JP7227909B2 - インシトゥ監視からの測定値の、抵抗率に基づく調整 - Google Patents
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Description
ρT=ρX[1+α(T2-T1)]
ここで、T1は第1の温度、T2は第2の温度、ρXは第2の抵抗率、αは導電層の抵抗率温度係数である。
S=W1・D2+W2・D+W3
ここで、Sは信号値、Dは厚さであり、W1、W2、W3は係数である。
S’=G*S-ΔK
ここで、Gはゲイン、ΔKはオフセットである。
G=(SDH-SDL)/(S1-S2)
ここで、S1は第1の信号値、S2は第2の信号値、SDHは第2の導電層についての所望の高い信号値、SDLは第2の導電層がない場合の所望の低い信号値である。
S=W1・D2+W2・D+W3 (式1)
ここで、W1、W2、およびW3は、実数係数である。したがって、コントローラは、関数の係数の値、例えば、W1、W2、およびW3、ならびに関係曲線410が適用される抵抗率ρ0を格納することができる。さらに、この関係は、線形関数、ベジェ曲線、または非多項式関数、例えば指数関数または対数関数で表すことができる。
G=(SDH-SDL)/(SMH-SML)
ここで、SDHは、層が、較正基板上の導電層と同じ厚さに研磨されているときの「所望の高い」信号であり、SDLは、層が除去されたときの「所望の低い」信号である。
ΔK=G*SML-SDL
S’=G*S-ΔK (式2)
D’(t)=D(t)*(ρX/ρ0) (式3)
較正された値S’(t)が、目標トリガー値STARGETと比較されて、研磨終点を決定する。
ρT=ρX[1+α(T(t)-Tini)]
ここで、Tiniは、研磨プロセスが開始されるときの導電層の初期温度である。次に、調整された抵抗率ρTが、抵抗率ρXの代わりに、例えば上記の式3および式4で使用される。
Claims (14)
- 非一時的なコンピュータ可読媒体に有形に符号化されたコンピュータプログラム製品であって、コンピュータシステムに、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さをインシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納することと、
研磨される基板上の導電層の測定により生成される、前記研磨される基板上の導電層の第2の抵抗率値を受け取ることと、
前記研磨される基板上の前記導電層の厚さに依存する一続きの信号値を、研磨中の基板を監視する前記インシトゥ電磁誘導監視システムから受け取ることと、
前記一続きの信号値および前記相関関数に基づいて、一続きの厚さ値を生成することと、
前記一続きの厚さ値の少なくともいくつかの厚さ値について、前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値とに基づいて、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償する調整された厚さ値を生成して、一続きの調整された厚さ値を生成することと、
前記一続きの調整された厚さ値に基づいて、研磨終点を検出することと、研磨パラメータの調整を決定することと、のうちの少なくとも一方を行うことと、
を行わせる命令を含む、コンピュータプログラム製品。 - 調整された厚さ値を生成する前記命令が、厚さ値に前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値との比を掛ける命令を含む、請求項1に記載のコンピュータプログラム製品。
- 調整された厚さ値を生成する前記命令が、前記研磨される基板上の導電層が前記第2の抵抗率値を有する温度と、研磨中の前記研磨される基板の温度との間の温度の変動を補償する命令を含む、請求項1に記載のコンピュータプログラム製品。
- 第1の温度を格納し、研磨システムから第2の温度の測定値を受け取る命令を含み、温度の変動を補償する前記命令が、前記第2の抵抗率値、前記第1の温度、および前記第2の温度に基づいて、調整された第2の抵抗率値を計算することを含む、請求項3に記載のコンピュータプログラム製品。
- 前記調整された第2の抵抗率値を計算する前記命令が、下記式を満足する抵抗率ρTを計算する命令を含む、請求項4に記載のコンピュータプログラム製品。
ρT=ρX[1+α(T2-T1)]
ただし、T1は前記第1の温度、T2は前記第2の温度、ρXは前記第2の抵抗率、αは前記研磨される基板の前記導電層の抵抗率温度係数である。 - 非一時的なコンピュータ可読媒体に有形に符号化されたコンピュータプログラム製品であって、コンピュータシステムに、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さをインシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納することと、
較正基板上の導電層についての第2の抵抗率値およびシート抵抗を受け取ることと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムのセンサが前記較正基板の前記導電層を監視するように配置されているときに、前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの第1の信号値を測定し、前記インシトゥ電磁誘導監視システムの前記センサが前記導電層を監視するように配置されていないときに、前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの第2の信号値を測定することと、
異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償する閾値信号値を、前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値とに基づいて、前記相関関数を用いて目標厚さから計算することと、
前記研磨される基板の前記導電層の厚さに依存する一続きの信号値を、研磨中の基板を監視する前記インシトゥ電磁誘導監視システムから受け取ることと、
前記一続きの信号値を前記閾値信号値と比較することにより、研磨終点を検出することと、
を行わせる命令を含む、コンピュータプログラム製品。 - 閾値信号値を計算する前記命令が、前記目標厚さに前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値との比を掛ける命令を含む、請求項6に記載のコンピュータプログラム製品。
- 閾値信号値を計算する前記命令が、前記導電層が前記第2の抵抗率値を有する温度と、研磨中の前記研磨される基板の温度との間の温度の変動を補償する命令を含む、請求項7に記載のコンピュータプログラム製品。
- 第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さをインシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納することと、
研磨される基板上の導電層の測定により生成される前記研磨される基板上の導電層についての第2の抵抗率値を受け取ることと、
前記研磨される基板上の前記導電層を研磨することと、
研磨中の基板上の前記導電層を、前記導電層の厚さに依存する一続きの信号値を生成する前記インシトゥ電磁誘導監視システムで監視することと、
前記一続きの信号値および前記相関関数に基づいて、一続きの厚さ値を生成することと、
前記一続きの厚さ値の少なくともいくつかの厚さ値について、前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値とに基づいて、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償する調整された厚さ値を生成して、一続きの調整された厚さ値を生成することと、
前記一続きの調整された厚さ値に基づいて、研磨終点を検出することと、研磨パラメータの調整を決定することと、のうちの少なくとも一方を行うことと、
を含む研磨方法。 - 研磨パッドを支持するための回転可能なプラテンと、
基板を前記研磨パッドに当てて保持するためのキャリアヘッドと、
前記基板上の導電層の厚さに依存する一続きの信号値を生成する、センサを含むインシトゥ電磁誘導監視システムと、
コントローラと、
を備える研磨システムであって、前記コントローラが、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さを前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納し、
研磨される基板上の導電層の測定により生成される前記研磨される基板上の前記導電層についての第2の抵抗率値を受け取り、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムから前記一続きの信号値を受け取り、
前記一続きの信号値および前記相関関数に基づいて、一続きの厚さ値を生成し、
前記一続きの厚さ値の少なくともいくつかの厚さ値について、前記第1の抵抗率値と前記第2の抵抗率値とに基づいて、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償する調整された厚さ値を生成して、一続きの調整された厚さ値を生成し、
前記一続きの調整された厚さ値に基づいて、研磨終点を検出することと、研磨パラメータの調整を決定することと、のうちの少なくとも一方を行う
ように構成されている、研磨システム。 - 非一時的なコンピュータ可読媒体に有形に符号化された、インシトゥ電磁誘導監視システムを較正するためのコンピュータプログラム製品であって、コンピュータシステムに、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さを前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納することと、
較正基板上の第1の導電層についての第2の抵抗率値およびシート抵抗値を受け取ることと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムから、前記較正基板上の前記第1の導電層の第1の信号値の測定値を受け取ることと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムから、前記第1の導電層なしで、第2の信号値の測定値を受け取ることと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムにおける変動を補償し、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償するために、前記第1の信号値の測定値と、前記第2の信号値の測定値と、前記第1の抵抗率値と、前記第2の抵抗率値とに基づいて前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に適用すべきオフセットおよびゲインを計算することと、
を行わせる命令を含む、コンピュータプログラム製品。 - 第2の研磨される基板上の第2の導電層についての第3の抵抗率値を受け取り、
研磨中の前記第2の研磨される基板を監視する前記インシトゥ電磁誘導監視システムから、前記第2の導電層の厚さに依存する一続きの信号値を受け取り、
前記一続きの信号値からの信号値に前記オフセットおよびゲインを適用することにより、一続きの調整された信号値を生成し、
前記一続きの調整された信号値および前記相関関数に基づいて、一続きの厚さ値を生成し、
前記一続きの厚さ値の少なくともいくつかの厚さ値について、前記第1の抵抗率値と前記第3の抵抗率値とに基づいて、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償する調整された厚さ値を生成して、一続きの調整された厚さ値を生成し、
前記一続きの調整された厚さ値に基づいて、研磨終点を検出することと、研磨パラメータの調整を決定することと、のうちの少なくとも一方を行う
命令を含む、請求項11に記載のコンピュータプログラム製品。 - インシトゥ電磁誘導監視システムを較正する方法であって、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さをインシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納することと、
較正基板上の第1の導電層についての第2の抵抗率値およびシート抵抗値を受け取ることと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムを使用して、前記較正基板上の前記第1の導電層の第1の信号値の測定を行うことと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムを使用して、前記第1の導電層なしで、第2の信号値の測定を行うことと、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムにおける変動を補償し、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償するために、前記第1の信号値と、前記第2の信号値と、前記第1の抵抗率値と、前記第2の抵抗率値とに基づいて前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に適用すべきオフセットおよびゲインを計算することと、
を含む方法。 - 研磨パッドを支持するための回転可能なプラテンと、
基板を前記研磨パッドに当てて保持するためのキャリアヘッドと、
前記基板上の導電層の厚さに依存する一続きの信号値を生成する、センサを含むインシトゥ電磁誘導監視システムと、
コントローラと、
を備える研磨システムであって、前記コントローラが、
第1の抵抗率値と、前記第1の抵抗率値を有する導電層の厚さを前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に関連付ける相関関数とを、格納し、
較正基板上の第1の導電層についての第2の抵抗率値およびシート抵抗値を受け取り、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムから、前記較正基板上の前記第1の導電層の第1の信号値の測定値を受け取り、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムから、前記第1の導電層なしで、第2の信号値の測定値を受け取り、
前記インシトゥ電磁誘導監視システムにおける変動を補償し、異なる研磨される基板間の導電層の抵抗率値の変動を補償するために、前記第1の信号値の測定値と、前記第2の信号値の測定値と、前記第1の抵抗率値と、前記第2の抵抗率値とに基づいて前記インシトゥ電磁誘導監視システムからの信号に適用すべきオフセットおよびゲインを計算する
ように構成されている、研磨システム。
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WO2020067914A1 (en) * | 2018-09-26 | 2020-04-02 | Applied Materials, Inc. | Compensation for substrate doping in edge reconstruction for in-situ electromagnetic inductive monitoring |
KR20200099665A (ko) * | 2019-02-15 | 2020-08-25 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 연마 시스템 |
TWI698539B (zh) * | 2019-03-28 | 2020-07-11 | 台灣茂矽電子股份有限公司 | 蒸鍍機鍍膜厚度監測方法 |
KR20210047999A (ko) * | 2019-10-22 | 2021-05-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 연마 헤드 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치, 그리고 이를 이용하는 기판 처리 방법 |
JP7364217B2 (ja) * | 2019-11-05 | 2023-10-18 | スピードファム株式会社 | 研磨装置 |
JP2023517449A (ja) | 2020-05-14 | 2023-04-26 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨中のインシトゥモニタリングで使用するためのニューラルネットワークをトレーニングするための技術及び研磨システム |
JP7447284B2 (ja) | 2020-06-24 | 2024-03-11 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 研磨パッドの摩耗補償による基板層の厚さの決定 |
US11371148B2 (en) * | 2020-08-24 | 2022-06-28 | Applied Materials, Inc. | Fabricating a recursive flow gas distribution stack using multiple layers |
US11794302B2 (en) | 2020-12-15 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Compensation for slurry composition in in-situ electromagnetic inductive monitoring |
US11919121B2 (en) | 2021-03-05 | 2024-03-05 | Applied Materials, Inc. | Control of processing parameters during substrate polishing using constrained cost function |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004648A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2012506152A (ja) | 2008-10-16 | 2012-03-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 渦電流利得の補償 |
US20150224623A1 (en) | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Applied Materials, Inc. | Adjusting eddy current measurements |
Family Cites Families (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU1145797A (en) | 1995-12-05 | 1997-06-27 | Skf Condition Monitoring | Driver for eddy current proximity probe |
JP4817575B2 (ja) | 1999-12-23 | 2011-11-16 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 渦電流測定を利用して、メタライゼーション処理を実状態で監視する方法 |
US6924641B1 (en) | 2000-05-19 | 2005-08-02 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring a metal layer during chemical mechanical polishing |
US6829559B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-12-07 | K.L.A.-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro and micro defects on a specimen |
TW541425B (en) * | 2000-10-20 | 2003-07-11 | Ebara Corp | Frequency measuring device, polishing device using the same and eddy current sensor |
US6966816B2 (en) | 2001-05-02 | 2005-11-22 | Applied Materials, Inc. | Integrated endpoint detection system with optical and eddy current monitoring |
US7082345B2 (en) | 2001-06-19 | 2006-07-25 | Applied Materials, Inc. | Method, system and medium for process control for the matching of tools, chambers and/or other semiconductor-related entities |
US7030018B2 (en) | 2002-02-04 | 2006-04-18 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for monitoring a parameter of a measurement device during polishing, damage to a specimen during polishing, or a characteristic of a polishing pad or tool |
US7084621B2 (en) * | 2002-09-25 | 2006-08-01 | Lam Research Corporation | Enhancement of eddy current based measurement capabilities |
US6894491B2 (en) | 2002-12-23 | 2005-05-17 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for metrological process control implementing complementary sensors |
US7016795B2 (en) | 2003-02-04 | 2006-03-21 | Applied Materials Inc. | Signal improvement in eddy current sensing |
JP2005011977A (ja) | 2003-06-18 | 2005-01-13 | Ebara Corp | 基板研磨装置および基板研磨方法 |
US7112960B2 (en) | 2003-07-31 | 2006-09-26 | Applied Materials, Inc. | Eddy current system for in-situ profile measurement |
US7153185B1 (en) | 2003-08-18 | 2006-12-26 | Applied Materials, Inc. | Substrate edge detection |
US7097537B1 (en) | 2003-08-18 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Determination of position of sensor measurements during polishing |
JP4451111B2 (ja) | 2003-10-20 | 2010-04-14 | 株式会社荏原製作所 | 渦電流センサ |
CN100561182C (zh) * | 2003-10-31 | 2009-11-18 | 应用材料公司 | 使用摩擦传感器的抛光终点检测系统 |
US7150673B2 (en) | 2004-07-09 | 2006-12-19 | Ebara Corporation | Method for estimating polishing profile or polishing amount, polishing method and polishing apparatus |
JP2006128563A (ja) * | 2004-11-01 | 2006-05-18 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 半導体ウエハ研磨用研磨パッドおよび半導体デバイスの製造方法 |
US7282909B2 (en) | 2005-06-29 | 2007-10-16 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for determining the thickness of a conductive layer on a substrate |
JP2007109989A (ja) * | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Consortium For Advanced Semiconductor Materials & Related Technologies | Cmp方法 |
US7189140B1 (en) | 2005-11-08 | 2007-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Methods using eddy current for calibrating a CMP tool |
US7494929B2 (en) | 2006-04-27 | 2009-02-24 | Applied Materials, Inc. | Automatic gain control |
JP2008166449A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 共振現象を応用した終点検出方法、終点検出装置及びそれを搭載した化学機械研磨装置及び化学機械研磨装置で作成した半導体デバイス |
DE102007015502A1 (de) * | 2007-03-30 | 2008-10-02 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | CMP-System mit einem Wirbelstromsensor mit geringerer Höhe |
JP4159594B1 (ja) * | 2007-05-21 | 2008-10-01 | 株式会社東京精密 | 研磨終了時点の予測・検出方法とその装置 |
JP5080933B2 (ja) | 2007-10-18 | 2012-11-21 | 株式会社荏原製作所 | 研磨監視方法および研磨装置 |
JP4862011B2 (ja) * | 2008-04-28 | 2012-01-25 | 株式会社東京精密 | 研磨途中時点の検出方法と研磨装置並びに研磨状態モニタ方法と研磨終了時点の検出方法 |
JP5513795B2 (ja) | 2009-07-16 | 2014-06-04 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法および装置 |
US20110124269A1 (en) | 2009-07-16 | 2011-05-26 | Mitsuo Tada | Eddy current sensor and polishing method and apparatus |
TW201201957A (en) | 2010-01-29 | 2012-01-16 | Applied Materials Inc | High sensitivity real time profile control eddy current monitoring system |
US8930013B2 (en) | 2010-06-28 | 2015-01-06 | Applied Materials, Inc. | Adaptively tracking spectrum features for endpoint detection |
CN102049732B (zh) * | 2010-08-30 | 2012-05-23 | 清华大学 | 一种硅片边缘膜厚测量方法 |
US9528814B2 (en) * | 2011-05-19 | 2016-12-27 | NeoVision, LLC | Apparatus and method of using impedance resonance sensor for thickness measurement |
US20130065493A1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-03-14 | Taro Takahashi | Polishing monitoring method, polishing end point detection method, and polishing apparatus |
JP6145342B2 (ja) * | 2013-07-12 | 2017-06-07 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚測定装置、膜厚測定方法、および膜厚測定装置を備えた研磨装置 |
US9281253B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-03-08 | Applied Materials, Inc. | Determination of gain for eddy current sensor |
US9275917B2 (en) | 2013-10-29 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Determination of gain for eddy current sensor |
CN105659363B (zh) * | 2013-10-29 | 2019-05-03 | 应用材料公司 | 涡电流传感器增益的确定 |
JP6445771B2 (ja) * | 2014-03-12 | 2018-12-26 | 株式会社荏原製作所 | 膜厚測定値の補正方法、及び、膜厚補正器 |
US9911664B2 (en) | 2014-06-23 | 2018-03-06 | Applied Materials, Inc. | Substrate features for inductive monitoring of conductive trench depth |
US9676075B2 (en) * | 2015-06-12 | 2017-06-13 | Globalfoundries Inc. | Methods and structures for achieving target resistance post CMP using in-situ resistance measurements |
JP6222171B2 (ja) | 2015-06-22 | 2017-11-01 | 信越半導体株式会社 | 定寸装置、研磨装置、及び研磨方法 |
KR102608200B1 (ko) | 2017-01-13 | 2023-11-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 인-시튜 모니터링으로부터의 측정들의 비저항 기반 조정 |
-
2018
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-
2023
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008004648A (ja) | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2012506152A (ja) | 2008-10-16 | 2012-03-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 渦電流利得の補償 |
US20150224623A1 (en) | 2014-02-12 | 2015-08-13 | Applied Materials, Inc. | Adjusting eddy current measurements |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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