JPH07283338A - 電子デバイス・パッケージの形成方法 - Google Patents

電子デバイス・パッケージの形成方法

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JPH07283338A
JPH07283338A JP4174996A JP17499692A JPH07283338A JP H07283338 A JPH07283338 A JP H07283338A JP 4174996 A JP4174996 A JP 4174996A JP 17499692 A JP17499692 A JP 17499692A JP H07283338 A JPH07283338 A JP H07283338A
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JP
Japan
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metal layer
layer
electronic device
recess
holes
Prior art date
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Pending
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JP4174996A
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English (en)
Inventor
Charles Cohn
コ−ン チャ−ルズ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
AT&T Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、カプセルに封じ込められた電子デ
バイスにヒート・シンクを持つパッケージを作成する方
法を提供する。 【構成】 本発明の方法は、金属被膜を施された外側プ
ラスチック層と、高熱伝導性の金属層と、これらの層の
間に配置されたプラスチック層とを有し、上記金属層が
前記中間プラスチック層の材料で構成されたプラグで充
填された遊隙孔、デバイス中に形成されたＰＴＨ（めっ
きスルー・ホール）とこのＰＴＨ中に固定された端子ピ
ンを有する。これらＰＴＨの幾つかが前記金属層と接合
する状態で、また幾つかが前記金属層とは非接合状態
で、前記遊隙孔中のプラグを貫通する。電子デバイスが
前記積層本体中の前記凹部内に装着され、メタル・ヒー
ト・シンクと接続される。かくして前記電子デバイスか
らの熱が前記ヒート・シンクに伝わり、前記ヒート・シ
ンクと接合している端子ピンを通じて放熱される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、放熱部材を備えている
プラスチック・ピン・グリッド・アレイ・パッケージの
作製に関する。
【０００２】
【従来の技術】集積回路（ＩＣ）チップは、パッケージ
のコストを導体パターンに比して安価にするため、プラ
スチック・パッケージ中に装着されている。プラスチッ
ク・パッケージは、導体パターンに比してＩＣチップの
動作に重要な幾つかの利点、即ち、低い値のインダクタ
ンス及びキャパシタンスと共に、高い電流容量及び短い
動作遅延時間が得られる低い誘電定数を有するが、しか
し、プラスチック・パッケージで経験される概ね低い熱
放散が問題となる。この問題は、ＩＣチップをプラスチ
ック・パッケージ内に装着し、それによってこの装着さ
れたＩＣチップの周囲を別のプラスチック材料でモール
ド成型するカプセル封着技術によってしばしば悪化す
る。パッケージから効率的に放熱する必要性が、高い集
積度及び高い出力密度を持つ更に複雑なＩＣチップが出
現するとともに、益々高くなっている。むしろ、丹念に
工夫されたヒート・シンク方法が、熱放散を増大し、そ
の結果ＩＣチップの温度をその設計動作限界内に維持す
るための手段として現在普通にプラスチック・パッケー
ジに使用されている。
【０００３】ヒート・シンクを持つプラスチック・ピン
・グリッド・アレイ集積回路パッケージの一例が、１９
８６年１０月２１日にポール・アール・テオバルド（Ｐ
ａｕｌ Ｒ． Ｔｈｅｏｂａｌｄ）氏に与えられた米国特
許第４，６１８，７３９号に開示されている。しかし、
そのパッケージは、別々に作られた幾つかの小ユニット
から作製され、これらの小ユニットには、下準備し単一
のパケージに組立てるために多くの処理ステップが必要
である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、カプセルに封じ込められている電子デバイスの熱を
効果的に放熱し、且つ、大量生産方式で構成し生産する
のに簡単であり、その一方ではパケージの組立て処理中
に複雑なヒート・シンク技術を何ら必要としないプラス
チック・ピン・グリッド・アレイ・パッケージを提供す
ることである。
【０００５】 Ｐ／１、Ｌ／２８
【課題を解決するための手段】本発明は、金属被膜を施
された外側プラスチック層、高い熱伝導率を持つ金属
層、及び上記外側プラスチック層と金属層との中間に配
置されたプラスチック層を包含し、上記金属層に上記中
間プラスチック層の材料によるプラグで充填された遊隙
孔が形成されている積層平板状本体を作製し、この平板
状本体中に上記遊隙孔内の上記プラグを貫通する複数個
のめっきスルー・ホール（ＰＴＨ）を形成し、この平板
状本体中に上記金属層の一部が底面として作用する凹部
を形成し、上記めっきスルー・ホール中に端子ピンを配
置し、上記凹部の周囲にカプセル保持壁を付設し、ＩＣ
チップのような電子デバイスを上記凹部内に上記金属層
と接触させて付設し、この電子デバイスを導体と端子ピ
ンとに導電接続し、この電子デバイスを機械的に保護し
且つ環境的に保護するためにプラスチック・カプセルに
封じ込めることによって、上記問題を効果的に緩和する
方法を提供する。
【０００６】
【作用】上記金属層は、熱をパッケージの背面を通し、
この金属層と接続している端子ピンを通して放熱するヒ
ート・シンクとして働く。本発明の方法は、ヒート・シ
ンクを提供する簡単で効果的な方法であり、熱を電子デ
バイスから、この電子デバイスの上記メタル・ヒート・
シンクとの直接接触を通じ、且つ、この電子デバイスの
幾つかのめっきスルー・ホール及び端子ピンを通じて、
効果的に放熱する方法である。本発明による積層平板状
本体は大量生産に適している。
【０００７】
【実施例】本発明は、カプセルに封じ込められているＩ
Ｃチップから熱を効率的に放熱し、大量生産に適するプ
ラスチック・ピン・グリッド・アレイ・パッケージを作
製するための方法である。この熱は、ＩＣチップから印
刷配線板（ＰＷＢ）中に一体的に形成されているメタル
・ヒート・シンクへ伝えられ、パッケージの内部から上
記と接している端子ピンによって放熱されるかまたはこ
のパッケージの背面を通じて放熱され、或いはまたそれ
ら双方の作用を受ける。このＰＰＧＡパッケージは敵対
的な環境及び取扱いから集積回路（ＩＣ）デバイス（Ｉ
Ｃチップ即ちダイ）を保護し、その一方で、同時にこの
電子デバイスと印刷配線板との相互接続及び効果的な放
熱を行う。
【０００８】図１及び図２は、それぞれ、一例としての
ＰＰＧＡパッケージ１の斜視図及び断面図である。ＰＰ
ＧＡパッケージ１は、印刷配線板（ＰＷＢ）２、金属端
子ピン３、ＩＣデバイス４、カプセル保持壁５、及び電
子デバイスをカプセルに封じ込める合成有機重合体（以
下、プラスチックと言う）６を包含している。印刷配線
板２の上部、底部及び内部には、それぞれ、多数の金属
被膜導体７、８、９が配置されている。この印刷配線板
２を横断する多数のめっきスルー・ホール（ＰＴＨ）１
０が、端子ピン３を挿入し且つ印刷配線板２の種々レベ
ルの導体層を相互接続するために設けられている。端子
ピン３は、ＩＣデバイス４が嵌め込まれている印刷配線
板２の面の上方へ突出させるか、或いはまた（図７に示
すように）印刷配線板２の底部から突出させることがで
きる。ワイヤー１１は、ＩＣデバイス４上の相互接続端
子領域１２を印刷配線板２上の金属被膜導体７と相互に
接続している。
【０００９】一実施例では、印刷配線板２は上部プラス
チック板１５、金属製ヒート・シンク１６、底部プラス
チック板１７及びプラスチック接合層１８を包含してい
る。前もって形成された遊隙孔１９が、端子ピン３がヒ
ート・シンク１６と電気接続を為すこと無く印刷配線板
２を貫通することができるようにヒート・シンク１６中
の選ばれた位置に設けられている。遊隙孔１９は、プラ
スチック接合層１８と同一の材料によるプラグ２０で充
填されている。端子ピン３とヒート・シンク１６との間
に電気接続が必要とされる側には遊隙孔は設けられてい
ない。
【００１０】端子ピン３とＩＣデバイス４とを組み立て
ることが可能な形態に印刷配線板２を作成する方法は、
概ね、以下に記述するようにして行うことができる。
【００１１】ヒート・シンク１６を包含している印刷配
線板２の平板状本体中に接合されるべき材料の層は、図
３に描かれている展開図に示されるように、事前組立体
２１に組立てられる。これらの層は、単に一個のパッケ
ージを作成するのに十分な大きさか、または一回の操作
で幾つかのパッケージを作成するのに使用されるような
広さを持つことができる。後者の例では、それら層の大
きさは印刷配線板２を形成する一重ねの層を積層するこ
とができる積層プレス機の大きさによってのみ制約され
る。或いはまた、事前組立体２１を長尺ストリップの形
ちとして積層プレス機を通ってリールからリールへ巻き
取るようにし、その結果、事前組立体２１が積層プレス
機中で連続的に積層されるようにすることができる。
【００１２】事前組立体２１は「Ｃ」段階ＰＷＢ材料を
持つ上部プラスチック板１５と底部プラスチック板１
７、これら外側の上部プラスチック板１５と底部プラス
チック板１７との間に置かれている高い熱伝導率を持つ
ヒート・シンク１６、及びヒート・シンク１６と外側の
上部プラスチック板１５及び底部プラスチック板１７と
の間に配置された、「Ｂ」段階材料（「プレプレッグ」
とも呼ばれる）を持つプラスチック接合層１８を包含し
ている。ヒート・シンク１６には遊隙孔１９が前もって
形成されている。これら遊隙孔１９は、この遊隙孔１９
を貫通するＰＴＨ１０がヒート・シンク１６から電気的
に絶縁され、従ってそのＰＴＨ１０内の端子ピンもまた
ヒート・シンク１６から電気的に絶縁されるように、設
けられている。この段階では、上部プラスチック板１５
及び底部プラスチック板１７がそれぞれ一様な外側金属
被膜２２及び２３と、内側のパターンに形成された金属
被膜９を有することが好ましい。
【００１３】続いて、事前組立体２１が積層プレス機
（図示せず）中に配置され、その中で圧力と熱を加えら
れる。その圧力と温度は、各層を一体に接合し、ヒート
・シンク１６の遊隙孔１９中の上記熱硬化性材料の幾ら
かをプラグ２０に形成させるのに十分なものに選ばれ
る。同時に熱と圧力を印加することによって、上記熱硬
化性材料の硬化が完了し、図４に示される積層印刷配線
板２が得られる。温度及び熱を印加する期間は、印刷配
線板２に損傷を起こすこと無く接合材料を硬化するよう
に選ばれる。
【００１４】このようにして形成された積層印刷配線板
２が、続いてＰＴＨ１０の形成に充てられる。ＰＴＨ１
０の形成は、例えばドリル加工または打抜き加工によっ
て、印刷配線板２を貫通する穴を、ヒート・シンク１６
中のプラグ２０を貫通する穴を含めて形成し、これらの
穴の壁面にこれらＰＴＨ１０を形成することとなるめっ
きを行うことによって達成される（図５参照）。ＰＴＨ
１０の形成に続いて、例えばエッチング加工によって、
金属被膜２２及び２３に所望形状の導電パターンが形成
される。その後、中央に位置している凹部２５が、印刷
配線板２の上部プラスチック板１５中にプラスチック接
合層１８の近傍にまで達するか、或いは印刷配線板２の
ヒート・シンクを形成する金属層の上面よりも下位置に
までさえ達するように形成される。
【００１５】この凹部２５の大きさは、印刷配線板２上
に装着されるべきＩＣデバイス４（ＩＣチップ即ちダ
イ）の外形寸法より大きくなるように選ばれる。その開
口は、特に角接合部において、ワイヤー１１の長さをこ
れらワイヤー１１がひしげる傾向を持たない長さに制限
するように十分小さくされる。それらのＰＴＨ１０に端
子ピンを挿入することができ、且つ、その上にＩＣデバ
イス４を装着することができ、更にカプセル化すること
ができる状態にある印刷配線板２が、図６に示されてい
る。
【００１６】これらＰＰＧＡパッケージの作製方法を、
以下において更に詳細に説明する。
【００１７】各層上部プラスチック板１５、ヒート・シ
ンク１６、底部プラスチック板１７及びプラスチック接
合層１８を事前組立てする前に、遊隙孔１９がヒート・
シンクとして使用するように意図されているヒート・シ
ンク１６中に形成される。これらの遊隙孔１９は、指定
された位置で、そのヒート・シンク１６と何れかのＰＴ
Ｈ１０または端子ピン３との間の電気接続を防止するの
に十分な大きさに為される。ヒート・シンク１６は高い
熱伝導材料で構成される。代表的には、ヒート・シンク
１６は０．００１０インチから０．００３０インチ
（０．００２５ｃｍから０．０７６ｃｍ）の範囲の厚み
を持つ銅で構成される。
【００１８】プラスチック層上部プラスチック板１５と
底部プラスチック板１７、ヒート・シンク１６及びプラ
スチック接合層１８が図３の展開図に示される事前組立
体２１に配置される。上部プラスチック板１５と底部プ
ラスチック板１７は代表的なＣ段階ＰＷＢ材料で構成さ
れ、各々がその外側の面に、それぞれ、金属被膜２２、
２３を設けられている。上部プラスチック板１５と底部
プラスチック板１７はまた、それらの内側にパターンに
形成された金属被膜導体９を設けられている。代表的に
は、上記Ｃ段階ＰＷＢ材料は高耐熱（Ｔg ＞ １８０
℃）グラス繊維補強エポキシ積層板で構成される。
【００１９】ヒート・シンク１６と上部プラスチック板
１５及び底部プラスチック板１７との間に配置されたプ
ラスチック接合層１８は、Ｂ段階ＰＷＢ材料即ちプレプ
レッグで構成されている。このＢ段階ＰＷＢ材料は、そ
の材料が圧力と熱を加えられたときに軟化するが完全に
は溶解しない熱硬化性樹脂の反応中は中間段階である。
このＢ段階ＰＷＢ材料は代表的には上記Ｃ段階ＰＷＢ材
料と同じ材料のものであるが、しかし単に部分的に硬化
した状態にある。
【００２０】上部プラスチック板１５、ヒート・シンク
１６、底部プラスチック板１７及びプラスチック接合層
１８の事前組立体２１は、積層プレス機（図示せず）中
に配置され、この積層プレス機中でこの事前組立体２１
に圧力及び熱が印加されて、この事前組立体２１の個々
の層が図４に示される単一のＰＷＢ積層板に積層され
る。この処理において、圧力及び熱により上記Ｂ段階Ｐ
ＷＢ材料のプラスチック接合層１８が軟化し、流動し
て、ヒート・シンク１６中に前もって形成されている遊
隙孔１９をプラスチック・プラグ２０で充填する。この
硬化処理の前に、プラスチック接合層１８の厚みが、遊
隙孔１９を充填するが、それにも拘らず上部プラスチッ
ク板１５と底部プラスチック板１７の上の金属被膜導体
９をヒート・シンク１６から電気的に絶縁するような厚
みに前以って選ばれる。
【００２１】積層処理の後、上記ＰＷＢ積層板にＰＴＨ
１０が形成される。先ず、上記ＰＷＢ積層板中に、代表
的にはドリル加工または打抜き加工によって孔が形成さ
れる。続いて、これらの孔の壁面に、最初に無電解沈積
によって薄い銅の層を作成し、その後でより厚い銅の層
を電気めっきするような、周知な仕方で貫通めっきが施
される。絶縁プラグ２０を貫通する孔の壁面にめっきさ
れたＰＴＨ１０は、ヒート・シンク１６とは電気接合を
形成しない。このようなＰＴＨ１０は、上記ＩＣデバイ
ス（電子デバイス）４と他の階層の金属被膜との間を相
互接続するために用いることができる。ヒート・シンク
１６と電気接合を為している残りのＰＴＨ１０は、この
ＩＣデバイス４と各端子ピン３との間の接地接続として
使用し、且つ、ヒート・シンク１６からそれぞれの端子
ピン３を介して熱を放熱するために使用することができ
る。後者の場合、そのようなＰＴＨ１０は印刷配線板２
の表面の金属被膜導体の何れとも接続される必要は無
い。内部にＰＴＨ１０が形成されている積層印刷配線板
２が、図５に示されている。
【００２２】 Ｐ／６、Ｌ／５ ＰＴＨ１０が形成された後、金属被膜２２及び２３の幾
つかの領域が所望の金属被膜パターンにマスク整形さ
れ、これら金属被膜２２及び２３の残る部分が、好まし
くはエッチング処理によって除去され、パターン化され
た金属被膜導体７及び８がそれぞれ形成される。続い
て、凹部２５が、中央に位置してる領域から上側の上部
プラスチック板１５の材料、プラスチック接合層１８の
材料、及びヒート・シンク１６の上面の僅かな厚み部
分、例えば０．００２インチ（０．００５ｃｍ）までの
厚さ部分を除去することによって形成される。ヒート・
シンク１６の金属を僅かな厚みだけ除去することは、接
合材料及び酸素の影響を受けない、ＩＣチップ付着用の
清浄な金属面を現出するために望ましい。
【００２３】凹部２５は、ＩＣデバイス４がヒート・シ
ンク１６に付着するように十分に大きく、しかし、ワイ
ヤー１１の長さが、特に角位置でこれらワイヤー１１が
ひしげる恐れを回避することができるように十分に小さ
く制限された大きさを持っている。また、「ソルダー・
マスク」と呼ばれるアクリル樹脂被膜が、このＰＰＧＡ
パッケージ１の外面で、上記露出した銅金属被膜領域に
後でニッケル及び銀のめっきを行う必要が無い箇所に選
択的に施される。ワイヤー・ボンディング・パッドを含
む、残りの露出した銅導体及び上記凹部２５中に露出し
ている銅製ＰＴＨ１０の表面がニッケル及び銀でめっき
される。このめっきによって、ワイヤー・ボンディング
が上記ボンディング・パッドに拡大され、露出した銅表
面の酸化が防止される。
【００２４】続いて、端子ピン３がＰＴＨ１０に圧入さ
れ、浸漬半田付けされる。端子ピン３は、代表的にはコ
バール（Ｋｏｖａｒ；商標名）または燐青銅合金で造ら
れており、約０．０１８インチ（０．４６ｍｍ）の直径
と０．２１０インチ（５．３３ｍｍ）の長さを有する。
これらの端子ピン３は、その端子ピン領域が上記ＩＣデ
バイス４を付着する部分及びワイヤー・ボンディング・
パターンの外部に制約されている限り、何らかの所望の
場所内に配置することができる。
【００２５】この後、上記印刷配線板２組立ての、凹部
２５と隣接し包囲する表面にカプセル保持壁５が付設さ
れる。その後、ＩＣデバイス４が導電性接合剤によって
ヒート・シンク１６に固定される。この導電性接合剤中
の、銀または銀被覆ガラス球のような金属粒子によって
このＩＣデバイス４からヒート・シンク１６への熱伝導
が高められ、且つ、これら金属粒子がこのＩＣデバイス
４と接地電位面または電源電位面を構成する、上記ヒー
ト・シンク１６との間の電気的導通接続手段として作用
する。続いて、このＩＣデバイス４にワイヤー・ボンデ
ィングが施され、エポキシにような適当な有機樹脂でカ
プセルに封じ込められる。
【００２６】ＩＣチップをプラスチック・カプセルに封
じ込めるのに都合の良い方法が、１９９０年４月１０日
にチャーレス・コーン（Ｃｈａｒｌｅｓ Ｃｏｈｎ）氏
に与えられた米国特許第４，９１６，５２２号に記載さ
れており、本技術を実施するための参照に供される。上
記カプセル封じには、印刷配線板２の上面に、凹部２５
の周長より長い周長を持ち、ＩＣデバイス４、金属被膜
導体７の一部及びワイヤー１１を包囲するカプセル保持
壁５を配置する工程が包含されている。このカプセル保
持壁５及び凹部２５の壁部で区劃されている容積が、Ｉ
Ｃデバイス４、ワイヤー１１及び金属被膜導体７のうち
上記被包囲部分を環境雰囲気から密封するためにプラス
チック・カプセルで充填される。この枠は、印刷配線板
２の中の相応する数の凹部と符合している多数の保持ピ
ンによって印刷配線板２上に正確に配置される。
【００２７】上記パッケージは、図８に示されるような
二段重ねワイヤー・ボンディング構造に構成することが
できる。この構造では、積層本体がＣ段階ＰＷＢ材料で
構成される別の層２６及びＢ段階ＰＷＢ材料で構成され
る別のプラスチック接合層１８を包含し、これらＣ段階
ＰＷＢ材料層２６及びプラスチック接合層１８は積層処
理前に上部プラスチック板１５の上面上に配置される。
そのとき、上部プラスチック板１５には金属被膜パター
ンを持つ金属被膜導体７が設けられ、同様にＣ段階ＰＷ
Ｂ材料層２６には金属被膜パターンを持つ内方の金属被
膜導体９と、金属被膜２２を形成する際に印刷配線板２
のうち選ばれたものと凹部２５の端縁との間に伸長する
ように構成されている外方の金属被膜導体２８とが設け
られる。凹部２５は、上部プラスチック板１５の上の金
属被膜導体７の端部がワイヤー１１と接続する状態に露
出するように段状の形態を有する。カプセル保持壁５に
は、金属被膜導体７と２８の端部が包囲されている。プ
ラスチック６には、ＩＣデバイス４、ワイヤー１１及び
金属被膜導体７と２８の端部が封入されている。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
熱が前記電子デバイスから前記ヒート・シンクに伝わ
り、パッケージの背面及び前記ヒート・シンクと接合し
ているＰＴＨ内に存在する端子ピンを通じて放熱され
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるヒート・シンクを具備するプラス
チック・ピン・グリッド・アレイＩＣチップ封入パッケ
ージを示す斜視図である。
【図２】図１のパッケージの概略断面図である。
【図３】積層処理前のヒート・シンクを包含する、上記
パッケージ中の積層本体の事前組立体の構成要素を示す
展開断面図である。
【図４】積層本体に積層された後の、事前組立体の構成
要素を示す断面図である。
【図５】めっきスルー・ホール（ＰＴＨ）を具備する図
４の積層本体を示す断面図である。
【図６】ＩＣチップを収容するための凹部を具備する図
５の積層本体に、端子ピン及びカプセル保持壁を組立て
た状態で、それに続くＩＣチップの組立てが行われる前
の状態を示す断面図である。
【図７】図２とは逆の下方方向に突出する端子ピンを具
備する、図２のパッケージの変形例を示す断面図ある。
【図８】二段重ねワイヤー・ボンディング構造を持つ、
図２のパッケージの変形例を示す断面図である。
【符号の説明】
１ プラスチック・ピン・グリッド・アレイ（ＰＰＧ
Ａ）パッケージ ２ 印刷配線板 ３ 端子ピン ４ ＩＣデバイス ５ カプセル保持壁 ６ 合成有機重合体（プラスチック） ７ 金属被膜導体 ８ 金属被膜導体 ９ 金属被膜導体 １０ めっきスルー・ホール（ＰＴＨ） １１ ワイヤー １２ 端子領域 １５ 上部プラスチック板 １６ ヒート・シンク １７ 底部プラスチック板 １８ プラスチック接合層（Ｂ段階ＰＷＢ材料層） １９ 遊隙孔 ２０ プラグ ２１ 事前組立体 ２２ 金属被膜 ２３ 金属被膜 ２５ 凹部 ２６ Ｃ段階ＰＷＢ材料層 ２８ 金属被膜導体
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 23/36 Ｃ

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 上面、底面及び前記上面の中央部に形成
    された凹部を有する平板状本体、前記凹部に嵌め込まれ
    た電子デバイス、この電子デバイスから熱を放熱するた
    めのメタル・ヒート・シンク、及び前記凹部の周囲に多
    数配列され、少なくともその幾つかが前記電子デバイス
    上の端子領域と電気的に接続されている端子ピンとから
    成る電子デバイス・パッケージを作成する方法におい
    て、 ａ）平板状本体中に積層されるべき複数の同一の広がり
    を持つ層を積層事前組立体に組立て、この積層事前組立
    体が、Ｃ段階合成有機重合体の上面層と底面層、これら
    上面層及び底面層の間に配置され、これら上面層及び底
    面層よりも高い熱伝導率を持つ金属層、この金属層と前
    記上面層との間及びこの金属層と前記底面層との間に個
    別に配置されたＢ段階合成有機重合体層を有し、前記金
    属層がこの金属層を前記端子ピンのうちの何本かがこの
    金属層と電気接続を為すこと無く貫通することが望まれ
    る位置に遊隙孔を有するようにするステップと、 ｂ）前記積層事前組立体に熱と圧力を加えて積層本体を
    形成し、この圧力によって前記Ｂ段階合成有機重合体が
    前記金属層の遊隙孔内に圧入されて前記合成有機重合体
    のプラグに形成されるようにするステップと、 ｃ）前記積層本体中に、この積層本体の上面と底面との
    間に伸長する複数のめっきしたスルー・ホールを、これ
    らめっきスルー・ホールの幾つかが前記金属層と電気的
    接合状態を持つ状態で前記金属層内の前記プラグを貫通
    し、これらめっきスルー・ホールのうちの幾つかが前記
    金属層と電気的接合状態を持たない状態で前記金属層内
    の前記プラグを貫通するように、形成するステップと、 ｄ）前記積層本体の上面及び底面に導体を形成するステ
    ップと、 ｅ）前記積層本体の上面に凹部を形成し、この結果、こ
    の凹部内で前記金属層の面が露出し、この金属層露出面
    がこの凹部の底面として働くようにするステップと、 ｆ）前記凹部の前記露出金属質底面及び前記凹部の近傍
    の導体の一部にマスクを介して連続的にニッケル（Ｎ
    ｉ）及び銀（Ａｕ）を電気めっきするステップと、 ｇ）前記めっきスルー・ホールに端子ピンを挿入し、こ
    れら端子ピンを半田で固定するステップと、 ｈ）前記電子デバイスの底面を前記凹部内の前記露出金
    属層に接合固定するステップと、 ｉ）前記電子デバイスの上面上の端子領域を、前記積層
    本体の上面上の導体であって前記めっきスルー・ホール
    のうち選択されためっきスルー・ホールと前記凹部の端
    縁との間に伸長している導体と電気接続するステップ
    と、 ｊ）前記電子デバイス及び前記電子デバイス上の前記端
    子領域に接続された電気導体の一部を合成有機重合体で
    カプセルに封じ込めるステップとを有することを特徴と
    する電子デバイス・パッケージの形成方法。
  2. 【請求項２】 前記Ｂ段階合成有機重合体層が、前記金
    属層を前記上面プラスチック層と底面プラスチック層の
    内側の面上の導体から電気的に絶縁し、且つ前記金属層
    中の前記遊隙孔を充填するのに十分な厚みを有すること
    を特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 【請求項３】 各層が前記積層事前組立体に組立てる前
    に、前記金属層に前記選択された位置において遊隙孔を
    設けることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  4. 【請求項４】 前記めっきスルー・ホールのうちで前記
    金属層と電気接続しているめっきスルー・ホール内の前
    記端子ピンのうち、少なくとも幾つかの端子ピンが、前
    記金属層からの熱の放熱を高めるために使用されている
    ことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  5. 【請求項５】 前記端子ピンが、半田によって前記めっ
    きスルー・ホールに固定されていることを特徴とする、
    請求項１に記載の方法。
  6. 【請求項６】 前記上面プラスチック層及び底面プラス
    チック層の前記内側面上の金属被膜導体が、前記ヒート
    ・シンクからそれぞれ前記Ｂ段階合成有機重合体層によ
    って電気的に絶縁されていることを特徴とする、請求項
    １に記載の方法。
  7. 【請求項７】 前記金属層の前記上面上の導体パターン
    が、個々の端子ピンから前記凹部へ伸長している一連の
    間隔を置いた導体から成ることを特徴とする、請求項１
    に記載の方法。
  8. 【請求項８】 前記電子デバイス、前記電子デバイス上
    の前記端子領域を前記積層本体の前記上面上の導体に接
    続しているワイヤー、及び、前記凹部の近傍の導体の一
    部がプラスチック・カプセル中に封じ込められているこ
    とを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  9. 【請求項９】 前記プラスチック・カプセルが、前記積
    層本体の前記上面上に配置されているカプセル保持壁の
    内部に保持されていることを特徴とする、請求項８に記
    載の方法。
  10. 【請求項１０】 前記カプセル保持壁が、前記電子デバ
    イスを前記凹部内に配置する前に、前記積層本体上に配
    置されていることを特徴とする、請求項８に記載の方
    法。
  11. 【請求項１１】 更に別のＣ段階合成有機重合体の層と
    別のＢ段階合成有機重合体の層とが、二段重ねワイヤー
    ・ボンディング構造の形成を可能にするために、前記上
    面のＣ段階合成有機重合体上に配置されていることを特
    徴とする、請求項１に記載の方法。
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