JPH07318568A - 走査型プローブ顕微鏡 - Google Patents
走査型プローブ顕微鏡Info
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- JPH07318568A JPH07318568A JP6108756A JP10875694A JPH07318568A JP H07318568 A JPH07318568 A JP H07318568A JP 6108756 A JP6108756 A JP 6108756A JP 10875694 A JP10875694 A JP 10875694A JP H07318568 A JPH07318568 A JP H07318568A
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- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/849—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure with scanning probe
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 試料面と探針が完全な非接触の状態で、サブ
ナノメータの分解能で試料表面の表面電位、静電容量分
布を得ることを目的とする。 【構成】 レバー付き探針１０１を試料１００の極近傍
に配し、導体のレバー１０１を振動する。一方、導体の
レバー１０１及び試料台電極１０８の間に交流及び直流
電圧を印加する。レバー１０１の振動振幅を変位検出器
１０２にて検出した後、変位位相検出器１０３により各
角周波数ごとの信号を検出し、直流電圧発生器１０７の
コントロール及び３次元スキャナコントローラー１１０
のＺ入力信号とする。３次元スキャナコントローラー１
１０から、ＸＹスキャンコントローラー１１１のＸ、Ｙ
信号に対応した出力と、前記Ｚ信号に対応した出力が３
次元スキャナ１０９に出力され、試料探針間距離を制御
しながら、所定の領域を走査し、３次元画像データを得
る。
ナノメータの分解能で試料表面の表面電位、静電容量分
布を得ることを目的とする。 【構成】 レバー付き探針１０１を試料１００の極近傍
に配し、導体のレバー１０１を振動する。一方、導体の
レバー１０１及び試料台電極１０８の間に交流及び直流
電圧を印加する。レバー１０１の振動振幅を変位検出器
１０２にて検出した後、変位位相検出器１０３により各
角周波数ごとの信号を検出し、直流電圧発生器１０７の
コントロール及び３次元スキャナコントローラー１１０
のＺ入力信号とする。３次元スキャナコントローラー１
１０から、ＸＹスキャンコントローラー１１１のＸ、Ｙ
信号に対応した出力と、前記Ｚ信号に対応した出力が３
次元スキャナ１０９に出力され、試料探針間距離を制御
しながら、所定の領域を走査し、３次元画像データを得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には測定装置に
関し、試料の表面をサブナノメーターの分解能でその表
面から得られる形状情報、表面の電位情報、表面の静電
容量分布等表面の電気的物性情報が得られる走査型プロ
ーブ顕微鏡に関するものである。
関し、試料の表面をサブナノメーターの分解能でその表
面から得られる形状情報、表面の電位情報、表面の静電
容量分布等表面の電気的物性情報が得られる走査型プロ
ーブ顕微鏡に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面の電位を求める試みは、試料と探針
間の引力を利用してＺ軸を制御するＡＦＭとしてY.Mart
in等により始められた（J.Applied physics 61(10) 15
may,1987) 。又、レバー付き探針間に交流の静電気力を
印加する方法はにJ.M.R.Weaver等により考案され(J.Vo
c,Sci, Technol B9 (1991) 1559) 、異種の金属のコン
タクトポテンシャルの測定例がM.Nonnenmacher等により
紹介されている(Appl,Phys.lett. 58 (1991) 2921)。
間の引力を利用してＺ軸を制御するＡＦＭとしてY.Mart
in等により始められた（J.Applied physics 61(10) 15
may,1987) 。又、レバー付き探針間に交流の静電気力を
印加する方法はにJ.M.R.Weaver等により考案され(J.Vo
c,Sci, Technol B9 (1991) 1559) 、異種の金属のコン
タクトポテンシャルの測定例がM.Nonnenmacher等により
紹介されている(Appl,Phys.lett. 58 (1991) 2921)。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記したいずれ
の文献にも、正しい表面電位を得るための、Ｚ軸の制御
系及び得られる像の分解能の向上の方法及び試料の絶対
電位の計測法及び電気回路測定時の探針と試料の材質の
異なりによるコンタクトポテンシャルの除去方法につい
ても述べられていない。従来の制御方法では、試料面と
の接触等で正確な測定が難しく、又接触を防ぐために、
試料と探針間の距離を広くとるために、表面の凹凸像の
分解能が低かった。又、大気中での測定のため、試料の
絶対電位も得られにくかった。
の文献にも、正しい表面電位を得るための、Ｚ軸の制御
系及び得られる像の分解能の向上の方法及び試料の絶対
電位の計測法及び電気回路測定時の探針と試料の材質の
異なりによるコンタクトポテンシャルの除去方法につい
ても述べられていない。従来の制御方法では、試料面と
の接触等で正確な測定が難しく、又接触を防ぐために、
試料と探針間の距離を広くとるために、表面の凹凸像の
分解能が低かった。又、大気中での測定のため、試料の
絶対電位も得られにくかった。
【０００４】一方、電気回路の電位の測定時は探針と試
料の材質の異なりによるコンタクトポテンシャルの影響
を受けた。
料の材質の異なりによるコンタクトポテンシャルの影響
を受けた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するためのもので、試料面を完全な非接触の状態で、
サブナノメーターの分解能で試料表面の表面電位、静電
容量分布を得るもので、ある。
決するためのもので、試料面を完全な非接触の状態で、
サブナノメーターの分解能で試料表面の表面電位、静電
容量分布を得るもので、ある。
【０００６】図１に本発明の機能構成図を示す。本発明
の走査型プローブ顕微鏡は、レバー付き探針１０１を試
料１００の極近傍に配し、レバー振動用発振器１０４及
び振動源１０５により導体のレバー１０１を振動する。
一方、導体のレバー１０１及び試料台電極１０８の間に
交流電圧発振器１０６及び直流電圧発振器（電圧フィー
ドバック回路）１０７が挿入され、交流及び直流電圧が
印加されている。一方、レバーの振動振幅は変位検出器
１０２にて検出され、変位位相検出器１０３により各角
周波数ごとの信号が検出され、前記直流電圧発生器１０
７のコントロール及び三次元スキャナコントローラー１
１０のＺ入力信号となる。又、三次元スキャナコントロ
ーラー１１０から、ＸＹスキャンコントローラー１１１
のＸ、Ｙ信号に対応した出力と、前記Ｚ信号に対応した
出力が三次元スキャナー１０９に出力され、試料探針間
距離を制御しながら、所定の領域を走査し、三次元画像
データが得られる。
の走査型プローブ顕微鏡は、レバー付き探針１０１を試
料１００の極近傍に配し、レバー振動用発振器１０４及
び振動源１０５により導体のレバー１０１を振動する。
一方、導体のレバー１０１及び試料台電極１０８の間に
交流電圧発振器１０６及び直流電圧発振器（電圧フィー
ドバック回路）１０７が挿入され、交流及び直流電圧が
印加されている。一方、レバーの振動振幅は変位検出器
１０２にて検出され、変位位相検出器１０３により各角
周波数ごとの信号が検出され、前記直流電圧発生器１０
７のコントロール及び三次元スキャナコントローラー１
１０のＺ入力信号となる。又、三次元スキャナコントロ
ーラー１１０から、ＸＹスキャンコントローラー１１１
のＸ、Ｙ信号に対応した出力と、前記Ｚ信号に対応した
出力が三次元スキャナー１０９に出力され、試料探針間
距離を制御しながら、所定の領域を走査し、三次元画像
データが得られる。
【０００７】
【作用】以下に本装置の動作を説明する。レバー付き探
針１０１と試料台１０８の間に働く静電結合力は、この
間の静電容量をＣ、距離をＺ、電圧をＶとすると、
針１０１と試料台１０８の間に働く静電結合力は、この
間の静電容量をＣ、距離をＺ、電圧をＶとすると、
【０００８】
【数１】 で表される。電圧Ｖは、交流電圧発生器１０６よりの電
圧としてＶAC sinωt と直流電圧発生器１０７よりの電
圧をＶoff とし、求める表面電位をＶS とすると、
圧としてＶAC sinωt と直流電圧発生器１０７よりの電
圧をＶoff とし、求める表面電位をＶS とすると、
【０００９】
【数２】 となる。数２を数１に代入すると、
【００１０】
【数３】 となる。この静電気力により、レバー付き探針が試料に
接近すると、レバーはωおよび２ωで振動する。一方、
レバー付き探針は、レバー振動用発振器１０４及び振動
源１０５により、レバーの共振周波数ωr により強制振
動されている。従って、前記レバーが試料近傍に接近す
ると、ωr 付近の振動振幅は、試料探針間のファンデル
ワァールス力
接近すると、レバーはωおよび２ωで振動する。一方、
レバー付き探針は、レバー振動用発振器１０４及び振動
源１０５により、レバーの共振周波数ωr により強制振
動されている。従って、前記レバーが試料近傍に接近す
ると、ωr 付近の振動振幅は、試料探針間のファンデル
ワァールス力
【００１１】
【数４】 と前記静電気力の力を受け、一定の振動振幅ＡO よりΔ
Ａだけ減衰する。
Ａだけ減衰する。
【００１２】
【数５】 レバーの振動振幅を変位検出器１０２にて検出し、変位
位相検出器１０３により各角周波数ωr 、ω、２ωごと
に各角周波数の平均値を検出する。以下にそれぞれの信
号成分を説明する。ωr 成分は
位相検出器１０３により各角周波数ωr 、ω、２ωごと
に各角周波数の平均値を検出する。以下にそれぞれの信
号成分を説明する。ωr 成分は
【００１３】
【数６】 となり、ΔＡの平均値が一定となるように三次元スキャ
ナコントローラー１１０及び三次元スキャナー１０９を
用いて、探針と試料のＺ方向距離を制御しながらＸＹス
キャンコントローラー１１１により画像走査を行うと、
ファンデルワァールス力及び静電気力一定のトポ像が得
られる。
ナコントローラー１１０及び三次元スキャナー１０９を
用いて、探針と試料のＺ方向距離を制御しながらＸＹス
キャンコントローラー１１１により画像走査を行うと、
ファンデルワァールス力及び静電気力一定のトポ像が得
られる。
【００１４】ω成分の平均振動振幅（Ａωの平均値）は
以下の式で求められる。
以下の式で求められる。
【００１５】
【数７】 常にＡωの平均値が０となるように、直流電圧発生器１
０７により、探針試料間の電位を調整する（すなわち、
ＶS ＝−Ｖoff ）。こうすると（∂Ｃ／∂Ｚ）の大きさ
によらず表面電位ＶS が求まる。
０７により、探針試料間の電位を調整する（すなわち、
ＶS ＝−Ｖoff ）。こうすると（∂Ｃ／∂Ｚ）の大きさ
によらず表面電位ＶS が求まる。
【００１６】２ω成分の平均振動振幅（Ａ２ωの平均
値）は以下の式で求められる。
値）は以下の式で求められる。
【００１７】
【数８】 となり、ＶAC既知より（∂Ｃ／∂Ｚ）の値すなわち静電
容量分布が求まる。
容量分布が求まる。
【００１８】
【実施例】以下に、本発明の一実施例を図２に基づいて
説明する。ここでは、レバー付き探針１０１の変位検出
を光テコ方式ＡＦＭを利用した例を示す。最初に構成を
説明する。図２において１００は試料（金属又は１００
μｍ程度までの膜厚の絶縁薄膜）、１０１は導体又は金
属をコート（通常は金をコート）したレバー付き探針、
１０２は光テコ方式の変位検出器、１０３は変位位相検
出器、１０４は前記レバーを振動させる発振器で出力は
Ｖr sinωrt で、振幅Ｖr は１〜５Ｖ、角周波数ωr は
レバーの共振角周波数ωr （約数１０ｋHz) に合わせ
る。１０５は、ピエゾ板等の振動源で、レバーの共振角
周波数ωr より十分高い共振周波数を有する。１０６は
交流電圧発生器で出力はＶAC sinωt で、振幅ＶACは０
〜１０Ｖ可変、角周波数ωは２ω≪ωr の条件で可変で
きる。１０７は、直流電圧発生器（電圧フィードバック
回路）で探針と試料間の電位を常に設定電圧（通常は０
Ｖ）に保つ。１０８は試料台電極（通常は金をコートし
たもの）で、レバー付き探針とともにコンデンサーを形
成する。１０９は、三次元ピエゾスキャナーで、１１０
のＺサーボ系とともに、探針と試料間の距離を制御す
る。１１１は、ＸＹスキャンコントローラーで前述の三
次元スキャナーをＸＹ方向に走査する。１１２は加算器
で、前回電圧フィードバック回路１０７の出力と、外部
較正用電源１１３の出力を加算出力する。
説明する。ここでは、レバー付き探針１０１の変位検出
を光テコ方式ＡＦＭを利用した例を示す。最初に構成を
説明する。図２において１００は試料（金属又は１００
μｍ程度までの膜厚の絶縁薄膜）、１０１は導体又は金
属をコート（通常は金をコート）したレバー付き探針、
１０２は光テコ方式の変位検出器、１０３は変位位相検
出器、１０４は前記レバーを振動させる発振器で出力は
Ｖr sinωrt で、振幅Ｖr は１〜５Ｖ、角周波数ωr は
レバーの共振角周波数ωr （約数１０ｋHz) に合わせ
る。１０５は、ピエゾ板等の振動源で、レバーの共振角
周波数ωr より十分高い共振周波数を有する。１０６は
交流電圧発生器で出力はＶAC sinωt で、振幅ＶACは０
〜１０Ｖ可変、角周波数ωは２ω≪ωr の条件で可変で
きる。１０７は、直流電圧発生器（電圧フィードバック
回路）で探針と試料間の電位を常に設定電圧（通常は０
Ｖ）に保つ。１０８は試料台電極（通常は金をコートし
たもの）で、レバー付き探針とともにコンデンサーを形
成する。１０９は、三次元ピエゾスキャナーで、１１０
のＺサーボ系とともに、探針と試料間の距離を制御す
る。１１１は、ＸＹスキャンコントローラーで前述の三
次元スキャナーをＸＹ方向に走査する。１１２は加算器
で、前回電圧フィードバック回路１０７の出力と、外部
較正用電源１１３の出力を加算出力する。
【００１９】次に、表面電位を正確に測定するためのＺ
方向の位置制御を説明する。表面電位及び静電容量分布
を正確に測定するためには、試料と探針間が一定の距離
を保ち正確に試料表面をトレースする必要がある。この
条件を満たすために、以下に示す探針のＺ軸制御を行っ
ている。
方向の位置制御を説明する。表面電位及び静電容量分布
を正確に測定するためには、試料と探針間が一定の距離
を保ち正確に試料表面をトレースする必要がある。この
条件を満たすために、以下に示す探針のＺ軸制御を行っ
ている。
【００２０】図３にＺ軸制御系機能図を示す。図３に示
すようにレバー振動用発振器１０４の出力信号を
すようにレバー振動用発振器１０４の出力信号を
【００２１】
【数９】 とする。変位検出器１０２の検出信号は、位相遅れをφ
とすると
とすると
【００２２】
【数１０】 となる。この２つの信号を、変位位相検出器（ωr チャ
ネル）１０３のかけ算器１０３−１で演算を行うと
ネル）１０３のかけ算器１０３−１で演算を行うと
【００２３】
【数１１】 となり、ローパスフィルター１０３−２（ωc ≪ωr の
カットオフ周波数）を通すと、出力Ｖ4 は
カットオフ周波数）を通すと、出力Ｖ4 は
【００２４】
【数１２】 となる。この出力Ｖ4 をＺサーボ系１１０に入力し、出
力Ｖ4 が一定となるように、三次元スキャナー１０９に
より探針試料間の距離を制御する。探針が試料面に周期
的に衝突する場合を考えると、その点で位相φが大きく
遅れ出力Ｖ4 が周期的に変化し、結果として三次元スキ
ャナー１０９がＺ方向に振動し、画像信号上周期的ノイ
ズで表示される。このようなことは、探針試料間の距離
よりも探針の振動振幅が大きくなった時、又は、Ｚサー
ボ系の制御の定数が大きすぎてサーボ系が発振している
時に生じる。従って前記のような周期的なノイズがトポ
像に生じないように探針試料間距離及びサーボの定数を
設定することによって、探針が試料表面一定の距離でト
レースし、正確な表面電位が得られる。
力Ｖ4 が一定となるように、三次元スキャナー１０９に
より探針試料間の距離を制御する。探針が試料面に周期
的に衝突する場合を考えると、その点で位相φが大きく
遅れ出力Ｖ4 が周期的に変化し、結果として三次元スキ
ャナー１０９がＺ方向に振動し、画像信号上周期的ノイ
ズで表示される。このようなことは、探針試料間の距離
よりも探針の振動振幅が大きくなった時、又は、Ｚサー
ボ系の制御の定数が大きすぎてサーボ系が発振している
時に生じる。従って前記のような周期的なノイズがトポ
像に生じないように探針試料間距離及びサーボの定数を
設定することによって、探針が試料表面一定の距離でト
レースし、正確な表面電位が得られる。
【００２５】次に図２を参照して測定のモードを説明す
る。通常は、変位位相検出器１０３よりのＡωr の平均
値をＺサーボ系１１０に入力し、Ｚサーボ系の出力が試
料表面のトポ像を、Ａω1 の平均値が表面電位の信号を
与え、この信号が直流電圧発生器１０７に入力し、数７
で示した項が常にＡω＝０となるような電圧（−ＶS ＝
Ｖoff ）が表面電位を与える。通常、表面電位が±１０
Ｖの範囲ではこの電圧フィードバックモードを使用す
る。又、Ａ２ωの平均値は、静電容量の微分値の空間分
布を与える。次に、表面電位がフィードバック電源１０
７の補償範囲、例えば±１０Ｖを越えた場合は、電圧フ
ィードバック回路１０７を使用せず直接Ａω1 の平均値
を計測し、同じ探針及び同一制御条件で較正用直流電源
１１３より既知の直流電圧を印加し、測定したＡω1 の
平均値より表面電位ＶS を較正する。
る。通常は、変位位相検出器１０３よりのＡωr の平均
値をＺサーボ系１１０に入力し、Ｚサーボ系の出力が試
料表面のトポ像を、Ａω1 の平均値が表面電位の信号を
与え、この信号が直流電圧発生器１０７に入力し、数７
で示した項が常にＡω＝０となるような電圧（−ＶS ＝
Ｖoff ）が表面電位を与える。通常、表面電位が±１０
Ｖの範囲ではこの電圧フィードバックモードを使用す
る。又、Ａ２ωの平均値は、静電容量の微分値の空間分
布を与える。次に、表面電位がフィードバック電源１０
７の補償範囲、例えば±１０Ｖを越えた場合は、電圧フ
ィードバック回路１０７を使用せず直接Ａω1 の平均値
を計測し、同じ探針及び同一制御条件で較正用直流電源
１１３より既知の直流電圧を印加し、測定したＡω1 の
平均値より表面電位ＶS を較正する。
【００２６】このモードを電圧較正モードとし、数１０
０Ｖ程度までの表面電位の測定が可能になる。このモー
ドの測定は、探針と試料間に高電圧が発生するため、探
針と試料間を１００ｎｍ以上離す必要がある。次に、画
像走査モードを説明する。
０Ｖ程度までの表面電位の測定が可能になる。このモー
ドの測定は、探針と試料間に高電圧が発生するため、探
針と試料間を１００ｎｍ以上離す必要がある。次に、画
像走査モードを説明する。
【００２７】この顕微鏡は、数６、数７、数８に示すよ
うにトポ像（表面凹凸像）、表面電位差像、静電容量分
布像が同時に測定可能である。従って、同時に測定する
場合は、計測チャンネルは、３つ必要となる。一方、数
７に示すように、印加交流電圧（ＶAC）を大きくする
と、表面電位差像の検出感度は向上するが、数６及び図
４に示すように、トポ像の分解能は低下してしまう。
うにトポ像（表面凹凸像）、表面電位差像、静電容量分
布像が同時に測定可能である。従って、同時に測定する
場合は、計測チャンネルは、３つ必要となる。一方、数
７に示すように、印加交流電圧（ＶAC）を大きくする
と、表面電位差像の検出感度は向上するが、数６及び図
４に示すように、トポ像の分解能は低下してしまう。
【００２８】上記問題を解決するために、画像走査を以
下の手順で行う。 (1) 最初のＸ方向の走査を、交流電圧（ＶAC）を表面電
位の分解能の高く取れる状態、例えばＶAC＝２０Ｖで走
査し、電位差データ及び静電容量データを取り込む。 (2) 次に同じライン上を−Ｘ方向に走査し、出発点に戻
る。 (3) 次に交流電圧を０Ｖ（ＶAC＝０Ｖ）にし、トポ像の
分解能の良い状態で同一ライン上をＸ方向に走査し、ト
ポ像データを取り込む。 (4) 次に同一ライン上を−Ｘ方向に走査し、出発点に戻
る。次にＹ方向に１走査ライン分だけ移動し、(1) 〜
(4) の手順を繰り返し１画像を取り込む。従って、１画
像の走査より、電位差像及び静電容量像とトポ像の３つ
の画像が得られ、トポ像を取り込む時は、図５に示すよ
うに探針試料間距離ｄ0 で、電位差像及び静電容量像を
取り込む時は、ｄ20のように探針試料間距離を変えてデ
ータを取り込む。この場合、サーボの設定条件ＡOPは同
一でＶACのＯＮ−ＯＦＦで前記探針試料間距離が変わ
る。このように走査することにより分解能の良いトポ像
が得られる。
下の手順で行う。 (1) 最初のＸ方向の走査を、交流電圧（ＶAC）を表面電
位の分解能の高く取れる状態、例えばＶAC＝２０Ｖで走
査し、電位差データ及び静電容量データを取り込む。 (2) 次に同じライン上を−Ｘ方向に走査し、出発点に戻
る。 (3) 次に交流電圧を０Ｖ（ＶAC＝０Ｖ）にし、トポ像の
分解能の良い状態で同一ライン上をＸ方向に走査し、ト
ポ像データを取り込む。 (4) 次に同一ライン上を−Ｘ方向に走査し、出発点に戻
る。次にＹ方向に１走査ライン分だけ移動し、(1) 〜
(4) の手順を繰り返し１画像を取り込む。従って、１画
像の走査より、電位差像及び静電容量像とトポ像の３つ
の画像が得られ、トポ像を取り込む時は、図５に示すよ
うに探針試料間距離ｄ0 で、電位差像及び静電容量像を
取り込む時は、ｄ20のように探針試料間距離を変えてデ
ータを取り込む。この場合、サーボの設定条件ＡOPは同
一でＶACのＯＮ−ＯＦＦで前記探針試料間距離が変わ
る。このように走査することにより分解能の良いトポ像
が得られる。
【００２９】次に絶対電位の測定方法を説明する。この
顕微鏡は理想的には、図１に示すＥ O （アース電位）を
基準として、試料表面電位ＶS が求まるが、以下に示す
理由により表面の絶対電位が得られにくい。装置的ノイ
ズ原因としては、変位検出器１０２にω成分の外来ノイ
ズの混入、変位位相検出器１０３及び直流電圧発生器１
０７の出力のドリフト及びオフセット等がある。又、他
の要因としては試料１００とレバー付き探針１０１の汚
染接触による表面電位の変化がある。
顕微鏡は理想的には、図１に示すＥ O （アース電位）を
基準として、試料表面電位ＶS が求まるが、以下に示す
理由により表面の絶対電位が得られにくい。装置的ノイ
ズ原因としては、変位検出器１０２にω成分の外来ノイ
ズの混入、変位位相検出器１０３及び直流電圧発生器１
０７の出力のドリフト及びオフセット等がある。又、他
の要因としては試料１００とレバー付き探針１０１の汚
染接触による表面電位の変化がある。
【００３０】ここでは、装置的ノイズは一定で時間変化
は少ないと仮定し、探針及び試料面の変化を軽減する方
法を以下に述べる。 (1) 標準試料１００−Ｓ（Ｓｉウェハーの小片）と測定
用レバー付き探針を同時に、同一の金属（通常は金）で
スパッタコートする。 (2) 測定用試料１００−１〜１００−３及び前記標準試
料を図６に示す試料台電極１０８に取り付ける。 (3) 計測ユニット（図２の１２０）又は探針１０１及び
試料１００の周囲を乾燥した窒素ガス等で置換する。こ
れは大気中の水分及びゴミ等により試料及び探針の汚染
を防止するためである。 (4) 標準試料１００−Ｓを測定し、電位ＥS1を求める。
次に測定用試料１００−１を測定し電位Ｅ11を求め、Ｅ
100-1 ＝Ｅ11−ＥS1を試料１００−１の電位とする。 (5) 試料１００−２以下も同様の測定を行い、
Ｅ100-2 、Ｅ100-3 を求める。
は少ないと仮定し、探針及び試料面の変化を軽減する方
法を以下に述べる。 (1) 標準試料１００−Ｓ（Ｓｉウェハーの小片）と測定
用レバー付き探針を同時に、同一の金属（通常は金）で
スパッタコートする。 (2) 測定用試料１００−１〜１００−３及び前記標準試
料を図６に示す試料台電極１０８に取り付ける。 (3) 計測ユニット（図２の１２０）又は探針１０１及び
試料１００の周囲を乾燥した窒素ガス等で置換する。こ
れは大気中の水分及びゴミ等により試料及び探針の汚染
を防止するためである。 (4) 標準試料１００−Ｓを測定し、電位ＥS1を求める。
次に測定用試料１００−１を測定し電位Ｅ11を求め、Ｅ
100-1 ＝Ｅ11−ＥS1を試料１００−１の電位とする。 (5) 試料１００−２以下も同様の測定を行い、
Ｅ100-2 、Ｅ100-3 を求める。
【００３１】上記のような測定方法を行った場合、標準
試料と探針間の電位を基準にして試料間の電位を測定す
るために、測定中に装置ノイズの変化が少ない場合は、
各試料の正しい絶対電位が得られる。次に、電気回路等
の測定例を図７に示す。試料１００（電気回路) を三次
元スキャナー１０７上に載せる。外部電源１１４により
印加された電圧Ｅ114 がプローバー１１５の両端に印加
され、一方のプローバーが直流電圧発生器１０７のアー
ス電位Ｅ0 と等しくなっている。試料１００上の任意の
点の電位を測定する場合以下の手順で行う。
試料と探針間の電位を基準にして試料間の電位を測定す
るために、測定中に装置ノイズの変化が少ない場合は、
各試料の正しい絶対電位が得られる。次に、電気回路等
の測定例を図７に示す。試料１００（電気回路) を三次
元スキャナー１０７上に載せる。外部電源１１４により
印加された電圧Ｅ114 がプローバー１１５の両端に印加
され、一方のプローバーが直流電圧発生器１０７のアー
ス電位Ｅ0 と等しくなっている。試料１００上の任意の
点の電位を測定する場合以下の手順で行う。
【００３２】測定する各画素又は走査１ラインごとに外
部電源１１４をＯＮ−ＯＦＦし、その時の表面電位をそ
れぞれＶSON 、ＶSOFFとする。ＶSOFF時の表面電位は、
探針と試料間の材質の差によるコンタクトポテンシャル
である。従って、ＶS ＝ＶSO N −ＶSOFFを演算回路１１
６で求める。前記ＶS が外部電源１１４により回路に発
生した各画素又は、各走査１ラインごとの電位である。
部電源１１４をＯＮ−ＯＦＦし、その時の表面電位をそ
れぞれＶSON 、ＶSOFFとする。ＶSOFF時の表面電位は、
探針と試料間の材質の差によるコンタクトポテンシャル
である。従って、ＶS ＝ＶSO N −ＶSOFFを演算回路１１
６で求める。前記ＶS が外部電源１１４により回路に発
生した各画素又は、各走査１ラインごとの電位である。
【００３３】
【発明の効果】本発明により、試料面の正確な表面電位
及び静電容量分布が求まり、又走査中に探針試料間の距
離を変えて走査を行うと分解能の良いトポ像が求まる。
又、試料探針周辺の雰囲気を制御し、探針と同一の材質
の金属でスパッタコートした標準試料を用いることによ
り、今まで測定の難しかった試料表面電位の絶対値が求
まる。又、電気回路測定用のプローバーを設け、外部電
源をＯＮ−ＯＦＦすることにより、探針と回路材質の差
によるコンタクトポテンシャルを除去し、外部電源によ
る回路の正しい電位応答の計測が可能となった。
及び静電容量分布が求まり、又走査中に探針試料間の距
離を変えて走査を行うと分解能の良いトポ像が求まる。
又、試料探針周辺の雰囲気を制御し、探針と同一の材質
の金属でスパッタコートした標準試料を用いることによ
り、今まで測定の難しかった試料表面電位の絶対値が求
まる。又、電気回路測定用のプローバーを設け、外部電
源をＯＮ−ＯＦＦすることにより、探針と回路材質の差
によるコンタクトポテンシャルを除去し、外部電源によ
る回路の正しい電位応答の計測が可能となった。
【図１】電位差、静電容量分布測定用走査型プローブ顕
微鏡の機能図である。
微鏡の機能図である。
【図２】電位差、静電容量分布測定用走査型プローブ顕
微鏡の構成図である。
微鏡の構成図である。
【図３】電位差、静電容量分布測定用走査型プローブ顕
微鏡のＺ軸制御系機能図である。
微鏡のＺ軸制御系機能図である。
【図４】交流印加電圧をパラメーターとしたレバー振幅
と探針試料間距離を示す図である。
と探針試料間距離を示す図である。
【図５】交流印加電圧をパラメーターとしたレバー振幅
と探針試料間距離（同一動作点Ａopで走査した時）を示
す図である。
と探針試料間距離（同一動作点Ａopで走査した時）を示
す図である。
【図６】試料台を示す図である。
【図７】電気回路試料測定図である。
１００ 試料 １０１ レバー付導電性探針 １０２ 変位検出器 １０３ 変位位相検出器 １０４ レバー振動用発振器 １０５ 振動源 １０６ 交流電圧発生器 １０７ 直流電圧発生器 １０８ 試料台電極 １０９ 三次元スキャナー １１０ 三次元スキャナコントローラー １１１ ＸＹスキャンコントローラー
Claims (5)
- 【請求項１】 導電性のレバー付き探針を試料の極近傍
で強制振動させ、レバーの共振周波数付近での共振振幅
及び位相の変化より得た信号により、Ｚ方向に伸縮する
位置決め機構により探針試料距離を制御し、かつ、導電
性探針と試料間に交流電圧を印加し、静電結合により印
加角周波数ωおよびその２倍の角周波数２ωで前記レバ
ーに振動を重畳させ、その交流信号ω成分を常に０Ｖに
するように試料探針間に直流電圧を印加し、試料表面の
表面電位を直読し、又、２ωの成分より試料探針間の静
電容量を得る走査型プローブ顕微鏡において、 探針と試料が衝突することによって試料の表面電位が変
化することを防止する目的で、探針が試料面に接触する
と画像上に接触した箇所を表示し、その箇所の測定値が
不正確であることを表示し、正しいＺ方向制御のパラメ
ーターの設定を可能にしたことを特徴とする走査型プロ
ーブ顕微鏡。 - 【請求項２】 前記プローブ顕微鏡において得られる表
面形状像（トポ像）、表面電位差像、静電容量分布像を
最適の分解能で得るために、トポ像を得る時と表面電位
ならびに静電容量分布を得る時の試料探針間の距離を変
えて走査することを特徴とする請求項１記載の走査型プ
ローブ顕微鏡。 - 【請求項３】 絶対電位を計測する目的で、試料及び探
針の周囲の雰囲気を制御し、又、試料の測定の前後に探
針と同一材質で同時にコートした標準試料を用いて探針
と標準試料間の表面電位を測定し、この電位と試料の電
位を比較することによって探針の汚染等で試料の表面電
位の測定誤差が増加しても、正しい試料の絶対電位が求
まることを特徴とする請求項１または２記載の走査型プ
ローブ顕微鏡。 - 【請求項４】 試料表面に電位分布を与えるために複数
個の微少金属接触端子を有し、そのうちの１ヶの端子が
探針又は試料台（測定する表面電位と同等又は極近傍の
電極）と直流的に接続されていることを特徴とする請求
項１から３までいずれか記載の走査型プローブ顕微鏡。 - 【請求項５】 試料表面に電位分布を与える電源を各画
像取り込みの画素、又は、走査１ラインごとにＯＮ−Ｏ
ＦＦし、ＯＮ時の表面電位信号よりＯＦＦ時の表面電位
信号を除去する機能を有することを特徴とする請求項１
から４までいずれか記載の走査型プローブ顕微鏡。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10875694A JP3402512B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 走査型プローブ顕微鏡 |
| US08/728,942 US5742172A (en) | 1994-05-23 | 1996-10-11 | Scanning probe microscope and method for obtaining topographic image, surface potential image, and electrostatic capacitance distribution image |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10875694A JP3402512B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 走査型プローブ顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07318568A true JPH07318568A (ja) | 1995-12-08 |
| JP3402512B2 JP3402512B2 (ja) | 2003-05-06 |
Family
ID=14492714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10875694A Expired - Fee Related JP3402512B2 (ja) | 1994-05-23 | 1994-05-23 | 走査型プローブ顕微鏡 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5742172A (ja) |
| JP (1) | JP3402512B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531781A (ja) * | 2002-07-04 | 2005-10-20 | ユニバーシティ・オブ・ブリストル | 走査型プローブ顕微鏡 |
| JP2008058107A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Instruments Inc | 電位差検出方法及び走査型プローブ顕微鏡 |
| JP2009500605A (ja) * | 2005-06-29 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置 |
| JP2010038566A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Horiba Ltd | 試料評価装置及び試料評価方法 |
| JP2011053018A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Tdk Corp | 液中電位計測方法及び液中電位計測装置 |
| WO2011040065A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 国立大学法人京都大学 | 走査形プローブ顕微鏡 |
| JP2012013575A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Ltd | 走査プローブ顕微鏡 |
| CN102654516A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 精工电子纳米科技有限公司 | 位移检测机构及使用该位移检测机构的扫描型探头显微镜 |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE36488E (en) * | 1992-08-07 | 2000-01-11 | Veeco Instruments Inc. | Tapping atomic force microscope with phase or frequency detection |
| US5929643A (en) * | 1995-12-07 | 1999-07-27 | Olympus Optical Co., Ltd. | Scanning probe microscope for measuring the electrical properties of the surface of an electrically conductive sample |
| JP3278046B2 (ja) * | 1997-07-29 | 2002-04-30 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | ３次元走査プローブ顕微鏡 |
| US6185991B1 (en) | 1998-02-17 | 2001-02-13 | Psia Corporation | Method and apparatus for measuring mechanical and electrical characteristics of a surface using electrostatic force modulation microscopy which operates in contact mode |
| US6337478B1 (en) * | 1998-11-06 | 2002-01-08 | Trek, Inc. | Electrostatic force detector with cantilever and shield for an electrostatic force microscope |
| US7498564B2 (en) * | 2001-02-06 | 2009-03-03 | University Of Bristol Of Senate House | Resonant scanning near-field optical microscope |
| US7156965B1 (en) | 2001-11-09 | 2007-01-02 | Veeco Instruments Inc. | Scanning electrochemical potential microscope |
| US6856145B2 (en) * | 2002-06-04 | 2005-02-15 | The Ohio State University | Direct, low frequency capacitance measurement for scanning capacitance microscopy |
| US7116115B2 (en) * | 2003-06-06 | 2006-10-03 | The Regents Of The University Of Michigan | Micromachined probe apparatus and methods for making and using same to characterize liquid in a fluidic channel and map embedded charge in a sample on a substrate |
| US7146034B2 (en) * | 2003-12-09 | 2006-12-05 | Superpower, Inc. | Tape manufacturing system |
| WO2006083875A2 (en) * | 2005-02-01 | 2006-08-10 | Friel Timothy P | Ocular prosthesis and fabrication method of same |
| FR2885446B1 (fr) * | 2005-05-09 | 2007-07-20 | St Microelectronics Sa | Sonde coaxiale, son procede de fabrication et dispositif de mesure en champ proche electromagnetique sur des systemes a distance submicrometrique |
| JP4873689B2 (ja) * | 2006-03-10 | 2012-02-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 表面電位計および表面電位測定方法 |
| DE102006013588A1 (de) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Fachhochschule Deggendorf | Zweidimensinale Profilierung von Dotierungsprofilen einer Materialprobe mittels Rastersondenmikroskopie |
| US7659742B1 (en) * | 2007-04-09 | 2010-02-09 | National Semiconductor Corporation | Vacuum chamber AC/DC probe |
| US8471580B2 (en) * | 2009-03-31 | 2013-06-25 | Agilent Technologies, Inc. | Dopant profile measurement module, method and apparatus |
| JP5737640B2 (ja) * | 2011-09-12 | 2015-06-17 | 国立大学法人金沢大学 | 電位計測装置、及び原子間力顕微鏡 |
| CN102520212B (zh) * | 2011-12-14 | 2013-10-30 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 多层材料的减薄装置及减薄待测样品的方法 |
| CN103395058B (zh) * | 2013-07-12 | 2016-04-20 | 兰州大学 | 一种纳米机器人控制设备 |
| CN105785103A (zh) * | 2016-03-03 | 2016-07-20 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种电容分压式卫星表面电位监测装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE32457E (en) * | 1981-09-30 | 1987-07-07 | Rca Corporation | Scanning capacitance microscope |
| DE3771711D1 (de) * | 1987-05-12 | 1991-08-29 | Ibm | Atomares kraeftemikroskop mit oscillierendem quarz. |
| US5304924A (en) * | 1989-03-29 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Edge detector |
| US5065103A (en) * | 1990-03-27 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Scanning capacitance - voltage microscopy |
| JP3084467B2 (ja) | 1992-12-28 | 2000-09-04 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 物性情報測定装置 |
-
1994
- 1994-05-23 JP JP10875694A patent/JP3402512B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-10-11 US US08/728,942 patent/US5742172A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005531781A (ja) * | 2002-07-04 | 2005-10-20 | ユニバーシティ・オブ・ブリストル | 走査型プローブ顕微鏡 |
| JP2009500605A (ja) * | 2005-06-29 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | 導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置 |
| JP2008058107A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Seiko Instruments Inc | 電位差検出方法及び走査型プローブ顕微鏡 |
| JP2010038566A (ja) * | 2008-07-31 | 2010-02-18 | Horiba Ltd | 試料評価装置及び試料評価方法 |
| JP2011053018A (ja) * | 2009-08-31 | 2011-03-17 | Tdk Corp | 液中電位計測方法及び液中電位計測装置 |
| WO2011040065A1 (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-07 | 国立大学法人京都大学 | 走査形プローブ顕微鏡 |
| JP2012013575A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-01-19 | Hitachi Ltd | 走査プローブ顕微鏡 |
| CN102654516A (zh) * | 2011-03-03 | 2012-09-05 | 精工电子纳米科技有限公司 | 位移检测机构及使用该位移检测机构的扫描型探头显微镜 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5742172A (en) | 1998-04-21 |
| JP3402512B2 (ja) | 2003-05-06 |
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