JPH07302891A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPH07302891A JPH07302891A JP6094920A JP9492094A JPH07302891A JP H07302891 A JPH07302891 A JP H07302891A JP 6094920 A JP6094920 A JP 6094920A JP 9492094 A JP9492094 A JP 9492094A JP H07302891 A JPH07302891 A JP H07302891A
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- forming
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高集積化を可能にする。
【構成】 一導電型の半導体基板１に埋め込みチャネル
となる第１の不純物領域４を形成する工程と、第１の不
純物領域を覆うように半導体基板上に転送電極５を形成
する工程と、この転送電極をマスクにして半導体基板に
第２の不純物領域８を形成する工程と、を備えているこ
とを特徴とする。
となる第１の不純物領域４を形成する工程と、第１の不
純物領域を覆うように半導体基板上に転送電極５を形成
する工程と、この転送電極をマスクにして半導体基板に
第２の不純物領域８を形成する工程と、を備えているこ
とを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は固体撮像装置の製造方法
に関するものであり、特に高集積エリアセンサの不純物
領域の形成に使用されるものである。
に関するものであり、特に高集積エリアセンサの不純物
領域の形成に使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の固体撮像装置の構成を図４に示
す。この固体撮像装置は例えばｎ型の半導体基板１の主
表面にｐ型の不純物層２が形成され、ゲート絶縁膜３を
介して形成された例えばポリシリコン又は高融点金属シ
リサイドからなる転送電極５の下にはｎ型の埋め込みチ
ャネル部４および読出しゲート領域９となるｐ型の不純
物領域８が形成されている。そしてこの転送電極５によ
って覆われていない半導体基板１の領域には、ｎ型の不
純物領域１７が形成されているとともにこの不純物領域
１７上にｐ型の不純物領域１８が形成されている。ｎ型
の不純物領域１７はｐ型の不純物層２とともに埋め込み
フォトダイオードを構成する。そしてこの埋め込みフォ
トダイオードの一方の側にはこのフォトダイオードによ
って光電変換された信号電荷が読出される上記読出しゲ
ート領域９が隣接しており、読出された信号電荷は埋め
込みチャネル４に送出される。一方、フォトダイオード
の読出しゲート領域９とは反対の側には素子分離領域１
２となるｐ型の不純物領域１１が隣接するように形成さ
れている。そして転送電極５は絶縁膜６を介して光遮へ
い膜１６によって覆われている。
す。この固体撮像装置は例えばｎ型の半導体基板１の主
表面にｐ型の不純物層２が形成され、ゲート絶縁膜３を
介して形成された例えばポリシリコン又は高融点金属シ
リサイドからなる転送電極５の下にはｎ型の埋め込みチ
ャネル部４および読出しゲート領域９となるｐ型の不純
物領域８が形成されている。そしてこの転送電極５によ
って覆われていない半導体基板１の領域には、ｎ型の不
純物領域１７が形成されているとともにこの不純物領域
１７上にｐ型の不純物領域１８が形成されている。ｎ型
の不純物領域１７はｐ型の不純物層２とともに埋め込み
フォトダイオードを構成する。そしてこの埋め込みフォ
トダイオードの一方の側にはこのフォトダイオードによ
って光電変換された信号電荷が読出される上記読出しゲ
ート領域９が隣接しており、読出された信号電荷は埋め
込みチャネル４に送出される。一方、フォトダイオード
の読出しゲート領域９とは反対の側には素子分離領域１
２となるｐ型の不純物領域１１が隣接するように形成さ
れている。そして転送電極５は絶縁膜６を介して光遮へ
い膜１６によって覆われている。
【０００３】また、従来の固体撮像装置の他の構成を図
５に示す。この図５に示す固体撮像装置は図４に示す固
体撮像装置と異なり、読出しゲート領域９となるｐ型不
純物領域８が転送電極５下ではなく、光遮へい膜１６下
のｐ型不純物層２に設けられている。すなわち転送電極
５下には埋め込みチャネル４しか設けられていないた
め、フォトダイオードから読出しゲート領域９を介して
埋め込みチャネル４に信号電荷を移送する場合は光遮へ
い膜１６に移送パルスを印加すれば良く、図４に示す構
造の固体撮像装置に比べてダイナミックレンジを広くと
れる利点を有する。
５に示す。この図５に示す固体撮像装置は図４に示す固
体撮像装置と異なり、読出しゲート領域９となるｐ型不
純物領域８が転送電極５下ではなく、光遮へい膜１６下
のｐ型不純物層２に設けられている。すなわち転送電極
５下には埋め込みチャネル４しか設けられていないた
め、フォトダイオードから読出しゲート領域９を介して
埋め込みチャネル４に信号電荷を移送する場合は光遮へ
い膜１６に移送パルスを印加すれば良く、図４に示す構
造の固体撮像装置に比べてダイナミックレンジを広くと
れる利点を有する。
【０００４】これらの図４および図５に示す固体撮像装
置を製造する場合は、埋め込みチャネル４、素子分離領
域１２となる不純物領域１１、および読出しゲート領域
９となる不純物領域８はイオン注入法によって形成さ
れ、転送電極５や光遮へい膜１６とはノンセルフアライ
ンで独立に形成される。またフォトダイオードとなる不
純物領域１７およびｐ型不純物領域１８の読出しゲート
領域９側は転送電極５の端部および光遮へい膜１６の端
部とセルフアラインで形成されるが、素子分離領域１２
側は転送電極５に対してノンセルフアラインで形成され
る。
置を製造する場合は、埋め込みチャネル４、素子分離領
域１２となる不純物領域１１、および読出しゲート領域
９となる不純物領域８はイオン注入法によって形成さ
れ、転送電極５や光遮へい膜１６とはノンセルフアライ
ンで独立に形成される。またフォトダイオードとなる不
純物領域１７およびｐ型不純物領域１８の読出しゲート
領域９側は転送電極５の端部および光遮へい膜１６の端
部とセルフアラインで形成されるが、素子分離領域１２
側は転送電極５に対してノンセルフアラインで形成され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の固体
撮像装置の製造方法においては、読出しゲート領域９お
よび素子分離領域１２を構成する不純物領域８および１
１と、埋め込みチャネル４が転送電極５や光遮へい膜１
６とノンセルフアラインで形成されるため、これらの領
域を形成するためのパターン間の合せずれやパターン寸
法のバラツキを考慮して図５に示すようにΔ１〜Δ６ま
でのマージンを取る必要がある。ここでΔ１およびΔ２
は埋め込みチャネル４と転送電極５とのパターン間の合
せずれやパターン寸法のバラツキを示すマージンであ
り、Δ３は不純物領域８と転送電極５との間のマージン
であり、Δ４は不純物領域８と光遮へい膜１６の端部と
のマージンであり、Δ５は光遮へい膜１６の端部と不純
物領域１１とのマージンであり、Δ６は不純物領域１１
と転送電極５とのマージンである。
撮像装置の製造方法においては、読出しゲート領域９お
よび素子分離領域１２を構成する不純物領域８および１
１と、埋め込みチャネル４が転送電極５や光遮へい膜１
６とノンセルフアラインで形成されるため、これらの領
域を形成するためのパターン間の合せずれやパターン寸
法のバラツキを考慮して図５に示すようにΔ１〜Δ６ま
でのマージンを取る必要がある。ここでΔ１およびΔ２
は埋め込みチャネル４と転送電極５とのパターン間の合
せずれやパターン寸法のバラツキを示すマージンであ
り、Δ３は不純物領域８と転送電極５との間のマージン
であり、Δ４は不純物領域８と光遮へい膜１６の端部と
のマージンであり、Δ５は光遮へい膜１６の端部と不純
物領域１１とのマージンであり、Δ６は不純物領域１１
と転送電極５とのマージンである。
【０００６】そして、これらのマージンは各々０．２μ
ｍ程度になるのでこれらのマージンを考慮しただけで水
平方向のピッチの内の１．２μｍ程度を占めてしまい、
高集積化の際に大きな障害となる問題があった。
ｍ程度になるのでこれらのマージンを考慮しただけで水
平方向のピッチの内の１．２μｍ程度を占めてしまい、
高集積化の際に大きな障害となる問題があった。
【０００７】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、高集積化することのできる固体撮像装置の製
造方法を提供することを目的とする。
であって、高集積化することのできる固体撮像装置の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】第１の発明による固体撮
像装置の製造方法によれば、一導電型の半導体基板に埋
め込みチャネルとなる第１の不純物領域を形成する工程
と、第１の不純物領域を覆うように前記半導体基板上に
転送電極を形成する工程と、この転送電極をマスクにし
て前記半導体基板に第２の不純物領域を形成する工程
と、を備えていることを特徴とする。
像装置の製造方法によれば、一導電型の半導体基板に埋
め込みチャネルとなる第１の不純物領域を形成する工程
と、第１の不純物領域を覆うように前記半導体基板上に
転送電極を形成する工程と、この転送電極をマスクにし
て前記半導体基板に第２の不純物領域を形成する工程
と、を備えていることを特徴とする。
【０００９】また第２の発明による製造方法は第１の発
明の製造方法において、フォトレジストのマスクを形成
し、このフォトレジストのマスクと、転送電極に隣接し
て形成されている他の転送電極の端部をマスクにして素
子分離領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、
転送電極および他の転送電極を絶縁膜を介して各々覆う
ように光遮へい膜となる読出しゲート電極を形成する工
程と、この読出しゲート電極をマスクにして半導体基板
にフォトダイオードを構成する第４の不純物領域を形成
する工程と、を備えていることを特徴とする。
明の製造方法において、フォトレジストのマスクを形成
し、このフォトレジストのマスクと、転送電極に隣接し
て形成されている他の転送電極の端部をマスクにして素
子分離領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、
転送電極および他の転送電極を絶縁膜を介して各々覆う
ように光遮へい膜となる読出しゲート電極を形成する工
程と、この読出しゲート電極をマスクにして半導体基板
にフォトダイオードを構成する第４の不純物領域を形成
する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１０】また第３の発明による製造方法は第１の発
明の製造方法において、フォトレジストのマスクを形成
し、このフォトレジストのマスクと、転送電極に隣接し
て形成されている他の転送電極の端部をマスクにして素
子分離領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、
転送電極および他の転送電極の各々に読出しゲート電極
となる側壁を形成し、この側壁をマスクにしてフォトダ
イオードを構成する第４の不純物領域を形成する工程
と、を備えていることを特徴とする。
明の製造方法において、フォトレジストのマスクを形成
し、このフォトレジストのマスクと、転送電極に隣接し
て形成されている他の転送電極の端部をマスクにして素
子分離領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、
転送電極および他の転送電極の各々に読出しゲート電極
となる側壁を形成し、この側壁をマスクにしてフォトダ
イオードを構成する第４の不純物領域を形成する工程
と、を備えていることを特徴とする。
【００１１】また第４の発明による製造方法は第１の発
明の製造方法において、転送電極を絶縁膜を介して覆う
光遮へい膜となる読出しゲート電極を形成する工程と、
この読出しゲート電極をマスクにして半導体基板にフォ
トダイオードとなる第４の不純物領域を形成する工程
と、この第４の不純物領域とは反対の導電型の不純物
を、注入角度を傾けてイオン注入し、第５の不純物領域
を前記第４の不純物領域上に形成する工程と、を備えて
いることを特徴とする。
明の製造方法において、転送電極を絶縁膜を介して覆う
光遮へい膜となる読出しゲート電極を形成する工程と、
この読出しゲート電極をマスクにして半導体基板にフォ
トダイオードとなる第４の不純物領域を形成する工程
と、この第４の不純物領域とは反対の導電型の不純物
を、注入角度を傾けてイオン注入し、第５の不純物領域
を前記第４の不純物領域上に形成する工程と、を備えて
いることを特徴とする。
【００１２】
【作用】このように構成された第１の発明の製造方法に
よれば、第２の不純物領域が転送電極をマスクにしてセ
ルフアライメントに形成され、これにより、パターン間
の合せずれや、パターン寸法間のバラツキを考慮する必
要がなくなり、高集積化を図ることができる。
よれば、第２の不純物領域が転送電極をマスクにしてセ
ルフアライメントに形成され、これにより、パターン間
の合せずれや、パターン寸法間のバラツキを考慮する必
要がなくなり、高集積化を図ることができる。
【００１３】また、上述のように構成された第２の発明
の製造方法によれば、素子分離領域となる第３の不純物
領域がフォトレジストのマスクと、他の転送電極の端部
とをマスクにしてセルフアライメントに形成され、フォ
トダイオードとなる第４の不純物領域が読出しゲート電
極をマスクにしてセルフアライメントに形成される。こ
れによりパターン間の合せずれやパターン寸法間のバラ
ツキを考慮する必要がなくなり、高集積化を図ることが
できる。
の製造方法によれば、素子分離領域となる第３の不純物
領域がフォトレジストのマスクと、他の転送電極の端部
とをマスクにしてセルフアライメントに形成され、フォ
トダイオードとなる第４の不純物領域が読出しゲート電
極をマスクにしてセルフアライメントに形成される。こ
れによりパターン間の合せずれやパターン寸法間のバラ
ツキを考慮する必要がなくなり、高集積化を図ることが
できる。
【００１４】また、上述のように構成された第３の発明
の製造方法によれば、素子分離領域となる第３の不純物
領域がフォトレジストのマスクと他の転送電極の端部と
をマスクにしてセルフアライメントに形成され、フォト
ダイオードとなる第４の不純物領域が転送電極の側壁お
よび隣接する他の転送電極の側壁をマスクにしてセルフ
アライメントに形成される。これにより、パターン間の
合せずれやパターン寸法間のバラツキを考慮する必要が
なくなり、高集積化を図ることができる。
の製造方法によれば、素子分離領域となる第３の不純物
領域がフォトレジストのマスクと他の転送電極の端部と
をマスクにしてセルフアライメントに形成され、フォト
ダイオードとなる第４の不純物領域が転送電極の側壁お
よび隣接する他の転送電極の側壁をマスクにしてセルフ
アライメントに形成される。これにより、パターン間の
合せずれやパターン寸法間のバラツキを考慮する必要が
なくなり、高集積化を図ることができる。
【００１５】また上述のように構成された第４の発明の
製造方法によれば、フォトダイオードとなる第４の不純
物領域が読出しゲート電極をマスクにしてセルフアライ
メントに形成されることによりパターン間の合せずれや
パターン寸法間のバラツキを考慮する必要がなくなり、
高集積化を図ることができる。更に第５の不純物領域が
注入角度を傾けてイオン注入されて第４の不純物領域上
に形成されることにより電位井戸の差をつけることが可
能となり、素子分離領域のための不純物領域を形成する
必要がなくなる。
製造方法によれば、フォトダイオードとなる第４の不純
物領域が読出しゲート電極をマスクにしてセルフアライ
メントに形成されることによりパターン間の合せずれや
パターン寸法間のバラツキを考慮する必要がなくなり、
高集積化を図ることができる。更に第５の不純物領域が
注入角度を傾けてイオン注入されて第４の不純物領域上
に形成されることにより電位井戸の差をつけることが可
能となり、素子分離領域のための不純物領域を形成する
必要がなくなる。
【００１６】
【実施例】本発明による固体撮像装置の製造方法の一実
施例を図１を参照して説明する。まず、例えばｎ型の半
導体基板１の主表面にｐ型不純物を注入してｐ型の不純
物層２を形成し、続いて熱酸化することによってゲート
絶縁膜３を形成する（図１（ａ）参照）。その後、ｎ型
の不純物（Ａｓまたはｐ）を例えばドーズ量１０12ｃｍ
-2でイオン注入して埋め込みチャネル層４を形成する
（図１（ａ）参照）。次に例えばポリシリコン又は高融
点金属シリサイドを堆積し、パターニングすることによ
って転送電極５を形成し、続いて８００℃でウェット酸
化することによって転送電極５を覆う絶縁膜６を形成す
る（図１（ｂ）参照）。このときゲート絶縁膜３はあま
り成長しない。その後、転送電極５および絶縁膜６をマ
スクにしてｐ型の不純物（Ｂ）を加速電圧１００〜２０
０ＫｅＶ、ドーズ量１０12ｃｍ-2でイオン注入し読出し
ゲート領域９のｐ型不純物領域８（以下、ｐ- 領域８と
もいう）を形成する（図１（ｂ）参照）。
施例を図１を参照して説明する。まず、例えばｎ型の半
導体基板１の主表面にｐ型不純物を注入してｐ型の不純
物層２を形成し、続いて熱酸化することによってゲート
絶縁膜３を形成する（図１（ａ）参照）。その後、ｎ型
の不純物（Ａｓまたはｐ）を例えばドーズ量１０12ｃｍ
-2でイオン注入して埋め込みチャネル層４を形成する
（図１（ａ）参照）。次に例えばポリシリコン又は高融
点金属シリサイドを堆積し、パターニングすることによ
って転送電極５を形成し、続いて８００℃でウェット酸
化することによって転送電極５を覆う絶縁膜６を形成す
る（図１（ｂ）参照）。このときゲート絶縁膜３はあま
り成長しない。その後、転送電極５および絶縁膜６をマ
スクにしてｐ型の不純物（Ｂ）を加速電圧１００〜２０
０ＫｅＶ、ドーズ量１０12ｃｍ-2でイオン注入し読出し
ゲート領域９のｐ型不純物領域８（以下、ｐ- 領域８と
もいう）を形成する（図１（ｂ）参照）。
【００１７】次にフォトレジスト層１０を形成し、この
フォトレジスト層１０をパターニングすることによって
素子分離領域１２を形成するためのマスク１０を形成
し、このマスク１０と転送電極５との端部をマスクにし
てｐ型不純物を加速電圧１００ＫｅＶ、ドーズ量１０13
ｃｍ-2の条件でイオン注入し、素子分離領域１２のｐ型
不純物領域１１を形成する（図１（ｃ）参照）。そして
フォトレジストのマスク１０を除去した後、例えばアル
ミニウム等の金属層を転送電極５を覆うように形成し、
この金属層をパターニングすることによって光遮へい膜
１６を形成する（図１（ｄ）参照）。次にこの光遮へい
膜１６をマスクにしてｎ型不純物を加速電圧数百Ｋｅ
Ｖ、ドーズ量１０12ｃｍ-2の条件でイオン注入し、埋め
込みフォトダイオードのｎ+ 不純物領域１７を形成する
（図１（ｄ）参照）。続いて、同様に光遮へい膜１６を
マスクにしてｐ型不純物を加速電圧数十ＫｅＶ、ドーズ
量１０14ｃｍ-2の条件でイオン注入することによりｎ+
不純物領域１７上にｐ+ 不純物領域１８を形成する（図
１（ｅ）参照）。このときｐ+ 不純物領域１８の濃度は
ｎ+ 不純物領域１７、素子分離領域１２のｐ型不純物領
域１１、読出しゲート領域８のｐ- 不純物領域の各々の
濃度に比べ約２〜３桁高いため、ほぼ均一なｐ+不純物
領域が形成され、固体撮像装置が形成される。
フォトレジスト層１０をパターニングすることによって
素子分離領域１２を形成するためのマスク１０を形成
し、このマスク１０と転送電極５との端部をマスクにし
てｐ型不純物を加速電圧１００ＫｅＶ、ドーズ量１０13
ｃｍ-2の条件でイオン注入し、素子分離領域１２のｐ型
不純物領域１１を形成する（図１（ｃ）参照）。そして
フォトレジストのマスク１０を除去した後、例えばアル
ミニウム等の金属層を転送電極５を覆うように形成し、
この金属層をパターニングすることによって光遮へい膜
１６を形成する（図１（ｄ）参照）。次にこの光遮へい
膜１６をマスクにしてｎ型不純物を加速電圧数百Ｋｅ
Ｖ、ドーズ量１０12ｃｍ-2の条件でイオン注入し、埋め
込みフォトダイオードのｎ+ 不純物領域１７を形成する
（図１（ｄ）参照）。続いて、同様に光遮へい膜１６を
マスクにしてｐ型不純物を加速電圧数十ＫｅＶ、ドーズ
量１０14ｃｍ-2の条件でイオン注入することによりｎ+
不純物領域１７上にｐ+ 不純物領域１８を形成する（図
１（ｅ）参照）。このときｐ+ 不純物領域１８の濃度は
ｎ+ 不純物領域１７、素子分離領域１２のｐ型不純物領
域１１、読出しゲート領域８のｐ- 不純物領域の各々の
濃度に比べ約２〜３桁高いため、ほぼ均一なｐ+不純物
領域が形成され、固体撮像装置が形成される。
【００１８】以上説明したように、本実施例によれば素
子分離領域１２、読出しゲート領域の不純物領域８，１
１が転送電極５および光遮へい膜１６の端部とセルフア
ラインによって形成されていること、埋め込みチャネル
４が転送電極５の両端とセルフアラインによって形成さ
れていること、埋め込みフォトダイオードの不純物領域
１７，１８が光遮へい膜の端部とセルフアラインによっ
て形成されていることにより、パターン間の合せずれ
や、パターン寸法のバラツキを考慮する必要がなく、こ
れにより高集積化することができる。
子分離領域１２、読出しゲート領域の不純物領域８，１
１が転送電極５および光遮へい膜１６の端部とセルフア
ラインによって形成されていること、埋め込みチャネル
４が転送電極５の両端とセルフアラインによって形成さ
れていること、埋め込みフォトダイオードの不純物領域
１７，１８が光遮へい膜の端部とセルフアラインによっ
て形成されていることにより、パターン間の合せずれ
や、パターン寸法のバラツキを考慮する必要がなく、こ
れにより高集積化することができる。
【００１９】なお、上記実施例においては、ゲート絶縁
膜３の形成は埋め込みチャネル４の形成前に行ったが、
埋め込みチャネル４の形成後でも良い。
膜３の形成は埋め込みチャネル４の形成前に行ったが、
埋め込みチャネル４の形成後でも良い。
【００２０】また、転送電極５を覆う絶縁膜６の形成は
ｐ- 不純物領域８の形成前に行っていたが、ｐ- 不純物
領域８や、ｐ型不純物領域１１の形成後に行っても良
い。
ｐ- 不純物領域８の形成前に行っていたが、ｐ- 不純物
領域８や、ｐ型不純物領域１１の形成後に行っても良
い。
【００２１】また、上記実施例においては図１（ａ）に
示すように基板１の全面に埋め込みチャネル４を形成し
たが転送電極５が形成される領域下にのみ形成しても良
い。
示すように基板１の全面に埋め込みチャネル４を形成し
たが転送電極５が形成される領域下にのみ形成しても良
い。
【００２２】また、同様に図１（ｂ）に示すｐ- 不純物
領域８も読出しゲート領域下にのみ形成しても良い。
領域８も読出しゲート領域下にのみ形成しても良い。
【００２３】なお、上記実施例においては、素子分離の
ためにｐ型不純物領域１１を図１（ｃ）に示すように形
成したが、このｐ型不純物領域１１の形成を行わないよ
うにすることもできる。この場合、図１（ｂ）に示す工
程の終了後、図１（ｄ）に示す埋め込みフォトダイオー
ドのｎ+ 不純物領域１７を形成し、続いて図２に示すよ
うにｐ型の不純物のイオン注入方向を素子分離領域１２
側に喰い込むように傾けてイオン注入し、電位井戸の差
を付けるようにすれば良い。
ためにｐ型不純物領域１１を図１（ｃ）に示すように形
成したが、このｐ型不純物領域１１の形成を行わないよ
うにすることもできる。この場合、図１（ｂ）に示す工
程の終了後、図１（ｄ）に示す埋め込みフォトダイオー
ドのｎ+ 不純物領域１７を形成し、続いて図２に示すよ
うにｐ型の不純物のイオン注入方向を素子分離領域１２
側に喰い込むように傾けてイオン注入し、電位井戸の差
を付けるようにすれば良い。
【００２４】また、上記実施例においては光遮へい膜１
６を読出しゲート電極を兼ねるように形成したが、図３
に示すように読出しゲート電極１４と光遮へい膜１６と
を別々に形成しても良い。図３に示す固体撮像装置の製
造方法は、図１（ｃ）に示す工程によってｐ型不純物層
１１を形成した後、レジストのパターン１０を除去し、
例えばポリシリコンからなる層１４を全面に形成し、異
方性エッチングを用いてポリシリコン層１４をエッチン
グすることによって転送電極５の側壁１４を形成し、こ
の側壁１４が読出しゲート電極となる。そしてこの読出
しゲート電極１４をマスクにして埋め込みフォトダイオ
ードのｎ+ 不純物領域１７およびｐ+ 不純物領域１８を
形成した後、光遮へい膜１６を形成すれば良い。
６を読出しゲート電極を兼ねるように形成したが、図３
に示すように読出しゲート電極１４と光遮へい膜１６と
を別々に形成しても良い。図３に示す固体撮像装置の製
造方法は、図１（ｃ）に示す工程によってｐ型不純物層
１１を形成した後、レジストのパターン１０を除去し、
例えばポリシリコンからなる層１４を全面に形成し、異
方性エッチングを用いてポリシリコン層１４をエッチン
グすることによって転送電極５の側壁１４を形成し、こ
の側壁１４が読出しゲート電極となる。そしてこの読出
しゲート電極１４をマスクにして埋め込みフォトダイオ
ードのｎ+ 不純物領域１７およびｐ+ 不純物領域１８を
形成した後、光遮へい膜１６を形成すれば良い。
【００２５】この図３に示す固体撮像装置においては、
読出しゲート領域の長さおよび素子分離領域の長さは転
送電極５の側壁１４の幅で決まり、転送電極５の寸法の
バラツキや合せずれの影響を受けない。これにより高集
積化を図ることができる。
読出しゲート領域の長さおよび素子分離領域の長さは転
送電極５の側壁１４の幅で決まり、転送電極５の寸法の
バラツキや合せずれの影響を受けない。これにより高集
積化を図ることができる。
【００２６】なお、上記実施例においてはｎ型基板１に
ｐ型不純物領域２を形成し、このｐ型不純物領域２内に
埋め込みチャネル４等を形成したがｐ型基板に埋め込み
チャネル４等を形成しても良い。
ｐ型不純物領域２を形成し、このｐ型不純物領域２内に
埋め込みチャネル４等を形成したがｐ型基板に埋め込み
チャネル４等を形成しても良い。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば読
み出しゲート領域の不純物領域、素子分離領域の不純物
領域、埋め込みチャネルの不純物領域が転送電極や、光
遮へい膜の端部とセルフアラインで形成されるため、パ
ターン間の合せずれや、パターン寸法のバラツキを考慮
する必要がなく、高集積化を図ることができる。
み出しゲート領域の不純物領域、素子分離領域の不純物
領域、埋め込みチャネルの不純物領域が転送電極や、光
遮へい膜の端部とセルフアラインで形成されるため、パ
ターン間の合せずれや、パターン寸法のバラツキを考慮
する必要がなく、高集積化を図ることができる。
【図１】本発明による固体撮像装置の製造方法の一実施
例の製造工程を示す工程断面図。
例の製造工程を示す工程断面図。
【図２】図１に示す実施例の変形例を示す工程断面図。
【図３】図１に示す実施例の他の変形例を示す工程断面
図。
図。
【図４】従来の製造方法によって製造された固体撮像装
置の断面図。
置の断面図。
【図５】従来の製造方法によって製造された他の固体撮
像装置の断面図。
像装置の断面図。
１ ｎ型半導体基板 ２ ｐ型不純物領域 ３ ゲート絶縁膜 ４ 埋め込みチャネル ５ 転送電極 ６ 絶縁膜 ８ ｐ- 不純物領域 １０ フォトレジストパターン １１ ｐ不純物領域 １７ フォトダイオードのｎ+ 不純物領域 １８ ｐ+ 不純物領域
Claims (13)
- 【請求項１】一導電型の半導体基板に埋め込みチャネル
となる第１の不純物領域を形成する工程と、 前記第１の不純物領域を覆うように前記半導体基板上に
転送電極を形成する工程と、 この転送電極をマスクにして前記半導体基板に第２の不
純物領域を形成する工程と、 を備えていることを特徴とする固体撮像装置の製造方
法。 - 【請求項２】フォトレジストのマスクを形成し、このフ
ォトレジストのマスクと、前記転送電極に隣接して形成
されている他の転送電極の端部をマスクにして素子分離
領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、 前記転送電極および他の転送電極を絶縁膜を介して各々
覆うように光遮へい膜となる読出しゲート電極を形成す
る工程と、 この読出しゲート電極をマスクにして前記半導体基板に
フォトダイオードを構成する第４の不純物領域を形成す
る工程と、 を備えていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項３】フォトレジストのマスクを形成し、このフ
ォトレジストのマスクと、前記転送電極に隣接して形成
されている他の転送電極の端部をマスクにして素子分離
領域となる第３の不純物領域を形成する工程と、 前記転送電極および他の転送電極の各々に読出しゲート
電極となる側壁を形成し、この側壁をマスクにしてフォ
トダイオードとなる第４の不純物領域を形成する工程
と、 を備えていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項４】前記転送電極を絶縁膜を介して覆う光遮へ
い膜となる読出しゲート電極を形成する工程と、 この読出しゲート電極をマスクにして前記半導体基板に
フォトダイオードを構成する第４の不純物領域を形成す
る工程と、 この第４の不純物領域とは反対の導電型の不純物を、注
入角度を傾けてイオン注入し、第５の不純物領域を前記
第４の不純物領域上に形成する工程と、 を備えていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像
装置の製造方法。 - 【請求項５】前記第１および第４の不純物領域は前記半
導体基板とは逆の導電型であり、前記第２および第３の
不純物領域は前記半導体基板と同じ導電型であることを
特徴とする請求項２または３に記載の固体撮像装置の製
造方法。 - 【請求項６】前記第１および第４の不純物領域は前記半
導体基板と逆の導電型であり、前記第２の不純物領域は
前記半導体基板と同じ導電型であることを特徴とする請
求項４記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項７】前記第１および第２の不純物領域は、前記
半導体基板に形成された、この半導体基板とは逆の導電
型の不純物領域に形成されることを特徴とする請求項１
記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項８】前記第１の不純物領域は前記半導体基板と
同じ導電型であり、前記第２の不純物領域は前記半導体
基板と逆導電型であることを特徴とする請求項７記載の
固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項９】前記第１乃至第４の不純物領域は、前記半
導体基板に形成された、この半導体基板とは逆導電型の
不純物領域に形成されることを特徴とする請求項２また
は３に記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１０】前記第１および第４の不純物領域は前記
半導体基板とは同じ導電型であり、前記第２および第３
の不純物領域は前記半導体基板とは逆の導電型であるこ
とを特徴とする請求項９記載の固体撮像装置の製造方
法。 - 【請求項１１】前記第１、第２、第４の不純物領域は前
記半導体基板に形成された、この半導体基板とは逆導電
型の不純物領域に形成されることを特徴とする請求項４
記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１２】前記第１および第４の不純物領域は前記
半導体基板と同じ導電型であり、前記第２の不純物領域
は前記半導体基板と逆導電型であることを特徴とする請
求項１１記載の固体撮像装置の製造方法。 - 【請求項１３】前記第１の不純物領域は前記半導体基板
と逆導電型であり、前記第２の不純物領域は前記半導体
基板と同じ導電型であることを特徴とする請求項１記載
の固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094920A JPH07302891A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6094920A JPH07302891A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07302891A true JPH07302891A (ja) | 1995-11-14 |
Family
ID=14123428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6094920A Pending JPH07302891A (ja) | 1994-05-09 | 1994-05-09 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07302891A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079825A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Sony Corporation | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の駆動方法 |
| US8587041B2 (en) | 2010-11-11 | 2013-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-05-09 JP JP6094920A patent/JPH07302891A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004079825A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Sony Corporation | 固体撮像素子及びその製造方法、並びに固体撮像素子の駆動方法 |
| EP1608023A1 (en) * | 2003-03-06 | 2005-12-21 | Sony Corporation | Solid state image sensing device and production method therefor, and method of driving solid state image sensing device |
| EP1608023A4 (en) * | 2003-03-06 | 2007-03-07 | Sony Corp | SOLID BODY IMAGE DETECTION DEVICE, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SOLID BODY IMAGE DETECTION DEVICE |
| US7473977B2 (en) | 2003-03-06 | 2009-01-06 | Sony Corporation | Method of driving solid state image sensing device |
| US7791118B2 (en) | 2003-03-06 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US7821093B2 (en) | 2003-03-06 | 2010-10-26 | Sony Corporation | Solid-state imaging device with biased light shielding film |
| US7928487B2 (en) | 2003-03-06 | 2011-04-19 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and driving method of solid-state imaging device |
| US7935563B2 (en) | 2003-03-06 | 2011-05-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and method for manufacturing thereof as well as driving method of solid-state imaging device |
| US8017984B2 (en) | 2003-03-06 | 2011-09-13 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US8598640B2 (en) | 2003-03-06 | 2013-12-03 | Sony Corporation | Solid-state imaging device |
| US8587041B2 (en) | 2010-11-11 | 2013-11-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Solid-state imaging device and method of manufacturing the same |
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