JPH07274991A - デキストランの製造法 - Google Patents
デキストランの製造法Info
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- JPH07274991A JPH07274991A JP6090604A JP9060494A JPH07274991A JP H07274991 A JPH07274991 A JP H07274991A JP 6090604 A JP6090604 A JP 6090604A JP 9060494 A JP9060494 A JP 9060494A JP H07274991 A JPH07274991 A JP H07274991A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Enzymes And Modification Thereof (AREA)
- Preparation Of Compounds By Using Micro-Organisms (AREA)
- Polysaccharides And Polysaccharide Derivatives (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 デキストラン合成酵素の存在下、デキストラ
ン前駆体にショ糖溶液を連続添加して出発原料のデキス
トラン前駆体より大きな重量平均分子量のデキストラン
を製造することを特徴とするデキストランの製造法 【効果】 本発明は、デキストラン合成酵素の存在下、
デキストラン前駆体にショ糖溶液を連続添加反応させる
ことにより、デキストラン前駆体にグルコースを転移さ
せ、所望する分子量のデキストランを得ることができる
ン前駆体にショ糖溶液を連続添加して出発原料のデキス
トラン前駆体より大きな重量平均分子量のデキストラン
を製造することを特徴とするデキストランの製造法 【効果】 本発明は、デキストラン合成酵素の存在下、
デキストラン前駆体にショ糖溶液を連続添加反応させる
ことにより、デキストラン前駆体にグルコースを転移さ
せ、所望する分子量のデキストランを得ることができる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、デキストランの新規な
製造方法に関し、詳しくはデキストラン前駆体およびデ
キストラン合成酵素を反応媒体中に共存させ、それにシ
ョ糖溶液を連続添加することにより、出発原料のデキス
トラン前駆体より大きな重量平均分子量を有するデキス
トランを直接高収率で製造するデキストランの新規な製
造方法に関する。
製造方法に関し、詳しくはデキストラン前駆体およびデ
キストラン合成酵素を反応媒体中に共存させ、それにシ
ョ糖溶液を連続添加することにより、出発原料のデキス
トラン前駆体より大きな重量平均分子量を有するデキス
トランを直接高収率で製造するデキストランの新規な製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】デキストランのうち例えば重量平均分子
量約４，０００〜１００，０００のデキストランは、デ
キストラン硫酸、デキストラン鉄、血漿増量剤の原料と
して有用である。さらにまた、各種食品用の原料として
も応用することが可能であるが、このようなデキストラ
ンを製造する方法には、従来、ロイコノストック・メセ
ンテロイデスなどの菌を用いて発酵により生産した高分
子デキストラン（分子量１００万以上）を酸、アルカリ
あるいはデキストラン分解酵素を用いて加水分解する方
法、さらに超音波などにより、物理的に分解する方法が
採用されてきた。
量約４，０００〜１００，０００のデキストランは、デ
キストラン硫酸、デキストラン鉄、血漿増量剤の原料と
して有用である。さらにまた、各種食品用の原料として
も応用することが可能であるが、このようなデキストラ
ンを製造する方法には、従来、ロイコノストック・メセ
ンテロイデスなどの菌を用いて発酵により生産した高分
子デキストラン（分子量１００万以上）を酸、アルカリ
あるいはデキストラン分解酵素を用いて加水分解する方
法、さらに超音波などにより、物理的に分解する方法が
採用されてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】これら従来の方法はい
ずれも高度な分画技術を必要とする上に低分子デキスト
ランが収率良く得られない、あるいは分子量分布が広く
なるなどの欠点があり、改良が求められていた。又、特
公昭６０−６６３１号公報には、デキストラン合成酵素
と同分解酵素を同時に作用させて低分子デキストランを
直接的に製造する方法が示されているが、この方法では
性質の異なる二種類の酵素を同時に用いるため、反応溶
液の温度やｐＨ さらには酵素活性比などが変わると、
生成する低分子デキストランの分子量が変化しやすく、
反応条件の厳密な管理が必要となり、実用上、問題があ
った。
ずれも高度な分画技術を必要とする上に低分子デキスト
ランが収率良く得られない、あるいは分子量分布が広く
なるなどの欠点があり、改良が求められていた。又、特
公昭６０−６６３１号公報には、デキストラン合成酵素
と同分解酵素を同時に作用させて低分子デキストランを
直接的に製造する方法が示されているが、この方法では
性質の異なる二種類の酵素を同時に用いるため、反応溶
液の温度やｐＨ さらには酵素活性比などが変わると、
生成する低分子デキストランの分子量が変化しやすく、
反応条件の厳密な管理が必要となり、実用上、問題があ
った。
【０００４】本発明者らは、ショ糖から分子量分布の狭
いデキストランを直接、高収率で製造する方法について
種々検討した結果、デキストラン前駆体とデキストラン
合成酵素を反応媒体中に共存させ、これにショ糖溶液を
連続添加することにより、デキストラン前駆体にグルコ
ースが転移して、デキストランの分子量分布が広がるこ
となく、経時的に分子量が大きくなり、このため一定の
分子量を有するデキストランを効率よく製造することが
できることを知り、さらに研究を重ねた結果、本発明を
完成するに至った。
いデキストランを直接、高収率で製造する方法について
種々検討した結果、デキストラン前駆体とデキストラン
合成酵素を反応媒体中に共存させ、これにショ糖溶液を
連続添加することにより、デキストラン前駆体にグルコ
ースが転移して、デキストランの分子量分布が広がるこ
となく、経時的に分子量が大きくなり、このため一定の
分子量を有するデキストランを効率よく製造することが
できることを知り、さらに研究を重ねた結果、本発明を
完成するに至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明はデキストラン合
成酵素の存在下、デキストラン前駆体にショ糖溶液を連
続添加することにより、出発原料のデキストラン前駆体
より大きな重量平均分子量を有するデキストランの製造
法である。
成酵素の存在下、デキストラン前駆体にショ糖溶液を連
続添加することにより、出発原料のデキストラン前駆体
より大きな重量平均分子量を有するデキストランの製造
法である。
【０００６】本発明に用いるデキストラン前駆体はグル
コースの転移により、より大きな分子量のデキストラン
になり得るものを意味し、そのような例としてグルコシ
ル残基の数が２以上、好ましくは２〜４０のオリゴ糖
（グルコシル残基の数が２〜１０）もしくは低分子デキ
ストラン（グルコシル残基の数が１１〜４０）であり、
そのような例として、例えば、グルコシル残基が２であ
るイソマルト−スのようなグルコシル残基が２〜１０、
好ましくは２〜５のオリゴ糖、デキストラン合成酵素で
あるデキストランシュクラーゼを３０〜７０ｗ／ｖ％程
度のショ糖溶液に作用させ、低分子デキストラン（重量
平均分子量約１，０００〜７，０００）を生成せしめた
もの、またはそれを更に分画精製したもの、あるいは発
酵などの方法で製造した高分子デキストランを酸やデキ
ストラン分解酵素などで加水分解したもの、またはそれ
を更に分画精製したものなどを挙げることができる。
コースの転移により、より大きな分子量のデキストラン
になり得るものを意味し、そのような例としてグルコシ
ル残基の数が２以上、好ましくは２〜４０のオリゴ糖
（グルコシル残基の数が２〜１０）もしくは低分子デキ
ストラン（グルコシル残基の数が１１〜４０）であり、
そのような例として、例えば、グルコシル残基が２であ
るイソマルト−スのようなグルコシル残基が２〜１０、
好ましくは２〜５のオリゴ糖、デキストラン合成酵素で
あるデキストランシュクラーゼを３０〜７０ｗ／ｖ％程
度のショ糖溶液に作用させ、低分子デキストラン（重量
平均分子量約１，０００〜７，０００）を生成せしめた
もの、またはそれを更に分画精製したもの、あるいは発
酵などの方法で製造した高分子デキストランを酸やデキ
ストラン分解酵素などで加水分解したもの、またはそれ
を更に分画精製したものなどを挙げることができる。
【０００７】本発明に用いるデキストラン合成酵素とし
ては、公知の酵素を使用することができる。。そのよう
なデキストラン合成酵素の好ましい例として、ロイコノ
ストック・メセンテロイデス（Ｌｅｕｃｏｎｏｓｔｏｃ
ｍｅｓｅｎｔｅｒｏｉｄｅｓ）ＮＲＲＬ Ｂ−５１２
株、Ｂ−５１２Ｆ株等のの生産する公知のデキストラン
シュクラーゼなどが挙げられる。
ては、公知の酵素を使用することができる。。そのよう
なデキストラン合成酵素の好ましい例として、ロイコノ
ストック・メセンテロイデス（Ｌｅｕｃｏｎｏｓｔｏｃ
ｍｅｓｅｎｔｅｒｏｉｄｅｓ）ＮＲＲＬ Ｂ−５１２
株、Ｂ−５１２Ｆ株等のの生産する公知のデキストラン
シュクラーゼなどが挙げられる。
【０００８】ここで、ロイコノストック・メセンテロイ
デスＮＲＲＬ Ｂ−５１２株、Ｂ−５１２Ｆ株等を使用
するデキストラン合成酵素の生産例を示すと、次の通り
である。培地にはこの菌が同化しうる炭素源、窒素源を
用いれば良いが、通常１〜５％程度のショ糖を必須成分
とし、窒素源として、酵母エキス、ぺプトン、コーンス
ティープリカー、肉エキス、大豆粉、硫酸アンモニウ
ム、硝酸ソーダ、尿素等が用いられる。また、その他必
要に応じてリン酸もしくはその塩、カリウム、マグネシ
ウム、マンガン等の塩類を添加する。培養温度は菌が生
育する範囲であればよいが、一般に２０〜３０℃の範囲
が適当である。ｐＨは５〜８の範囲とし、培養はごくわ
ずかの通気によるか、または通気せずに行い、培養時間
は１０〜３０時間程度が適当である。次に発酵を終了し
たデキストラン合成酵素を含む培養液を遠心分離あるい
は膜分離により除菌して使用する。なお、必要に応じて
限外ろ過法、溶媒沈殿法、硫安塩析法、ゲルろ過法等の
常法に従って部分精製あるいは精製したものを使用して
も良い。
デスＮＲＲＬ Ｂ−５１２株、Ｂ−５１２Ｆ株等を使用
するデキストラン合成酵素の生産例を示すと、次の通り
である。培地にはこの菌が同化しうる炭素源、窒素源を
用いれば良いが、通常１〜５％程度のショ糖を必須成分
とし、窒素源として、酵母エキス、ぺプトン、コーンス
ティープリカー、肉エキス、大豆粉、硫酸アンモニウ
ム、硝酸ソーダ、尿素等が用いられる。また、その他必
要に応じてリン酸もしくはその塩、カリウム、マグネシ
ウム、マンガン等の塩類を添加する。培養温度は菌が生
育する範囲であればよいが、一般に２０〜３０℃の範囲
が適当である。ｐＨは５〜８の範囲とし、培養はごくわ
ずかの通気によるか、または通気せずに行い、培養時間
は１０〜３０時間程度が適当である。次に発酵を終了し
たデキストラン合成酵素を含む培養液を遠心分離あるい
は膜分離により除菌して使用する。なお、必要に応じて
限外ろ過法、溶媒沈殿法、硫安塩析法、ゲルろ過法等の
常法に従って部分精製あるいは精製したものを使用して
も良い。
【０００９】このようにして調製したデキストラン合成
酵素を本発明の反応に使用する。
酵素を本発明の反応に使用する。
【００１０】本発明の反応は、まず、デキストラン前駆
体とデキストラン合成酵素を水に溶解して反応媒体を調
製する。この反応媒体に含まれるデキストラン前駆体の
濃度範囲としては、０．１〜５０ｗ／ｖ％が適当であ
り、より好ましくは、１〜２０ｗ／ｖ％である。またデ
キストラン合成酵素の添加量は、反応媒体に連続添加す
るショ糖溶液のショ糖の量により決定され、１時間当た
りに添加されるショ糖１ｇ当たり１０単位以上が適当で
あり、より好ましくは１５０〜３００単位とするのが良
い。ここで、デキストラン合成酵素１単位とは、ショ糖
濃度１０％、ｐＨ５．２、反応温度３０℃の条件で１分
間に１μｍｏｌのフラクトースを遊離する酵素量を意味
する。
体とデキストラン合成酵素を水に溶解して反応媒体を調
製する。この反応媒体に含まれるデキストラン前駆体の
濃度範囲としては、０．１〜５０ｗ／ｖ％が適当であ
り、より好ましくは、１〜２０ｗ／ｖ％である。またデ
キストラン合成酵素の添加量は、反応媒体に連続添加す
るショ糖溶液のショ糖の量により決定され、１時間当た
りに添加されるショ糖１ｇ当たり１０単位以上が適当で
あり、より好ましくは１５０〜３００単位とするのが良
い。ここで、デキストラン合成酵素１単位とは、ショ糖
濃度１０％、ｐＨ５．２、反応温度３０℃の条件で１分
間に１μｍｏｌのフラクトースを遊離する酵素量を意味
する。
【００１１】次に、デキストラン前駆体およびデキスト
ラン合成酵素を含有する反応媒体に連続添加するショ糖
溶液に含まれるショ糖の濃度は１〜３０ｗ／ｖ％が適当
であり、より好ましくは５〜２０ｗ／ｖ％であり、連続
添加の速度および時間は目的とするデキストランの分子
量に応じて調整すればよい。
ラン合成酵素を含有する反応媒体に連続添加するショ糖
溶液に含まれるショ糖の濃度は１〜３０ｗ／ｖ％が適当
であり、より好ましくは５〜２０ｗ／ｖ％であり、連続
添加の速度および時間は目的とするデキストランの分子
量に応じて調整すればよい。
【００１２】また、酵素反応のｐＨは４〜８、より好ま
しくは５〜６であり、また温度は１０〜４０℃、より好
ましくは２０〜３０℃である。
しくは５〜６であり、また温度は１０〜４０℃、より好
ましくは２０〜３０℃である。
【００１３】反応が終了した後、目的とするデキストラ
ンを得る方法としては、エチルアルコールやアセトンな
どの有機溶媒を用いて分別沈殿する方法やゲルろ過クロ
マトグラフィーなどの分画操作を経て分別する方法など
通常の方法を用いることができるが、より簡便な方法と
して、目的とするデキストランの分子量に応じて限外ろ
過膜を適宜選択して、例えば目的物のうち、比較的低分
子量のデキストランを得る場合には反応液を分画分子量
３０万の限外ろ過膜で処理し、高分子デキストランを除
去した後、分画分子量１万の限外ろ過膜で処理し、低分
子部分を除去することにより目的のデキストランを得る
ことが可能である。
ンを得る方法としては、エチルアルコールやアセトンな
どの有機溶媒を用いて分別沈殿する方法やゲルろ過クロ
マトグラフィーなどの分画操作を経て分別する方法など
通常の方法を用いることができるが、より簡便な方法と
して、目的とするデキストランの分子量に応じて限外ろ
過膜を適宜選択して、例えば目的物のうち、比較的低分
子量のデキストランを得る場合には反応液を分画分子量
３０万の限外ろ過膜で処理し、高分子デキストランを除
去した後、分画分子量１万の限外ろ過膜で処理し、低分
子部分を除去することにより目的のデキストランを得る
ことが可能である。
【００１４】
【実施例】以下、実施例に従って本発明をさらに詳細に
説明する。なお、下記実施例における反応液中に生成す
るデキストランの分析は下記の分析条件で高速液体クロ
マトグラフィーにより行った。
説明する。なお、下記実施例における反応液中に生成す
るデキストランの分析は下記の分析条件で高速液体クロ
マトグラフィーにより行った。
【００１５】（分析方法） カラム： 東ソ−製ＴＳＫｇｅｌ Ｇ４０００Ｐ ｗｘＬ
（７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ） 溶離液： 蒸留水 流速： ０．７ｍｌ／ｍｉｎ 温度： ６０℃ 検出器： 示差屈折計 重量平均分子量を測定するための標準物質としては分子
量既知の市販のデキストランを使用する。
（７．８ｍｍＩＤ×３０ｃｍ） 溶離液： 蒸留水 流速： ０．７ｍｌ／ｍｉｎ 温度： ６０℃ 検出器： 示差屈折計 重量平均分子量を測定するための標準物質としては分子
量既知の市販のデキストランを使用する。
【００１６】製造例 ロイコノストック・メセンテロイデスＮＲＲＬ Ｂ−５
１２株をショ糖２．５％、酵母エキス１％、ポリペプト
ン０．５％、Ｋ2ＨＰＯ4 ２％、ＭnＳＯ4・５ Ｈ2Ｏ
５ｐｐｍを含む培地（ｐＨ ７．３）６２．５ｍｌに接
種し、２５℃で２４時間振とう培養した。同培養液の全
量を１２５０ｍｌの前記培地を入れたジャーファーメン
ターに移植し、２３℃で２１時間攪拌（２００ｒｐｍ）
培養した。なお、培養中のｐＨ を７．３に制御するた
めに、水酸化ナトリウム６％、ショ糖４０％、酵母エキ
ス１％、ポリペプトン０．５％、Ｋ2ＨＰＯ4 ２％、Ｍ
nＳＯ4・Ｈ2Ｏ ５ｐｐｍを含む培地を加えた。培養終
了後、遠心分離（１０，０００×ｇ、１０分間）により
除菌し、低温下で分画分子量１０万の限外ろ過膜を用
い、５倍量の酢酸緩衡液（ｐＨ ５．２）で脱塩、濃縮
し、デキストラン合成酵素を得た。
１２株をショ糖２．５％、酵母エキス１％、ポリペプト
ン０．５％、Ｋ2ＨＰＯ4 ２％、ＭnＳＯ4・５ Ｈ2Ｏ
５ｐｐｍを含む培地（ｐＨ ７．３）６２．５ｍｌに接
種し、２５℃で２４時間振とう培養した。同培養液の全
量を１２５０ｍｌの前記培地を入れたジャーファーメン
ターに移植し、２３℃で２１時間攪拌（２００ｒｐｍ）
培養した。なお、培養中のｐＨ を７．３に制御するた
めに、水酸化ナトリウム６％、ショ糖４０％、酵母エキ
ス１％、ポリペプトン０．５％、Ｋ2ＨＰＯ4 ２％、Ｍ
nＳＯ4・Ｈ2Ｏ ５ｐｐｍを含む培地を加えた。培養終
了後、遠心分離（１０，０００×ｇ、１０分間）により
除菌し、低温下で分画分子量１０万の限外ろ過膜を用
い、５倍量の酢酸緩衡液（ｐＨ ５．２）で脱塩、濃縮
し、デキストラン合成酵素を得た。
【００１７】極限粘度の測定 低分子デキストランの極限粘度はウベローデ粘度計を用
いて次式に従って求めた。
いて次式に従って求めた。
【００１８】実施例１ ５０ｗ／ｖ％ショ糖溶液２ｍｌに製造例で得られたデキ
ストラン合成酵素を３単位となるように添加し、ｐＨ
５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆体
となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデキ
ストラン合成酵素をさらに１５０単位添加し、全量を１
０ｍｌとし、この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を１０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
反応液は絶えず攪拌し、添加されたショ糖が十分混合さ
れるようにした。５時間ショ糖溶液を連続添加した後、
反応液を加熱し、酵素を失活させた後、分画分子量１０
万の限外ろ過膜で高分子を、分画分子量１万の限外ろ過
膜で低分子を除くと、重量平均分子量２４，０００、極
限粘度の０．１６の低分子デキストランが１．５５ｇ
（対ショ糖収率２６％）得られた。
ストラン合成酵素を３単位となるように添加し、ｐＨ
５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆体
となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデキ
ストラン合成酵素をさらに１５０単位添加し、全量を１
０ｍｌとし、この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を１０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
反応液は絶えず攪拌し、添加されたショ糖が十分混合さ
れるようにした。５時間ショ糖溶液を連続添加した後、
反応液を加熱し、酵素を失活させた後、分画分子量１０
万の限外ろ過膜で高分子を、分画分子量１万の限外ろ過
膜で低分子を除くと、重量平均分子量２４，０００、極
限粘度の０．１６の低分子デキストランが１．５５ｇ
（対ショ糖収率２６％）得られた。
【００１９】実施例２ ７０ｗ／ｖ％ショ糖溶液１．４３ｍｌに製造例で得られ
たデキストラン合成酵素を３単位となるように添加し、
ｐＨ５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前
駆体となる低分子デキストランを合成した。この溶液に
デキストラン合成酵素をさらに１５０単位添加し、全量
を１０ｍｌとした。この液に２０ｗ／ｖ％ショ糖溶液
（ｐＨ５．２）を５ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。な
お、実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。４時間
ショ糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を
失活させた後、分画分子量１０万の限外ろ過膜で高分子
を、分画分子量５千の限外ろ過膜で低分子を除くと、重
量平均分子量９，６００、極限粘度の０．０９の低分子
デキストランが１．８３ｇ（対ショ糖収率３７％）得ら
れた。
たデキストラン合成酵素を３単位となるように添加し、
ｐＨ５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前
駆体となる低分子デキストランを合成した。この溶液に
デキストラン合成酵素をさらに１５０単位添加し、全量
を１０ｍｌとした。この液に２０ｗ／ｖ％ショ糖溶液
（ｐＨ５．２）を５ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。な
お、実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。４時間
ショ糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を
失活させた後、分画分子量１０万の限外ろ過膜で高分子
を、分画分子量５千の限外ろ過膜で低分子を除くと、重
量平均分子量９，６００、極限粘度の０．０９の低分子
デキストランが１．８３ｇ（対ショ糖収率３７％）得ら
れた。
【００２０】実施例３ ５０ｗ／ｖ％ショ糖溶液２ｍｌに製造例で得られたデキ
ストラン合成酵素を３単位となるように添加し、ｐＨ
５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆体
となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデキ
ストラン合成酵素をさらに４５０単位添加し、全量を１
０ｍｌとした。この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。８時間ショ
糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を失活
させた後、分画分子量３０万の限外ろ過膜で高分子を、
分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を除くと、重量平
均分子量４０，０００、極限粘度の０．２２の低分子デ
キストランが６．２２ｇ（対ショ糖収率２５％）得られ
た。
ストラン合成酵素を３単位となるように添加し、ｐＨ
５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆体
となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデキ
ストラン合成酵素をさらに４５０単位添加し、全量を１
０ｍｌとした。この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。８時間ショ
糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を失活
させた後、分画分子量３０万の限外ろ過膜で高分子を、
分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を除くと、重量平
均分子量４０，０００、極限粘度の０．２２の低分子デ
キストランが６．２２ｇ（対ショ糖収率２５％）得られ
た。
【００２１】実施例４ ５０ｗ／ｖ％ショ糖溶液１ｍｌに製造例で得られたデキ
ストラン合成酵素を１．５単位となるように添加し、ｐ
Ｈ５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆
体となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデ
キストラン合成酵素をさらに４５０単位添加し全量を１
０ｍｌとした。この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。８時間ショ
糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を失活
させた後、分画分子量３０万の限外ろ過膜で高分子を、
分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を除くと、重量平
均分子量６７，０００、極限粘度の０．２８の低分子デ
キストランが４．７８ｇ（対ショ糖収率１９％）得られ
た。
ストラン合成酵素を１．５単位となるように添加し、ｐ
Ｈ５．２、３０℃で２４時間静置し、デキストラン前駆
体となる低分子デキストランを合成した。この溶液にデ
キストラン合成酵素をさらに４５０単位添加し全量を１
０ｍｌとした。この液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ
５．２）を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加した。なお、
実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌した。８時間ショ
糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱し、酵素を失活
させた後、分画分子量３０万の限外ろ過膜で高分子を、
分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を除くと、重量平
均分子量６７，０００、極限粘度の０．２８の低分子デ
キストランが４．７８ｇ（対ショ糖収率１９％）得られ
た。
【００２２】実施例５ イソマルトオリゴ糖（イソマルト９００：日研化学製）
を固形分として０．１５ｇと製造例で得られたデキスト
ラン合成酵素４５０単位を添加し、全量を１０ｍｌと
し、この溶液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ５．２）
を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加し、３０℃で反応を行
った。なお、実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌し
た。７時間ショ糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱
し、酵素を失活させた後、分画分子量１０万の限外ろ過
膜で高分子を、分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を
除くと、重量平均分子量２７，８００の低分子デキスト
ランが高収率で得られた。
を固形分として０．１５ｇと製造例で得られたデキスト
ラン合成酵素４５０単位を添加し、全量を１０ｍｌと
し、この溶液に１０ｗ／ｖ％ショ糖溶液（ｐＨ５．２）
を３０ｍｌ／ｈの速度で連続添加し、３０℃で反応を行
った。なお、実施例１と同様、反応液は絶えず攪拌し
た。７時間ショ糖溶液を連続添加した後、反応液を加熱
し、酵素を失活させた後、分画分子量１０万の限外ろ過
膜で高分子を、分画分子量１万の限外ろ過膜で低分子を
除くと、重量平均分子量２７，８００の低分子デキスト
ランが高収率で得られた。
【００２３】
【発明の効果】本発明は、デキストラン合成酵素の存在
下、デキストラン前駆体にショ糖溶液を連続添加反応さ
せることにより、デキストラン前駆体にグルコースを転
移させ、所望する分子量のデキストランを得ることがで
きる
下、デキストラン前駆体にショ糖溶液を連続添加反応さ
せることにより、デキストラン前駆体にグルコースを転
移させ、所望する分子量のデキストランを得ることがで
きる
【００２４】本発明の方法は、比較的低分子のデキスト
ラン、例えば重量平均分子量約４，０００〜１００，０
００、好ましくは約９，０００〜７０，０００のデキス
トランを製造する場合に最も好適な結果が得られる場合
が多い。すなわち得られるデキストランは、分子量分布
の狭いデキストランを高収率で生成せしめるものであ
り、デキストランを精製する場合、例えば目的とするデ
キストランの分子量に応じて限外ろ過膜を選択し、反応
液を処理するだけで精製が可能であるという利点があ
る。また反応時間に応じてデキストランの分子量がコン
トロールできることから、従来の方法に比べ簡単かつ効
率的に製造でき、その適応範囲も広くなる。
ラン、例えば重量平均分子量約４，０００〜１００，０
００、好ましくは約９，０００〜７０，０００のデキス
トランを製造する場合に最も好適な結果が得られる場合
が多い。すなわち得られるデキストランは、分子量分布
の狭いデキストランを高収率で生成せしめるものであ
り、デキストランを精製する場合、例えば目的とするデ
キストランの分子量に応じて限外ろ過膜を選択し、反応
液を処理するだけで精製が可能であるという利点があ
る。また反応時間に応じてデキストランの分子量がコン
トロールできることから、従来の方法に比べ簡単かつ効
率的に製造でき、その適応範囲も広くなる。
Claims (5)
- 【請求項１】 デキストラン合成酵素の存在下、デキス
トラン前駆体にショ糖溶液を連続添加して出発原料のデ
キストラン前駆体より大きな重量平均分子量のデキスト
ランを製造することを特徴とするデキストランの製造法 - 【請求項２】 デキストラン前駆体がグルコシル残基の
数が２〜１０のオリゴ糖である請求の範囲第１項に記載
するデキストランの製造法 - 【請求項３】 デキストラン前駆体がグルコシル残基の
数が１１〜４０の低分子デキストランである請求の範囲
第１項に記載するデキストランの製造法 - 【請求項４】 デキストラン合成酵素がロイコノストッ
ク・メセンテロイデスに属する菌株の生産するデキスト
ランシュクラーゼである請求の範囲第１項に記載するデ
キストランの製造法 - 【請求項５】 目的物質のデキストランの重量平均分子
量が４，０００〜１００，０００であるデキストランの
製造法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090604A JPH07274991A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | デキストランの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6090604A JPH07274991A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | デキストランの製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07274991A true JPH07274991A (ja) | 1995-10-24 |
Family
ID=14003085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6090604A Pending JPH07274991A (ja) | 1994-04-04 | 1994-04-04 | デキストランの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07274991A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525745A (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-16 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク | 遺伝子操作によるデキストランスクラーゼｄｓｒ−ｓの新規変異体の構築 |
| WO2011140212A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | Cargill, Incorporated | Fat replacers and filling materials |
-
1994
- 1994-04-04 JP JP6090604A patent/JPH07274991A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009525745A (ja) * | 2006-02-08 | 2009-07-16 | サントル・ナショナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シャンティフィク | 遺伝子操作によるデキストランスクラーゼｄｓｒ−ｓの新規変異体の構築 |
| US9109207B2 (en) | 2006-02-08 | 2015-08-18 | Centre National De La Recherche Scientifique | Construction of new variants of dextransucrase DSR-S by genetic engineering |
| US9399765B2 (en) | 2006-02-08 | 2016-07-26 | Centre National De La Recherche Scientifique | Construction of new variants of dextransucrase DSR-S by genetic engineering |
| US10017748B2 (en) | 2006-02-08 | 2018-07-10 | Centre National De La Recherche Scientifique | Construction of new variants of dextransucrase DSR-S by genetic engineering |
| WO2011140212A1 (en) * | 2010-05-04 | 2011-11-10 | Cargill, Incorporated | Fat replacers and filling materials |
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