JPH04251453A - 光情報記録媒体の製造方法 - Google Patents
光情報記録媒体の製造方法Info
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- JPH04251453A JPH04251453A JP2415954A JP41595490A JPH04251453A JP H04251453 A JPH04251453 A JP H04251453A JP 2415954 A JP2415954 A JP 2415954A JP 41595490 A JP41595490 A JP 41595490A JP H04251453 A JPH04251453 A JP H04251453A
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- Japan
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- Pending
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Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成された色
素層上にＡｕまたはＡｕを含む合金からなる反射膜を有
する光情報記録媒体の製造方法に関する。
素層上にＡｕまたはＡｕを含む合金からなる反射膜を有
する光情報記録媒体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ光の記録媒体による反射を利用す
る光ディスクでは、透明プラスチック基板、例えばポリ
カーボネート樹脂板に設けられた記録媒体に密着して形
成された金属膜面でレーザ光が反射され、その反射光を
検出して情報を読み取ることができる。
る光ディスクでは、透明プラスチック基板、例えばポリ
カーボネート樹脂板に設けられた記録媒体に密着して形
成された金属膜面でレーザ光が反射され、その反射光を
検出して情報を読み取ることができる。
【０００３】光ディスクの反射膜は、従来、主に真空中
で物理的蒸着法（ＰＶＤ法）で作製されている。具体的
には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法などである、各方法の特色としては、真空蒸着法
は最も高反射率の膜が得られ、イオンプレーティング法
では高反射率で密着性の高い膜が得られるが、膜と基板
との密着性が高く、量産性に優れているスパッタリング
法がよく利用される。
で物理的蒸着法（ＰＶＤ法）で作製されている。具体的
には真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティ
ング法などである、各方法の特色としては、真空蒸着法
は最も高反射率の膜が得られ、イオンプレーティング法
では高反射率で密着性の高い膜が得られるが、膜と基板
との密着性が高く、量産性に優れているスパッタリング
法がよく利用される。
【０００４】スパッタリング法では、通常１０−３〜１
０−１ Ｔｏｒｒ 程度の圧力のＡｒ雰囲気中でグロー
放電させ、そのプラズマ中のイオンによってターゲット
材をスパッタリングし、飛び出した原子によって基板上
に薄膜が形成される。
０−１ Ｔｏｒｒ 程度の圧力のＡｒ雰囲気中でグロー
放電させ、そのプラズマ中のイオンによってターゲット
材をスパッタリングし、飛び出した原子によって基板上
に薄膜が形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】一般にスパッタリング
法では基板に入射する膜材料粒子のエネルギーが蒸着法
に比べて １００倍程度大きい。そのためスパッタリン
グ法で有機色素層上に原子量が大きく高い反射率を有す
るＡｕまたはＡｕを含む合金をスパッタすると蒸着法で
は見られなかった問題点が生じる。すなわち、入射粒子
により色素層が逆スパッタされてしまい、色素層の膜厚
が減少するために記録媒体としての特性値、特に反射率
が所定の反射率よりも低くなってしまうなど、悪影響を
及ぼしてしまっていた。
法では基板に入射する膜材料粒子のエネルギーが蒸着法
に比べて １００倍程度大きい。そのためスパッタリン
グ法で有機色素層上に原子量が大きく高い反射率を有す
るＡｕまたはＡｕを含む合金をスパッタすると蒸着法で
は見られなかった問題点が生じる。すなわち、入射粒子
により色素層が逆スパッタされてしまい、色素層の膜厚
が減少するために記録媒体としての特性値、特に反射率
が所定の反射率よりも低くなってしまうなど、悪影響を
及ぼしてしまっていた。
【０００６】反射率は記録媒体層の膜厚に依存して変化
する特性で、上記のように記録層の膜厚が減少すると反
射率も低下することになる。
する特性で、上記のように記録層の膜厚が減少すると反
射率も低下することになる。
【０００７】上述の現象を改善するためには、入射粒子
のエネルギーを低下させることが必要である。
のエネルギーを低下させることが必要である。
【０００８】したがって、本発明の目的は、逆スパッタ
リングによる色素層の膜厚の減少を防止することができ
、反射率の高い光情報記録媒体の製造が保証される方法
を提供することにある。
リングによる色素層の膜厚の減少を防止することができ
、反射率の高い光情報記録媒体の製造が保証される方法
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成すべく研究を進め、色素層が逆スパッタされるのを
防ぐ目的で、入射粒子のエネルギーを低下させるという
観点から、一般的にスパッタリング法にプラズマ用ガス
として用いられる希ガス、特に工業的スパッタリングに
用いられるＡｒに代えてＫｒまたはＸｅなどの原子量の
大きい希ガスの使用を試みた結果、前述の課題が解決さ
れることを見出し本発明に到達した。
達成すべく研究を進め、色素層が逆スパッタされるのを
防ぐ目的で、入射粒子のエネルギーを低下させるという
観点から、一般的にスパッタリング法にプラズマ用ガス
として用いられる希ガス、特に工業的スパッタリングに
用いられるＡｒに代えてＫｒまたはＸｅなどの原子量の
大きい希ガスの使用を試みた結果、前述の課題が解決さ
れることを見出し本発明に到達した。
【００１０】すなわち、本発明は、基板上に形成された
色素層上にスパッタリング法によりＡｕまたはＡｕを含
む合金からなる金属薄膜を形成する工程を有する光情報
記録媒体の製造方法において、雰囲気ガスとして、Ｋｒ
またはＸｅを主成分とする希ガスを用いることを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法を提供するものである。
色素層上にスパッタリング法によりＡｕまたはＡｕを含
む合金からなる金属薄膜を形成する工程を有する光情報
記録媒体の製造方法において、雰囲気ガスとして、Ｋｒ
またはＸｅを主成分とする希ガスを用いることを特徴と
する光情報記録媒体の製造方法を提供するものである。
【００１１】反応性スパッタリングなど特殊な場合を除
き、一般的にスパッタリング法ではプラズマ用ガスとし
て希ガス、特に価格の点から工業的スパッタリングでは
Ａｒが用いられている。基板と反射膜との間に記録層を
持たないＣＤ、ＬＤなどではＡｒをプラズマガスとして
用いても何等問題なく反射膜を形成できるのであるが、
記録層のようにデリケートな膜の上に反射膜を形成する
光ディスクではＡｒを用いたのでは前述のような問題が
生ずる。そこでプラズマ用ガスとしてＡｒに代えてＫｒ
またはＸｅなどの原子量の大きい希ガスを使用すること
によって前述のような色素層の逆スパッタリングの問題
が解消される。
き、一般的にスパッタリング法ではプラズマ用ガスとし
て希ガス、特に価格の点から工業的スパッタリングでは
Ａｒが用いられている。基板と反射膜との間に記録層を
持たないＣＤ、ＬＤなどではＡｒをプラズマガスとして
用いても何等問題なく反射膜を形成できるのであるが、
記録層のようにデリケートな膜の上に反射膜を形成する
光ディスクではＡｒを用いたのでは前述のような問題が
生ずる。そこでプラズマ用ガスとしてＡｒに代えてＫｒ
またはＸｅなどの原子量の大きい希ガスを使用すること
によって前述のような色素層の逆スパッタリングの問題
が解消される。
【００１２】
【作用】スパッタリング法ではその原理上ターゲット（
膜材料塊）と基板との間にプラズマガスが存在する。 したがって、ターゲットからスパッタされた粒子は基板
に到達するためにはプラズマ中を通過しなければならな
い。通常スパッタリングが行われる１０−１Ｐａ台での
気体の平均自由工程は１ｃｍ程度である。
膜材料塊）と基板との間にプラズマガスが存在する。 したがって、ターゲットからスパッタされた粒子は基板
に到達するためにはプラズマ中を通過しなければならな
い。通常スパッタリングが行われる１０−１Ｐａ台での
気体の平均自由工程は１ｃｍ程度である。
【００１３】通常、スパッタリング装置のターゲット〜
基板間距離は数ｃｍ以上あるので、スパッタ粒子はプラ
ズマ中を通過する過程でプラズマガスと数回以上衝突す
ることになる。したがって、スパッタされた粒子はプラ
ズマとの衝突過程で運動エネルギーの一部を失うことに
なる。この場合、当然プラズマガスの質量が大きいほう
が１回当りの衝突でスパッタ粒子が失うエネルギーは大
きくなる。
基板間距離は数ｃｍ以上あるので、スパッタ粒子はプラ
ズマ中を通過する過程でプラズマガスと数回以上衝突す
ることになる。したがって、スパッタされた粒子はプラ
ズマとの衝突過程で運動エネルギーの一部を失うことに
なる。この場合、当然プラズマガスの質量が大きいほう
が１回当りの衝突でスパッタ粒子が失うエネルギーは大
きくなる。
【００１４】したがって、Ａｒに比べて原子量の大きな
ＫｒまたはＸｅをプラズマガスに用いることでスパッタ
粒子のエネルギーを、前述の問題が生じないレベルにま
で低下することができるのである。
ＫｒまたはＸｅをプラズマガスに用いることでスパッタ
粒子のエネルギーを、前述の問題が生じないレベルにま
で低下することができるのである。
【００１５】以下、実施例により本発明をさらに説明す
る。
る。
【００１６】
【実施例】スパッタリング用の基板としてはプレグルー
ブを有するポリカーボネート板を用意し、この上に色素
を塗布して記録層を形成したものを用いて、スパッタリ
ング法により記録層上に、下記の条件により金属薄膜を
形成した。
ブを有するポリカーボネート板を用意し、この上に色素
を塗布して記録層を形成したものを用いて、スパッタリ
ング法により記録層上に、下記の条件により金属薄膜を
形成した。
【００１７】
スパッタリング条件
スパッタリング電力‥‥‥‥‥３ ｋＷ
スパッタリング時間‥‥‥‥‥５ 〜 ７ ｓｅｃ
ターゲット‥‥‥‥‥‥‥‥‥Ａｕ ター
ゲット〜基板間の距離‥‥６ ｃｍ ガス圧力‥
‥‥‥‥‥‥‥‥‥Ａｒ：８．６ Ｐａ 、Ｋｒ：６．
７ Ｐａ 、Ｘｅ：７６ Ｐａ
スパッタリング時間‥‥‥‥‥５ 〜 ７ ｓｅｃ
ターゲット‥‥‥‥‥‥‥‥‥Ａｕ ター
ゲット〜基板間の距離‥‥６ ｃｍ ガス圧力‥
‥‥‥‥‥‥‥‥‥Ａｒ：８．６ Ｐａ 、Ｋｒ：６．
７ Ｐａ 、Ｘｅ：７６ Ｐａ
【００１８】このようにして作製したディスクの反射率
（Ｒｇ）では、従来のＡｒのみを用いたものに比し約５
％向上していた。
（Ｒｇ）では、従来のＡｒのみを用いたものに比し約５
％向上していた。
【００１９】なお、プラズマガスとしてＡｒ、Ｋｒおよ
びＸｅそれぞれを用いて作製したディスクの未記録状態
でのＲｇを測定したところ、それぞれ７４．５％、７８
．３％および７８．７％であった。
びＸｅそれぞれを用いて作製したディスクの未記録状態
でのＲｇを測定したところ、それぞれ７４．５％、７８
．３％および７８．７％であった。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の方法によ
れば、従来のプラズマガスとしてのＡｒに代えて、より
原子量の大きいＫｒまたはＸｅを用いるので、従来見ら
れた逆スパッタリング現象によって起こる色素層の膜厚
の減少による反射率の低下を防止することができ、反射
率の高いＡｕまたはＡｕを含む合金からなる金属薄膜を
有する光情報記録媒体を得ることができる。
れば、従来のプラズマガスとしてのＡｒに代えて、より
原子量の大きいＫｒまたはＸｅを用いるので、従来見ら
れた逆スパッタリング現象によって起こる色素層の膜厚
の減少による反射率の低下を防止することができ、反射
率の高いＡｕまたはＡｕを含む合金からなる金属薄膜を
有する光情報記録媒体を得ることができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に形成された色素層上にスパッ
タリング法によりＡｕまたはＡｕを含む合金からなる金
属薄膜を形成する工程を有する光情報記録媒体の製造方
法において、雰囲気ガスとして、ＫｒまたはＸｅを主成
分とする希ガスを用いることを特徴とする光情報記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415954A JPH04251453A (ja) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2415954A JPH04251453A (ja) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04251453A true JPH04251453A (ja) | 1992-09-07 |
Family
ID=18524217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2415954A Pending JPH04251453A (ja) | 1990-12-29 | 1990-12-29 | 光情報記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04251453A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073153A1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Trikon Holdings Limited | Method of depositing metal films |
| WO2006044166A2 (en) | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article having ir reflecting layer with predetermined target-substrate distance |
| WO2006078479A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A.(C.R.V.C.) | Method of making coated article with ir reflecting layer(s) using krypton gas |
-
1990
- 1990-12-29 JP JP2415954A patent/JPH04251453A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001073153A1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Trikon Holdings Limited | Method of depositing metal films |
| WO2006044166A2 (en) | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Guardian Industries Corp. | Method of making coated article having ir reflecting layer with predetermined target-substrate distance |
| US7291251B2 (en) | 2004-10-19 | 2007-11-06 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A. (C.R.V.C.) | Method of making coated article with IR reflecting layer(s) using krypton gas |
| EP1812617A4 (en) * | 2004-10-19 | 2012-08-22 | Guardian Industries | METHOD OF PREPARING A COATED SUBJECT WITH IR-REFLECTIVE LAYER WITH PREDETERMINED TARGET SUBSTRATE DISTANCE |
| WO2006078479A1 (en) * | 2005-01-18 | 2006-07-27 | Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et La Ceramique S.A.(C.R.V.C.) | Method of making coated article with ir reflecting layer(s) using krypton gas |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990223 |