク
リル系樹脂基板に、生産性が良好なスパッタリング法に
より、密着性良好な反射膜を得ることができる金属膜形
成方法を提供すること。 【構成】 ポリメチルメタクリレートまたはメチルメタ
クリレートとの共重合物が主成分である光ディスク基板
表面上に、反射用金属膜をを形成する方法であって、不
活性ガスをイオン化し、これを、交流電圧を印加した金
属ターゲットに衝突させて、光ディスク基板表面に金属
膜を形成するスパッタリング法による金属膜形成方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、スパッタリング法によ
り、光ディスク基板との付着力に優れた金属反射膜形成
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、光ディスク基板用材料としてガラ
スとプラスチック（樹脂）が用いられているが、軽量・
加工の容易さ・量産性などの理由から後者の利用が主と
なっている。その中でも、メタクリル系樹脂は光学的特
性が極めて優れており、現在、レーザーディスク等に使
用されている。レーザーディスクなどの光ディスクは、
表面にピットを持った樹脂基板上に反射膜としてアルミ
ニウムやアルミニウム合金等の金属膜を付けたものであ
る。

【０００３】光ディスク用樹脂基板上に金属反射膜を形
成する方法は、主として真空蒸着法とスパッタリング法
などがある。真空蒸着法は、通常、真空容器内の下方に
蒸発源を、その上部に対向するように光ディスク用樹脂
基板を、それぞれに配置し、電子ビーム加熱または抵抗
加熱によって蒸発源のアルミニウムなどの金属粒子を蒸
発させ、これを光ディスク用樹脂基板の表面に堆積させ
てアルミニウムなどの金属膜を表面に形成する方法であ
る。

【０００４】また、スパッタリング法、例えば、プラズ
マスパッタ法は、真空容器内に、磁石の上部にアルミニ
ウムなどの金属ターゲットを配置したスパッタ源と、こ
のスパッタ源に対向した光ディスク用樹脂基板とを、そ
れぞれに配設し、真空容器内に不活性ガスを導入し、金
属ターゲット表面近傍に形成された磁界及び印加した電
界などにより、光ディスク用樹脂基板と金属ターゲット
との間にプラズマを発生させ、このプラズマによって金
属ターゲットをスパッタリングして光ディスク用樹脂基
板表面にアルミニウムなどの金属粒子を堆積させてアル
ミニウムなどの金属膜を表面に形成する方法である。

【０００５】更に、イオンビームスパッタリング法は、
例えば、特開平４−３１４８６０号は、真空雰囲気中で
不活性ガスイオンビームによって金属ターゲットをスパ
ッタリングすることによって、アクリル樹脂成型品の表
面に５０オングストローム〜４００オングストロームの
膜厚の金属膜を形成する方法である。上記のスパッタリ
ング法では、ターゲットに印加する電圧は直流電圧を使
用している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、真空蒸
着法では、アルミニウムなどの金属膜を光ディスク用樹
脂基板表面に実用可能な強さで形成するが、インライン
化が難しく、生産管理・生産効率が必ずしも良好ではな
い。他方、従来のスパッタリング法では、インライン化
が容易で、生産管理・生産効率に優れているが、光ディ
スク用樹脂基板としてメタクリル系樹脂を用いた場合、
密着性良好な反射膜を得ることができない。そのため
に、メタクリル系樹脂基板を用いた場合、従来から、真
空蒸着法が基板上への金属反射膜形成に用いられてい
る。

【０００７】この発明は、上述の背景に基づきなされた
ものであり、そも目的とするところは、軽量・加工の容
易さ・量産性に優れたメタクリル系樹脂基板に、生産性
が良好なスパッタリング法により、密着性良好な反射膜
を得ることができる金属膜形成方法を提供することであ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題は、この発明に
より解決される。すなわち、この発明による金属膜形成
方法は、ポリメチルメタクリレートまたはメチルメタク
リレートとの共重合物が主成分である光ディスク基板表
面上に、反射用金属膜をを形成する方法であって、不活
性ガスをイオン化し、これを、交流電圧を印加した金属
ターゲットに衝突させて、光ディスク基板表面に金属膜
を形成するスパッタリング法によるものである。

【０００９】また、メタクリル系樹脂基板上に、反射膜
として反射用金属、好ましくはアルミニウムまたはアル
ミニウム合金の金属膜をスパッタリング法により形成す
る際、ターゲットに交流電圧を印加したスパッタリング
法により、金属膜厚を、好ましくは４００オングストロ
ームから１２００オングストローム、より好ましくは４
５０オングストロームから９５０オングストローム、更
により好ましくは５００オングストロームから９００オ
ングストロームとすることを特徴とするものである。

【００１０】この発明において用いられるスパッタリン
グ方法とは、真空容器内に導入したアルゴンなどの不活
性ガスをイオン化し、それを電圧を印加したターゲット
と呼ばれる個体表面に衝突させ個体粒子を叩きだし基板
上に膜を形成する方法である。プラズマを発生させる方
法により直流スパッタリング、高周波スパッタリングな
どに分けられる。この発明においては、メタクリル系樹
脂基板上にスパッタリング法により金属膜を形成する
際、ターゲットに印加する電圧は交流電圧とする。

【００１１】この発明において、反射用金属膜として樹
脂基板上に形成されるアルミニウムまたはアルミニウム
合金の膜厚は、４００オングストロームから１２００オ
ングストローム、より好ましくは４５０オングストロー
ムから９５０オングストローム、更により好ましくは５
００オングストロームから９００オングストロームの範
囲である。これは、上記下限の膜厚以下の場合、充分な
反射率が得られないためであり、また、上記上限の膜厚
を越えると付着強度が充分に得られないためである。

【００１２】

【作用】上記構成を有するこの発明により、樹脂基板と
金属膜の密着力が向上する機構の詳細は不明であるが、
従来から金属反射膜の形成方法として用いられている、
直流電圧を印加したスパッタリング法に比べ、交流電圧
を印加したスパッタリングは基板表面をほとんど変性さ
せず、このことが付着力向上に寄与しているものと推察
される。

【００１３】

【実施例】この発明を、以下の実施例により、具体的に
説明する。 〔実施例１〕メタクリル系樹脂（商品名：アクリペッ
ト、三菱レイヨン製）基板上に、下記条件により、９０
０オングストロームのアルミニウム膜を形成した。 ・成膜装置：高周波スパッタリング装置（日本真空技術
株式会社製） ・ターゲット印加用電源：交流電源（日本真空技術株式
会社製） ・ターゲット印加電力：２００Ｗ ・真空容器内雰囲気：アルゴンガス ・スパッタリング時ガス圧：5×10^-3Torr ・ターゲット：φ４インチアルミニウムターゲット 得られた金属膜について密着性を、以下のように評価し
た。粘着テープの粘着面をアルミニウム膜に密着させ、
勢いよく引き剥す剥離テストにより評価した結果、アル
ミニウム膜は剥離せず、密着性が良好であり、反射率も
充分であった。

【００１４】〔実施例２〕アルミニウム膜厚が５００オ
ングストロームであること以外、実施例１と同様に、成
膜して評価した。この結果、良好な密着性と充分な反射
率が得られた。

【００１５】〔比較例１〕ターゲット印加用直流電源
（日本真空技術株式会社製、印加電力２００Ｗ）を使用
すること以外、実施例２と同様に成膜して評価した。そ
の結果、アルミニウム膜は剥離し、密着力が充分でなか
った。

【００１６】〔比較例２〕アルミニウム膜厚が１３５０
オングストロームであること以外、実施例１と同様に、
成膜して評価した。その結果、アルミニウム膜は剥離
し、密着力が充分でなかった。

【００１７】〔比較例３〕アルミニウム膜厚が３５０オ
ングストロームであること以外、実施例１と同様に、成
膜して評価した。その結果、アルミニウム膜は十分な反
射率を示さなかった。

【００１８】

【発明の効果】上記実施例から実証されるように、本発
明により、メタクリル系樹脂基板上にスパッタリング法
で、アルミニウムまたはアルミニウム合金などの金属の
良好な密着性と反射率とに優れた反射膜形成が可能とな
る。それに伴い、現行の真空蒸着法による成膜方法に比
べ、インライン化が可能となり、生産管理が容易とな
る。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】ポリメチルメタクリレートまたはメチルメ
   タクリレートとの共重合物が主成分である光ディスク基
   板表面上に、反射用金属膜をを形成する方法であって、 不活性ガスをイオン化し、これを、交流電圧を印加した
   金属ターゲットに衝突させて、光ディスク基板表面に金
   属膜を形成するスパッタリング法による金属膜形成方
   法。
2. 【請求項２】金属膜の膜厚が、４５０オングストローム
   から９５０オングストロームである請求項１記載の金属
   膜形成方法