JPH07306922A - Ｉｃメモリカードおよびそのｉｃメモリカードの検査方法 - Google Patents

Ｉｃメモリカードおよびそのｉｃメモリカードの検査方法

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JPH07306922A
JPH07306922A JP6096666A JP9666694A JPH07306922A JP H07306922 A JPH07306922 A JP H07306922A JP 6096666 A JP6096666 A JP 6096666A JP 9666694 A JP9666694 A JP 9666694A JP H07306922 A JPH07306922 A JP H07306922A
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【目的】フラッシュＥＥＰＲＯＭに記憶されている初期
不良情報を破壊せずに、それを有効利用したカード検査
を実現する。 【構成】フラッシュＥＥＰＲＯＭの初期不良情報がアト
リビュートメモリ１３の第２記憶領域１３ｂに格納さ
れ、その後、テストデータパターンの書き込みなどによ
るフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去および書き込み動作の
検査が行われる。したがって、初期不良情報を破壊する
こと無く、接触不良などのアセンブリの状態やメモリの
動作を検査することできる。初期不良情報は検査結果に
従って更新され、その更新された情報に基づいて不良ブ
ロックテーブルが生成される。この不良ブロックテーブ
ルはカード属性情報の一部としてアトリビュートメモリ
１３に格納される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はフラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍを内蔵しパーソナルコンピュータやワークステーショ
ン等のデータ処理装置の外部記憶装置として使用される
ＩＣメモリカードおよびそのＩＣメモリカードの検査方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パーソナルコンピュータやワーク
ステーション等のデータ処理装置の外部記憶装置として
は、ハードディスク装置やフロッピーディスク装置が多
く用いられていた。最近では、それらディスク装置に代
わる外部記憶装置としてＩＣメモリカードが使用される
ようになり、メモリカード装着用のスロットが標準装備
されたパーソナルコンピュータや、パーソナルコンピュ
ータに外付けされて使用されるメモリカードリーダ／ラ
イタなどの周辺装置が開発されている。
【０００３】メモリカードは携帯性に富んでおり、また
フロッピーディスクよりも大きな容量のファイルを取り
扱う事ができる。このため、端末間の移動や持ち運びに
便利である。
【０００４】しかしながら、従来では、メモリカードの
仕様はメーカ毎に種々異なっており、フロッピーディス
クなどと比べると互換性という点で問題があった。最近
では、メモリカードの標準化も進められ、ＰＣＭＣＩＡ
に準拠した仕様を持つメモリカードが開発されている。
【０００５】ところが、フラッシュＥＥＰＲＯＭを内蔵
したメモリカードにおいては、物理的または電気的仕様
については標準化されつつあるものの、そのフォーマッ
ティングに関する仕様、特に書き込みや消去を正常に行
うことができない不良ブロックの取扱いについては規定
されていない。このため、フラッシュＥＥＰＲＯＭを内
蔵したメモリカードを、不良ブロックを考慮してフォー
マッティングすることは困難であった。
【０００６】また、メモリカードの出荷時には部品間の
接触不良などを調べるための検査が行われるが、この検
査時におけるフラッシュＥＥＰＲＯＭの不良ブロックの
取り扱いについても次のような問題がある。
【０００７】すなわち、最近のフラッシュＥＥＰＲＯＭ
においては、チップの大容量化、高集積化に伴い、その
チップ内の全てのビットやブロックを良品として製造す
ることは困難になってきている。このため、フラッシュ
ＥＥＰＲＯＭはある程度の不良ビットや不良ブロックを
含んだ状態で出荷されるのが現状である。
【０００８】フラッシュＥＥＰＲＯＭの出荷時には消去
および書き込みのテストが行われ、不良ブロックにはデ
ータ“０”を書き込むなどのマーキングが行われる。こ
のマーキングにより、初期不良を判別することができ
る。
【０００９】メモリ出荷時のテストはチップ単位で行わ
れるので、印加電圧値に対する消去／書き込特性などを
考慮した比較的高精度な不良判定が行われる。この場
合、一時的にはデータ消去および書き込みが可能であっ
ても記憶の信頼性が低いブロックについては、不良ブロ
ックを示すデータ“０”が書き込まれる。このように、
フラッシュＥＥＰＲＯＭにマーキングされた初期不良情
報は極めて信頼性が高く、この情報に基づいて不良ブロ
ックを管理することが好ましい。
【００１０】しかしながら、フラッシュＥＥＰＲＯＭを
内蔵したメモリカードを組み立てた場合には、そのカー
ド出荷時の検査においてフラッシュＥＥＰＲＯＭに対す
るデータ消去およびテストデータパターンの書き込みな
どが行われ、これによってフラッシュＥＥＰＲＯＭの初
期不良情報が破壊されてしまう問題がある。このデータ
消去およびテストデータパターンの書き込みは、接触不
良などのアセンブリの状態や、カード内の制御回路の動
作を調べることを目的として行われるものである。
【００１１】図８には、初期不良情報がテストデータパ
ターンの書き込みによって破壊される様子が示されてい
る。図８（ａ）に示されているように、フラッシュＥＥ
ＰＲＯＭの不良ブロックにはデータ“０”、正常なブロ
ックにはデータ“１”が初期不良情報として書き込まれ
ている。ここでは、ブロック２、ブロック４が不良ブロ
ックである。このフラッシュＥＥＰＲＯＭにテストデー
タパターンを書き込むと、図８（ｂ）に示されているよ
うに、テストデータパターンによって初期不良情報のマ
ーキングが破壊されてしまい、どのブロックが不良ブロ
ックであったか不明となる。このように、従来では、カ
ード検査時に初期不良情報が破壊されてしまい、その初
期不良情報を有効利用できない欠点があった。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】従来では、不良ブロッ
クの管理に関する規定が定められておらず、このためカ
ードドライバやファイルシステムによってメモリカード
をフォーマッティングする時に、不良ブロックを考慮す
ることが困難であった。また、メモリカード検査時に行
われるテストデータパターンの書き込みなどによって、
チップ内に記憶されている初期不良情報が破壊されてし
まい、その初期不良情報を有効利用できない欠点があっ
た。
【００１３】この発明はこのような点に鑑みてなされた
もので、フラッシュＥＥＰＲＯＭの不良ブロック情報を
カード内に記憶しておくことにより、不良ブロックを考
慮したフォーマッティングを容易に行なうことができる
ＩＣメモリカードを提供することを目的とする。
【００１４】また、この発明は、フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍの出荷時にそのチップ内に記憶されている初期不良情
報を破壊せずに、それを有効利用したカード検査を行な
うことができるＩＣメモリカードの検査方法を提供する
ことを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段および作用】この発明は、
フラッシュＥＥＰＲＯＭから構成されるコモンメモリ
と、カード属性情報を格納するアトリビュートメモリと
を内蔵し、データ処理装置に着脱自在に装着されるＩＣ
メモリカードにおいて、前記フラッシュＥＥＰＲＯＭの
不良ブロックを示す不良情報を格納するための記憶領域
を前記アトリビュートメモリの一部に設けたことを特徴
とする。
【００１６】このＩＣメモリカードにおいては、フラッ
シュＥＥＰＲＯＭの不良ブロックを示す不良情報がカー
ド内に格納されている。このため、カードドライバやフ
ァイルシステムは、その不良情報に基づいてＩＣメモリ
カードのフォーマッティングを行なうことができる。
【００１７】また、アトリビュートメモリが不良情報の
格納に利用されているので、専用のメモリを設けること
無く、不良情報をカード内に記憶しておくことができ
る。したがって、不良ブロックを考慮したフォーマッテ
ィングを容易に行なうことができ、カードドライバやフ
ァイルシステムの負荷の低減を図ることができる。
【００１８】ＩＣメモリカードに記憶しておく不良情報
としては、フラッシュＥＥＰＲＯＭの初期不良情報を用
いることが好ましい。これにより、記憶信頼性の低いブ
ロックについても不良ブロックとして扱うことができ、
フォーマッティング後に消去／書き込みができないブロ
ックが直ぐに出現するといった不具合を防止できる。
【００１９】また、この発明は、フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍから構成されるコモンメモリと、カード属性情報を格
納するアトリビュートメモリとを内蔵し、データ処理装
置に着脱自在に装着されるＩＣメモリカードの検査方法
において、前記フラッシュＥＥＰＲＯＭに予め格納され
ている不良ブロックを示す初期不良情報を読み出して、
その初期不良情報を前記アトリビュートメモリの空き領
域に格納し、前記フラッシュＥＥＰＲＯＭの消去および
書き込み動作を検査し、その検査結果に従って前記アト
リビュートメモリの初期不良情報を更新し、前記更新さ
れた不良情報に従って前記フラッシュＥＥＰＲＯＭの不
良ブロックを示す不良ブロック情報を生成し、その不良
ブロック情報を前記カード属性情報の一部として前記ア
トリビュートメモリに格納することを特徴とする。
【００２０】この検査方法においては、フラッシュＥＥ
ＰＲＯＭの初期不良情報がアトリビュートメモリの空き
領域に格納された後に、テストデータパターンの書き込
みなどによるフラッシュＥＥＰＲＯＭの消去および書き
込み動作の検査が行われる。したがって、初期不良情報
を破壊すること無く、接触不良などのアセンブリの状態
を検査することできる。
【００２１】初期不良情報をカード内に保存しておくこ
とにより、多数のカードを一度に検査する場合などにお
いてもカード毎に初期不良情報を分類および管理する必
要がなくなり、検査工程の簡略化を図ることができる。
また、アトリビュートメモリの空き領域に格納された初
期不良情報は検査結果に基づいて不良ブロックの追加な
どの更新がなされるので、信頼性の高い不良ブロック情
報を得ることができる。さらに、メモリカードは、不良
ブロック情報がカード属性情報の一部としてアトリビュ
ートメモリに格納された状態で出荷されるので、不良ブ
ロック情報を利用したカードのフォーマッティングを行
うことも可能となる。
【００２２】
【実施例】以下、図面を参照してこの発明の実施例を説
明する。図１にはこの発明の一実施例に係わるＩＣメモ
リカードの構成が示されている。このメモリカード１０
は、例えばパーソナルコンピュータのカードスロットに
着脱自在に装着されてその外部記憶装置として使用され
るものであり、カード挿入端にはコネクタ１１が設けら
れている。
【００２３】コネクタ１１は、パーソナルコンピュータ
のカードスロットに設けられたコネクタと接続可能な、
例えばＰＣＭＣＩＡに準拠した６８ピンのピン配置を有
している。この６８ピンのピンは２ピースタイプのリセ
プタ型の電極構造を有しており、カードスロットに設け
られたプラグ型のコネクタに接続される。
【００２４】このコネクタ１１の６８ピンの中には、図
示のように、データ（Ｄ０〜Ｄ１５）入出力ピン、アド
レス（Ａ０〜Ａ２３）入力ピン、レディー／ビジー信号
（ＲＤＹ／ＢＳＹ）出力ピン、Ｉ／Ｏリード信号（ＩＯ
Ｒ）入力ピン、Ｉ／Ｏライト信号（ＩＯＷ）入力ピン、
カード検出信号（ＣＤ１，ＣＤ２）出力ピン、およびア
トリビュートメモリセレクト（ＲＥＧ）信号入力ピンな
どが定義されている。
【００２５】また、メモリカード１０には、コモンメモ
リ１２、アトリビュートメモリ１３、、および制御回路
１４が設けられている。コモンメモリ１２は、パーソナ
ルコンピュータから供給されるユーザデータなどを記憶
するための半導体メモリであり、複数のフラッシュＥＥ
ＰＲＯＭから構成されている。このコモンメモリ１２の
Ｉ／Ｏ端子（Ｉ／Ｏ）、制御信号端子（ＣＯＮＴ）は、
それぞれ制御回路１６に接続されている。
【００２６】このフラッシュＥＥＰＲＯＭにおいては、
書き込みや消去を行う際に扱うデータ量に最低単位が定
まっており、その単位分のデータが一括して扱われる。
例えば、１６ＭビットのＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲ
ＯＭの場合には、４Ｋバイトの消去ブロック単位で消去
動作が実行され、書き込みや読み出しについては２５６
バイトのページ単位で実行される。
【００２７】アトリビュートメモリ１３は、ＥＥＰＲＯ
Ｍなどから構成される不揮発性メモリであり、カード属
性情報を格納するためのタプルと称される第１記憶領域
１３ａと、初期不良情報を格納するための第２記憶領域
１３ｂから構成されており、第１記憶領域１３ａの内容
はユーザが自由にリードすることができる。
【００２８】第１記憶領域１３ａに格納されているカー
ド属性情報は、コモンメモリ１２のメモリの種類、メモ
リサイズ、アクセス速度等の情報と、カード１０の用途
（ディスクとして使用するか、メモリとして使用するか
など）に関する情報を含んでいる。
【００２９】さらに、このメモリカード１０において
は、コモンメモリ１２の不良ブロック情報もカード属性
情報の１つとして第１記憶領域１３ａに格納されてい
る。不良ブロック情報は、コモンメモリ１２を構成する
ＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭの複数の消去ブロッ
クのなかで消去や書き込みを正常に行うことができない
ブロックのブロック番号を示すものであり、この不良ブ
ロック情報はカード１０のフォーマッティングに利用さ
れる。
【００３０】第２記憶領域１３ｂの初期不良情報は、コ
モンメモリ１２を構成するＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰ
ＲＯＭに格納されている初期不良情報から生成されたも
のである。
【００３１】図２には、初期不良情報の一例が示されて
いる。前述したようにフラッシュＥＥＰＲＯＭの不良ブ
ロックにはマーキングがなされされており、例えば、ブ
ロック２、ブロック４が不良ブロックの場合には、図２
（ａ）に示されているように、ブロック２、ブロック４
にはデータ“１”が書き込まれ、正常なブロック１、ブ
ロック３、ブロック５、…にはデータ“１”が書き込ま
れている。
【００３２】この場合、アトリビュートメモリ１３の第
２記憶領域１３ｂには、図２（ａ）に示されているよう
に、初期不良情報としてデータ列“１０１０１１１…”
が格納される。このデータ列“１０１０１１１…”は不
良ブロックを“０”としてコード化したものであり、こ
のデータ列はブロック２とブロック４が不良であること
を示している。
【００３３】次に、図３を参照して、第１記憶領域１３
ａのタプルの内容を説明する。前述したように、タプル
には種々のカード属性情報が記述されているが、不良ブ
ロックに関する情報も図示のように記述されている。す
なわち、第１記憶領域１３ａには、不良ブロックに関す
る情報として、ブロック情報タプルコード、次タプルの
リンク、不良ブロックテーブルのサイズ、および不良ブ
ロックテーブルから構成されるタプルが保持されてい
る。
【００３４】不良ブロックテーブルは複数の不良ブロッ
クテーブルエントリを有しており、各エントリには不良
ブロックのブロックアドレスが格納されている。例え
ば、図４に示されているように、ブロックアドレス“０
００２ｈ”、“０１００ｈ”、“０１Ｆ５ｈ”、“０１
ＦＦｈ”の４つのブロックが不良ブロックの場合には、
不良ブロックテーブルには、図５に示されているよう
に、それら不良ブロックのアドレス“０００２ｈ”、
“０１００ｈ”、“０１Ｆ５ｈ”、“０１ＦＦｈ”が順
番に登録される。
【００３５】次に、図６および図７を参照して、ＮＡＮ
Ｄ型フラッシュＥＥＰＲＯＭを使用したＩＣメモリカー
ド１０の組み立て工程、特にカード検査の例を説明す
る。まず、ＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭが入荷さ
れ、そのＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯＭをカード１
０の基板に実装するアセンブリ作業が行われる（ステッ
プＳ１１，Ｓ１２）。
【００３６】入荷したＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍの不良ブロックにはデータ“０”が初期不良情報とし
て書き込まれている。メモリカード１０が組み立てられ
ると、そのカード１０が検査システムに取り付けられ、
検査プログラムを用いたチェックが行われる。このチェ
ックでは、まず、コモンメモリ１２を構成するフラッシ
ュＥＥＰＲＯＭがリードアクセスされ、各ブロックから
初期不良情報が読み出される（ステップＳ１３）。この
初期不良情報を読み出しが失敗した場合（スップＳ１
４）には、フラッシュＥＥＰＲＯＭの素子不良や、アセ
ンブリの接触不良などが発生していると判断され、部品
の半田付けのし直しや、フラッシュＥＥＰＲＯＭチップ
の交換などが行われる（ステップＳ１５）。
【００３７】初期不良情報の読み出しが成功すると（ス
テップＳ１３）、その初期不良情報がアトリビュートメ
モリ１３の第２記憶領域に書き込まれ、これによってア
トリビュートメモリ１３の第２記憶領域１３ｂには図２
（ｂ）のようなデータ列“１０１０１１１…”が保持さ
れる（ステップＳ１６）。
【００３８】この後、検査プログラムは、フラッシュＥ
ＥＰＲＯＭの消去および書き込みの検査を行ない、その
検査によって新たな不良ブロックを発見した場合には第
２記憶領域１３ｂの初期不良情報の更新を行なう（ステ
ップＳ１７）。この検査においては、フラッシュＥＥＰ
ＲＯＭの各ブロックの内容が消去された後、それらブロ
ックに対してテストデータパターンの書き込みが行われ
る。
【００３９】次いで、各ブロックからのデータ読み出し
が行われ、テストデータパターンとの一致の有無が調べ
られる。不一致の場合には、該当するブロックが不良ブ
ロックとなる。この検査によって例えばブロック１に新
たに不良が発見された場合には、第２記憶領域１３ｂの
データ列は“１０１０１１１…”から“００１０１１
０”に書き替えられる。
【００４０】次いで、不良ブロックテーブルを含むタプ
ルが生成され、それが他のカード属性情報と共にアトリ
ビュートメモリ１３の第１記憶領域１３ａに格納される
（ステップＳ１８）。この場合、不良ブロックテーブル
は、第２記憶領域１３ｂのデータ列に従って生成され
る。
【００４１】この後、メモリカード１０は出荷され、ユ
ーザによってパーソナルコンピュータなどに装着されて
使用される。このメモリカード１０を使用する場合に
は、図７に示されているように、まず、フォーマットプ
ログラムによってメモリカード１０のフォーマッティン
グが行われる（ステップＳ２０）。このフォーマッティ
ングにおいては、アトリビュートメモリ１３の第１記憶
領域１３ａに格納されている不良ブロックテーブルが参
照され、正常なブロック群に連続したホストアドレスが
マッピングされる。
【００４２】そして、そのフォーマッティング情報およ
び不良ブロック情報はＮＡＮＤ型フラッシュＥＥＰＲＯ
Ｍの所定のブロックに書き込まれる。以降は、カードド
ライバの制御の下にカード１０に対するユーザデータの
リード／ライト、および不良ブロックの管理が行われる
（ステップＳ２０）。
【００４３】以上説明したように、この実施例において
は、フラッシュＥＥＰＲＯＭの不良ブロックを示す不良
情報がカード１０内に格納されている。このため、カー
ドドライバなどは、その不良情報に基づいてＩＣメモリ
カード１０のフォーマッティングを行なうことができ
る。また、カード１０内に格納されている不良情報はフ
ラッシュＥＥＰＲＯＭの初期不良情報に基づいて生成さ
れたものであるので、その情報の信頼性は極めて高く、
フォーマッティング後に消去／書き込みができないブロ
ックが直ぐに出現するといった不具合を防止できる。
【００４４】さらに、カード１０の検査時においては、
フラッシュＥＥＰＲＯＭの初期不良情報がアトリビュー
トメモリ１３の第２記憶領域１３ｂに格納された後に、
テストデータパターンの書き込みなどによるフラッシュ
ＥＥＰＲＯＭの消去および書き込み動作の検査が行われ
る。したがって、初期不良情報を破壊すること無く、接
触不良などのアセンブリの状態や、メモリの動作テスト
を行なうことができる。
【００４５】
【発明の効果】以上詳記したように、この発明によれ
ば、不良ブロックを考慮したフォーマッティングを容易
に行なうことが可能となる。また、フラッシュＥＥＰＲ
ＯＭに記憶されている初期不良情報を破壊せずにそれを
有効利用したカード検査を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施例に係るメモリカードの構成
を示すブロック図。
【図２】同実施例のメモリカードに設けられたアトリビ
ュートメモリに格納される初期不良情報の一例を示す
図。
【図３】同実施例のメモリカードに設けられたアトリビ
ュートメモリに格納されるタプルの構造を示す図。
【図４】同実施例のメモリカードに設けられたフラッシ
ュＥＥＰＲＯＭの不良ブロックの発生位置の一例を示す
図。
【図５】図４のタプルに格納される不良ブロックテーダ
ルの一例を示す図。
【図６】同実施例のメモリカードを組たる場合の検査工
程を説明するフローチャート。
【図７】同実施例のメモリカードの出荷後に実行される
フォーマッティング動作を説明するためのフローチャー
ト。
【図８】従来のカード検査工程によって初期不良情報が
破壊される様子を示す図。
【符号の説明】
１０…メモリカード、１２…コモンメモリ、１３…アト
リビュートメモリ、１３ａ…第１記憶領域、１３ｂ…第
２記憶領域。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 フラッシュＥＥＰＲＯＭから構成される
    コモンメモリと、カード属性情報を格納するアトリビュ
    ートメモリとを内蔵し、データ処理装置に着脱自在に装
    着されるＩＣメモリカードにおいて、 前記フラッシュＥＥＰＲＯＭの不良ブロックを示す不良
    情報を格納するための記憶領域が前記アトリビュートメ
    モリの一部に設けられていることを特徴とするＩＣメモ
    リカード。
  2. 【請求項２】 前記不良情報は、前記フラッシュＥＥＰ
    ＲＯＭに予め書き込まれている不良ブロックを示す初期
    不良情報であることを特徴とする請求項１記載のＩＣメ
    モリカード。
  3. 【請求項３】 フラッシュＥＥＰＲＯＭから構成される
    コモンメモリと、カード属性情報を格納するアトリビュ
    ートメモリとを内蔵し、データ処理装置に着脱自在に装
    着されるＩＣメモリカードの検査方法において、 前記フラッシュＥＥＰＲＯＭに予め格納されている不良
    ブロックを示す初期不良情報を読み出して、その初期不
    良情報を前記アトリビュートメモリの空き領域に格納
    し、 前記フラッシュＥＥＰＲＯＭの消去および書き込み動作
    を検査し、 その検査結果に従って前記アトリビュートメモリの初期
    不良情報を更新し、 前記更新された不良情報に従って前記フラッシュＥＥＰ
    ＲＯＭの不良ブロックを示す不良ブロック情報を生成
    し、 その不良ブロック情報を前記カード属性情報の一部とし
    て前記アトリビュートメモリに格納することを特徴とす
    る検査方法。
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