JPH07333060A

JPH07333060A - 測光装置

Info

Publication number: JPH07333060A
Application number: JP6125378A
Authority: JP
Inventors: Hiroyuki Iwasaki; 宏之岩崎
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1994-06-07
Filing date: 1994-06-07
Publication date: 1995-12-22
Also published as: US5771411A

Abstract

(57)【要約】【目的】温度が高くなったり、スミア現象などの影響
により、ＯＰＢ出力が大きくなった場合にも、出力電圧
のダイナミックレンジが小さくなり、最適な蓄積時間が
設定できなくなることを防止する。【構成】被写界からの光を光電変換して、光強度に応
じた電気信号を出力する蓄積型の受光素子９と，受光素
子９からの測光出力を入力する測光値入力部（Ｖｏｕ
ｔ）と，測光値入力部の出力に基づいて、受光素子９の
蓄積時間を設定する蓄積時間設定部（Ｓ１１１）とを備
え、受光素子９は、少なくとも１個の光学的に遮光され
た受光画素を備え、蓄積時間設定部は、前記受光画素の
出力に基づいて、蓄積時間の設定値を算出する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラなどに使用する
測光装置に関し、特に、ＣＣＤ等の蓄積型の受光素子を
備えた測光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の測光装置としては、例え
ば、クロック発生手段によって発生されたクロックによ
りマイクロプロセッサを動作させ、そのマイクロプロセ
ッサ内で作られたクロック信号により受光素子を動作さ
せて、測光信号を得る構造のものが知られている。この
ときに、蓄積時間の設定は、マイクロプロセッサが蓄積
指示信号端子をＬｏｗにする時間により行っている。

【０００３】ここで、蓄積時間ｔ〔単位ｓ〕と、受光素
子の出力電圧Ｖ〔単位Ｖ〕、感度Ｓ〔単位Ｖ／Ｌｘ・
ｓ〕、受光面上の照度Ｌ〔単位Ｌｘ〕との関係は、数式
１に示すとおりである。〔数１〕Ｖ＝Ｓ・Ｌ・ｔ

【０００４】また、蓄積時間ｔの値は、前回の測光時の
蓄積時間ｔ’、出力電圧Ｖ’及び目標の信号出力電圧Ｖ
ＡＧＣを用いて、以下に示す数式２によって求められ
る。〔数２〕ｔ＝ｔ’・ＶＡＧＣ／Ｖ’ このように、次回の蓄積時間ｔは、前回の蓄積時間ｔ’
と出力電圧Ｖ’とに基づいて、次回の出力電圧が目標の
信号出力電圧ＶＡＧＣに一致するように計算していた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前述した従来の測光装
置では、数式２に示した目標の信号出力電圧ＶＡＧＣを
一定値としていたが、これには、次の点で問題があっ
た。受光素子は、光学的に遮光された受光画素の出力
（以下、ＯＰＢ出力と呼ぶ）を、信号出力から予め差し
引いた値を、信号出力電圧として出力している。しか
し、温度が高くなったり、スミア現象などの影響によ
り、ＯＰＢ出力が大きくなると、出力電圧のダイナミッ
クレンジが小さくなり、最大出力がＶＡＧＣに満たなく
なる場合があった。このために、受光素子は、蓄積時間
をいくら長くしても、出力信号がＶＡＧＣに届かなくな
るので、次回の測光では、更に蓄積時間を伸ばしてしま
い、結局、設定可能な最大の蓄積時間まで蓄積時間を伸
ばしてしまい、最適な蓄積時間が設定できなくなる、と
言う問題点があった。

【０００６】そこで、本発明では、このような場合にお
いても、上記のような事態に陥ることなく、最適な蓄積
時間を設定することを可能とする測光装置を提供するこ
とを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明による測光装置の第１の解決手段は、被写界
からの光を光電変換して、光強度に応じた電気信号を出
力する蓄積型の受光素子と，前記受光素子からの測光出
力を入力する測光値入力部と，前記測光値入力部の出力
に基づいて、前記受光素子の蓄積時間を設定する蓄積時
間設定部とを備えた測光装置において、前記受光素子
は、少なくとも１個の光学的に遮光された受光画素を備
え、前記蓄積時間設定部は、前記受光画素の出力に基づ
いて、蓄積時間の設定値を算出することを特徴とする。

【０００８】第２の解決手段は、第１の解決手段の測光
装置において、前記受光素子の出力目標値を設定する目
標値設定部をさらに備え、前記蓄積時間設定部は、前記
受光素子からの出力値が前記出力目標値と一致するよう
に蓄積時間を設定することを特徴とする。

【０００９】第３の解決手段は、第２の解決手段の測光
装置において、前記目標値設定部は、前記光学的に遮光
された受光画素からの出力値を、所定値から差し引いた
値を出力目標値とすることを特徴とする。

【００１０】第４の解決手段は、第２の解決手段の測光
装置において、前記受光素子は、複数の測光領域に分割
されており、前記目標値設定部は、前記受光素子の出力
の最大値を出力目標値とすることを特徴とする。

【００１１】

【作用】第１の解決手段では、ＯＰＢ出力に基づいて蓄
積時間を設定するようにしたので、ＯＰＢ出力によって
受光素子のダイナミックレンジが小さくなっても最適な
蓄積時間を設定することができる。

【００１２】第２の解決手段では、測光出力が目標値と
一致するように蓄積時間を設定するようにしたので、受
光素子のダイナミックレンジを最大限に生かした蓄積時
間を設定可能になる。

【００１３】第３の解決手段では、所定値からＯＰＢ出
力を差し引いた値を目標値とするようにしたので、ダイ
ナミックレンジが変化しても、最適な目標値を設定可能
になる。

【００１４】第４の解決手段では、測光出力の最大値が
目標値に一致するようにしたので、複数の測光出力の全
部がダイナミックレンジ内に入る確率が高くなる。

【００１５】

【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。図１は、本発明の一実施例に係わる測光
装置の概略の構成を示すブロック図である。マイクロプ
ロセッサ１０は、露光制御や受光素子９等の制御を行な
う制御回路であり、クロック発生手段１５からこのプロ
セッサ１０が動作するための２０ＭＨｚのクロック信号
を入力する。マイクロプロセッサ１０は、このクロック
信号を２分周した１０ＭＨｚのシステムクロックに基づ
いて、内蔵されている各種タイマー、Ａ／Ｄ変換器、シ
リアル通信インターフェース、ＲＡＭへの読み書きおよ
び出入力端子の動作を制御する。

【００１６】受光素子９は、ＣＣＤセンサ等の蓄積型の
素子である。図３は、受光素子９の測光分割形状を被写
界に照らし合わせた図である。図３に示したように、被
写界のほぼ全体を横２０個、縦１２個の２４０領域に分
割して測光を行う。

【００１７】マイクロプロセッサ１０及び受光素子９に
は、基準電圧発生回路１１から基準電圧が入力される。
受光素子９は、この基準電圧からの電位差によって出力
信号を出力し、マイクロプロセッサ１０は、この基準電
圧を基準とするＡ／Ｄ変換器によって、受光素子９から
の出力信号をデジタル信号に変換する。

【００１８】マイクロプロセッサ１０から受光素子９に
向けて出力される信号は、受光素子９の動作の基となる
マスタークロックφＭＣＫ、蓄積の開始及び終了を制御
するφｉｎｔ、初期設定を行うＶｓｃｉｎ信号、マスタ
ークロックの分周比を切り替えるｒａｔｅ信号及び出力
回路のゲインを切り替えるｇａｉｎ信号である。一方、
受光素子９からマイクロプロセッサ１０への信号は、出
力信号を取り込むためのタイミング信号Ｖｔｉｍ及び出
力信号Ｖｏｕｔである。

【００１９】マイクロプロセッサ１０は、出力信号Ｖｏ
ｕｔの電圧を、タイミング信号Ｖｔｉｍの立ち下がりに
同期してＡ／Ｄ変換し、測光時の蓄積時間ｔとして、Ｒ
ＡＭに格納する。また、レンズ内ＲＯＭ１２から得られ
る撮影レンズの開放絞り値Ｆ０、焦点距離ｆ、射出瞳距
離ＰＯ等の情報を基にして補正値ｔ０を演算する。そし
て、測光時の蓄積時間ｔ及び補正値ｔ０に基づいて、被
写界の輝度値を各分割エリア毎に算出する。輝度値の算
出の仕方については、後述する。マイクロプロセッサ１
０は、求められた輝度値に基づいて、公知の手法を用い
て適正露出値を算出し、不図示のレリーズ釦の全押しの
信号を検出したときに、適正露出値に応じて、絞り１３
とシャッター１４を制御し、フィルムの露光を行う。

【００２０】図２は、本発明による測光装置の実施例の
光学系を示すブロック図である。撮影レンズ１を通過し
た光束は、クイックリターンミラー２、拡散スクリーン
３、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、接眼レン
ズ６を通って、撮影者の目に到達する。一方、拡散スク
リーン３によって拡散された光束の一部は、コンデンサ
レンズ４、ペンタプリズム５、測光用プリズム７、測光
用レンズ８を通して受光素子９へ到達する。

【００２１】受光素子９は、図４に示したように、図中
斜線で塗りつぶした部分がセンサー部分であり、この部
分に入射した光が光電変換され電荷を発生し、Ｈレジス
タ９５Ｈ（９５Ｈ−１〜９５Ｈ−１２）、Ｖレジスタ９
５Ｖを経由して、出力回路２１へ運ばれ、基準信号Ｖｒ
ｅｆからの電位差を出力信号として、Ｖｏｕｔから出力
される。

【００２２】また、黒く塗りつぶしてあるところは、光
学的に遮光されている画素（ＯＰＢ）であり、暗電流の
信号を出力するために設けられている。

【００２３】マイクロプロセッサ１０からのｇａｉｎ信
号は、出力回路２１に入力されており、これがＨｉｇｈ
の場合には、出力回路２１の増幅率は１倍であるが、Ｌ
ｏｗになると増幅率が４倍に切り替わるようになってい
る。マスタークロックφＭＣＫ，蓄積指示信号φｉｎ
ｔ，ｒａｔｅ信号及び初期化信号Ｖｓｃｉｎは、タイミ
ングジェネレータ２２に入力されている。

【００２４】タイミングジェネレータ２２では、各Ｈレ
ジスタ９５Ｈ及びＶレジスタ９５Ｖを駆動する基になる
信号が作られ、その信号に基づいて、ドライバ２３によ
って各レジスタ９５Ｈ，９５Ｖの駆動信号が作成され
る。タイミングジェネレータ２２では、ｒａｔｅ信号が
Ｈｉｇｈの場合には、φＭＣＫを３２分周したクロック
信号が作成され、Ｌｏｗの場合には、１６分周したクロ
ック信号が作成される。以後、このタイミングジェネレ
ータ２２によって作成されたクロック信号を基本クロッ
クと呼ぶことにする。

【００２５】また、初期化信号Ｖｓｃｉｎは、通常はＨ
ｉｇｈとなっているが、Ｌｏｗに落とされると、タイミ
ングジェネレータ２２は基本クロックの８倍の周波数の
信号を出力し、各レジスタ９５Ｈ，９５Ｖの残留電荷を
敏速に排出し、レジスタ９５の初期化を行う。受光素子
９の電源投入時に初期化を行うときは、一定時間（８倍
のクロックによって受光素子９の出力の３画面分が掃き
出される時間）Ｌｏｗに落とされる。

【００２６】また、初期化信号ＶｓｃｉｎがＬｏｗのと
きには、出力回路２１からの信号は、基準電圧Ｖｒｅｆ
と等しくなるようになっている。受光素子９の蓄積時間
は、φｉｎｔのＬｏｗになっている間に行われる。すな
わち、通常はφｉｎｔ＝Ｈとなっているが、蓄積開始時
にＬｏｗに落とされ、再びＨｉｇｈに戻されることによ
って蓄積が終了し、電荷が各レジスタ９５によって運ば
れる。

【００２７】また、タイミングジェネレータ２２から
は、出力回路２１にクランプ１、Ｓ／Ｈ、クランプ２の
各パルス信号が出力されている。これらのパルスと出力
信号との関係を以下に説明する。

【００２８】図５は、センサー部を通過して出力回路に
導かれた後の測光出力の流れを分かりやすく示した図で
ある。センサー部９３を通過した測光信号は、クランプ
１（ＣＬ１）によって、基準電圧Ｖｒｅｆからの差信号
に変換され、その後に、サンプルホールド回路（Ｓ／
Ｈ）によってサンプルホールドされ、さらに、クランプ
２（ＣＬ２）によって、ＯＰＢ出力を打ち消すように、
再び、基準電圧Ｖｒｅｆからの差信号に変換される。

【００２９】図６は、クランプ１、Ｓ／Ｈ、クランプ２
の各信号と、出力電圧の様子を示したタイミングチャー
ト図である。Ｖレジスタ９５Ｖの先には、３画素分のダ
ミー画素があるので、Ｖレジスタ９５Ｖの１列分を読み
出す場合には、まず、最初にダミー画素が３個、その次
にＯＰＢ出力、その後に測光出力が１２個読み出され
る。ダミー画素は、出力信号を持たない（信号＝０）の
画素である。クランプ１は、各画素が読み出される毎に
パルスが立ち上がり（ｔ１，ｔ３，ｔ４，ｔ５，ｔ７，
ｔ８参照）、それぞれの出力が基準電圧Ｖｒｅｆからの
差の出力になるようになっている。その後に、各画素の
信号は、Ｓ／Ｈパルスによってサンプルホールドされ
る。

【００３０】クランプ２は、Ｖレジスタ９５Ｖの１列分
の間に２回のパルスが立ち上がる。１回目は、ダミーの
１画素目がサンプルホールドされた直後である（ｔ２参
照）。これは、直前のＶレジスタ９５Ｖの出力が、ＯＰ
Ｂ出力の分だけクランプされているために、ダミー画素
の出力が、図のようにＯＰＢ出力分浮いてしまっている
のを元に戻すためである。２回目は、ＯＰＢ出力がサン
プルホールドされた直後であり（ｔ６参照）、測光出力
から再びＯＰＢ出力分を差し引くためである。

【００３１】図７は、センサー部の通過後、クランプ１
の通過後、及びクランプ２の通過後の測光信号のダイナ
ミックレンジを分かりやすく示した図である。センサー
部９３の通過後では、信号出力範囲は０Ｖ〜３Ｖであ
る。その後に、クランプ１によって４Ｖの基準電圧Ｖｒ
ｅｆにクランプされ、出力範囲は４Ｖ〜１Ｖまでとな
る。このときに、注意しなければならないのは、信号が
０のときは、電圧値が４Ｖとなり、飽和したときに電圧
値は１Ｖとなるということである。そして、ＯＰＢ出力
の後に、クランプ２によってクランプされ、ＯＰＢ出力
分が差し引かれた値が出力される。

【００３２】このときに、図７に示すように、ＯＰＢ出
力が１Ｖであった場合には、クランプ２後の出力範囲は
４Ｖ〜２Ｖまでとなり、ＯＰＢ出力の分だけ小さくなっ
てしまう。つまり、ダイナミックレンジが２Ｖになって
しまう。この理由は、最終的な出力信号値が２Ｖであっ
ても、ＯＰＢ出力が１Ｖであった場合には、クランプ２
以前ではＯＰＢ＋信号分として飽和出力レベルの３Ｖま
で信号出力が達してしまっているためである。

【００３３】図８は、マイクロプロセッサ１０のアルゴ
リズムを説明するフローチャート図である。不図示のシ
ャッター釦が半押しされることによってカメラの電源が
入り、マイクロプロセッサ１０内のプログラムが起動さ
れる。ステップＳ１０１において、まずφＭＣＫを出力
させる。φＭＣＫは、システムクロックの１／４の２．
５ＭＨｚである。Ｓ１０２では、ｇａｉｎ＝Ｈ、ｒａｔ
ｅ＝Ｈに設定した後に、所定期間ＶｓｃｉｎをＬｏｗに
落としてＣＣＤの初期化を行う。Ｓ１０３では、最初の
蓄積時間ｔを１ｍｓに設定し、マイクロプロセッサ内の
ＲＡＭの所定番地に格納する。ステップＳ１０４では、
ＲＡＭに格納されている蓄積時間ｔに基づいて、受光素
子９による測光を行う。ステップＳ１０５では、レンズ
内ＲＯＭ１２から装着されている撮影レンズの開放絞り
値Ｆ０、焦点距離値ｆ及び射出瞳距離値ＰＯが読み出さ
れ、これらの値に基づいて、測光領域毎の測光補正値Ｚ
（ｉ，ｊ）、（ただしｉ＝１・・・２０，ｊ＝１・・・
１２）が計算される。ここで、Ｚ（ｉ，ｊ）は横ｉ番
地、縦ｊ番地の測光補正データであることを示してい
る。

【００３４】次にステップ１０７において、各測光領域
において、以下に示す数式３を用いて被写界の輝度値を
算出する。〔数３〕 BV(i,j) = (log(Vout(i,j)/(t+t0))/log2)+Z
(i,j)+F0

【００３５】ここで、蓄積時間補正値ｔ０には、基本ク
ロックの１周期相当の時間が設定されるが、実験によっ
て更に最適な値を調節して与えてもよい。例えば、φＭ
ＣＫ＝２．５ＭＨｚ、ｒａｔｅ＝Ｈの場合には、基本ク
ロックは７８．１２５ｋＨｚであるので、ｔ０＝１２．
８μｓである。また、φＭＣＫ＝２．５ＭＨｚ、ｒａｔ
ｅ＝Ｌの場合には、ｔ０＝２５．６μｓである。

【００３６】また、マイクロプロセッサ１０によってφ
ＭＣＫが変化させられる場合においては、以下の数式４
を用いてｔ０を算出すればよい。〔数４〕ｔ０＝３２／φＭＣＫ(rate=H)，１６／φＭ
ＣＫ(rate=L) 例えば、φＭＣＫ＝１．２５ＭＨｚ、ｒａｔｅ＝Ｈの場
合には、ｔ０＝２５．６μｓである。

【００３７】輝度値算出が終了すると、Ｓ１０７により
公知の手法を用いて露出演算を行い適正露出値を算出す
る。Ｓ１０８では、不図示のレリーズボタンが全押しさ
れたか否かを判別し、全押しされた場合には、Ｓ１０９
へ進み、適正露出値に基づいて露出制御を行う。Ｓ１１
０では、半押しタイマーがタイマー切れであるか否かを
判別し、タイマー切れの場合には、プログラムを終了す
る。そうでない場合には、Ｓ１１１によって、次回の最
適蓄積時間を計算して所定のＲＡＭに格納し、Ｓ１０４
へ戻って同様の処理を繰り返す。

【００３８】次回の最適蓄積時間ｔの設定方法は、以下
に示す数式５を用いる。〔数５〕ｔ＝ｔ’・（Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’）／Ｖｍａｘ’ ここで、ｔ’は前回の蓄積時間、Ｖｔは目標の出力信号
値、Ｖｏｐｂ’は前回の測光時でのＯＰＢ出力値、Ｖｍ
ａｘ’は前回の測光での最大信号値である。ＯＰＢ出力
は、図４に示したとおり、Ｈ方向の画素数だけあるの
で、この場合には、２０個のＯＰＢがある。従って、Ｖ
ｏｐｂ’としては、その平均値を取ればよい。しかし、
平均値を求める時間的余裕がなければ、任意の１つのＯ
ＰＢ出力によって代表させることも可能である。値Ｖｔ
は、数式５の場合に、受光出力の最大信号値Ｖｍａｘの
目標値となるので、最大出力信号値である３Ｖ又はそれ
に余裕を持たせて０．８倍した値である２．４Ｖ等に設
定すればよい。このようにすれば、ＯＰＢ出力が大きく
なってダイナミックレンジが小さくなっても、ＶＡＧＣ
＝Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’なる補正された目標値ＶＡＧＣを用
いることにより、最適な測光が行える。但し、Ｖｔの値
が、飽和出力値−Ｖｏｐｂ’よりも小さい場合には、Ｖ
ｔがダイナミックレンジを越えないので、Ｖｏｐｂ’を
引かないようにしてもよい。

【００３９】また、数式５の変形例として、以下に示す
数式６または数式７のようなものも考えられる。〔数６〕ｔ＝ｔ’・（Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’）／２／Ｖｍ
ｅａｎ’ 〔数７〕ｔ＝ｔ’・（Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’）／２＾ｄ／
ＢＶｍｅａｎ’ 数式６において、Ｖｍｅａｎ’は、前回の測光値の単純
平均値である。また、ＶＡＧＣ＝（Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’）
／２は、目標をダイナミックレンジの中間に設定してい
ることを示している。

【００４０】また、数式７において、ｄは、測光出力を
ＥＶ値で換算したときのダイナミックレンジの中間値を
表している。例えば、８段、すなわち８ＥＶのダイナミ
ックレンジがある場合には、ｄ＝４である。また、ＢＶ
ｍｅａｎ’は、前回の測光値の対数的な平均値であり、
次の数式８によって求められる。

【００４１】〔数８〕ＢＶｍｅａｎ’＝２＾（１／ｎ
・ΣＬｏｇＶ／Ｌｏｇ２）ここで、ｎは測光画素数を表し、記号Σは１からｎまで
の総和を表す。Ｖは各画素での測光信号の出力値であ
る。なお、数式７及び数式８において、記号＾はべき乗
を表すものである。数式７において、補正された目標値
ＶＡＧＣ＝（Ｖｔ−Ｖｏｐｂ’）／２＾ｄは、ダイナミ
ックレンジの対数的な中間値を示している。

【００４２】図９は、本発明を適用した場合と、適用し
ない場合での受光素子の出力波形を示した図である。図
９（ａ）は、ＯＰＢ出力が小さい場合を示しており、こ
の場合には、何れの場合にも飽和レベルは、ＶＡＧＣに
ほぼ等しいので問題は起こらない。

【００４３】しかし、図９（ｂ）のように、ＯＰＢ出力
が大きくなると、ＯＰＢの分だけダイナミックレンジが
狭まってしまい、飽和レベルがＶＡＧＣの手前に来てし
まうと、いくら蓄積時間を伸ばしても、出力はＶＡＧＣ
に届かず、結果的に全画素出力が飽和レベルに達してし
まう。

【００４４】そこで、本発明を適用すれば、図９（ｃ）
のように、ＶＡＧＣをＯＰＢ出力に応じて補正するよう
にしたので、ダイナミックレンジを最大限に利用した測
光が可能となる。

【００４５】以上の実施例と請求項に係る発明とは、受
光素子９が受光素子に、マイクロプロセッサのＶｏｕｔ
入力端子（Ａ／Ｄ変換器）が測光値入力手段に、Ｓ１１
１が蓄積時間設定手段に、それぞれ対応する。

【００４６】以上説明した実施例に限定されず、種々の
変形や変更が可能であって、それらも本発明に含まれ
る。例えば、一眼レフカメラの例をあげて説明したが、
レンズシャッタカメラ、ビデオカメラ又は測定対象域の
照度を測定する測定器などにも適用できる。

【００４７】

【発明の効果】以上詳しく説明したように、請求項１に
よれば、ＯＰＢ出力に基づいて蓄積時間を設定するよう
にしたので、ＯＰＢ出力によって受光素子のダイナミッ
クレンジが小さくなっても最適な蓄積時間を設定するこ
とができる。

【００４８】請求項２によれば、測光出力が目標値と一
致するように蓄積時間を設定するようにしたので、受光
素子のダイナミックレンジを最大限に生かした蓄積時間
を設定可能になる。

【００４９】請求項３によれば、所定値からＯＰＢ出力
を差し引いた値を目標値とするようにしたので、ダイナ
ミックレンジが変化しても、最適な目標値を設定可能に
なる。

【００５０】請求項４によれば、測光出力の最大値が目
標値に一致するようにしたので、複数の測光出力の全部
がダイナミックレンジ内に入る確率が高くなる、等々の
効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による測光装置の実施例の構成を示すブ
ロック図である。

【図２】本実施例による測光装置の光学系を示した図で
ある。

【図３】本実施例による測光装置の測光素子の分割状態
を示す図である。

【図４】本実施例による測光装置の受光素子の内部構成
を示す図である。

【図５】本実施例による測光装置の受光素子の動作を示
すブロック図である。

【図６】本実施例による測光装置の受光素子の動作を示
す線図である。

【図７】本実施例による測光装置の受光素子の動作を示
す線図である。

【図８】本実施例による測光装置のアルゴリズムを示す
フローチャート図である。

【図９】本実施例による測光装置の受光素子の出力波形
の説明図である。

【符号の説明】

１撮影レンズ２クイックリターンミラー３拡散スクリーン４コンデンサレンズ５ペンタプリズム６接眼レンズ７測光用プリズム８測光用レンズ９受光素子１０マイクロプロセッサ１１基準電圧発生回路１２レンズ内ＲＯＭ１３絞り１４シャッター

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被写界からの光を光電変換して、光強度
に応じた電気信号を出力する蓄積型の受光素子と，前記
受光素子からの測光出力を入力する測光値入力部と，前
記測光値入力部の出力に基づいて、前記受光素子の蓄積
時間を設定する蓄積時間設定部とを備えた測光装置にお
いて、前記受光素子は、少なくとも１個の光学的に遮光された
受光画素を備え、前記蓄積時間設定部は、前記受光画素の出力に基づい
て、蓄積時間の設定値を算出することを特徴とする測光
装置。
【請求項２】請求項１に記載の測光装置において、前記受光素子の出力目標値を設定する目標値設定部をさ
らに備え、前記蓄積時間設定部は、前記受光素子からの出力値が前
記出力目標値と一致するように蓄積時間を設定すること
を特徴とする測光装置。
【請求項３】請求項２に記載の測光装置において、前記目標値設定部は、前記光学的に遮光された受光画素
からの出力値を、所定値から差し引いた値を出力目標値
することを特徴とする測光装置。
【請求項４】請求項２に記載の測光装置において、前記受光素子は、複数の測光領域に分割されており、前記目標値設定部は、前記受光素子の出力の最大値を出
力目標値とすることを特徴とする測光装置。