JPH07273119A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH07273119A JPH07273119A JP5932794A JP5932794A JPH07273119A JP H07273119 A JPH07273119 A JP H07273119A JP 5932794 A JP5932794 A JP 5932794A JP 5932794 A JP5932794 A JP 5932794A JP H07273119 A JPH07273119 A JP H07273119A
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- Japan
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- bump
- semiconductor device
- bump electrodes
- bump electrode
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 電極パッドのピッチの縮小に伴い従来増加し
ていた短絡の発生を防止する。 【構成】 半導体チップ１１の表面にバンプ電極１４、
１５が千鳥状に配置され、このバンプ電極１４、１５に
インナリード１２、１３が接続された半導体装置であっ
て、このバンプ電極１４、１５は、半導体チップ１１の
内側に配置されたもの（１４）の方が外側に配置された
もの（１５）よりも面積が大きくなるように設けられて
いる。
ていた短絡の発生を防止する。 【構成】 半導体チップ１１の表面にバンプ電極１４、
１５が千鳥状に配置され、このバンプ電極１４、１５に
インナリード１２、１３が接続された半導体装置であっ
て、このバンプ電極１４、１５は、半導体チップ１１の
内側に配置されたもの（１４）の方が外側に配置された
もの（１５）よりも面積が大きくなるように設けられて
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
バンプ電極とインナリードとが接合された装置に関する
ものである。
バンプ電極とインナリードとが接合された装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＴＡＢ（tape automated bonding）等の
実装技術を用いた半導体装置において、微細化が進むに
つれて半導体チップ表面の電極のピッチが狭くなってき
ている。
実装技術を用いた半導体装置において、微細化が進むに
つれて半導体チップ表面の電極のピッチが狭くなってき
ている。
【０００３】図９に、従来の半導体装置２１におけるバ
ンプ電極２４、２５とインナリード２２、２３との接続
状態を示す。狭いピッチにも対応できるように、バンプ
電極２４、２５が千鳥状に配置されている。ここで、バ
ンプ電極２４、２５には通常金（Ａｕ）が用いられてお
り、インナリード２２、２３には銅（Ｃｕ）が用いられ
その表面は通常錫（Ｓｎ）でメッキされている。
ンプ電極２４、２５とインナリード２２、２３との接続
状態を示す。狭いピッチにも対応できるように、バンプ
電極２４、２５が千鳥状に配置されている。ここで、バ
ンプ電極２４、２５には通常金（Ａｕ）が用いられてお
り、インナリード２２、２３には銅（Ｃｕ）が用いられ
その表面は通常錫（Ｓｎ）でメッキされている。
【０００４】図１０に、従来のバンプ電極とインナリー
ドとを接続するボンディング工程を示す。図１０（ａ）
に示されたように、半導体チップ３１の表面に設けられ
たバンプ電極３２とインナリード３３との位置決めが行
われた後、図１０（ｂ）のよにバンプ電極３２とインナ
リード３３とが接触した状態でボンディングツール３４
により熱及び圧力が加えられる。
ドとを接続するボンディング工程を示す。図１０（ａ）
に示されたように、半導体チップ３１の表面に設けられ
たバンプ電極３２とインナリード３３との位置決めが行
われた後、図１０（ｂ）のよにバンプ電極３２とインナ
リード３３とが接触した状態でボンディングツール３４
により熱及び圧力が加えられる。
【０００５】図１０（ｃ）のように、インナリード３３
の表面にメッキされていた錫が溶けて、バンプ電極３２
から溶融した金との間で金−錫合金３５が生成され接合
される。
の表面にメッキされていた錫が溶けて、バンプ電極３２
から溶融した金との間で金−錫合金３５が生成され接合
される。
【０００６】しかし、電極パッドのピッチが８０μｍ以
下になるまで微細化が進むと、バンプ電極３２の面積が
小さくなり、バンプ電極３２から溶融する金の量が減少
する。この結果、インナリード３３から溶融する錫が金
よりも量が相対的に多すぎて余り、図１１のように錫だ
れ３６が生じる。
下になるまで微細化が進むと、バンプ電極３２の面積が
小さくなり、バンプ電極３２から溶融する金の量が減少
する。この結果、インナリード３３から溶融する錫が金
よりも量が相対的に多すぎて余り、図１１のように錫だ
れ３６が生じる。
【０００７】この錫だれ３６は、バンプ電極が千鳥状に
配置されている場合には特に次のような問題を引き起こ
す。図１２及び図１３に、千鳥状に配置されたバンプ電
極２４及び２５と、インナリード２２及び２３とを接続
するボンディング工程を示す。ボンディングツール４１
は、複数のバンプ電極２４及び２５を包括する領域分の
面積を有している。このようなボンディングツール４１
を用いて、半導体チップ２１の内側に配置されたバンプ
電極２４と長尺のインナリード２３とのボンディング
と、半導体チップ２１の外側に配置されたバンプ電極２
５と短尺のインナリード２２とのボンディングとを同時
に行う。
配置されている場合には特に次のような問題を引き起こ
す。図１２及び図１３に、千鳥状に配置されたバンプ電
極２４及び２５と、インナリード２２及び２３とを接続
するボンディング工程を示す。ボンディングツール４１
は、複数のバンプ電極２４及び２５を包括する領域分の
面積を有している。このようなボンディングツール４１
を用いて、半導体チップ２１の内側に配置されたバンプ
電極２４と長尺のインナリード２３とのボンディング
と、半導体チップ２１の外側に配置されたバンプ電極２
５と短尺のインナリード２２とのボンディングとを同時
に行う。
【０００８】この場合、長尺のインナリード２３がボン
ディングツール４１に接触する面積は、短尺のインナリ
ード２２がボンディングツール４１に接触する面積より
も大きい。よって、長尺のインナリード２３に生じる錫
だれの量は、短尺のインナリード２２よりも多くなる。
この結果、図１４に示されるように、長尺のインナリー
ド２３から生じた錫だれ３６が短尺のインナリード２２
に接合されたバンプ電極２５と接触し、隣接するバンプ
電極２２及び２３の間で短絡が発生していた。
ディングツール４１に接触する面積は、短尺のインナリ
ード２２がボンディングツール４１に接触する面積より
も大きい。よって、長尺のインナリード２３に生じる錫
だれの量は、短尺のインナリード２２よりも多くなる。
この結果、図１４に示されるように、長尺のインナリー
ド２３から生じた錫だれ３６が短尺のインナリード２２
に接合されたバンプ電極２５と接触し、隣接するバンプ
電極２２及び２３の間で短絡が発生していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のように、従来の
半導体装置には微細化に伴い電極間で短絡が生じるとい
う問題があった。
半導体装置には微細化に伴い電極間で短絡が生じるとい
う問題があった。
【００１０】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、微細化が進み電極パッドのピッチが縮小されても、
短絡を有効に防止し得る半導体装置を提供することを目
的とする。
で、微細化が進み電極パッドのピッチが縮小されても、
短絡を有効に防止し得る半導体装置を提供することを目
的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体チップの表面にバンプ電極が千鳥状に配置されて
おり、このバンプ電極は半導体チップの内側に配置され
たもののの方が外側に配置されたものよりも面積が大き
くなるように設けられていることを特徴としている。
半導体チップの表面にバンプ電極が千鳥状に配置されて
おり、このバンプ電極は半導体チップの内側に配置され
たもののの方が外側に配置されたものよりも面積が大き
くなるように設けられていることを特徴としている。
【００１２】ここで、バンプ電極は多角形形状を有して
いてもよい。
いてもよい。
【００１３】また、バンプ電極に接合されたインナリー
ドをさらに含み、このインナリードは先端がバンプ電極
から突き出ない長さに設定されていてもよい。
ドをさらに含み、このインナリードは先端がバンプ電極
から突き出ない長さに設定されていてもよい。
【００１４】さらに、本発明の他の半導体装置は、半導
体チップ表面上の周縁付近にバンプ電極が１列に配置さ
れ、前記バンプ電極にインナリードが接合されており、
インナリードは先端がバンプ電極から突き出ない長さに
設定されていることを特徴としている。
体チップ表面上の周縁付近にバンプ電極が１列に配置さ
れ、前記バンプ電極にインナリードが接合されており、
インナリードは先端がバンプ電極から突き出ない長さに
設定されていることを特徴としている。
【００１５】
【作用】千鳥状に配置されたバンプ電極は、半導体チッ
プの内側に配置されたものの面積が外側に配置されたも
のの面積よりも大きいため、半導体チップの内側に配置
されたバンプ電極からはボンディング時に溶融する金属
の量が多い。このためバンプ電極にインナリードを接合
する時に、半導体チップの内側に配置されたバンプ電極
に接合されるインナリードは、外側に配置されたバンプ
電極に接合されるインナリードよりもボンディング時に
ボンディングツールと接触する面積が大きく溶融する金
属の量も多いが、この金属と合金を形成するバンプ電極
からの金属の量も多いため余ることがなく、隣接する電
極間で短絡するのが防止される。
プの内側に配置されたものの面積が外側に配置されたも
のの面積よりも大きいため、半導体チップの内側に配置
されたバンプ電極からはボンディング時に溶融する金属
の量が多い。このためバンプ電極にインナリードを接合
する時に、半導体チップの内側に配置されたバンプ電極
に接合されるインナリードは、外側に配置されたバンプ
電極に接合されるインナリードよりもボンディング時に
ボンディングツールと接触する面積が大きく溶融する金
属の量も多いが、この金属と合金を形成するバンプ電極
からの金属の量も多いため余ることがなく、隣接する電
極間で短絡するのが防止される。
【００１６】バンプ電極が多角形形状を有しているとき
は、隣接する電極間の距離を広げることができるため、
より短絡を確実に防止することができる。
は、隣接する電極間の距離を広げることができるため、
より短絡を確実に防止することができる。
【００１７】また、インナリードの先端がバンプ電極か
ら突き出ない長さに設定されているときは、ボンディン
グ時にインナリードから溶融する金属の量を減少させる
ことができ、バンプ金属から溶融する金属と合金を形成
する時に余った金属により短絡が生じるのが抑制され
る。バンプ電極が千鳥状でなく１列に配置されている場
合にも、インナリードの先端をバンプ電極から突き出な
い長さに設定することで短絡が防止される。
ら突き出ない長さに設定されているときは、ボンディン
グ時にインナリードから溶融する金属の量を減少させる
ことができ、バンプ金属から溶融する金属と合金を形成
する時に余った金属により短絡が生じるのが抑制され
る。バンプ電極が千鳥状でなく１列に配置されている場
合にも、インナリードの先端をバンプ電極から突き出な
い長さに設定することで短絡が防止される。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
して説明する。図１に、本発明の第１の実施例による半
導体装置の構成を示す。半導体チップ１１の外縁部にバ
ンプ電極１４及び１５が千鳥状に交互に配置されてい
る。そして、半導体チップ１１の内側に配置されたバン
プ電極１４は外側に配置されたバンプ電極１５よりも面
積が大きくなるように形成されている。
して説明する。図１に、本発明の第１の実施例による半
導体装置の構成を示す。半導体チップ１１の外縁部にバ
ンプ電極１４及び１５が千鳥状に交互に配置されてい
る。そして、半導体チップ１１の内側に配置されたバン
プ電極１４は外側に配置されたバンプ電極１５よりも面
積が大きくなるように形成されている。
【００１９】このようなバンプ電極１４及び１５にイン
ナリード１３及び１２をそれぞれボンディングした場合
の接合状態を図２に示す。本実施例では、長尺のインナ
リード１３と接合するバンプ電極１４の面積が、短尺の
インナリード１２と接合するバンプ電極１５の面積より
も大きく設定されている。このため、ボンディング時に
バンプ電極１４から溶融する金の量がバンプ電極１５か
らの金よりも多くなる。この結果、長尺のインナリード
１３から錫が多く溶融しても、バンプ電極１４から多く
溶融する金との間で金−錫合金１６を生成する上で錫が
余らず、錫だれの発生が防止される。バンプ電極１５か
ら溶融する金の量は少ないが、このバンプ電極１５と接
合されるインナリード１２は短尺であり錫の量も少ない
ので、錫だれは同様に生じない。この結果、隣接するバ
ンプ電極１４及び１５の間で短絡が生じるのが防止され
る。
ナリード１３及び１２をそれぞれボンディングした場合
の接合状態を図２に示す。本実施例では、長尺のインナ
リード１３と接合するバンプ電極１４の面積が、短尺の
インナリード１２と接合するバンプ電極１５の面積より
も大きく設定されている。このため、ボンディング時に
バンプ電極１４から溶融する金の量がバンプ電極１５か
らの金よりも多くなる。この結果、長尺のインナリード
１３から錫が多く溶融しても、バンプ電極１４から多く
溶融する金との間で金−錫合金１６を生成する上で錫が
余らず、錫だれの発生が防止される。バンプ電極１５か
ら溶融する金の量は少ないが、このバンプ電極１５と接
合されるインナリード１２は短尺であり錫の量も少ない
ので、錫だれは同様に生じない。この結果、隣接するバ
ンプ電極１４及び１５の間で短絡が生じるのが防止され
る。
【００２０】図３に、具体的な電極パッドのピッチＸ３
と、バンプ電極１４及び１５の寸法を示す。ピッチＸ３
が例えば５０μｍである場合、半導体チップ１１の内側
に設けられたバンプ電極１４の寸法を、Ｘ１＝Ｙ１＝７
０μｍとし、外側に設けられたバンプ電極１５の寸法
を、Ｘ２＝４５μｍ、Ｙ２＝７０μｍとしてもよい。
と、バンプ電極１４及び１５の寸法を示す。ピッチＸ３
が例えば５０μｍである場合、半導体チップ１１の内側
に設けられたバンプ電極１４の寸法を、Ｘ１＝Ｙ１＝７
０μｍとし、外側に設けられたバンプ電極１５の寸法
を、Ｘ２＝４５μｍ、Ｙ２＝７０μｍとしてもよい。
【００２１】第１の実施例では、バンプ電極１４及び１
５はいずれも四角形の形状を有しているがこれには限定
されず、多角形あるいは三角形であってもよい。例え
ば、図４に示された第２の実施例では、半導体チップ１
１ａに形成されたバンプ電極のうち、チップ１１ａの内
側に形成されたバンプ電極１４ａは８角形である。この
ように形成することで、バンプ電極１４ａとバンプ電極
１５との間の距離が確保され錫だれが生じた場合にも短
絡が発生しにくくなる。また、ボンディング工程ではボ
ンディングツールによる加圧でバンプ電極に潰れが生じ
る場合がある。このような場合にも、バンプ電極の形状
を多角形にすることで、隣接するもの同志の間で接触が
生じるのを抑制する効果が得られる。
５はいずれも四角形の形状を有しているがこれには限定
されず、多角形あるいは三角形であってもよい。例え
ば、図４に示された第２の実施例では、半導体チップ１
１ａに形成されたバンプ電極のうち、チップ１１ａの内
側に形成されたバンプ電極１４ａは８角形である。この
ように形成することで、バンプ電極１４ａとバンプ電極
１５との間の距離が確保され錫だれが生じた場合にも短
絡が発生しにくくなる。また、ボンディング工程ではボ
ンディングツールによる加圧でバンプ電極に潰れが生じ
る場合がある。このような場合にも、バンプ電極の形状
を多角形にすることで、隣接するもの同志の間で接触が
生じるのを抑制する効果が得られる。
【００２２】第２の実施例では、隣接するバンプ電極１
４ａ及び１５のうち、半導体チップ１１ａの内側のバン
プ電極１４ａのみ多角形に形成されている。しかし、図
５に示された第３の実施例のように、両方のバンプ電極
５４及び５５の形状を多角形にしてもよい。本実施例で
は、隣接するバンプ電極５４及び５５において、相互に
近接した部分を除去したような形状となっており、より
短絡防止の効果が高い。
４ａ及び１５のうち、半導体チップ１１ａの内側のバン
プ電極１４ａのみ多角形に形成されている。しかし、図
５に示された第３の実施例のように、両方のバンプ電極
５４及び５５の形状を多角形にしてもよい。本実施例で
は、隣接するバンプ電極５４及び５５において、相互に
近接した部分を除去したような形状となっており、より
短絡防止の効果が高い。
【００２３】上述した第１〜第３の実施例では、いずれ
もバンプ電極の面積や形状に特徴があった。これに対
し、本発明の第５の実施例ではバンプ電極側のみなら
ず、インナリードの先端とバンプ電極との相対的な位置
関係にもさらに特徴がある。図６に示されたように、イ
ンナリード５６及び５７の先端部がいずれもバンプ電極
５５及び５４の内側に収まっており突き出てはいない。
これにより、ボンディング時にインナリード５６及び５
７から溶融する錫の量が少なくなり、錫だれの発生を防
止することができる。
もバンプ電極の面積や形状に特徴があった。これに対
し、本発明の第５の実施例ではバンプ電極側のみなら
ず、インナリードの先端とバンプ電極との相対的な位置
関係にもさらに特徴がある。図６に示されたように、イ
ンナリード５６及び５７の先端部がいずれもバンプ電極
５５及び５４の内側に収まっており突き出てはいない。
これにより、ボンディング時にインナリード５６及び５
７から溶融する錫の量が少なくなり、錫だれの発生を防
止することができる。
【００２４】また、図８に示された本発明の第４の実施
例のように、バンプ電極７４及び７５が三角形の形状を
有していてもよい。この場合にも、隣接するバンプ電極
７４及び７５同志の間で一定の距離が確保され、短絡防
止の効果を高めることができる。
例のように、バンプ電極７４及び７５が三角形の形状を
有していてもよい。この場合にも、隣接するバンプ電極
７４及び７５同志の間で一定の距離が確保され、短絡防
止の効果を高めることができる。
【００２５】本発明の第１〜第５の実施例は、いずれも
バンプ電極が千鳥状に配置されている。上述したよう
に、電極パッドのピッチが８０μｍ以下の場合には千鳥
状に配置するのが望ましいが、必ずしも千鳥状である必
要はない。図７に示された第６の実施例では、半導体チ
ップ６１の周縁部にバンプ電極６３が一列に配置されて
いる。この実施例における特徴は、インナリード６２の
先端部がバンプ電極６３内に収まり突き出していない点
にある。微細化によりバンプ電極６３の面積が小さくな
りバンプ電極６３から溶融する金の量が少ない場合に
も、インナリード６２とボンディングツールと接触する
面積を小さくすることで、インナリード６２から溶融す
る錫の量を少なくすることができるため、錫だれの発生
を抑制し短絡を防ぐことができる。
バンプ電極が千鳥状に配置されている。上述したよう
に、電極パッドのピッチが８０μｍ以下の場合には千鳥
状に配置するのが望ましいが、必ずしも千鳥状である必
要はない。図７に示された第６の実施例では、半導体チ
ップ６１の周縁部にバンプ電極６３が一列に配置されて
いる。この実施例における特徴は、インナリード６２の
先端部がバンプ電極６３内に収まり突き出していない点
にある。微細化によりバンプ電極６３の面積が小さくな
りバンプ電極６３から溶融する金の量が少ない場合に
も、インナリード６２とボンディングツールと接触する
面積を小さくすることで、インナリード６２から溶融す
る錫の量を少なくすることができるため、錫だれの発生
を抑制し短絡を防ぐことができる。
【００２６】また、半導体チップによっては同一チップ
であっても異なるピッチで電極が配置されている場合が
ある。このような場合には、ピッチの狭い部分にのみ本
発明を適用してもよい。即ち、ピッチの狭い部分にのみ
上述した第１〜第６の実施例のいずれかを適用すること
で錫だれの発生を防止してもよい。
であっても異なるピッチで電極が配置されている場合が
ある。このような場合には、ピッチの狭い部分にのみ本
発明を適用してもよい。即ち、ピッチの狭い部分にのみ
上述した第１〜第６の実施例のいずれかを適用すること
で錫だれの発生を防止してもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体装置
は、千鳥状に配置されたバンプ電極のうち、半導体チッ
プの内側に配置されたものは外側に配置されたものより
も面積が大きくボンディング時に溶融する金属の量が多
いため、このバンプ電極に接続される長尺のインナリー
ドからの溶融金属の量が多くとも合金を形成する上で余
らないため、隣接する電極間で短絡が発生するのが防止
される。
は、千鳥状に配置されたバンプ電極のうち、半導体チッ
プの内側に配置されたものは外側に配置されたものより
も面積が大きくボンディング時に溶融する金属の量が多
いため、このバンプ電極に接続される長尺のインナリー
ドからの溶融金属の量が多くとも合金を形成する上で余
らないため、隣接する電極間で短絡が発生するのが防止
される。
【図１】本発明の第１の実施例による半導体装置の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図２】同半導体装置においてバンプ電極とインナリー
ドとが接合された状態を示した平面図。
ドとが接合された状態を示した平面図。
【図３】同半導体装置におけるバンプ電極のピッチと寸
法とを示した平面図。
法とを示した平面図。
【図４】本発明の第２の実施例による半導体装置におけ
るバンプ電極の形状を示した平面図。
るバンプ電極の形状を示した平面図。
【図５】本発明の第３の実施例による半導体装置の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図６】本発明の第５の実施例による半導体装置の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図７】本発明の第６の実施例による半導体装置の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図８】本発明の第４の実施例による半導体装置の構成
を示した平面図。
を示した平面図。
【図９】従来の半導体装置の構成を示した平面図。
【図１０】同半導体装置におけるボンディング工程を示
した縦断面図。
した縦断面図。
【図１１】同半導体装置において錫だれが生じた状態を
示した縦断面図。
示した縦断面図。
【図１２】同半導体装置における千鳥状に配置されたバ
ンプ電極とインナリードとをボンディングする工程を示
した縦断面図。
ンプ電極とインナリードとをボンディングする工程を示
した縦断面図。
【図１３】同半導体装置における千鳥状に配置されたバ
ンプ電極とインナリードとをボンディングときにボンデ
ィングツールが接触する領域を示した平面図。
ンプ電極とインナリードとをボンディングときにボンデ
ィングツールが接触する領域を示した平面図。
【図１４】同半導体装置において錫だれにより短絡が発
生した状態を示した平面図。
生した状態を示した平面図。
１１、１１ａ、２１、３１、５１、６１、７１ 半導体
チップ １２、１３、２２、２３、３３、５２、５３、５６、５
７、６２、７２、７３インナリード １４、１４ａ、１５、２４、２５、３２、３３、５４、
５５、６３、７４、７５バンプ電極 １６、３５ 金−錫合金 ３４、４１ ボンディングツール ３６ 錫だれ
チップ １２、１３、２２、２３、３３、５２、５３、５６、５
７、６２、７２、７３インナリード １４、１４ａ、１５、２４、２５、３２、３３、５４、
５５、６３、７４、７５バンプ電極 １６、３５ 金−錫合金 ３４、４１ ボンディングツール ３６ 錫だれ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田 沢 浩 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内 (72)発明者 細 美 英 一 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１ 株式会 社東芝研究開発センター内
Claims (4)
- 【請求項１】半導体チップの表面にバンプ電極が千鳥状
に配置された半導体装置において、 前記バンプ電極は、前記半導体チップの内側に配置され
たものの方が前記半導体チップの外側に配置されたもの
よりも面積が大きくなるように設けられていることを特
徴とする半導体装置。 - 【請求項２】前記バンプ電極は、多角形形状を有してい
ることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】前記バンプ電極に接合されるインナリード
をさらに含み、このインナリードは先端が前記バンプ電
極から突き出ない長さに設定されていることを特徴とす
る請求項２又は３記載の半導体装置。 - 【請求項４】半導体チップ表面上の周縁付近にバンプ電
極が１列に配置され、前記バンプ電極にインナリードが
接合された半導体装置において、 前記インナリードは先端が前記バンプ電極から突き出な
い長さに設定されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5932794A JPH07273119A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5932794A JPH07273119A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07273119A true JPH07273119A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13110147
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5932794A Pending JPH07273119A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 半導体装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07273119A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184581B1 (en) | 1997-11-24 | 2001-02-06 | Delco Electronics Corporation | Solder bump input/output pad for a surface mount circuit device |
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| US7042069B2 (en) | 2003-11-28 | 2006-05-09 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same, wiring board, electronic module, and electronic instrument |
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| US8964441B2 (en) | 2013-07-23 | 2015-02-24 | SK hynix, Inc. | Semiconductor memory device |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP5932794A patent/JPH07273119A/ja active Pending
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| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020312 |