JPH02168702A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
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- JPH02168702A JPH02168702A JP1217088A JP21708889A JPH02168702A JP H02168702 A JPH02168702 A JP H02168702A JP 1217088 A JP1217088 A JP 1217088A JP 21708889 A JP21708889 A JP 21708889A JP H02168702 A JPH02168702 A JP H02168702A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えばマイクロ波フィルタ等に用いられる
誘電体共振器に関し、特にそれに含まれる誘電体ブロッ
クの改良に関する。
誘電体共振器に関し、特にそれに含まれる誘電体ブロッ
クの改良に関する。
第６図は、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図で
ある。
ある。
この誘電体共振器は、ＴＥｏ＋Ｊモードのものの例であ
り、導電性の（例えば金属製の）ケース２内に、中央部
に貫通孔を有する円柱状の誘電体ブロック６を収納し、
これを絶縁物製の支持台４で支持している。
り、導電性の（例えば金属製の）ケース２内に、中央部
に貫通孔を有する円柱状の誘電体ブロック６を収納し、
これを絶縁物製の支持台４で支持している。
また、ケース２には入出力用のコネクタ８を取り付け、
それらからケース２内にループ導体１０をそれぞれ出し
、これと誘電体ブロック６とを磁界結合させるようにし
ている。
それらからケース２内にループ導体１０をそれぞれ出し
、これと誘電体ブロック６とを磁界結合させるようにし
ている。
ところが上記誘電体ブロック６においては、主共振モー
ドであるＴＥｏ＋Ｊモードの電磁界分布（即ち、その軸
６ｚに直交する電界分布および軸６ｚ方向の磁界分布）
と同時に、それ以外の共振モード、例えばＴＭモードの
電磁界分布も幾分かは生じ、これがスプリアスの原因に
なっている。
ドであるＴＥｏ＋Ｊモードの電磁界分布（即ち、その軸
６ｚに直交する電界分布および軸６ｚ方向の磁界分布）
と同時に、それ以外の共振モード、例えばＴＭモードの
電磁界分布も幾分かは生じ、これがスプリアスの原因に
なっている。
そこでこの発明は、このようなスプリアスを抑圧するこ
とができるようにした誘電体共振器を提供することを主
たる目的とする。
とができるようにした誘電体共振器を提供することを主
たる目的とする。
この発明の誘電体共振器は、その誘電体ブロックが、■
複数の板状の誘電体を各接合面が当該誘電体共振器の主
共振モードにおける電界に対して平行になるように積み
重ねた構造をしている、■あるいは複数の相対的に高誘
電率で板状の第１の誘電体を、それらの間にそれらより
も小さくかつ相対的に低誘電率で板状の第２の誘電体を
介在させて積み重ねた構造をしている、■あるいは複数
の鍔状部と、それらを互いの間に隙間をあけて中央部で
支える支柱部とを一体化した構造をしていることを特徴
とする。
複数の板状の誘電体を各接合面が当該誘電体共振器の主
共振モードにおける電界に対して平行になるように積み
重ねた構造をしている、■あるいは複数の相対的に高誘
電率で板状の第１の誘電体を、それらの間にそれらより
も小さくかつ相対的に低誘電率で板状の第２の誘電体を
介在させて積み重ねた構造をしている、■あるいは複数
の鍔状部と、それらを互いの間に隙間をあけて中央部で
支える支柱部とを一体化した構造をしていることを特徴
とする。
誘電体ブロックを上記のような構造にすると、■のちの
では各接合面での誘電率が低下するため、■のものでは
第１の誘電体間に隙間ができてそこでの誘電率が低下す
るため、■のちのでは鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するため、いずれもそこを主共振モード以
外の共振モードにおける電界が通りにくくなり、その結
果スプリアスが抑圧される。
では各接合面での誘電率が低下するため、■のものでは
第１の誘電体間に隙間ができてそこでの誘電率が低下す
るため、■のちのでは鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するため、いずれもそこを主共振モード以
外の共振モードにおける電界が通りにくくなり、その結
果スプリアスが抑圧される。
第１図はこの発明の一実施例に係る誘電体共振器を示す
縦断面図であり、第２図は第１図の誘電体ブロックの斜
視図である。第６図の例と同等部分には同一符号を付し
、以下においては従来例との相違点を主に説明する。
縦断面図であり、第２図は第１図の誘電体ブロックの斜
視図である。第６図の例と同等部分には同一符号を付し
、以下においては従来例との相違点を主に説明する。
この実施例においては、前述した誘電体ブロック６に相
当する円柱状の誘電体ブロック１６を、複数の円板状の
誘電体１６１を各接合面１６２が当該誘電体共振器の主
共振モード、即ちこの例ではＴＥｏ＋Ｊモードにおける
電界Ｅ（第２図参照）に対して平行になるように積み重
ねて構成している。
当する円柱状の誘電体ブロック１６を、複数の円板状の
誘電体１６１を各接合面１６２が当該誘電体共振器の主
共振モード、即ちこの例ではＴＥｏ＋Ｊモードにおける
電界Ｅ（第２図参照）に対して平行になるように積み重
ねて構成している。
またこの例では、各誘電体１６１は中央部に貫通孔をそ
れぞれ有しており、そこに支柱１４を通してこれと例え
ば接着することによっ□て当該誘電体ブロック１６を導
電性のケース２内に固定している。ケース２は、金属製
でも良いし、絶縁性セラミックスの表面に導電膜を形成
したものでも良い。この支柱１４には、誘電体ブロック
１６本来の共振に悪影響を及ぼさないようにするため、
低誘電率の材料を用いるのが好ましい。
れぞれ有しており、そこに支柱１４を通してこれと例え
ば接着することによっ□て当該誘電体ブロック１６を導
電性のケース２内に固定している。ケース２は、金属製
でも良いし、絶縁性セラミックスの表面に導電膜を形成
したものでも良い。この支柱１４には、誘電体ブロック
１６本来の共振に悪影響を及ぼさないようにするため、
低誘電率の材料を用いるのが好ましい。
この場合、・各誘電体１６１は互いに機械的に一体化さ
れていれば良く、その手段は問わない（他の実施例にお
いても同様）。例えば、各誘電体１６．１を接着剤で相
互に接着しても良いし、あるいは各誘電体１６１を支柱
１４に通してその上下端のもののみを支柱１４に接着し
てそれを押え板のように用いて互いに圧接するだけでも
良い。また、各誘電体１６１を支柱１４に通すだけして
その上下端に別の押え板（例えば第３図の押え板２０参
照）を設けてこれを支柱１４に接着することによって各
誘電体１６１を互いに圧接するようにしても良い。この
場合の押え板は、誘電体ブロック１６の本来の共振に悪
影響を及ぼさないように低誘電率の材料で作っても良い
し、他と同じ誘電体で作ってそれを誘電体ブロックの一
部と見なしても良い。
れていれば良く、その手段は問わない（他の実施例にお
いても同様）。例えば、各誘電体１６．１を接着剤で相
互に接着しても良いし、あるいは各誘電体１６１を支柱
１４に通してその上下端のもののみを支柱１４に接着し
てそれを押え板のように用いて互いに圧接するだけでも
良い。また、各誘電体１６１を支柱１４に通すだけして
その上下端に別の押え板（例えば第３図の押え板２０参
照）を設けてこれを支柱１４に接着することによって各
誘電体１６１を互いに圧接するようにしても良い。この
場合の押え板は、誘電体ブロック１６の本来の共振に悪
影響を及ぼさないように低誘電率の材料で作っても良い
し、他と同じ誘電体で作ってそれを誘電体ブロックの一
部と見なしても良い。
誘電体ブロック１６を上記のように板状の誘電体１６１
を積み重ねて構成すると、各接合面１６２に低誘電率の
接着剤や空気が介在してそこでの誘電率が必然的に低下
するため、そこを、主共振モードであるＴ、Ｅｏ＋Ｊモ
ード以外の共振モードにおける電界が通りにくくなる。
を積み重ねて構成すると、各接合面１６２に低誘電率の
接着剤や空気が介在してそこでの誘電率が必然的に低下
するため、そこを、主共振モードであるＴ、Ｅｏ＋Ｊモ
ード以外の共振モードにおける電界が通りにくくなる。
例えばＴＭモードを例に取ると、その電界は誘電体ブロ
ック１６の軸１，６ｇ（第２図参照）方向に向うが、そ
のような電界が接合面１６２を通りにくくなる。
ック１６の軸１，６ｇ（第２図参照）方向に向うが、そ
のような電界が接合面１６２を通りにくくなる。
その結果、主共振モード以外の共振モードの電磁界分布
が生じにくくなり、スプリアスが抑圧される。
が生じにくくなり、スプリアスが抑圧される。
ところで、」−記のような誘電体ブロック１６中におげ
ろ軸１６ｚ方向の電界エネルギーの分布は、第１図中に
破線１８で示すように、中央部で最大の山形となる。従
って、誘電体ブロック１６を構成する誘電体１６１は、
例えば第３図に示すように、上記のような電界エネルギ
ー分布の形状に似せて上下端に近いもの程直径を小さく
しても良く、そのようにしてもその主共振モードでの動
作に殆ど支障を来たさない。
ろ軸１６ｚ方向の電界エネルギーの分布は、第１図中に
破線１８で示すように、中央部で最大の山形となる。従
って、誘電体ブロック１６を構成する誘電体１６１は、
例えば第３図に示すように、上記のような電界エネルギ
ー分布の形状に似せて上下端に近いもの程直径を小さく
しても良く、そのようにしてもその主共振モードでの動
作に殆ど支障を来たさない。
しかもそのようにすれば、誘電体ブロック１６に余分な
部分が無くなるので、不要共振モードの抑圧を一層大き
くすることができると共に、誘電体ブロック１６の材料
の削減および軽量化を図ることができる。
部分が無くなるので、不要共振モードの抑圧を一層大き
くすることができると共に、誘電体ブロック１６の材料
の削減および軽量化を図ることができる。
また、誘電体ブロック１６を構成する誘電体１６１の間
に、例えば第４回あるいは第５図に示すように、リング
状の隙間１６３をそれぞれ設けても良く、そのようにす
れば、軸方向の電界が発生しにくくなり、不要モードの
抑圧を一層大きくするという効果が得られる。
に、例えば第４回あるいは第５図に示すように、リング
状の隙間１６３をそれぞれ設けても良く、そのようにす
れば、軸方向の電界が発生しにくくなり、不要モードの
抑圧を一層大きくするという効果が得られる。
ところで、この明細書で述べているような誘電体共振器
は、大電力（例えば数＋Ｗ〜数百Ｗ程度の）回路におい
て用いられる場合もあるが、その場合、第６図に示した
従来の誘電体ブロック６では、スプリアスの問題以外に
、その表面積が比較的小さいため放熱性が充分でなく、
使用しているうちに誘電体ブロック６の温度が上昇し、
その結果誘電体ブロック６の誘電率の変化に伴って共振
周波数が変化したり、あるいはフィルタとして用いた場
合にその電気的特性が劣化するという問題もある。
は、大電力（例えば数＋Ｗ〜数百Ｗ程度の）回路におい
て用いられる場合もあるが、その場合、第６図に示した
従来の誘電体ブロック６では、スプリアスの問題以外に
、その表面積が比較的小さいため放熱性が充分でなく、
使用しているうちに誘電体ブロック６の温度が上昇し、
その結果誘電体ブロック６の誘電率の変化に伴って共振
周波数が変化したり、あるいはフィルタとして用いた場
合にその電気的特性が劣化するという問題もある。
これに対して、上記第４図および第５図の実施例では、
各誘電体１６１の空間に露出する表面積が増大するので
、誘電体ブロック１６の放熱性が著しく改善されるとい
う効果も得られる。従って、上記のような温度上昇に伴
う電気的特性の劣化を効果的に防止することができる。
各誘電体１６１の空間に露出する表面積が増大するので
、誘電体ブロック１６の放熱性が著しく改善されるとい
う効果も得られる。従って、上記のような温度上昇に伴
う電気的特性の劣化を効果的に防止することができる。
第７図は、この発明の他の実施例に係る誘電体共振器を
示す継断面図である。なお、これ以降の実施例において
は、誘電体ブロックと外部との結合手段の図示を省略し
ている。
示す継断面図である。なお、これ以降の実施例において
は、誘電体ブロックと外部との結合手段の図示を省略し
ている。
この実施例においては、誘電体ブロック２６が、複数の
第１の誘電体２６１を、それらの間に第２の誘電体２６
２を介在させて積み重ねた構造している。そしてこのよ
うな誘電体ブロック２６を、絶縁性材料より成る支持部
材２４によってケース２内に支持している。
第１の誘電体２６１を、それらの間に第２の誘電体２６
２を介在させて積み重ねた構造している。そしてこのよ
うな誘電体ブロック２６を、絶縁性材料より成る支持部
材２４によってケース２内に支持している。
第１の誘電体２６１は、それぞれ、中央部に貫通孔を有
する円板状のものであり、かつ相対的に高い誘電率の材
料で構成されている。
する円板状のものであり、かつ相対的に高い誘電率の材
料で構成されている。
第２の誘電体２６２は、それぞれ、同じく中央部に貫通
孔を有する円板状のものであり、かつ相対的に低い誘電
率（例えば第１の誘電体２６１の誘電率が３８の場合、
６〜８程度の誘電率）の材料で構成されている。しかも
第２の誘電体２６２は、それぞれ、第１の誘電体２６１
に比べてその外形がかなり小さくされている。
孔を有する円板状のものであり、かつ相対的に低い誘電
率（例えば第１の誘電体２６１の誘電率が３８の場合、
６〜８程度の誘電率）の材料で構成されている。しかも
第２の誘電体２６２は、それぞれ、第１の誘電体２６１
に比べてその外形がかなり小さくされている。
従って、この誘電体ブロック２６においては、第２の誘
電体２６２がスペーサとして働き、各第１の誘電体２６
１間にリング状の隙間２６３がそれぞれでき、そこでの
誘電率が低下するので、第４図および第５図の実施例の
場合と同様、軸方向の電界が発生しにくくなり、スプリ
アスが抑圧される。
電体２６２がスペーサとして働き、各第１の誘電体２６
１間にリング状の隙間２６３がそれぞれでき、そこでの
誘電率が低下するので、第４図および第５図の実施例の
場合と同様、軸方向の電界が発生しにくくなり、スプリ
アスが抑圧される。
しかもこの誘電体ブロック２６においては、閉し込めら
れる電界エネルギーの９０％以上が相対的に高い誘電率
の第１の誘電体２６１側に集中するので、発熱の大部分
は第１の誘電体２６１側で生じるが、隙間２６３がある
ため各第１の誘電体２６１は空間に大きな面積で露出さ
れている。従って、この実施例では、誘電体ブロック２
６における発熱部分の表面積が効果的に増大するので、
放熱性が著しく改善される。
れる電界エネルギーの９０％以上が相対的に高い誘電率
の第１の誘電体２６１側に集中するので、発熱の大部分
は第１の誘電体２６１側で生じるが、隙間２６３がある
ため各第１の誘電体２６１は空間に大きな面積で露出さ
れている。従って、この実施例では、誘電体ブロック２
６における発熱部分の表面積が効果的に増大するので、
放熱性が著しく改善される。
例えば、第６図に示した従来構造により、共振周波数Ｉ
ＧＨ２の共振器を構成し、５０Ｗの電力を入力した場合
、誘電体ブロック６において約３０°Ｃの温度上昇が見
られたのに対して、第７図に示したように第１の誘電体
２６１を５層構造とすることにより、誘電体ブロック２
６の温度上昇は約１５°Ｃ程度に抑えることが可能とな
った。従って、温度上昇に伴う電気的特性の劣化を効果
的に防止し得ることがわかる。
ＧＨ２の共振器を構成し、５０Ｗの電力を入力した場合
、誘電体ブロック６において約３０°Ｃの温度上昇が見
られたのに対して、第７図に示したように第１の誘電体
２６１を５層構造とすることにより、誘電体ブロック２
６の温度上昇は約１５°Ｃ程度に抑えることが可能とな
った。従って、温度上昇に伴う電気的特性の劣化を効果
的に防止し得ることがわかる。
なお、誘電体ブロック２６′における各節１の誘電体２
６１の大きさは、第３図の実施例の場合と同様、例えば
第８図に示すように、上下端に近いものほど直径を小さ
くしても良く、そのようにすれば不要共振モードの抑圧
を一層大きくすることができると共に、誘電体ブロック
２６の材料の削減および軽量化を図ることができる。
６１の大きさは、第３図の実施例の場合と同様、例えば
第８図に示すように、上下端に近いものほど直径を小さ
くしても良く、そのようにすれば不要共振モードの抑圧
を一層大きくすることができると共に、誘電体ブロック
２６の材料の削減および軽量化を図ることができる。
更に、上記第７図および第８図の実施例では、スペーサ
として低誘電率の第２の誘電体２６２を用いているので
、その厚みをコントロールすることにより、誘電体ブロ
ック２６の共振周波数を制御することができる。例えば
、第７図の実施例において、第２の誘電体２６２の厚み
を変化させた場合、その正規化周波数ｆは、第９図に示
すように変化した。従って、第２の誘電体２６２の厚み
を調整することにより、より正確に所望の共振周波数の
共振器を得ることができる。
として低誘電率の第２の誘電体２６２を用いているので
、その厚みをコントロールすることにより、誘電体ブロ
ック２６の共振周波数を制御することができる。例えば
、第７図の実施例において、第２の誘電体２６２の厚み
を変化させた場合、その正規化周波数ｆは、第９図に示
すように変化した。従って、第２の誘電体２６２の厚み
を調整することにより、より正確に所望の共振周波数の
共振器を得ることができる。
第１０図ないし第１３図は、それぞれ、この発明の更に
他の実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。
他の実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。
これらの実施例においては、誘電体ブロック３６が、複
数の鍔状部３６１と、それらを互いの間にリング状の隙
間３６３をあけて中央部で支える支柱部３６２とを一体
化した構造をしている。
数の鍔状部３６１と、それらを互いの間にリング状の隙
間３６３をあけて中央部で支える支柱部３６２とを一体
化した構造をしている。
ここで一体化とは、同一の材料で継目なく構成している
ことを意味しており、このような構造の誘電体ブロック
３６は、例えばセラミックス材料を所定の型に入れて成
形した後に焼成するという通常の工程で容易に作ること
ができる。
ことを意味しており、このような構造の誘電体ブロック
３６は、例えばセラミックス材料を所定の型に入れて成
形した後に焼成するという通常の工程で容易に作ること
ができる。
支柱部３６２の中心部には、貫通孔を設けても良いしく
例えば第１０図および第１１図の貫通孔３６４参照）、
設けなくても良く （例えば第１２図および第１３図参
照）、いずれにするかは任意である。
例えば第１０図および第１１図の貫通孔３６４参照）、
設けなくても良く （例えば第１２図および第１３図参
照）、いずれにするかは任意である。
また誘電体ブロック３６をケース２内で支持する手段と
しては、例えば、第１０図に示すように誘電体ブロック
３６の貫通孔３６４に絶縁物製の支柱３４を通して支持
する手段、第１１図に示すように絶縁物製で中空の支持
台３７で支持する手段、第１２図に示すように絶縁物製
でブロック状の支持台３８で支持する手段、第１３図に
示すように絶縁物製で中空またはブロック状の支持台３
８および支持部材３９で上下から支持する手段等が採り
得るが、いずれにするかは任意である。
しては、例えば、第１０図に示すように誘電体ブロック
３６の貫通孔３６４に絶縁物製の支柱３４を通して支持
する手段、第１１図に示すように絶縁物製で中空の支持
台３７で支持する手段、第１２図に示すように絶縁物製
でブロック状の支持台３８で支持する手段、第１３図に
示すように絶縁物製で中空またはブロック状の支持台３
８および支持部材３９で上下から支持する手段等が採り
得るが、いずれにするかは任意である。
上記第１０図ないし第１３図いずれの実施例においても
、その誘電体ブロック３６の各鍔状部３６１間にリング
状の隙間３６３がそれぞれできており、そこでの誘電率
が低下するので、軸方向の電界が発生しにくくなり、ス
プリアスが抑圧される。
、その誘電体ブロック３６の各鍔状部３６１間にリング
状の隙間３６３がそれぞれできており、そこでの誘電率
が低下するので、軸方向の電界が発生しにくくなり、ス
プリアスが抑圧される。
また、鍔状部３６１間に隙間３６３を設けた構造とする
ことで空間に露出する表面積が増大するので、当該誘電
体ブロック３６の放熱性も向上する。従って、その温度
上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に防止することが
できる。
ことで空間に露出する表面積が増大するので、当該誘電
体ブロック３６の放熱性も向上する。従って、その温度
上昇に伴う電気的特性の劣化を効果的に防止することが
できる。
更に、同上の理由から、当該誘電体ブロック３６を焼成
するときの各部への火の通りが良くなるので、第６図に
示したような従来の誘電体ブロック６の場合に比べて、
当該誘電体ブロック３６の、特にそれを大型化したとき
の焼成時間が短くなる。
するときの各部への火の通りが良くなるので、第６図に
示したような従来の誘電体ブロック６の場合に比べて、
当該誘電体ブロック３６の、特にそれを大型化したとき
の焼成時間が短くなる。
しかも、上記誘電体ブロック３６は一体物であるため、
上述した他の実施例の場合に比べて、そのケース２内へ
の組込作業が簡略化される。
上述した他の実施例の場合に比べて、そのケース２内へ
の組込作業が簡略化される。
なお、上記いずれの実施例においても、誘電体ブロック
には貫通孔を設ける方がスプリアス抑圧等の点で有利で
あるが、必ず設けなければならないものではない。
には貫通孔を設ける方がスプリアス抑圧等の点で有利で
あるが、必ず設けなければならないものではない。
また、以上はいずれも主共振モードがＴＥｏｌＪである
場合を例示したが、この発明は必ずしもそれに限定され
るものではなく、ＴＥモードであればそれ以外の共振モ
ード、例えばＴ Ｅ ｏ ＋モード、ＴＥ、、あるいは
その変形モード等にも広く適用することができる。その
場合、誘電体ブロックの全体の形状等はその所要とする
主共振モードに応して変えれば良い。例えば、Ｔ Ｅ
＋ Ｉあるいはその変形モードの場合は、誘電体ブロッ
クの全体の形状を例えば角柱状にすれば良い。
場合を例示したが、この発明は必ずしもそれに限定され
るものではなく、ＴＥモードであればそれ以外の共振モ
ード、例えばＴ Ｅ ｏ ＋モード、ＴＥ、、あるいは
その変形モード等にも広く適用することができる。その
場合、誘電体ブロックの全体の形状等はその所要とする
主共振モードに応して変えれば良い。例えば、Ｔ Ｅ
＋ Ｉあるいはその変形モードの場合は、誘電体ブロッ
クの全体の形状を例えば角柱状にすれば良い。
また、誘電体共振器としての構造、例えばケースの構造
、ケース内に収納する誘電体ブロックの個数、外部との
結合手段等も必ずしも上記例のようなものに限定される
ものではない。
、ケース内に収納する誘電体ブロックの個数、外部との
結合手段等も必ずしも上記例のようなものに限定される
ものではない。
〔発明の効果〕
この発明は、」二記のとおり構成されているので、次の
ような効果を奏する。
ような効果を奏する。
即ち、誘電体ブロンクを、複数の板状の誘電体を各接合
面が当該誘電体共振器の王共振モードにおける電界に対
して平行になるように積み重ねた構造にすると、各接合
面で誘電率が低下し７てそこを主共振モード以外の共振
モートにおける電界が通りにくくなるので、スプリアス
を抑圧Ｊることかできる。
面が当該誘電体共振器の王共振モードにおける電界に対
して平行になるように積み重ねた構造にすると、各接合
面で誘電率が低下し７てそこを主共振モード以外の共振
モートにおける電界が通りにくくなるので、スプリアス
を抑圧Ｊることかできる。
また、誘電体ブロックを、複数の相対的に高誘電率で板
状の第１の誘電体を、それらの間にそれらよりも小さ（
かつ相対的に低誘電率で板状の第２の誘電体を介在させ
て積み重ねた構造にすると、第１の誘電体間に隙間がで
きてそこでの誘電率が低下するので、この場合もスプリ
アスを抑圧することができる。しかも、誘電体ブロック
の発熱部分の表面積が増大するので、その放熱性が改善
され、従って誘電体ブロックの温度上昇に伴う電気的特
性の劣化を効果的に抑制することができる。
状の第１の誘電体を、それらの間にそれらよりも小さ（
かつ相対的に低誘電率で板状の第２の誘電体を介在させ
て積み重ねた構造にすると、第１の誘電体間に隙間がで
きてそこでの誘電率が低下するので、この場合もスプリ
アスを抑圧することができる。しかも、誘電体ブロック
の発熱部分の表面積が増大するので、その放熱性が改善
され、従って誘電体ブロックの温度上昇に伴う電気的特
性の劣化を効果的に抑制することができる。
更に、第２の誘電体の厚みを変更することにより、共振
周波数の制御も容易であり、従って所望通りの共振周波
数の誘電体共振器やフィルタを容易に得ることが可能と
なる。
周波数の制御も容易であり、従って所望通りの共振周波
数の誘電体共振器やフィルタを容易に得ることが可能と
なる。
また、誘電体ブロックを、複数の鍔状部と、それらを互
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造にすると、各鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するので、この場合もスプリアスを抑圧す
ることができる。しかも、誘電体ブロックの表面積が増
大するので、その放熱性が向上して温度上昇に伴う電気
的特性の劣化を効果的に抑制することができると共に、
焼成時の火の通りが良くなって焼成時間が短縮される。
いの間に隙間をあけて中央部で支える支柱部とを一体化
した構造にすると、各鍔状部間に隙間ができてそこでの
誘電率が低下するので、この場合もスプリアスを抑圧す
ることができる。しかも、誘電体ブロックの表面積が増
大するので、その放熱性が向上して温度上昇に伴う電気
的特性の劣化を効果的に抑制することができると共に、
焼成時の火の通りが良くなって焼成時間が短縮される。
更に、当該誘電体ブロックは一体物であるため、そのケ
ース内への組込作業が簡略化される。
ース内への組込作業が簡略化される。
第１図は、この発明の一実施例に係る誘電体共振器を示
す縦断面図である。第２図は、第１図の誘電体ブロック
の斜視図である。第３図ないし第５図は、それぞれ、誘
電体ブロックの他の例を示す縦断面図である。第６図は
、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図である。第
７図および第８図は、それぞれ、この発明の他の実施例
に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。第９図は、
第７図の実施例において第２の誘電体の厚みを変化させ
た場合の共振周波数の変化を示す図である。 第１０図ないし第１３図は、それぞれ、この発明の更に
他の実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。 ２・・・導電性のケース、１６・・・誘電体ブロック、
１６１・・・誘電体、１６２．・・接合面、２６０．・
誘電体ブロック、２６１・・・第１の誘電体、２６２・
・・第２の誘電体、３６・・・誘電体ブロック、３６１
・・・鍔状部、３６２・・・支柱部。
す縦断面図である。第２図は、第１図の誘電体ブロック
の斜視図である。第３図ないし第５図は、それぞれ、誘
電体ブロックの他の例を示す縦断面図である。第６図は
、従来の誘電体共振器の一例を示す縦断面図である。第
７図および第８図は、それぞれ、この発明の他の実施例
に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。第９図は、
第７図の実施例において第２の誘電体の厚みを変化させ
た場合の共振周波数の変化を示す図である。 第１０図ないし第１３図は、それぞれ、この発明の更に
他の実施例に係る誘電体共振器を示す縦断面図である。 ２・・・導電性のケース、１６・・・誘電体ブロック、
１６１・・・誘電体、１６２．・・接合面、２６０．・
誘電体ブロック、２６１・・・第１の誘電体、２６２・
・・第２の誘電体、３６・・・誘電体ブロック、３６１
・・・鍔状部、３６２・・・支柱部。
Claims (3)
- （１）導電性のケース内に誘電体ブロックを収納した誘
電体共振器において、当該誘電体ブロックが、複数の板
状の誘電体を各接合面が当該誘電体共振器の主共振モー
ドにおける電界に対して平行になるように積み重ねた構
造をしていることを特徴とする誘電体共振器。 - （２）導電性のケース内に誘電体ブロックを収納した誘
電体共振器において、当該誘電体ブロックが、複数の相
対的に高誘電率で板状の第１の誘電体を、それらの間に
それらよりも小さくかつ相対的に低誘電率で板状の第２
の誘電体を介在させて積み重ねた構造をしていることを
特徴とする誘電体共振器。 - （３）導電性のケース内に誘電体ブロックを収納した誘
電体共振器において、当該誘電体ブロックが、複数の鍔
状部と、それらを互いの間に隙間をあけて中央部で支え
る支柱部とを一体化した構造をしていることを特徴とす
る誘電体共振器。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-210081 | 1988-08-24 | ||
| JP21008188 | 1988-08-24 | ||
| JP63-127713 | 1988-09-29 | ||
| JP12771388 | 1988-09-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02168702A true JPH02168702A (ja) | 1990-06-28 |
| JPH0728168B2 JPH0728168B2 (ja) | 1995-03-29 |
Family
ID=26463598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21708889A Expired - Fee Related JPH0728168B2 (ja) | 1988-08-24 | 1989-08-23 | 誘電体共振器 |
Country Status (4)
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|---|---|
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| JP (1) | JPH0728168B2 (ja) |
| DE (1) | DE3928015A1 (ja) |
| GB (1) | GB2222315B (ja) |
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| US7352264B2 (en) | 2005-10-24 | 2008-04-01 | M/A-Com, Inc. | Electronically tunable dielectric resonator circuits |
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| US7719391B2 (en) | 2006-06-21 | 2010-05-18 | Cobham Defense Electronic Systems Corporation | Dielectric resonator circuits |
| JP2014508482A (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-03 | アルカテル−ルーセント | 空胴フィルタの熱放散 |
| JP2017517010A (ja) * | 2014-05-23 | 2017-06-22 | アスティックス ゲーエムベーハー | 特に誘電体目標物や金属目標物までの距離測定装置 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| JPH0728168B2 (ja) | 1995-03-29 |
| GB8919192D0 (en) | 1989-10-04 |
| GB2222315A (en) | 1990-02-28 |
| US5059929A (en) | 1991-10-22 |
| GB2222315B (en) | 1993-04-07 |
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