JP2009500605A - 導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置 - Google Patents
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Abstract
導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置を提供する。
【解決手段】
ターゲット基板106上の第1の導電材料から形成される第1の導電膜の第1の厚さを決定する方法が開示されている。方法は、ターゲット基板106上の位置のセットの近くに第1の渦電流センサ102を配置することを含む。また、方法は、第1の渦電流センサ102を使用して、第1の電圧測定値と第1の電流測定値の少なくとも1つを含む電気的応答の第1のセットを測定することも含む。方法は、ターゲット基板106の第1の導電材料と実質的に類似する第2の導電材料から形成されている第2の導電膜を有する、ターゲット基板106とは別の較正基板から取得される温度依存補償因数を使用して第1の電気的応答のセットを補正し、それによって電気的応答の補正された第1のセットを取得することと、電気的応答の補正された第1のセットを使用して第1の厚さを決定することとをさらに含む。
【選択図】 図1
Description
R(−)=R(d,p,S,ρ(T)) [方程式1]
ここではdは測定される膜厚であり、pは近接であり、Sは一般的には、測定される膜による特定の渦電流プローブの場の検出された摂動の、便宜上の測定単位への変換についてのすべての情報に対する応答の関数依存性を示す速記の表記であるセンサシリアルナンバーであり、ρ(T)は温度依存抵抗率である。ある実施形態では、便宜上の測定単位はボルト(V)である。すべてのセンサが同じセンサシリアルナンバーを有すると仮定すると、方程式1はさらに以下に簡略化されてよい。
R(−)=R(d,p,ρ(T)) [方程式2]
したがって、基板上の導電膜の厚さdは以下のようにモデル化されてよい。
d=f(R(d,p,ρ(T))) [方程式3]
ここではρは(抵抗計で測定される)電気抵抗率であり、Rは(オームで測定される)材料の同型の試料の抵抗であり、lは(メートルで測定される)試料の長さであり、Aは(平方メートルで測定される)試料の断面積である。
ここではεpがセンサIのための測定の実際的な時間でのpIからの近接変動である場合には、センサIIからの測定が同時に行われるとき且つそのときに限り、センサIとセンサIIの間の固定された幾何学形状から推論するのは、センサIIのための測定の実際の時間でのpIIからの近接変動である。この例の目的のために、センサシリアルナンバーSはすべてのセンサにとって同じであると仮定され、dとpだけが計算の目的で検討される。加えて、応答は電圧で示されているが、例えば電流等の他の電気特性も使用されてよい。
2V=2R(d)+0 [方程式7]
小さい近接変動とは無関係であってよい。簡略化された例では、単一のセンサの場合、RI(d,pI)=RII(d,pII)=1.5V及びdRI/dp=2V/mmであると、εp=0.1mmであり、その結果
である。
ρ(Tc+τ)=ρ(Tc)(1+α(τ−Tc)) [方程式9]
ここではp(Tc)は較正温度(較正抵抗率)での導電膜の抵抗計での抵抗率であり、τは較正温度からのターゲット基板の温度偏差であり、αはdegC−1の導電膜の温度係数である。αの典型的な値は以下の通りである。Cuの場合約+0.0039から約0.0068degC−1であり、Siの場合約0.07から約−0.01degC−1であり、関心のある大部分の材料について後述されるように調べるまたは測定することができる。
この場合dmは渦電流応答測定から引き出される導電膜厚であり、daは実際の導電膜厚であり、Tcは較正温度であり、Tmは、重要な測定渦電流応答の基板温度(測定温度)であり、f(R(da,p,ρ(Tc))は較正温度Tcでの導電膜厚であり、pは導電膜に対するセンサ近接であり、ρ(Tc)は較正温度Tcでの導電膜の抵抗率(較正抵抗率)であり、ρ(Tm)は測定温度Tmでの導電膜の抵抗率(測定抵抗率)である。
ここでは、f(R(d,p,ρ(Tc)))またはf(Rc)は較正温度での基板上の導電膜の厚さであり、τ−Tcまたは△Tは較正温度と、渦電流が測定された温度の温度差であり、αはdegC−1単位の導電膜の温度係数である。小さい(α△T)2積(例えば、
)の場合、方程式11はさらに以下に簡略化できる。
dc−ref=f(R(da,p,ρ(Tc))) [方程式13]
ここではdc−refは、一般的には実際の導電膜厚daに等しい較正温度での基準基板上の測定導電膜厚であり、dm−refは測定温度での基準基板上の測定された導電膜厚であり、ρ(Tc)は較正温度Tcでの基準基板の抵抗率であり、ρ(Tm)は、同じ温度でのターゲット基板の抵抗率に実質的に類似する測定温度Tmでの基準基板の抵抗率である。
ここではηは自動補正因数dc−ref/dm−refであり、dc−refは較正温度での基準基板上の測定導電膜厚であり、dm−refは測定温度での基準基板上の測定導電膜厚であり、ρ(Tc)は較正温度Tcでの基準基板の抵抗率であり、ρ(Tm)は測定温度Tmでの基準基板の抵抗率であり、私たちは方程式10に示されているように抵抗率依存性を明示的にモデル化したので、f(R(d,p))は温度とは無関係である導電膜厚の関数である。ηの代用をして、
V=R(dA−CF1,p,ρCF1(Tm))+βR(dA−CF2,p,ρCF2(Tm)) [方程式18]
この場合、dA−CF1は、基準基板上の第1の導電膜の実際の厚さであり、dA−CF2は基準基板上の第2の導電膜の実際の厚さであり、pは導電膜に対するセンサ近接であり、pCF1(T)は温度Tでの第1の導電膜の抵抗率であり、ρCF2(T)は温度Tでの第2の導電膜の抵抗率であり、βは(例えば、前記図に示されているように、Si基板上での温度挙動を支配する非常に厚い銅等の導電膜3−d影響を考慮に入れるための)導電膜厚依存率であり、Vはボルト単位の渦電流応答である。
ここでは、Tmは渦電流応答が測定される温度であり、Tcは較正温度であり、ρCF10は第1の導電膜の抵抗率であり、ρCF20は第2の導電膜の抵抗率であり、Rc−CF1は較正温度での第1の導電膜の渦電流応答であり、Rc−CF2は較正温度での第2の導電膜の渦電流応答であり、βは膜厚依存率であり、Vはボルト単位の渦電流応答である。したがって、既定の温度で2つの導電膜のある基板の場合、一般的には2つの未知数、Rc−CF1とβRc−CF2がある。
V1=B1Rc−CF1+C1βRc−CF2 [方程式20]
V2=B2Rc−CF1+C2βRc−CF2 [方程式21]
ここでは、B1=ρCF1(Tc)/ρCF1(T1),B2=ρCF1(Tc)/ρCF1(T2),C1=ρCF2(Tc)/ρCF2(T1),C2=ρCF2(Tc)/ρCF2(T2)である。
V1=Rc−CF1+βRc−CF2 [方程式24]
V2=B2Rc−CF1+C2βRc−CF2 [方程式25]
ここでは、B2=ρCF1(Tc)/ρCF1(T2)=(1+αCF1△T2)−1であり、C2=ρCF2(Tc)/ρCF2(T2)=(1+αCF2△T2)−1である。
さらに方程式26を簡略化し、
ここではRc−CF1は較正温度での第1の導電膜の渦電流応答であり、αCF1はdegC−1単位での第1の導電膜の温度係数であり、αCF2はdegC−1での第2の導電膜の温度係数であり、△T2は較正温度Tcと測定温度T2の差異であり、V1は較正温度Tcでの総渦電流応答であり、V2は測定温度T2での総渦電流応答である。導電膜1に関心があるにすぎない場合には、2つの膜(つまりβ等)の相対的寄与率の知識は必要とされない。人は、基板としてRc−CF1および温度依存渦電流応答の通常相関関数を構築してよく、したがってCF1膜厚のような改善された渦電流結果を報告する。
再び、ここではRc−CF2は較正温度での第2の導電膜の渦電流応答であり、βは導電膜厚依存率であり、αCF1はdegC−1での第1の導電膜の温度係数であり、αCF2はdegC−1での第2の導電膜の温度係数であり、△T2は較正温度Tcと測定温度T2の差異であり、V1は較正温度Tcでの総渦電流応答であり、V2は測定温度T2での総渦電流応答である。両方の膜信号が膜厚の大きな差異に渡って所望される場合、関心のある膜スタックに関する渦電流測定値に対する相対的な寄与を測定するためにウェハを構築してよい。例えば、銅膜(CF1=銅)がおもに何らかの範囲の厚さにわたって変化しているケースでは、方程式31をβ(dc−CF1)で除算することによって多様な膜厚に渡って正規化される渦電流応答Rc−CF2を決定するために関心のある範囲でβ(dc−CF1)を決定し、方程式30に基づいて相互関連結果を使用してよい。
106 基板
202 基板
206 センサ
Claims (29)
- ターゲット基板上の第1の導電材料から形成される第1の導電膜の第1の厚さを決定する方法であって、
前記ターゲット基板の位置の近くに第1の渦電流センサを配置することと、
前記第1の渦電流センサを使用して、第1の電圧測定値と第1の電流測定値の少なくとも1つを含む電気的応答の第1のセットを測定することと、
温度依存補償因数を使用して第1の電気的応答の前記セットを補正し、それによって電気的応答の補正された第1のセットを取得し、前記温度依存補償因数が前記ターゲット基板とは異なる較正基板から取得され、前記較正基板が前記ターゲット基板の前記第1の導電材料に実質的に類似する第2の導電材料から形成される第2の導電膜を有することと、
電気的応答の前記補正された第1のセットを使用して前記第1の厚さを決定することと、
を備える方法。 - 前記温度異存補償因数が、前記較正基板からの電気的応答の第2のセットを計算し、補償因数の公知のセットから前記温度依存補償因数を選択することにより取得され、前記温度依存補償因数が、電気的応答の前記第2のセットに相互に関連する請求項1に記載の方法。
- 補償因数の前記の公知のセットが、前記較正基板と前記ターゲット基板間のターゲット膜温度変動の公知の差異のセットを補償する請求項2に記載の方法。
- 補償因数の前記公知のセットが、推定されたターゲット膜厚さを含む請求項2に記載の方法。
- 補償因数の前記の公知のセットが、温度の変化に応じて前記第2の導電材料の抵抗率の変化に関連する請求項2に記載の方法。
- 電気的応答の前記第2のセットが前記較正基板上で測定される電気的応答の平均化を表し、前記平均化が温度ドリフトに起因する誤差を削減する請求項2に記載の方法。
- 電気的応答の前記第1のセットを前記測定することと、電気的応答の前記第2のセットを前記測定することが、前記第1の渦電流センサを使用して実行される請求項2に記載の方法。
- 電気的応答の前記第1のセットを前記測定することと、電気的応答の前記第2のセットを前記測定することが、実質的に類似する測定プロトコルを使用して実行される請求項5に記載の方法。
- 電気的応答の前記第2のセットを前記測定することが、前記第1の渦電流センサとは異なる第2の渦電流センサを使用して実行される請求項2に記載の方法。
- 前記第1の厚さを前記決定することが、厚さ相関曲線のセットと、電気的応答の前記補正された第1のセットを相互に関連させることを含む請求項1に記載の方法。
- 前記第1の導電膜が、アルミニウムと銅の少なくとも1つを備える請求項1に記載の方法。
- 電気的応答の前記第1のセットが、前記第1の渦電流センサと前記ターゲット基板の間の近接変動について補正された電気的応答のセットを表す請求項1に記載の方法。
- 前記ターゲット基板と前記較正基板とが、電気的応答の前記第1のセットが測定される温度と、補償因数の前記セットが取得される温度とを含む関心のある温度範囲内での温度変化に対して実質的に同じ抵抗率反応を有するように選択される請求項1に記載の方法。
- ターゲット基板上の第1の導電材料から形成される第1の導電膜の第1の厚さを決定するための装置であって、
前記ターゲット基板の近くに配置される第1の渦電流センサを使用して、第1の電圧測定値と第1の電流測定値の少なくとも1つを含む電気的応答の第1のセットを測定するための手段と、
温度依存補償因数を使用して第1の電気的応答の前記セットを補正し、それによって電気的応答の補正された第1のセットを取得するための手段と、電気的応答の前記補正された第1のセットを使用して前記第1の厚さを決定するための手段と、
を備える装置。 - 前記温度異存補償因数が、前記ターゲット基板と異なる較正基板から電気的応答に第2
のセットを測定し、補償因数の公知のセットから前記温度依存補償因数を選択することによって取得され、前記温度依存補償因数が電気的応答の前記第2のセットに相互関連する請求項14に記載の装置。 - 補償因数の前記公知のセットが、前記較正基板と前記ターゲット基板間のターゲット膜温度変動の公知の差異のセットを補償する請求項15に記載の装置。
- 補償因数の前記公知のセットが、推定ターゲット膜厚を含む請求項15に記載の装置。
- 補償因数の前記公知のセットが、温度の変化に対応する前記第2の導電材料の抵抗率の変化に関連する請求項15に記載の装置。
- 電気的応答の前記第2のセットが、前記較正基板で測定される電気的応答の平均化を表し、前記平均化が温度ドリフトに起因する誤差を削減する請求項15に記載の装置。
- 前記ターゲット基板と前記較正基板が、電気的応答の前記第1のセットが測定される温度と、補償係数の前記セットが取得される温度を含む関心のある温度範囲内での温度変化に対して実質的に同じ抵抗率反応を有するように選択される請求項15に記載の装置。
- ターゲット基板上の第1の導電材料から形成される第1の導電膜の第1の厚さを決定する方法であって、
前記ターゲット基板近くに第1の渦電流センサを配置することと、
前記第1の渦電流センサを使用して、第1の電圧測定値と第1の電流測定値の少なくとも1つを含む電気的応答の第1のセットを測定することと、
電気的応答の前記第1のセットが取得されるターゲット基板温度に基づいて決定される温度異存補償因数を使用して第1の電気的応答の前記セットを補正し、前記補正により電気的応答の補正された第1のセットが生じることと、
電気的応答の前記補正された第1のセットを使用して前記第1の厚さを決定することと、
を備える方法。 - 前記温度異存補償因数が、前記ターゲット基板とは異なる較正基板から電気的応答の第2のセットを測定することにより取得され、前記較正基板が、前記ターゲット基板の前記第1の導電材料に実質的に類似する第2の導電材料から形成される第2の導電膜と、前記ターゲット基板として温度変化に対して実質的に類似する抵抗率応答とを有する請求項21に記載の方法。
- 前記温度異存補償因数が、温度変化に対応する前記第2の導電材料の抵抗率の変化に関連する請求項22に記載の方法。
- 電気的応答の前記第2のセットが、前記較正基板で測定される電気的応答の平均化を表し、前記平均化が温度ドリフトに起因する誤差を削減する請求項22に記載の方法。
- 電気的応答の前記第1のセットを前記測定することと、電気的応答の前記第2のセットを前記測定することとが、前記第1の渦電流センサを使用して実行される請求項22に記載の方法。
- 電気的応答の前記第1のセットを前記測定することと、電気的応答の前記第2のセットを前記測定することとが、実質的に類似する測定プロトコルを使用して実行される請求項22に記載の方法。
- 電気的応答の前記第2のセットを前記測定することが、前記第1の渦電流センサとは異なる第2の渦電流センサを使用して実行される請求項22に記載の方法。
- 前記第1の厚さを前記決定することが、厚さ相関曲線のセットと、電気的応答の前記補正された第1のセットを相互に関連付けることを含む請求項22に記載の方法。
- 前記ターゲット基板と前記較正基板とが、電気的応答の前記第1のセットが測定される温度と、補償因数の前記セットが取得される温度とを含む関心のある温度範囲内の温度変化に対して実質的に同じ抵抗率応答を有するように選択される請求項22に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/172,017 | 2005-06-29 | ||
US11/172,017 US7282909B2 (en) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | Methods and apparatus for determining the thickness of a conductive layer on a substrate |
PCT/US2006/023033 WO2007005211A2 (en) | 2005-06-29 | 2006-06-13 | Methods and apparatus for optimizing an electrical response to a conductive layer on a substrate |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009500605A true JP2009500605A (ja) | 2009-01-08 |
JP5108757B2 JP5108757B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=37604934
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008519343A Active JP5108757B2 (ja) | 2005-06-29 | 2006-06-13 | 導電層の電気的応答を最適化する方法、及びその装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7282909B2 (ja) |
JP (1) | JP5108757B2 (ja) |
KR (1) | KR101252885B1 (ja) |
CN (1) | CN101213470B (ja) |
MY (1) | MY143339A (ja) |
TW (1) | TWI404966B (ja) |
WO (1) | WO2007005211A2 (ja) |
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- 2006-06-13 WO PCT/US2006/023033 patent/WO2007005211A2/en active Application Filing
- 2006-06-13 CN CN2006800239317A patent/CN101213470B/zh active Active
- 2006-06-13 KR KR1020077030890A patent/KR101252885B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5108757B2 (ja) | 2012-12-26 |
US7282909B2 (en) | 2007-10-16 |
KR20080021083A (ko) | 2008-03-06 |
KR101252885B1 (ko) | 2013-04-09 |
CN101213470A (zh) | 2008-07-02 |
CN101213470B (zh) | 2010-06-23 |
TW200730855A (en) | 2007-08-16 |
TWI404966B (zh) | 2013-08-11 |
WO2007005211A2 (en) | 2007-01-11 |
WO2007005211A3 (en) | 2007-05-03 |
MY143339A (en) | 2011-04-29 |
US20070205765A1 (en) | 2007-09-06 |
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A977 | Report on retrieval |
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