JPH0728168B2 - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPH0728168B2 JPH0728168B2 JP21708889A JP21708889A JPH0728168B2 JP H0728168 B2 JPH0728168 B2 JP H0728168B2 JP 21708889 A JP21708889 A JP 21708889A JP 21708889 A JP21708889 A JP 21708889A JP H0728168 B2 JPH0728168 B2 JP H0728168B2
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- dielectric
- dielectric block
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- shaped
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えばマイクロ波フィルタ等に用いられる
誘電体共振器に関し、特にそれに含まれる誘電体ブロッ
クの改良に関する。
誘電体共振器に関し、特にそれに含まれる誘電体ブロッ
クの改良に関する。
第６図は、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図で
ある。
ある。
この誘電体共振器は、TE01δモードのものの例であり、
導電性の（例えば金属製の）ケース２内に、中央部に貫
通孔を有する円柱状の誘電体ブロック６を収納し、これ
を絶縁物製の支持台４で支持している。
導電性の（例えば金属製の）ケース２内に、中央部に貫
通孔を有する円柱状の誘電体ブロック６を収納し、これ
を絶縁物製の支持台４で支持している。
また、ケース２には入出力用のコネクタ８を取り付け、
それからケース２内にループ導体10をそれぞれ出し、こ
れと誘電体ブロック６とを磁界結合させるようにしてい
る。
それからケース２内にループ導体10をそれぞれ出し、こ
れと誘電体ブロック６とを磁界結合させるようにしてい
る。
ところが上記誘電体ブロック６においては、主共振モー
ドであるTE01δモードの電磁界分布（即ち、この軸6zに
直交する電界分布および軸6z方向の磁界分布）と同時
に、それ以外の共振モード、例えばTMモードの電磁界分
布も幾分かは生じ、これがスプリアスの原因になってい
る。
ドであるTE01δモードの電磁界分布（即ち、この軸6zに
直交する電界分布および軸6z方向の磁界分布）と同時
に、それ以外の共振モード、例えばTMモードの電磁界分
布も幾分かは生じ、これがスプリアスの原因になってい
る。
そこでこの発明は、このようなスプリアスを抑圧するこ
とができるようにした誘電体共振器を提供するころを主
たる目的とする。
とができるようにした誘電体共振器を提供するころを主
たる目的とする。
この発明の誘電体共振器は、その誘電体ブロックが、
複数の相対的に高誘電率で板状の第１の誘電体を、それ
らの間にそれらよりも平面寸法が小さくかつ相対的に低
誘電率で板状の第２の誘電体を介在させて積み重ねた構
造をしている、あるいは複数の鍔状部と、それらを互
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造をしていることを特徴とする。
複数の相対的に高誘電率で板状の第１の誘電体を、それ
らの間にそれらよりも平面寸法が小さくかつ相対的に低
誘電率で板状の第２の誘電体を介在させて積み重ねた構
造をしている、あるいは複数の鍔状部と、それらを互
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造をしていることを特徴とする。
誘電体ブロックを上記のような構造にすると、のもの
では第１の誘電体間に隙間ができてそこでの誘電率が低
下するため、のものでは鍔状部間に隙間ができてそこ
での誘電率が低下するため、いずれもそこを主共振モー
ド以外の共振モードにおける電界が通りにくくなり、そ
の結果スプリアスが抑圧される。
では第１の誘電体間に隙間ができてそこでの誘電率が低
下するため、のものでは鍔状部間に隙間ができてそこ
での誘電率が低下するため、いずれもそこを主共振モー
ド以外の共振モードにおける電界が通りにくくなり、そ
の結果スプリアスが抑圧される。
第１図はこの発明に至る前の参考例としての誘電体共振
器を示す縦断面図であり、第２図は第３図の誘電体ブロ
ックの斜視図である。第６図の例と同等部分には同一符
号を付し、以下においては従来例との相違点を主に説明
する。
器を示す縦断面図であり、第２図は第３図の誘電体ブロ
ックの斜視図である。第６図の例と同等部分には同一符
号を付し、以下においては従来例との相違点を主に説明
する。
この例においては、前述した誘電体ブロック６に相当す
る円柱状の誘電体ブロック16を、複数の円板状の誘電体
161を各接合面162が当該誘電体共振器の主共振モード、
即ちこの例ではTE01δモードにおける電界Ｅ（第２図参
照）に対して平行になるように積み重ねて構成してい
る。
る円柱状の誘電体ブロック16を、複数の円板状の誘電体
161を各接合面162が当該誘電体共振器の主共振モード、
即ちこの例ではTE01δモードにおける電界Ｅ（第２図参
照）に対して平行になるように積み重ねて構成してい
る。
またこの例では、各誘電体161は中央部に貫通孔をそれ
ぞれ有しており、そこに支柱14を通してこれと例えば接
着することによって当該誘電体ブロック16を導電性のケ
ース２内に固定している。ケース２は、金属製でも良い
し、絶縁性セラミックスの表面に導電膜を形成したもの
でも良い。この支柱14には、誘電体ブロック16本来の共
振に悪影響を及ぼさないようにするため、低誘電率の材
料を用いるのが好ましい。
ぞれ有しており、そこに支柱14を通してこれと例えば接
着することによって当該誘電体ブロック16を導電性のケ
ース２内に固定している。ケース２は、金属製でも良い
し、絶縁性セラミックスの表面に導電膜を形成したもの
でも良い。この支柱14には、誘電体ブロック16本来の共
振に悪影響を及ぼさないようにするため、低誘電率の材
料を用いるのが好ましい。
この場合、各誘電体161は互いに機械的に一体化されて
いれば良く、その手段は問わない（他の例においても同
様）。例えば、各誘電体161を接着剤で相互に接着して
も良いし、あるいは各誘電体161を支柱14に通してその
上下端のもののみを支柱14に接着してそれを押え板のよ
うに用いて互いに圧接するだけでも良い。また、各誘電
体161を支柱14に通すだけしてその上下端に別の押え板
（例えば第３図の押え板20参照）を設けてこれを支柱14
に接着することによって各誘電体161を互いに圧接する
ようにしても良い。この場合の押え板は、誘電体ブロッ
ク16の本来の共振に悪影響を及ぼさないように低誘電率
の材料で作っても良いし、他と同じ誘電体で作ってそれ
を誘電体ブロックの一部と見なしても良い。
いれば良く、その手段は問わない（他の例においても同
様）。例えば、各誘電体161を接着剤で相互に接着して
も良いし、あるいは各誘電体161を支柱14に通してその
上下端のもののみを支柱14に接着してそれを押え板のよ
うに用いて互いに圧接するだけでも良い。また、各誘電
体161を支柱14に通すだけしてその上下端に別の押え板
（例えば第３図の押え板20参照）を設けてこれを支柱14
に接着することによって各誘電体161を互いに圧接する
ようにしても良い。この場合の押え板は、誘電体ブロッ
ク16の本来の共振に悪影響を及ぼさないように低誘電率
の材料で作っても良いし、他と同じ誘電体で作ってそれ
を誘電体ブロックの一部と見なしても良い。
誘電体ブロック16を上記のように板状の誘電体161を積
み重ねて構成すると、各接合面162に低誘電率の接着剤
や空気が介在してそこでの誘電率が必然的に低下するた
め、そこを、主共振モードであるTE01δモード以外の共
振モードにおける電界が通りにくくなる。例えばTMモー
ドを例に取ると、その電界は誘電体ブロック16の軸16z
（第２図参照）方向に向うが、そのような電界が接合面
162を通りにくくなる。
み重ねて構成すると、各接合面162に低誘電率の接着剤
や空気が介在してそこでの誘電率が必然的に低下するた
め、そこを、主共振モードであるTE01δモード以外の共
振モードにおける電界が通りにくくなる。例えばTMモー
ドを例に取ると、その電界は誘電体ブロック16の軸16z
（第２図参照）方向に向うが、そのような電界が接合面
162を通りにくくなる。
その結果、主共振モード以外の共振モードの電磁界分布
が生じにくくなり、スプリアスが抑圧される。
が生じにくくなり、スプリアスが抑圧される。
ところで、上記のような誘電体ブロック16中における軸
16z方向の電界エネルギーの分布は、第１図中に破線18
で示すように、中央部で最大の山形となる。従って、誘
電体ブロック16を構成する誘電体161は、例えば第３図
に示すように、上記のような電界エネルギー分布の形状
に似せて上下端に近いもの程直径を小さくしても良く、
そのようにしてもその主共振モードでの動作に殆ど支障
を来たさない。
16z方向の電界エネルギーの分布は、第１図中に破線18
で示すように、中央部で最大の山形となる。従って、誘
電体ブロック16を構成する誘電体161は、例えば第３図
に示すように、上記のような電界エネルギー分布の形状
に似せて上下端に近いもの程直径を小さくしても良く、
そのようにしてもその主共振モードでの動作に殆ど支障
を来たさない。
しかもそのようにすれば、誘電体ブロック16に余分な部
分が無くなるので、不要共振モードの抑圧を一層大きく
することができると共に、誘電体ブロック16の材料の削
減および軽量化を図ることができる。
分が無くなるので、不要共振モードの抑圧を一層大きく
することができると共に、誘電体ブロック16の材料の削
減および軽量化を図ることができる。
また、誘電体ブロック16を構成する誘電体161の間に、
例えば第４図あるいは第５図に示すように、リング状の
隙間163をそれぞれ設けても良く、そのようにすれば、
軸方向の電界が発生しにくくなり、不要モードの抑圧を
一層大きくするという効果が得られる。
例えば第４図あるいは第５図に示すように、リング状の
隙間163をそれぞれ設けても良く、そのようにすれば、
軸方向の電界が発生しにくくなり、不要モードの抑圧を
一層大きくするという効果が得られる。
ところで、この明細書で述べているような誘電体共振器
は、大電力（例えば数＋Ｗ〜数百Ｗ程度の）回路におい
て用いられる場合もあるが、その場合、第６図に示した
従来の誘電体ブロック６では、スプリアスの問題以外
に、その表面積が比較的小さいため放熱性が充分でな
く、使用しているうちに誘電体ブロック６の温度が上昇
し、その結果誘電体ブロック６の誘電率の変化に伴って
共振周波数が変化したり、あるいはフィルタとして用い
た場合にその電気的特性が劣化するという問題もある。
は、大電力（例えば数＋Ｗ〜数百Ｗ程度の）回路におい
て用いられる場合もあるが、その場合、第６図に示した
従来の誘電体ブロック６では、スプリアスの問題以外
に、その表面積が比較的小さいため放熱性が充分でな
く、使用しているうちに誘電体ブロック６の温度が上昇
し、その結果誘電体ブロック６の誘電率の変化に伴って
共振周波数が変化したり、あるいはフィルタとして用い
た場合にその電気的特性が劣化するという問題もある。
これに対して、上記第４図および第５図の例では、各誘
電体161の空間に露出する表面積が増大するので、誘電
体ブロック16の放熱性が著しく改善されるという効果も
得られる。従って、上記のような温度上昇に伴う電気的
特性の劣化を効果的に防止することができる。
電体161の空間に露出する表面積が増大するので、誘電
体ブロック16の放熱性が著しく改善されるという効果も
得られる。従って、上記のような温度上昇に伴う電気的
特性の劣化を効果的に防止することができる。
第７図は、この発明の一実施例に係る誘電体共振器を示
す縦断面図である。なお、これ以降の実施例において
は、誘電体ブロックと外部との結合手段の図示を省略し
ている。
す縦断面図である。なお、これ以降の実施例において
は、誘電体ブロックと外部との結合手段の図示を省略し
ている。
この実施例においては、誘電体ブロック26が、複数の第
１の誘電体261を、それらの間に第２の誘電体26を介在
させて積み重ねた構造している。そしてこのような誘電
体ブロック26を、絶縁性材料より成る支持部材24によっ
てケース２内に支持している。
１の誘電体261を、それらの間に第２の誘電体26を介在
させて積み重ねた構造している。そしてこのような誘電
体ブロック26を、絶縁性材料より成る支持部材24によっ
てケース２内に支持している。
第１の誘電体261は、それぞれ、中央部に貫通孔を有す
る円板状のものであり、かつ相対的に高い誘電率の材料
で構成されている。
る円板状のものであり、かつ相対的に高い誘電率の材料
で構成されている。
第２の誘電体262は、それぞれ、同じく中央部に貫通孔
を有する円板状のものであり、かつ相対的に低い誘電率
（例えば第１の誘電体261の誘電率が38の場合、６〜８
程度の誘電率）の材料で構成されている。しかも第２の
誘電体262は、それぞれ、第１の誘電体261に比べてその
平面寸法、即ちこの例では外径がかなり小さくされてい
る。
を有する円板状のものであり、かつ相対的に低い誘電率
（例えば第１の誘電体261の誘電率が38の場合、６〜８
程度の誘電率）の材料で構成されている。しかも第２の
誘電体262は、それぞれ、第１の誘電体261に比べてその
平面寸法、即ちこの例では外径がかなり小さくされてい
る。
従って、この誘電体ブロック26においては、第２の誘電
体262がスペーサとして働き、各第１の誘電体261間にリ
ング状の隙間263がそれぞれでき、そこでの誘電率が低
下するので、第４図および第５図の例の場合と同様、軸
方向の電界が発生しにくくなり、スプリアスが抑圧され
る。
体262がスペーサとして働き、各第１の誘電体261間にリ
ング状の隙間263がそれぞれでき、そこでの誘電率が低
下するので、第４図および第５図の例の場合と同様、軸
方向の電界が発生しにくくなり、スプリアスが抑圧され
る。
しかもこの誘電体ブロック26においては、閉じ込められ
る電界エネルギーの90％以上が相対的に高い誘電率の第
１の誘電体261側に集中するので、発熱の大部分は第１
の誘電体261側で生じるが、隙間263があるため各第１の
誘電体261は空間に大きな面積で露出されている。従っ
て、この実施例では、誘電体ブロック26における発熱部
分の表面積が効果的に増大するので、放熱性が著しく改
善される。
る電界エネルギーの90％以上が相対的に高い誘電率の第
１の誘電体261側に集中するので、発熱の大部分は第１
の誘電体261側で生じるが、隙間263があるため各第１の
誘電体261は空間に大きな面積で露出されている。従っ
て、この実施例では、誘電体ブロック26における発熱部
分の表面積が効果的に増大するので、放熱性が著しく改
善される。
例えば、第６図に示した従来構造により、共振周波数1G
Hzの共振器を構成し、50Wの電力を入力した場合、誘電
体ブロック６において約30℃の温度上昇が見られたのに
対して、第７図に示したように第１の誘電体261を５層
構造とすることにより、誘電体ブロック26の温度上昇は
約15℃程度に抑えることが可能となった。従って、温度
上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に防止し得ること
がわかる。
Hzの共振器を構成し、50Wの電力を入力した場合、誘電
体ブロック６において約30℃の温度上昇が見られたのに
対して、第７図に示したように第１の誘電体261を５層
構造とすることにより、誘電体ブロック26の温度上昇は
約15℃程度に抑えることが可能となった。従って、温度
上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に防止し得ること
がわかる。
なお、誘電体ブロック26における各第１の誘電体261の
大きさは、第３図の例の場合と同様、例えば第８図に示
すように、上下端に近いものほど直径を小さくしても良
く、そのようにすれば不要共振モードの抑圧を一層大き
くすることができると共に、誘電体ブロック26の材料の
削減および軽量化を図ることができる。
大きさは、第３図の例の場合と同様、例えば第８図に示
すように、上下端に近いものほど直径を小さくしても良
く、そのようにすれば不要共振モードの抑圧を一層大き
くすることができると共に、誘電体ブロック26の材料の
削減および軽量化を図ることができる。
更に、上記第７図および第８図の実施例では、スペーサ
として低誘電率の第２の誘電体262を用いているので、
その厚みをコントロールすることにより、誘電体ブロッ
ク26の共振周波数を制御することができる。例えば、第
７図の実施例において、第２の誘電体262の厚みを変化
させた場合、その正規化周波数ｆは、第９図に示すよう
に変化した。従って、第２の誘電体262の厚みを調整す
ることにより、より正確に所望の共振周波数の共振器を
得ることができる。
として低誘電率の第２の誘電体262を用いているので、
その厚みをコントロールすることにより、誘電体ブロッ
ク26の共振周波数を制御することができる。例えば、第
７図の実施例において、第２の誘電体262の厚みを変化
させた場合、その正規化周波数ｆは、第９図に示すよう
に変化した。従って、第２の誘電体262の厚みを調整す
ることにより、より正確に所望の共振周波数の共振器を
得ることができる。
第10図ないし第13図は、それぞれ、この発明の他の実施
例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。
例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。
これらの実施例においては、誘電体ブロック36が、複数
の鍔状部361と、それらを互いの間にリング状の隙間363
をあけて中央部で支える支柱部362とを一体化した構造
をしている。
の鍔状部361と、それらを互いの間にリング状の隙間363
をあけて中央部で支える支柱部362とを一体化した構造
をしている。
ここで一体化とは、同一の材料で継目なく構成している
ことを意味しており、このような構造の誘電体ブロック
36は、例えばセラミックス材料を所定の型に入れて成形
した後に焼成するという通常の工程で容易に作ることが
できる。
ことを意味しており、このような構造の誘電体ブロック
36は、例えばセラミックス材料を所定の型に入れて成形
した後に焼成するという通常の工程で容易に作ることが
できる。
支柱部362の中心部には、貫通孔を設けても良いし（例
えば第10図および第11図の貫通孔364参照）、設けなく
ても良く（例えば第12図および第13図参照）、いずれに
するかは任意である。
えば第10図および第11図の貫通孔364参照）、設けなく
ても良く（例えば第12図および第13図参照）、いずれに
するかは任意である。
また誘電体ブロック36をケース２内で支持する手段とし
ては、例えば、第10図に示すように誘電体ブロック36の
貫通孔364に絶縁物製の支柱34を通して支持する手段、
第11図に示すように絶縁物製で中空の支持台37で支持す
る手段、第12図に示すように絶縁物製でブロック状の支
持台38で支持する手段、第13図に示すように絶縁物製で
中空またはブロック状の支持台38および支持部材39で上
下から支持する手段等が採り得るが、いずれにするかは
任意である。
ては、例えば、第10図に示すように誘電体ブロック36の
貫通孔364に絶縁物製の支柱34を通して支持する手段、
第11図に示すように絶縁物製で中空の支持台37で支持す
る手段、第12図に示すように絶縁物製でブロック状の支
持台38で支持する手段、第13図に示すように絶縁物製で
中空またはブロック状の支持台38および支持部材39で上
下から支持する手段等が採り得るが、いずれにするかは
任意である。
上記第10図ないし第13図いずれの実施例においても、そ
の誘電体ブロック36の各鍔状部361間にリング状の隙間3
63がそれぞれできており、そこでの誘電率が低下するの
で、軸方向の電界が発生しにくくなり、スプリアスが抑
圧される。
の誘電体ブロック36の各鍔状部361間にリング状の隙間3
63がそれぞれできており、そこでの誘電率が低下するの
で、軸方向の電界が発生しにくくなり、スプリアスが抑
圧される。
また、鍔状部361間に隙間363を設けた構造とすることで
空間に露出する表面積が増大するので、当該誘電体ブロ
ック36の放熱性も向上する。従って、その温度上昇に伴
う電気的特性の劣化を効果的に防止することができる。
空間に露出する表面積が増大するので、当該誘電体ブロ
ック36の放熱性も向上する。従って、その温度上昇に伴
う電気的特性の劣化を効果的に防止することができる。
更に、同上の理由から、当該誘電体ブロック36を焼成す
るときの各部への火の通りが良くなるので、第６図に示
したように従来の誘電体ブロック６の場合に比べて、当
該誘電体ブロック36の、特にそれを大型化したときの焼
成時間が短くなる。
るときの各部への火の通りが良くなるので、第６図に示
したように従来の誘電体ブロック６の場合に比べて、当
該誘電体ブロック36の、特にそれを大型化したときの焼
成時間が短くなる。
しかも、上記誘電体ブロック36は一体物であるため、上
述した他の実施例の場合に比べて、そのケース２内への
組込作業が簡略化される。
述した他の実施例の場合に比べて、そのケース２内への
組込作業が簡略化される。
なお、上記いずれの実施例においても、誘電体ブロック
には貫通孔を設ける方がスプリアス抑圧等の点で有利で
あるが、必ず設けなければならないものではない。
には貫通孔を設ける方がスプリアス抑圧等の点で有利で
あるが、必ず設けなければならないものではない。
また、以上はいずれも主共振モードがTE01δである場合
を例示したが、この発明は必ずしもそれに限定されるも
のではなく、TEモードであればそれ以外の共振モード、
例えばTE01モード、TE11あるいはその変形モード等にも
広く適用することができる。その場合、誘電体ブロック
の全体の形状等はその所要とする主共振モードに応じて
変えれば良い。例えば、TE11あるいはその変形モードの
場合は、誘電体ブロックの全体の形状を例えば角柱状に
すれば良い。
を例示したが、この発明は必ずしもそれに限定されるも
のではなく、TEモードであればそれ以外の共振モード、
例えばTE01モード、TE11あるいはその変形モード等にも
広く適用することができる。その場合、誘電体ブロック
の全体の形状等はその所要とする主共振モードに応じて
変えれば良い。例えば、TE11あるいはその変形モードの
場合は、誘電体ブロックの全体の形状を例えば角柱状に
すれば良い。
また、誘電体共振器としての構造、例えばケースの構
造、ケース内に収納する誘導体ブロックの個数、外部と
の結合手段等も必ずしも上記例のようなものに限定され
るものではない。
造、ケース内に収納する誘導体ブロックの個数、外部と
の結合手段等も必ずしも上記例のようなものに限定され
るものではない。
この発明は、上記のとおり構成されているので、次のよ
うな効果を奏する。
うな効果を奏する。
即ち、誘電体ブロックの構造を、複数の相対的に高誘電
率で板状の第１の誘電体を、それらの間にそれらよりも
平面寸法が小さくかつ相対的に低誘電率で板状の第２の
誘電体を介在させて積み重ねた構造にすると、第２の誘
電体の方が平面寸法が小さいので各第１の誘電体間に隙
間（空間）がそれぞれ存在することになり、そこでの誘
電率が低下するので、同一寸法の相対的に高誘電率の誘
電体と低誘電率の誘電体とを交互に積層している場合に
比べて、軸方向の電界がより発生しにくくなり、スプリ
アスをより抑圧することができる。しかも、閉じ込めら
れる電界エネルギーの大部分は高誘電率の第１の誘電体
に集中するので発熱の大部分は第１の誘電体側で生じる
が、それらの間には上記のように隙間が存在することに
なり、各第１の誘電体の空間に露出する表面積が増大す
るので、誘電体ブロックの放熱性が著しく改善される。
その結果、誘電体ブロックの温度上昇を抑えて、その温
度上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に抑制すること
ができる。
率で板状の第１の誘電体を、それらの間にそれらよりも
平面寸法が小さくかつ相対的に低誘電率で板状の第２の
誘電体を介在させて積み重ねた構造にすると、第２の誘
電体の方が平面寸法が小さいので各第１の誘電体間に隙
間（空間）がそれぞれ存在することになり、そこでの誘
電率が低下するので、同一寸法の相対的に高誘電率の誘
電体と低誘電率の誘電体とを交互に積層している場合に
比べて、軸方向の電界がより発生しにくくなり、スプリ
アスをより抑圧することができる。しかも、閉じ込めら
れる電界エネルギーの大部分は高誘電率の第１の誘電体
に集中するので発熱の大部分は第１の誘電体側で生じる
が、それらの間には上記のように隙間が存在することに
なり、各第１の誘電体の空間に露出する表面積が増大す
るので、誘電体ブロックの放熱性が著しく改善される。
その結果、誘電体ブロックの温度上昇を抑えて、その温
度上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に抑制すること
ができる。
また、誘電体ブロックを、複数の鍔状部と、それらを互
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造にすると、可鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するので、この場合もスプリアスを抑圧す
ることができる。しかも、誘電体ブロックの表面積が増
大するので、その放熱性が向上して温度上昇に伴う電気
的特性の劣化を効果的に抑制することができると共に、
焼成時の火の通りが良くなって焼成時間が短縮される。
更に、当該誘電体ブロックは一体物であるため、そのケ
ース内への組込作業が簡略化される。
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造にすると、可鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するので、この場合もスプリアスを抑圧す
ることができる。しかも、誘電体ブロックの表面積が増
大するので、その放熱性が向上して温度上昇に伴う電気
的特性の劣化を効果的に抑制することができると共に、
焼成時の火の通りが良くなって焼成時間が短縮される。
更に、当該誘電体ブロックは一体物であるため、そのケ
ース内への組込作業が簡略化される。
第１図は、この発明に至る前の参考例としての誘電体共
振器を示す縦断面図である。第２図は、第１図の誘電体
ブロックの斜視図である。第３図ないし第５図は、それ
ぞれ、誘電体ブロックの他の例を示す縦断面図である。
第６図は、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図で
ある。第７図および第８図は、それぞれ、この発明の一
実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。第９
図は、第７図の実施例において第２の誘電体の厚みを変
化させた場合の共振周波数の変化を示す図である。第10
図ないし第13図は、それぞれ、この発明の他に実施例に
係る誘電体共振器を示す縦断面図である。 ２……導電性のケース、16……誘電体ブロック、161…
…誘電体、162……接合面、26……誘電体ブロック、261
……第１の誘電体、262……第２の誘電体、36……誘電
体ブロック、361……鍔状部、362……支柱部。
振器を示す縦断面図である。第２図は、第１図の誘電体
ブロックの斜視図である。第３図ないし第５図は、それ
ぞれ、誘電体ブロックの他の例を示す縦断面図である。
第６図は、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図で
ある。第７図および第８図は、それぞれ、この発明の一
実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。第９
図は、第７図の実施例において第２の誘電体の厚みを変
化させた場合の共振周波数の変化を示す図である。第10
図ないし第13図は、それぞれ、この発明の他に実施例に
係る誘電体共振器を示す縦断面図である。 ２……導電性のケース、16……誘電体ブロック、161…
…誘電体、162……接合面、26……誘電体ブロック、261
……第１の誘電体、262……第２の誘電体、36……誘電
体ブロック、361……鍔状部、362……支柱部。
フロントページの続き (72)発明者 田中 裕明 京都府長岡京市天神２丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 (56)参考文献 特開 昭61−212101（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−139102（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】導電性のケース内に誘電体ブロックを収納
した誘電体共振器において、当該誘電体ブロックが、複
数の相対的に高誘電率で板状の第１の誘電体を、それら
の間にそれらよりも平面寸法が小さくかつ相対的に低誘
電率で板状の第２の誘電体を介在させて積み重ねた構造
をしていることを特徴とする誘電体共振器。 - 【請求項２】導電性のケース内に誘電体ブロックを収納
した誘電体共振器において、当該誘電体ブロックが、複
数の鍔状部と、それらを互いの間に隙間をあけて中央部
で支える支柱部とを一体化した構造をしていることを特
徴とする誘電体共振器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21008188 | 1988-08-24 | ||
| JP63-210081 | 1988-08-24 | ||
| JP63-127713 | 1988-09-29 | ||
| JP12771388 | 1988-09-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168702A JPH02168702A (ja) | 1990-06-28 |
| JPH0728168B2 true JPH0728168B2 (ja) | 1995-03-29 |
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|---|---|---|---|
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| JP3506076B2 (ja) * | 1999-11-24 | 2004-03-15 | 株式会社村田製作所 | 多重モード誘電体共振器装置、フィルタ、デュプレクサおよび通信装置 |
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| US7310031B2 (en) * | 2002-09-17 | 2007-12-18 | M/A-Com, Inc. | Dielectric resonators and circuits made therefrom |
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| US20040257176A1 (en) * | 2003-05-07 | 2004-12-23 | Pance Kristi Dhimiter | Mounting mechanism for high performance dielectric resonator circuits |
| DE112004000131T5 (de) * | 2003-12-24 | 2005-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Dielektrischer Resonator und diesen verwendendes Kommunikationsgerät |
| US20070152779A1 (en) * | 2004-01-13 | 2007-07-05 | Masamichi Ando | Multiple-mode dielectric resonator, dielectric filter, and communication device |
| US20050200437A1 (en) | 2004-03-12 | 2005-09-15 | M/A-Com, Inc. | Method and mechanism for tuning dielectric resonator circuits |
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| US7417518B2 (en) * | 2004-10-11 | 2008-08-26 | Indian Institute Of Technology | Dielectric resonator |
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| US20080094309A1 (en) * | 2006-10-23 | 2008-04-24 | M/A-Com, Inc. | Dielectric Resonator Radiators |
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| DE102014007643A1 (de) | 2014-05-23 | 2015-11-26 | Astyx Gmbh | Abstandmessvorrichtung, insbesondere für metallische und dielektrische Zielobjekte |
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|---|---|---|---|---|
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| JPS5038500B1 (ja) * | 1970-11-26 | 1975-12-10 | ||
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| JPS61139102A (ja) * | 1984-12-10 | 1986-06-26 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型誘電体共振器 |
| JPS61212101A (ja) * | 1985-03-15 | 1986-09-20 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体共振器 |
| FR2606936B1 (fr) * | 1986-04-07 | 1991-07-19 | Motorola Inc | Appareil de combinaison d'emetteurs en ceramique muni d'un troncon d'accord de longueur electrique variable et d'une interface a boucles de couplage |
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1989
- 1989-08-23 GB GB8919192A patent/GB2222315B/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-23 JP JP21708889A patent/JPH0728168B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-08-24 DE DE3928015A patent/DE3928015A1/de active Granted
-
1990
- 1990-09-14 US US07/582,793 patent/US5059929A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
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| GB8919192D0 (en) | 1989-10-04 |
| DE3928015A1 (de) | 1990-03-08 |
| GB2222315B (en) | 1993-04-07 |
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