JPS61212101A - 誘電体共振器 - Google Patents
誘電体共振器Info
- Publication number
- JPS61212101A JPS61212101A JP5264885A JP5264885A JPS61212101A JP S61212101 A JPS61212101 A JP S61212101A JP 5264885 A JP5264885 A JP 5264885A JP 5264885 A JP5264885 A JP 5264885A JP S61212101 A JPS61212101 A JP S61212101A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- mode
- dielectric
- dielectric constant
- spurious
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P7/00—Resonators of the waveguide type
- H01P7/10—Dielectric resonators
Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、誘電体共振器に関し、特にたとえばＴＥＱ
１ｇモードあるいはＴＭｏ、。モードなどの誘電体共振
器に関する。
１ｇモードあるいはＴＭｏ、。モードなどの誘電体共振
器に関する。
（従来技術）
たとえば、ＴＥｏ１６モードの誘電体共振器は、中実円
柱状の誘電体材料からなり、基本モードとしてのＴＥ、
、δモードに加えて、スプリアスモードとしてＨＥ＋＋
ｓモードなどが生じる。この場合、第５図に示すように
、基本モードの周波数をｆｏとすれば、それに最近接の
ＨＥＩ １６モードは１．３ｆｏ程度の周波数で発生す
る。したがって、従来このようなＴＥＯＩ６モードの誘
電体共振器では、フィルタとして構成することに難点が
あった。
柱状の誘電体材料からなり、基本モードとしてのＴＥ、
、δモードに加えて、スプリアスモードとしてＨＥ＋＋
ｓモードなどが生じる。この場合、第５図に示すように
、基本モードの周波数をｆｏとすれば、それに最近接の
ＨＥＩ １６モードは１．３ｆｏ程度の周波数で発生す
る。したがって、従来このようなＴＥＯＩ６モードの誘
電体共振器では、フィルタとして構成することに難点が
あった。
従来、このようなスプリアスモードの周波数を基本モー
ドの周波数から遠く離すことによって、スプリアスの影
響を抑制する、２つの方法が知られている。１つは、た
とえば実公昭５５−３４６４２号公報などに開示されて
いるように、誘電体共振器を円筒形に構成することであ
る。他の１つは、実公昭５５−１６４０１号公報および
実公昭５６−２２３２３号公報などで知られているよう
に、誘電体共振器の外部に近接してねじや抵抗体環を設
けることである。
ドの周波数から遠く離すことによって、スプリアスの影
響を抑制する、２つの方法が知られている。１つは、た
とえば実公昭５５−３４６４２号公報などに開示されて
いるように、誘電体共振器を円筒形に構成することであ
る。他の１つは、実公昭５５−１６４０１号公報および
実公昭５６−２２３２３号公報などで知られているよう
に、誘電体共振器の外部に近接してねじや抵抗体環を設
けることである。
（発明が解決しようとする問題点）
誘電体共振器を円筒形に構成するだけでは、未だ十分と
はいえず、また、スプリアス抑制用ポストなどを設ける
ことは、構造が複雑になるばかりでなく、基本モードに
まで影響を及ぼし、たとえばＱが低下してしまう、とい
う問題点があった。
はいえず、また、スプリアス抑制用ポストなどを設ける
ことは、構造が複雑になるばかりでなく、基本モードに
まで影響を及ぼし、たとえばＱが低下してしまう、とい
う問題点があった。
それゆえに、この発明の主たる目的は、基本モ−ドに影
響を及ぼすことな（、スプリアスモードを大幅に抑制し
得る、誘電体共振器を提供することである。
響を及ぼすことな（、スプリアスモードを大幅に抑制し
得る、誘電体共振器を提供することである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、スプリアスモードの電気力線と直交する方
向に、誘電率が異なる誘電体材料を層状に配列して一体
焼成した誘電体共振器である。
向に、誘電率が異なる誘電体材料を層状に配列して一体
焼成した誘電体共振器である。
（作用）
スプリアスモードの電気力線が誘電率の異なる誘電体材
料の層に交差するので、スプリアスモードに対する実効
誘電率が小さくなり、その周波数が大きく高域側に偏移
する。
料の層に交差するので、スプリアスモードに対する実効
誘電率が小さくなり、その周波数が大きく高域側に偏移
する。
（発明の効果）
この発明によれば、基本モードに大きな影響を与えるこ
となく、スプリアスモードを大幅に抑制できる。したが
って、たとえばＴＥ０１８モードなどの誘電体共振器を
用いてフィルタを構成することができる。
となく、スプリアスモードを大幅に抑制できる。したが
って、たとえばＴＥ０１８モードなどの誘電体共振器を
用いてフィルタを構成することができる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の詳細な説明から一層明ら
かとなろう。
は、図面を参照して行う以下の詳細な説明から一層明ら
かとなろう。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。誘電
体共振器１０は、基本モードがＴＥｏ１６モードのもの
であり、誘電率の比較的高い誘電体材料からなるＡ層１
２と、Ａ層１２のものよりも誘電率の低い誘電体材料か
らなるＢ層重４を含む。この誘電体共振器１０は、たと
えば、２種類の誘電体材料からなるセラミックグリーン
シートをそれぞれ単独で作成しておき、それらを交互に
複数層積層して圧着した後、たとえば円柱状に打ち抜き
して一体焼成して作られる。
体共振器１０は、基本モードがＴＥｏ１６モードのもの
であり、誘電率の比較的高い誘電体材料からなるＡ層１
２と、Ａ層１２のものよりも誘電率の低い誘電体材料か
らなるＢ層重４を含む。この誘電体共振器１０は、たと
えば、２種類の誘電体材料からなるセラミックグリーン
シートをそれぞれ単独で作成しておき、それらを交互に
複数層積層して圧着した後、たとえば円柱状に打ち抜き
して一体焼成して作られる。
Ａ層１２の誘電体材料および８層１４の誘電体材料は、
熱膨張係数が殆ど同じであること、および格子定数が同
じか近似していることを条件に選ばれる。これらは、い
ずれも、両層を一体焼成したときに層はがれやクラック
などが発生するのを防ぐために必要な条件である。
熱膨張係数が殆ど同じであること、および格子定数が同
じか近似していることを条件に選ばれる。これらは、い
ずれも、両層を一体焼成したときに層はがれやクラック
などが発生するのを防ぐために必要な条件である。
このような条件を満たすものとして、たとえばＡ層１２
の誘電体材料にはＢ ａ （Ｚ ｎ＋／３Ｎ ｂ２／３
）０３が用いられ、８層１４の誘電体材料にはＢａ（Ｎ
ｉ ｔｐ３Ｔ ａ ２／３） ０３が用いられる。両
者は、線膨張係数が１０ｐｐｍ／’Ｃと等しくかついず
れもペロブスカイト構造を有し、その格子定数が４゜０
９人と４．０８人でほぼ同一である。したがって、この
２種類の誘電体材料を用いて圧着後同時焼成しても、Ａ
層１２とＢＪｉｆ１４との層境界に割れなどが発生する
ことがない。
の誘電体材料にはＢ ａ （Ｚ ｎ＋／３Ｎ ｂ２／３
）０３が用いられ、８層１４の誘電体材料にはＢａ（Ｎ
ｉ ｔｐ３Ｔ ａ ２／３） ０３が用いられる。両
者は、線膨張係数が１０ｐｐｍ／’Ｃと等しくかついず
れもペロブスカイト構造を有し、その格子定数が４゜０
９人と４．０８人でほぼ同一である。したがって、この
２種類の誘電体材料を用いて圧着後同時焼成しても、Ａ
層１２とＢＪｉｆ１４との層境界に割れなどが発生する
ことがない。
一方、１０ＧＨｚにおける誘電特性は、Ａ層１２のＢ−
ａ （Ｚ ｎ＋／３Ｎ ｂ２６） ０３が比誘電率εｒ
−４１、Ｑ＝５０ＧＯ，温度係数τｒ＝＋１７ｐｐｍ
／ ’ｃであるのに対し、８層１４のＢａ（Ｎｉ＋ａＴ
ａ２．＠）０３はｇｒ＝２２．Ｑ＝４０００．ｒｆ＝−
１８ｐｐｍ／’Ｃであり、比誘電率８ｒに差がある。こ
の比誘電率の差がスプリアス特性の改善に有効なのであ
る。
ａ （Ｚ ｎ＋／３Ｎ ｂ２６） ０３が比誘電率εｒ
−４１、Ｑ＝５０ＧＯ，温度係数τｒ＝＋１７ｐｐｍ
／ ’ｃであるのに対し、８層１４のＢａ（Ｎｉ＋ａＴ
ａ２．＠）０３はｇｒ＝２２．Ｑ＝４０００．ｒｆ＝−
１８ｐｐｍ／’Ｃであり、比誘電率８ｒに差がある。こ
の比誘電率の差がスプリアス特性の改善に有効なのであ
る。
すなわち、誘電体共振器１０の基本モードはＴＥＯｌ
６モードであり、このモードの電気力線の方向すなわち
電界方向（Ｅ）は第２図に示すように円周方向、換言す
れば各層１２および１４の面に平行な方向となる。これ
に対して、最も近接したスプリアス振動であるＨＥＩ
Ｉ ８モードでは、その電気力線は第３図に示すように
誘電体共振器１０の軸方向すなわち各層１２および１４
の面に直交する成分を持つ。したがって、基本モードの
Ｔ Ｅｏ ＋ ｓモードでは、振動周波数に対する低誘
電率Ｈ（８層）１４の影ｉ、Ａ層１２とＢ１１１１４と
の体積比に比例し、一方、スプリアスモード（７）ＨＥ
＋ ＋ ａ モー Ｆ テハ、電気力線がＢ１１４を垂
直に横切るので、実効比誘電率εｒが大きく低下し、共
振周波数が高域側に大きくずれるのである。
６モードであり、このモードの電気力線の方向すなわち
電界方向（Ｅ）は第２図に示すように円周方向、換言す
れば各層１２および１４の面に平行な方向となる。これ
に対して、最も近接したスプリアス振動であるＨＥＩ
Ｉ ８モードでは、その電気力線は第３図に示すように
誘電体共振器１０の軸方向すなわち各層１２および１４
の面に直交する成分を持つ。したがって、基本モードの
Ｔ Ｅｏ ＋ ｓモードでは、振動周波数に対する低誘
電率Ｈ（８層）１４の影ｉ、Ａ層１２とＢ１１１１４と
の体積比に比例し、一方、スプリアスモード（７）ＨＥ
＋ ＋ ａ モー Ｆ テハ、電気力線がＢ１１４を垂
直に横切るので、実効比誘電率εｒが大きく低下し、共
振周波数が高域側に大きくずれるのである。
この実施例のように比誘電率が比較的大きいＡＦｉ１２
の間に比較的薄いシート状の低誘電率の８層１４を挟ん
で一体焼成すると、８層１４のＡ層１２に対する体積比
は小さいので、基本モードにおいては殆ど影響を受けな
い。これに対して、スプリアスモードでは、殆どすべて
の電気力線が、ＢＪＷ１４を通過するので、８層１４が
薄くても実効比誘電率の低下は著しい。したがって、摂
動理論によって、実効比誘電率の小さいスプリアスモー
ドの周波数が高域側にずれ、基本モードの周波数ｆＯと
スプリアス振動による周波数との比が１．６倍ないし２
倍に拡大され、スプリアス特性を大幅に改善できる。
の間に比較的薄いシート状の低誘電率の８層１４を挟ん
で一体焼成すると、８層１４のＡ層１２に対する体積比
は小さいので、基本モードにおいては殆ど影響を受けな
い。これに対して、スプリアスモードでは、殆どすべて
の電気力線が、ＢＪＷ１４を通過するので、８層１４が
薄くても実効比誘電率の低下は著しい。したがって、摂
動理論によって、実効比誘電率の小さいスプリアスモー
ドの周波数が高域側にずれ、基本モードの周波数ｆＯと
スプリアス振動による周波数との比が１．６倍ないし２
倍に拡大され、スプリアス特性を大幅に改善できる。
さらに、１ｉｆ１２および８層１４の誘電体材料を、こ
の実施例のように、正と負の温度係数を持つものに選ん
で組み合わせれば、誘電体共振器１０全体としての温度
係数を０１）りｍにすることも可能となる。
の実施例のように、正と負の温度係数を持つものに選ん
で組み合わせれば、誘電体共振器１０全体としての温度
係数を０１）りｍにすることも可能となる。
なお、一体焼成しているので、Ａ層１２と８層１４の重
ね合わせ部分にエボシキ樹脂などの接着剤を使う必要も
ないので、Ｑ値を劣化させることなく、温度安定性にも
優れている。
ね合わせ部分にエボシキ樹脂などの接着剤を使う必要も
ないので、Ｑ値を劣化させることなく、温度安定性にも
優れている。
ところで、上述の実施例では、基本モードをＴＥＯＩ
８とした誘電体共振器について説明した。
８とした誘電体共振器について説明した。
しかしながら、この発明は、他のモードたとえばＴＭＯ
ＩＧモードを基本モードとする誘電体共振器にも通用で
きる。
ＩＧモードを基本モードとする誘電体共振器にも通用で
きる。
第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。こ
の実施例の誘電体共振器２０は、基本モードがＴＭｏｌ
ｏモードであり、その他のＴＥモードに対して効果があ
る。誘電体共振器２０は、誘電率の異なる誘電体材料に
よって形成されたＡ層２２および８層２４を積層して角
柱状に構成したものである。そして、基本振動であるＴ
Ｍｏ。
の実施例の誘電体共振器２０は、基本モードがＴＭｏｌ
ｏモードであり、その他のＴＥモードに対して効果があ
る。誘電体共振器２０は、誘電率の異なる誘電体材料に
よって形成されたＡ層２２および８層２４を積層して角
柱状に構成したものである。そして、基本振動であるＴ
Ｍｏ。
。モードの電気力線は各層２２および２４の面に沿って
いるため低誘電率の誘電体材料の８層２４によって影響
を受けず、スプリアスとなるＴＥモードに対しては、そ
の電気力線は低誘電率層２４に直交してそれを垂直に通
過することになる。したがって、前述と同じ理由で、こ
の実施例においても、スプリアスモードの周波数を偏移
させることができるのである。
いるため低誘電率の誘電体材料の８層２４によって影響
を受けず、スプリアスとなるＴＥモードに対しては、そ
の電気力線は低誘電率層２４に直交してそれを垂直に通
過することになる。したがって、前述と同じ理由で、こ
の実施例においても、スプリアスモードの周波数を偏移
させることができるのである。
第１図はこの発明の一実施例を示す斜視図である。
第２図および第３図は第１図の実施例の動作を説明する
ための基本モードの電界方向およびスプリアスモードの
電気力線の方向を示す図である。 第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。 第５図は従来の誘電体共振器の周波数スペクトラムを示
すグラフである・ 図において、１０および２０は誘電体共振器、１２およ
び２２はＡ層、１４および２４は低誘電率の８層を示す
。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人 （ほか１名） 第１図 第２ｍ 第３図 第４図
ための基本モードの電界方向およびスプリアスモードの
電気力線の方向を示す図である。 第４図はこの発明の他の実施例を示す斜視図である。 第５図は従来の誘電体共振器の周波数スペクトラムを示
すグラフである・ 図において、１０および２０は誘電体共振器、１２およ
び２２はＡ層、１４および２４は低誘電率の８層を示す
。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 山 １） 義 人 （ほか１名） 第１図 第２ｍ 第３図 第４図
Claims (1)
- スプリアスモードの電気力線と交差する方向に、誘電率
の異なる誘電体材料を層状に配列して一体焼成したこと
を特徴とする誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264885A JPS61212101A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5264885A JPS61212101A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 誘電体共振器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212101A true JPS61212101A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12920663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5264885A Pending JPS61212101A (ja) | 1985-03-15 | 1985-03-15 | 誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212101A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3928015A1 (de) * | 1988-08-24 | 1990-03-08 | Murata Manufacturing Co | Dielektrisches filter |
| EP0601371A1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Dielektrischer Resonator |
| WO2004059784A1 (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 誘電体フィルタ |
| EP2365494A1 (en) | 2010-03-09 | 2011-09-14 | TDK Corporation | Ceramic electronic component and method of manufacturing ceramic electronic component |
| EP2372731A1 (en) | 2010-03-31 | 2011-10-05 | TDK Corporation | Ceramic Electronic Component and Method of Manufacturing Ceramic Electronic Component |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS582278A (ja) * | 1981-06-26 | 1983-01-07 | 富士通株式会社 | 多層セラミツク基板の製造方法 |
| JPS58206203A (ja) * | 1982-05-27 | 1983-12-01 | Fujitsu Ltd | 誘電体共振器の製造方法 |
| JPS5951606A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-26 | Murata Mfg Co Ltd | 分布定数形フイルタ |
-
1985
- 1985-03-15 JP JP5264885A patent/JPS61212101A/ja active Pending
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| EP0601371A1 (de) * | 1992-12-05 | 1994-06-15 | Robert Bosch Gmbh | Dielektrischer Resonator |
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| US8508914B2 (en) | 2010-03-31 | 2013-08-13 | Tdk Corporation | Ceramic electronic component and method of manufacturing ceramic electronic component |
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