WO2005062415A1

WO2005062415A1 - 誘電体共振器およびこれを用いた通信機装置

Info

Publication number: WO2005062415A1
Application number: PCT/JP2004/015901
Authority: WO
Inventors: Toru Kurisu; Kazuhiko Kubota; Hirotsugu Abe
Original assignee: Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date: 2003-12-24
Filing date: 2004-10-27
Publication date: 2005-07-07
Also published as: KR20060032576A; CN1314164C; DE112004000131T5; KR100611486B1; JPWO2005062415A1; CN1701463A; US20060097825A1

Abstract

　ＴＥ０１δモードで共振する誘電体共振素子部と、その誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置した突起部とを一体成形するとともに、誘電体共振素子部底面側の面積が突起部下面の面積よりも大きくなるように突起部の外周部側面を傾斜させる。この構造により、誘電体共振素子部の磁界を突起部の外周部側面の傾斜している部分とその周辺へも広げ、誘電体共振素子部の下方周辺の磁界分布の広がりを大きくし、突起部から離れた位置に入出力電極を配置した場合にも、入出力用電極と誘電体共振素子部とを十分に強く結合させる。

Description

明細書

誘電体共振器およびこれを用いた通信機装置

技術分野

[0001] 本発明は、マイクロ波帯、ミリ波帯において使用される TE01 δモード誘電体共振器と、これを用いたフィルタ、デュプレクサ、発振器およびそれらを備えた通信機装置に関するものである。

背景技術

[0002] マイクロ波帯あるいはミリ波帯を使用した携帯電話等の無線通信システムにおいては、そこで使用するフィルタや発振器用に誘電体共振器が使用されている。そのうち、高 Qで、かつ高い耐電力性が必要な用途に TE01 δモード誘電体共振器が使用される。 TE01 δモード誘電体共振器は、円柱状あるいは角柱状の誘電体共振素子を支持体で支える構造となっている。この共振器を外部回路と接続するためには、共振器を実装する基板上のマイクロストリップ線路や、金属プローブ等の入出力用電極が必要である。ここで前記デバイスの所望の電気特性を得るためには、入出力用電極と共振器間の距離等により変化する外部回路との結合量を所望値に設定する必要がある。 TE01 δモード誘電体共振器において外部回路と結合を得る方法として以下のような方法が提案されて、る。

[0003] 特許文献 1においては、マイクロ波帯発振器に使用する TE01 δモード誘電体共振器を取り付けた誘電体の支持体をはさみこむように、マイクロストリップ線路の入出力用電極が配置されて！、る。

[0004] また、特許文献 2においては、外部回路との結合を強くする方法として、 TE01 δモード誘電体共振素子が支持体上に傾斜をつけて配置された高周波発振器が示されている。この方法により、共振素子が下に傾いている側に入出力用電極を配置した場合は、外部回路との結合を強くすることができる。また支持体から離れた位置に入出力用電極を配置できるため、支持体を入出力電極上に設置するおそれも少なくなり、発振特性が不安定になる可能性を小さくすることができる。

特許文献 1：特開平 5- 152845号公報特許文献 2：特開平 2 - 246403号公報

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] TE01 δモード誘電体共振器の磁界は、例えば誘電体共振素子が円柱状の場合、その円形上面の中央付近から誘電体共振素子の上部へ、そして誘電体共振素子縁端部の外部を通り、円形下面へとループ状に、かつ放射状に分布している。特許文献 1の構造では、誘電体共振素子の磁界が誘電体共振素子の下方周辺には十分広がって!/、な、。従って誘電体共振素子部とマイクロストリップ線路を強く結合させるためには、支持体近傍までマイクロストリップ線路を近づける必要がある。これにより強い外部結合は得られるものの、支持体とマイクロストリップ線路の間隔力支持体の実装基板への実装精度よりも狭い場合、支持体がマイクロストリップ線路上に実装されるおそれがある。これにより共振器特性が変化し、発振器の発振特性が不安定になるという問題が発生する。

[0006] また特許文献 2の構造では次のような問題がある。まず共振器が上に傾、た側では強い外部結合が得られないため、入出力用電極を配置する場所に制限が生じる。また TE01 δモード誘電体共振器を使用したフィルタや発振器等では、キヤビティ内に共振器を配置することが一般的である。し力し上に傾、た側の共振器上部の磁界が、キヤビティの上部面による摂動を受けて共振周波数が変化する。また共振器が傾いているため、発振器の高さが高くなる。さらに TE01 δモード誘電体共振器の場合、共振器上部からネジ等により共振周波数の調整が行なわれて、る。しかし本特許文献の構造では共振器上面が傾いているため、共振器上部の磁界分布が一様ではなくなり、傾いていない場合に比べ共振周波数の調整が難しくなる。

[0007] 以上のように前記二つの特許文献では、共振器と入出力用電極との結合を強くすることはできるが、実装精度による特性劣化や、共振器使用上の制限があるという問題が生じてしまう。そこで本発明は、入出力用電極が共振器カゝら離れていても外部回路と強い結合が得られ、共振器の実装精度による共振器特性の変化もない TE01 δ モード誘電体共振器と、これを用いたフィルタ、デュプレクサ、発振器等とそれらを備えた通信機装置を得ることを目的とした。課題を解決するための手段

[0008] 上記課題を解決するために本発明の誘電体共振器は、誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器にぉ、て、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードが TE01 δモードであることを特徴とした。

[0009] この構造により誘電体共振素子部の磁界が突起部の外周部側面の傾斜して!/、る部分とその周辺へも広がるため、従来構造よりも誘電体共振素子部の下方周辺の磁界分布の広がりを大きくすることができる。この効果により突起部から離れた位置に入出力電極を配置しても入出力用電極と十分強い結合が得られる。このため入出力用電極との接触もなくなるため、共振器特性の変化をなくすことができる。

[0010] また突起部の外周部側面が傾斜されて!、な!/、場合、誘電体共振素子部と突起部の境界に直角に近い段差ができる。この誘電体共振素子部と突起部をプレス成形により一体成形する時、その境界で成形密度が急激に変化し、安定した成形が行えなかった。しかし本発明のように突起部の外周部側面を傾斜させることにより、誘電体共振素子部と突起部の境界の段差が小さくなるため、成形密度の急激な変化を緩和でき、安定した成形が行なえるようになる。またこの構造により、成形が容易で安価な一軸加圧プレス成形法も使用することができるようになる。

[0011] 次に本発明においては、突起部の外周部側面全体を傾斜させることにより、突起部と入出力用電極の間隔及び結合長さが同じ場合、入出力用電極を突起部周囲のどの位置に配置しても同じ結合量が得られ、入出力用電極の配置場所の制限がなくなる。

[0012] さらに本発明においては誘電体共振素子部の底面積を、突起部の誘電体共振素子部底面側の面積よりも大きくしている。この構造にすることにより、誘電体共振素子部の底面の縁端部に環状の平坦な部分を作製することができる。本発明の TE01 δ モード誘電体共振器は、誘電体共振器素子部と突起部を金型を用いて一体成形により作製している。本発明のように誘電体共振素子部の底面に平坦な部分を設けることにより、成形用金型に鋭利な部分が必要なくなり、金型の耐久性と耐摩耗性が向上する。

[0013] また本発明の TE01 δモード誘電体共振器をフィルタあるいは発振器に使用した場合、所望のフィルタあるいは発振器特性を得るために外部回路との強い結合が必要な場合でも、実装精度の影響による共振器特性の変化がないため、所望のフィルタおよび発振器特性を得ることができる。

[0014] また本発明の TE01 δモード誘電体共振器を使用したフィルタを用いてデュプレクサを作製した場合、共振器と送信側回路、受信側回路およびアンテナの入出力用電極間に強い結合が必要な場合でも、実装精度の影響による共振器特性の変化がな V、ため、所望のデュプレクサ特性を得ることができる。

[0015] また本発明の TE01 δモード誘電体共振器や、それを利用したフィルタ、デュプレクサ、発振器等を少なくとも一つ用いた通信機装置も前記デバイス同様に所望の特 '性を得ることができる。

発明の効果

[0016] 以上のように本発明の誘電体共振器は、誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器にお 1、て、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードが TE01 δモードであることを特徴としているので、入出力用電極が突起部力離れていても外部回路と強い結合が得られ、共振器の実装精度の影響による共振器特性の変化がな、。

図面の簡単な説明

[0017] [図 1]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器の概略断面図である

[図 2]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器の突起部下面の外周部の任意点力もの距離と、その位置での磁界強度との関係を示したグラフである。

[図 3]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器の成形工程に用いる金型と TE01 δモード誘電体共振器の概略断面図である。 [図 4]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器において、その突起部側面の外周部に設けた傾斜の形状を変更したときの実施例の概略断面図である。

[図 5]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器において、その突起部内部にくぼみと傾斜を設けた実施例における概略断面図である。

[図 6]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器において、その内部に空洞を設けた実施例における概略断面図である。

圆 7]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器を用いて作製したフィルタの概略断面図である。

圆 8]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器を用いて作製したデュプレクサの概略断面図である。

圆 9]本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器を用いて作製した発振器の概略平面図である。

圆 10]本発明の TE01 δモード誘電体共振器を使用した通信機器の送受信回路の概略回路図である。

[図 11]従来技術における TE01 δモード誘電体共振器の概略断面図である。

符号の説明

1、 20、 30、 40、 50、 60、 70、 80、 110 誘電体共振器

2 誘電体共振素子部

3 突起部

4 突起部下面の直径

5 突起部の誘電体共振素子部側の面の直径

6 誘電体共振素子部の底面の直径

7、 31、 41、 51 突起部外周部に設けた傾斜

8、 63、 73、 82、 83、 111 入出力用電極

9 実装用基板

10、 62、 74 キヤビティ

11 突起部下面外周部の任意点

12 磁界 13 突起部外周部の傾斜角度

14 突起部下面外周部の任意点からの距離

発明を実施するための最良の形態

[0019] 以下において図を参照しつつ本発明の第 1の実施例について説明する。図 1は本発明の一実施例における TE01 δモード誘電体共振器 1の概略断面図である。図 1 において誘電体共振素子部 2は円柱上で、その底面に垂直な軸方向で、誘電体共振素子部 2の底面側に突起部 3が配置されており、この突起部 3の断面も円形になつている。本実施例における TE01 δモード誘電体共振器 1の寸法は、誘電体共振素子部 2の底面の直径 6が 5. 6mm,厚みが 2. 5mm,突起部 3の誘電体共振素子部の底面側面の直径 5が 4mm、突起部 3の下面の直径 4が 3. 2mmで突起部 3の厚みが 1mmである。このように突起部 3の誘電体共振素子部の底面側面積 (直径 5)を、突起部下面の面積 (直径 4)よりも大きくすることにより、突起部の外周部に傾斜を持たせた構造としている。また誘電体共振素子部 2の底面積 (直径 6)を、突起部 3の誘電体共振素子部の底面側面積 (直径 5)よりも大きくすることにより、誘電体共振素子部 2の底面縁端部に、環状の平坦な部分を形成している。この誘電体共振器 1は、 C u配線等を用いたマイクロストリップ線路による入出力用電極 8が作製されたガラスェポキシ基板等の実装基板 9上に接着剤等により接着、固定され、キヤビティ 10で覆われた構造で使用される。なおキヤビティ 10は金属製もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケース力なる。

[0020] また誘電体共振素子部 2と突起部 3は、誘電体材料を用いてプレス成形により一体成形する。本実施例で使用した共振器 1の誘電体材料は、チタン酸ジルコニウムーチタン酸錫系化合物で、比誘電率は 38である。

[0021] 本実施例の構造において、図 1のように TE01 δモード誘電体共振器 1の突起部 3 下面の外周上の任意点 11を原点とし、そこから外部へ離れる方向へ距離 14を変化させたときの磁界強度の変化をシミュレーションにより求めた。その結果を図 2に示す。なお TE01 δモード誘電体共振器の磁界は、図 1中の 12で示されるような分布となつている。また図 2中に示す角度は、図 1に示す突起部 3の傾斜角度 13である。このグラフは傾斜角度 13が 0° のとき、つまり突起部 3に傾斜がないときの原点 11での磁界強度を基準とし、距離 14が変化したときの磁界強度をその基準値との比で表している。なお突起部の傾斜角度が 0° 、つまり傾斜がない従来構造の共振器の概略断面図を図 11に示す。グラフ中には、図 1に示す傾斜角度 13の変化による磁界強度の変ィ匕も示している。

[0022] ここで傾斜角度 13が 0° の従来構造において、所望の共振器特性を得るために、原点 11部分に入出力用電極 8を配置し、入出力回路 8との結合を強くしなければならない場合がある。し力しこの構造では、突起部 3を実装基板 9上に実装する場合、現在の共振器実装精度では突起部 3が入出力用電極 8上に配置され、共振器特性が劣化する可能性がある。し力図 1のような本発明の構造においては、例えば突起部 3の傾斜角度 13を 20° にした場合、従来構造で原点 11において得られていた磁界強度 (グラフ中の A点）と同じ磁界強度が、原点 11力も 0. 35mm離れた位置 (ダラフ中の B点）で得られることが分かる。つまり、従来構造においては突起部下面の外周部に配置する必要があった入出力電極を、図 1のように突起部の外周側面に傾斜を持たせることにより突起部下面の外周部から 0. 35mm離した位置に配置することができる。このことにより現在の共振器実装精度で突起部 3を実装した場合、実装位置が変動したとしても突起部 3と入出力電極 8の間隔が 0. 35mm離れていれば突起部 3が入出力電極 8上に実装されることはなぐこれにより共振器特性が劣化することもなくなる。

[0023] また図 1に示す傾斜角度 13を大きくするほど、同じ磁界強度が得られる位置は原点 11から遠くなることが分かる。これは図 1のように突起部 3に傾斜を持たせることにより、誘電体共振素子部 2の磁界が突起部 3の傾斜させた部分 7とその下方周辺へ大きく広がるためである。この結果より、傾斜角度 13を共振器実装精度による特性劣化の問題が生じない 20° 以上で、共振器構造上の問題が生じない 90° 未満の範囲で選ぶことにより、 TE01 δモード誘電体共振器の実装精度に関係なく所望の共振器特性が得られることがゎカゝる。

[0024] なお本実施例における TE01 δモード誘電体共振器の誘電体材料としては共振器の仕様周波数帯等により、本実施例の材料以外に希土類チタン酸バリウム系化合物、チタン酸バリウム系化合物、亜鉛タンタル酸バリウム系化合物、マグネシウムタンタル酸バリウム系化合物、アルミニウム酸希土類チタン酸バリウム系化合物、チタン酸マグネシウムチタン酸カルシウム系化合物、亜鉛ニオブ酸カルシウム系化合物、コバルト亜鉛ニオブ酸バリウム系化合物力なる群より選択しても構わない。なおこのときの誘電体材料の比誘電率は、 20— 130の間の任意の値である。また誘電体共振素子部 2および突起部 3の形状は円柱上に限るものではなぐ多角柱状でも構わない。さらに図 1に示した入出力用電極はマイクロストリップ線路である力コプレナ線路等の他の平面型線路のほか、金属プローブ等を用いても同様の効果を得ることができる。

[0025] また本発明の構造においては、誘電体共振素子部 2の形状は従来と同様なので、上部キヤビティによる特性変化もなぐ誘電体共振素子部 2の上部力の周波数調整も容易に行なうことができる。

[0026] 以上のように、突起部外周部側面に傾斜を持たせることにより、傾斜がない従来構造に比べ、磁界分布を突起部外周の傾斜部分とその下方周辺へ大きく広げることができる。これにより、入出力用電極が突起部から離れていても外部回路と強い結合が得られ、誘電体共振器の実装精度の影響による共振器特性の変化がない TE01 δ モード誘電体共振器を得ることができる。

[0027] 図 3は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器を一体成形により作製する時に使用する金型と成形時の共振器の概略断面図である。図 3に示すように、 Τ E01 δモード誘電体共振器 20を一体成形する場合の金型として、ダイス 21、第 1パンチ 22および第 2パンチ 23が必要である。本発明における TE01 δモード誘電体共振器では、図 3のように誘電体共振素子部底面の縁端部に環状の平坦な部分 24を設けている。このため各金型には鋭利な部分等の強度が弱い部分が必要なぐ金型の耐久性ゃ耐摩耗性を向上することができる。

[0028] 図 4は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器の突起部外周部に設けた傾斜の形状を変更した実施例の概略断面図である。突起部外周部の傾斜の形状 31は、誘電体共振器 30の成形のしゃすさ、所望の外部回路との結合量および誘電体共振器の実装精度等を考慮して図 4に示すような各種の形状が考えられる。図 4 (a)は突起部の外側へ円弧状の傾斜をもたせたもの、図 4 (b)は突起部の傾斜を直線状にしたもの、図 4 (c)は突起部の内部側へ円弧状の傾斜を持たせたものである。傾斜部分以外の構造をすベて同じにし、入出力電極を突起部下面の外周部よりすベて同じ位置に配置した場合、入出力電極部での磁界強度の強さは、図 4 (a)、図 4 (b)、図 4 (c)の順となり、傾斜部の形状により磁界強度を調整することができる。また図 4 (d)は誘電体共振素子部底面の縁端部に環状の平坦部 32dを作製している。これにより、テーパ部下方周辺での磁界分布を広くでき、かつ成形用金型の耐久性と耐摩耗性を向上することができる。また図 4 (e)は誘電体共振素子部底面の縁端部の平坦部 32eと突起部 31eの境界部を円弧状にしている。この構造により成形用金型も円弧状になるため、その耐久性と耐摩耗性をさらに向上させることができる。

[0029] 図 5は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器の突起部内部にくぼみを設けた構造である。誘電体共振器作製工程や実装工程の都合上、および所望の共振器特性を得るために、突起部内部にくぼみが必要な場合がある。この場合でも、図 5 (a)のように突起部 42aの外周部に傾斜 41aを持たせることにより、第 1の実施例と同様の効果を得ることができる。また図 5 (b)のように突起部 42bの内部のくぼみの側面にも傾斜 43bを持たせることにより、容易で安価な成形方法である一軸加圧プレスによる成形がさらに容易になる。

[0030] 図 6は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器の共振周波数調整のため、共振器 50内部に共振器上面に垂直な方向に調整穴 52を設けた構造である。これはネジ等を調整穴 52に挿入し、その挿入量により共振周波数を調整する目的である。このような構造においても、その突起部の外周部側面に傾斜 51を持たせることにより、第 1の実施例と同様な効果を得ることができる。

[0031] 図 7は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器を使用したフィルタの概略断面図を示したものである。 3個の TE01 δモード誘電体共振器 60が、入出力端子用同軸コネクタ 61がとりつけられたキヤビティ 62内に配置して構成されている。同軸コネクタ 61の先端には TE01 δモード誘電体共振器 60と電磁結合するための入出力用電極 (金属プローブ) 63が設けられて、る。各共振器 60は突起部下面をキャビティ 62に接着剤等により接着し固定される。また各共振器 60の上部には、共振周波数を調整するための調整ネジ 64を有する。キヤビティ 62は金属製、もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケース力なる。なおフィルタを構成する共振器の数は、所望のフィルタ特性を得るために 3個に限るものではない。

[0032] 図 8は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器を使用したデュプレクサのー実施例における概略断面図を示したものである。図 8は受信用フィルタ 76を構成する 3個と送信用フィルタ 77を構成する 2個の TE01 δモード誘電体共振器 70 1S キヤビティ 74内に配置されたものである。図 8中の同軸コネクタ 71は受信用フィルタ 76および送信用フィルタ 77の入出力端子用、同軸コネクタ 72は送信用と受信用フィルタの入出力を共用するアンテナ入出力端子用である。それぞれの同軸コネクタの先端には、共振器 70と電磁結合するための入出力用電極 (金属プローブ） 73 が取り付けられている。各共振器 70は突起部下面をキヤビティ 74に接着剤等により接着し固定される。各共振器 70の上部には、共振周波数を調整するための調整ネジ 75を有する。キヤビティ 74は金属製、もしくはセラミックの表面に導体を付与した導電性ケース力もなる。なおフィルタを構成する共振器の数は、所望のフィルタ特性を得るために前記の個数に限るものではな、。

[0033] 図 9は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器を使用した発振器の一実施例における概略平面図を示したものである。 TE01 δモード誘電体共振器 80は、第 1のスタブ 82および第 2のスタブ 83の一端と所望の共振周波数で結合するように配置される。また前記第 1のスタブ 82と第 2のスタブ 83の他端は、それぞれェミッタ接地されるトランジスタ 81のベース端子 88とコレクタ端子 89に接続されている。さらにトランジスタ 81のベース端子 88とコレクタ端子 89には、それぞれベース電圧供給配線 84、コレクタ電圧供給配線 85が接続され、コレクタ端子 89には出力負荷キャパシタ 8 6を介して発振出力端子 87も接続されて、る。なお前記ベース電圧供給配線 84とコレクタ電圧供給配線 85の他端は、直流電源供給部 86に接続されている。本実施例における発振回路では、前記誘電体共振器 80と第 1のスタブ 82がフィードバック回路を、誘電体共振器 80と第 2のスタブ 83が発振側回路を構成している。トランジスタ 81のベース端子 88とコレクタ端子 89には、それぞれベース電圧供給配線 84とコレクタ電圧供給配線 85を介して、直流電源が供給される。トランジスタのコレクタ端子 89 力の発振出力は、発振出力端子 87から取り出される。図 10は、第 1の実施例における TE01 δモード誘電体共振器を使用した通信機器の送受信回路の一実施例を示したものである。送信側信号の処理は次のように行なわれる。分周器 91を通してミキサ 92に入力された局部発振器 90の信号を用いて送信側信号 93を周波数変換する。次に帯域通過フィルタ 94により、送信側信号の送信周波数帯域以外の周波数成分を除去する。その後、増幅器 95により増幅され、デュプレクサ 96の送信側フィルタ 97を介してアンテナ 99より送信側信号が送信される。また受信側信号の処理は次のように行なわれる。アンテナ 99から受信された受信側信号は、デュプレクサ 96の受信側フィルタ 98から受信側回路へ出力される。その信号のうち、受信周波数帯域以外の成分は帯域通過フィルタ 100により除去され、増幅器 101により増幅される。その後、ミキサ 102で帯域通過フィルタ 103から出力される局部発振器 90の周波数信号により受信信号よりも低い周波数に周波数変換され、中間周波信号 104が出力される。この回路においては、送信用帯域通過フィルタ 94 、受信用帯域通過フィルタ 100およびデュプレクサ 96に前記実施例で示したフィルタおよびデュプレクサを使用した。さらに発振器 90に、本発明の TE01 δモード誘電体共振器を使用した。

Claims

請求の範囲

[1] 誘電体共振素子部と、前記誘電体共振素子部の底面に対し垂直方向に配置された突起部を一体成形してなる誘電体共振器において、

前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積が前記突起部下面の面積よりも大きくなるように前記突起部の外周部側面が傾斜され、かつ前記誘電体共振素子部に使用する電磁界モードが TE01 δモードであることを特徴とする誘電体共振器。

[2] 請求項 1記載の誘電体共振器において、

前記突起部の外周部側面すべてが傾斜されたことを特徴とする誘電体共振器。

[3] 請求項 1および請求項 2記載の誘電体共振器にお、て、

前記誘電体共振素子部の底面積が、前記突起部の前記誘電体共振素子部底面側の面積よりも大き!/、ことを特徴とする誘電体共振器。

[4] 請求項 1な!ヽし請求項 3記載の誘電体共振器を複数備えたことを特徴とするフィルタ。

[5] 請求項 4記載のフィルタを 2個備えたことを特徴とするデュプレクサ。

[6] 請求項 1な!ヽし請求項 3記載の誘電体共振器を備えたことを特徴とする発振器。

[7] 請求項 1な!、し請求項 3記載の誘電体共振器、請求項 4記載のフィルタ、請求項 5 記載のデュプレクサあるいは請求項 6記載の発振器のうち、少なくとも一つを備えたことを特徴とする通信機装置。