JPH0727825A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH0727825A JPH0727825A JP5174031A JP17403193A JPH0727825A JP H0727825 A JPH0727825 A JP H0727825A JP 5174031 A JP5174031 A JP 5174031A JP 17403193 A JP17403193 A JP 17403193A JP H0727825 A JPH0727825 A JP H0727825A
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- JP
- Japan
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- oscillation
- shaper
- point
- signal
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- Pending
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】水晶発振回路を有するＩＣのテスト時におい
て、ファンクションテストおよび静止電流測定が容易な
半導体装置を提供する。 【構成】増幅器４０１がクロックゲートで構成されてお
り、発振制御端子４０３に入力される発振制御信号によ
って増幅器４０１、整形器４０２、帰還抵抗４０７が制
御されている回路構成。発振制御端子４０３にＬレベル
を入力することにより増幅器４０１と帰還抵抗４０７と
がオフ状態になる為、Ａ点の入力信号に関わらず増幅器
４０１の出力はＨＺ状態となる。Ａ点の逆相信号をその
ままＣ点から入力し高周波数でファンクションテストを
おこなう。静止電流の測定は発振停止状態でも帰還抵抗
４０７を介して電流が流れない。またこの時、外部接続
端子４０４はオープン状態であっても同様に静止電流測
定可能状態となる。 【効果】ＩＣのテストプログラム作成時間およびテスト
時間の短縮ができる。
て、ファンクションテストおよび静止電流測定が容易な
半導体装置を提供する。 【構成】増幅器４０１がクロックゲートで構成されてお
り、発振制御端子４０３に入力される発振制御信号によ
って増幅器４０１、整形器４０２、帰還抵抗４０７が制
御されている回路構成。発振制御端子４０３にＬレベル
を入力することにより増幅器４０１と帰還抵抗４０７と
がオフ状態になる為、Ａ点の入力信号に関わらず増幅器
４０１の出力はＨＺ状態となる。Ａ点の逆相信号をその
ままＣ点から入力し高周波数でファンクションテストを
おこなう。静止電流の測定は発振停止状態でも帰還抵抗
４０７を介して電流が流れない。またこの時、外部接続
端子４０４はオープン状態であっても同様に静止電流測
定可能状態となる。 【効果】ＩＣのテストプログラム作成時間およびテスト
時間の短縮ができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、水晶発振回路を具備し
た半導体装置に関する。
た半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の水晶発振回路は、図５の水晶発振
回路に示されるように整形器が具備されていたとしても
インバーター等で構成されており、増幅器だけが発振制
御信号によって制御されていた。
回路に示されるように整形器が具備されていたとしても
インバーター等で構成されており、増幅器だけが発振制
御信号によって制御されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の水晶発振回路は
前述したように、増幅器だけが発振制御信号によって制
御されていたため水晶発振回路のテスト性が悪く、ＩＣ
のテストに時間がかかる、またはＩＣテスト用プログラ
ムの作成に時間がかかるという問題点を有する。
前述したように、増幅器だけが発振制御信号によって制
御されていたため水晶発振回路のテスト性が悪く、ＩＣ
のテストに時間がかかる、またはＩＣテスト用プログラ
ムの作成に時間がかかるという問題点を有する。
【０００４】例えばファンクションテストにおいて、増
幅器を構成するＭＯＳトランジスタの能力が小さい水晶
発振回路においては増幅器での遅延時間が大きく、高い
周波数でのファンクションテストが出来ない為、増幅器
の入力信号の逆相信号を増幅器の出力端子から入力し高
周波数でのファンクションテストをする方法が使われる
が、図５の水晶発振回路においてＡ，Ｂ点に図６（ａ）
のＡ，Ｂの様な信号を入力した場合、出力端子５０６に
は図６（ａ）のＤの様な信号が出力されるが、図６
（ｂ）の様にＣ点よりＡ点の入力信号の逆相信号を入力
した場合は出力端子５０６には図６（ｂ）のＤの様な出
力信号となり、出力信号が異なるためＡ点の入力信号の
逆相信号をＣ点にそのまま入力しファンクションテスト
する事が出来ない。
幅器を構成するＭＯＳトランジスタの能力が小さい水晶
発振回路においては増幅器での遅延時間が大きく、高い
周波数でのファンクションテストが出来ない為、増幅器
の入力信号の逆相信号を増幅器の出力端子から入力し高
周波数でのファンクションテストをする方法が使われる
が、図５の水晶発振回路においてＡ，Ｂ点に図６（ａ）
のＡ，Ｂの様な信号を入力した場合、出力端子５０６に
は図６（ａ）のＤの様な信号が出力されるが、図６
（ｂ）の様にＣ点よりＡ点の入力信号の逆相信号を入力
した場合は出力端子５０６には図６（ｂ）のＤの様な出
力信号となり、出力信号が異なるためＡ点の入力信号の
逆相信号をＣ点にそのまま入力しファンクションテスト
する事が出来ない。
【０００５】また、静止電流測定テストにおいて図７の
ように帰還抵抗７０７を内蔵した水晶発振回路の場合
は、発振動作状態においてＡ点とＣ点の電位は常に反転
であるので常に帰還抵抗７０７を介して電流が流れる。
また発振停止状態ではＣ点の電位は常に高電位レベル
（以下、Ｈレベルと略す）にある為、Ａ点の入力信号が
低電位レベル（以下、Ｌレベルと略す）の場合は同様に
帰還抵抗７０７を介して電流が流れる。よって正確な静
止電流を測定可能な水晶発振回路の状態は、発振停止状
態で、かつＡ点の入力信号がＨレベル時だけとなってし
まう。
ように帰還抵抗７０７を内蔵した水晶発振回路の場合
は、発振動作状態においてＡ点とＣ点の電位は常に反転
であるので常に帰還抵抗７０７を介して電流が流れる。
また発振停止状態ではＣ点の電位は常に高電位レベル
（以下、Ｈレベルと略す）にある為、Ａ点の入力信号が
低電位レベル（以下、Ｌレベルと略す）の場合は同様に
帰還抵抗７０７を介して電流が流れる。よって正確な静
止電流を測定可能な水晶発振回路の状態は、発振停止状
態で、かつＡ点の入力信号がＨレベル時だけとなってし
まう。
【０００６】そこで本発明は従来の水晶発振回路の問題
点を解決するもので、その目的とするところは、水晶発
振回路のテスト性に優れた半導体装置を提供するところ
にある。
点を解決するもので、その目的とするところは、水晶発
振回路のテスト性に優れた半導体装置を提供するところ
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
水晶発振回路を具備したＩＣにおいて、前記水晶発振回
路は増幅器と、整形器とを有し、前記増幅器と整形器と
が発振制御信号によって制御されること、および、水晶
発振回路を具備したＩＣにおいて、前記水晶発振回路は
増幅器と、整形器と、帰還抵抗とを有し、前記増幅器と
整形器と帰還抵抗とが発振制御信号によって制御される
こと、および、前記増幅器の出力状態が、発振制御信号
によってＨＺになることを特徴とする。
水晶発振回路を具備したＩＣにおいて、前記水晶発振回
路は増幅器と、整形器とを有し、前記増幅器と整形器と
が発振制御信号によって制御されること、および、水晶
発振回路を具備したＩＣにおいて、前記水晶発振回路は
増幅器と、整形器と、帰還抵抗とを有し、前記増幅器と
整形器と帰還抵抗とが発振制御信号によって制御される
こと、および、前記増幅器の出力状態が、発振制御信号
によってＨＺになることを特徴とする。
【０００８】
【実施例】本発明の第１の実施例として図１に水晶発振
回路の回路図を示す。
回路の回路図を示す。
【０００９】図１において、ＮＡＮＤで構成された増幅
器１０１の一端が外部接続端子１０４に接続しており、
増幅器１０１の出力が外部接続端子１０５とＮＡＮＤで
構成された整形器１０２の入力端子の一端に接続してい
る、更に増幅器１０１と整形器１０２の入力端子の他端
がそれぞれ発振制御端子１０３に接続し、整形器１０２
の出力が出力端子１０６に接続され水晶発振回路を構成
している。
器１０１の一端が外部接続端子１０４に接続しており、
増幅器１０１の出力が外部接続端子１０５とＮＡＮＤで
構成された整形器１０２の入力端子の一端に接続してい
る、更に増幅器１０１と整形器１０２の入力端子の他端
がそれぞれ発振制御端子１０３に接続し、整形器１０２
の出力が出力端子１０６に接続され水晶発振回路を構成
している。
【００１０】よってＩＣ外部において水晶振動子を外部
接続端子１０４，１０５間に接続する事により発振し、
発振制御端子１０３にＨレベルを入力する事により発振
動作状態になり、発振波が整形器１０２を介して整形さ
れ出力端子１０６に伝播される。
接続端子１０４，１０５間に接続する事により発振し、
発振制御端子１０３にＨレベルを入力する事により発振
動作状態になり、発振波が整形器１０２を介して整形さ
れ出力端子１０６に伝播される。
【００１１】また、発振制御端子１０３にＬレベルを入
力することにより発振停止状態となり、増幅器１０１は
発振を停止し常時Ｈレベルを出力する。整形器１０２も
常時Ｈレベルを出力し水晶発振回路に消費電流が流れる
ことなく発振が停止する。
力することにより発振停止状態となり、増幅器１０１は
発振を停止し常時Ｈレベルを出力する。整形器１０２も
常時Ｈレベルを出力し水晶発振回路に消費電流が流れる
ことなく発振が停止する。
【００１２】ここで、図１の水晶発振回路のＡ，Ｂ点に
図２（ａ）のＡ，Ｂの様な信号を入力した場合出力端子
１０６には図２（ａ）のＤの様な信号が伝播される。
図２（ａ）のＡ，Ｂの様な信号を入力した場合出力端子
１０６には図２（ａ）のＤの様な信号が伝播される。
【００１３】また、図１の水晶発振回路のＣ点から図２
（ｂ）のＣの様にＡ点の逆相信号を入力した場合も、発
振制御端子１０３に入力される信号によって整形器１０
２が制御されているので出力端子１０６には図２（ｂ）
のＤの様な信号が伝播され、Ａ点から信号入力した場合
とＣ点からＡ点の逆相信号を入力した場合とで同じ出力
結果が得られる。
（ｂ）のＣの様にＡ点の逆相信号を入力した場合も、発
振制御端子１０３に入力される信号によって整形器１０
２が制御されているので出力端子１０６には図２（ｂ）
のＤの様な信号が伝播され、Ａ点から信号入力した場合
とＣ点からＡ点の逆相信号を入力した場合とで同じ出力
結果が得られる。
【００１４】よって、水晶発振回路の増幅器１０１のＭ
ＯＳトランジスタの能力が小さく増幅器１０１での遅延
時間が非常に大きな場合においても、Ｃ点からＡ点の逆
相信号をそのまま入力する事が出来、高周波数でのファ
ンクションテストが可能となる。
ＯＳトランジスタの能力が小さく増幅器１０１での遅延
時間が非常に大きな場合においても、Ｃ点からＡ点の逆
相信号をそのまま入力する事が出来、高周波数でのファ
ンクションテストが可能となる。
【００１５】また、図１においてＮＡＮＤ構成の増幅
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
【００１６】また、本発明の第２の実施例として図３に
水晶発振回路の回路図を示す。
水晶発振回路の回路図を示す。
【００１７】図３において、トランスミッションゲート
で構成された帰還抵抗３０７が増幅器３０１の入出力間
に接続されており、増幅器３０１、整形器３０２、帰還
抵抗３０７が発振制御端子３０３に入力される発振制御
信号により制御されている。
で構成された帰還抵抗３０７が増幅器３０１の入出力間
に接続されており、増幅器３０１、整形器３０２、帰還
抵抗３０７が発振制御端子３０３に入力される発振制御
信号により制御されている。
【００１８】よって、図３の水晶発振回路においても図
１の水晶発振回路同様にＡ点の逆相信号をそのままＣ点
から入力し高周波数でファンクションテストをする事が
可能である。
１の水晶発振回路同様にＡ点の逆相信号をそのままＣ点
から入力し高周波数でファンクションテストをする事が
可能である。
【００１９】また、発振制御端子３０３にＬレベルを入
力し発振停止状態になった場合には、帰還抵抗３０７が
オフ状態となる為、帰還抵抗３０７を介して電流が流れ
ないので静止電流測定可能状態となる。
力し発振停止状態になった場合には、帰還抵抗３０７が
オフ状態となる為、帰還抵抗３０７を介して電流が流れ
ないので静止電流測定可能状態となる。
【００２０】また、図３においてＮＡＮＤ構成の増幅
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
【００２１】また、帰還抵抗にトランスミッションゲー
トを用いたが、これはオフ状態にする事が可能な全ての
帰還抵抗について同様に対応する。
トを用いたが、これはオフ状態にする事が可能な全ての
帰還抵抗について同様に対応する。
【００２２】また、本発明の第３の実施例として図４に
水晶発振回路の回路図を示す。
水晶発振回路の回路図を示す。
【００２３】図４において、増幅器４０１がクロックゲ
ートで構成されており、発振制御端子４０３に入力され
る発振制御信号によって増幅器４０１、整形器４０２、
帰還抵抗４０７が制御されている。
ートで構成されており、発振制御端子４０３に入力され
る発振制御信号によって増幅器４０１、整形器４０２、
帰還抵抗４０７が制御されている。
【００２４】よって、発振制御端子４０３にＬレベルを
入力することにより増幅器４０１と帰還抵抗４０７とが
オフ状態になる為、Ａ点の入力信号に関わらず増幅器４
０１の出力はＨＺ状態となる。
入力することにより増幅器４０１と帰還抵抗４０７とが
オフ状態になる為、Ａ点の入力信号に関わらず増幅器４
０１の出力はＨＺ状態となる。
【００２５】よって、図４の水晶発振回路においても図
１，図３の水晶発振回路同様にＡ点の逆相信号をそのま
まＣ点から入力し高周波数でファンクションテストをす
る事が可能であり、また、図３の水晶発振回路と同様に
発振停止状態になった場合には、帰還抵抗４０７を介し
て電流が流れない為、静止電流測定可能状態となる。
１，図３の水晶発振回路同様にＡ点の逆相信号をそのま
まＣ点から入力し高周波数でファンクションテストをす
る事が可能であり、また、図３の水晶発振回路と同様に
発振停止状態になった場合には、帰還抵抗４０７を介し
て電流が流れない為、静止電流測定可能状態となる。
【００２６】またこの時、外部接続端子４０４はオープ
ン状態であっても同様に静止電流測定可能状態となる。
ン状態であっても同様に静止電流測定可能状態となる。
【００２７】また、図４においてＮＡＮＤ構成の増幅
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
器，整形器を用いたが、これはＮＯＲ構成の増幅器，整
形器を用いた水晶発振回路においても同様に対応する。
【００２８】また、帰還抵抗にトランスミッションゲー
トを用いたが、これはオフ状態にする事が可能な全ての
帰還抵抗について同様に対応する。
トを用いたが、これはオフ状態にする事が可能な全ての
帰還抵抗について同様に対応する。
【００２９】また、増幅器にクロックゲートを用いた
が、これは出力をＨＺ状態にする事が可能な全ての増幅
器について同様に対応する。
が、これは出力をＨＺ状態にする事が可能な全ての増幅
器について同様に対応する。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればＩ
Ｃのテスト時において、水晶発振回路の入力信号に関わ
らず高速にファンクションテストが出来る水晶発振回路
を作成できるという効果がある。
Ｃのテスト時において、水晶発振回路の入力信号に関わ
らず高速にファンクションテストが出来る水晶発振回路
を作成できるという効果がある。
【００３１】また、発振制御端子により静止電流測定状
態にする事が可能な水晶発振回路を作成できるという効
果もある。
態にする事が可能な水晶発振回路を作成できるという効
果もある。
【００３２】よって、ＩＣのテスト時間の短縮および、
テストプログラム作成時間の短縮をする事が出来、ＩＣ
のＴＡＴの短縮、コストを低減する事が出来るという効
果もある。
テストプログラム作成時間の短縮をする事が出来、ＩＣ
のＴＡＴの短縮、コストを低減する事が出来るという効
果もある。
【図１】本発明の第１の実施例を示す水晶発振回路の回
路図である。
路図である。
【図２】図１の水晶発振回路の動作を示す波形図であ
る。
る。
【図３】本発明の第２の実施例を示す水晶発振回路の回
路図である。
路図である。
【図４】本発明の第３の実施例を示す水晶発振回路の回
路図である。
路図である。
【図５】第１の従来例を示す水晶発振回路の回路図であ
る。
る。
【図６】図５の水晶発振回路の動作を示す波形図であ
る。
る。
【図７】第２の従来例を示す水晶発振回路の回路図であ
る。
る。
１０１、３０１、４０１、５０１、７０１ 増幅器 １０２、３０２、４０２、５０２、７０２ 整形器 １０３、３０３、４０３、５０３、７０３ 発振制御端
子 １０４、１０５、３０４、３０５、４０４、４０５、５
０４、５０５、７０４、７０５ 外部接続端子 １０６、３０６、４０６、５０６、７０６ 出力端子 ３０７、４０７、７０７ 帰還抵抗
子 １０４、１０５、３０４、３０５、４０４、４０５、５
０４、５０５、７０４、７０５ 外部接続端子 １０６、３０６、４０６、５０６、７０６ 出力端子 ３０７、４０７、７０７ 帰還抵抗
Claims (3)
- 【請求項１】 水晶発振回路を具備した半導体集積回路
（以下、ＩＣと略す）において、前記水晶発振回路は増
幅器と、整形器とを有し、前記増幅器と整形器とが発振
制御信号によって制御されることを特徴とする、半導体
装置。 - 【請求項２】 水晶発振回路を具備したＩＣにおいて、
前記水晶発振回路は増幅器と、整形器と、帰還抵抗とを
有し、前記増幅器と整形器と帰還抵抗とが発振制御信号
によって制御されることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項３】 前記増幅器の出力状態が、発振制御信号
によってハイインピーダンス（以下、ＨＺと略す）にな
ることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の半
導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174031A JPH0727825A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5174031A JPH0727825A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0727825A true JPH0727825A (ja) | 1995-01-31 |
Family
ID=15971426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5174031A Pending JPH0727825A (ja) | 1993-07-14 | 1993-07-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0727825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013210297A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Denso Corp | 半導体装置 |
-
1993
- 1993-07-14 JP JP5174031A patent/JPH0727825A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013210297A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Denso Corp | 半導体装置 |
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