JPH07272215A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH07272215A JPH07272215A JP8221494A JP8221494A JPH07272215A JP H07272215 A JPH07272215 A JP H07272215A JP 8221494 A JP8221494 A JP 8221494A JP 8221494 A JP8221494 A JP 8221494A JP H07272215 A JPH07272215 A JP H07272215A
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- coil
- insulating layer
- coil conductor
- resist
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 上コアとコイル導体との絶縁不良を防止す
る。 【構成】 各層のコイル導体１９，２０，２４，２８の
表面に電着レジスト３６を付着してこれら表面全体を覆
い、その上に各層の絶縁層１８，２２，２６，３０を積
層する。
る。 【構成】 各層のコイル導体１９，２０，２４，２８の
表面に電着レジスト３６を付着してこれら表面全体を覆
い、その上に各層の絶縁層１８，２２，２６，３０を積
層する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、インダクティブタイ
プの薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、上コア
とコイル層との絶縁不良を防止したものである。
プの薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、上コア
とコイル層との絶縁不良を防止したものである。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは磁気ディスク装置の記
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の薄膜磁気ヘッドを図２に示
す。図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ矢視図である。ここでは導体コイルを４層とした場
合について示している。
録および再生手段として用いられている。磁気ディスク
装置に使用されている従来の薄膜磁気ヘッドを図２に示
す。図２において（ａ）は正面図、（ｂ）は（ａ）のＡ
−Ａ矢視図である。ここでは導体コイルを４層とした場
合について示している。
【０００３】この薄膜磁気ヘッド１は、鏡面研磨された
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が付着され、その上に
下コア１４が積層されている。下コア１４の上には磁気
ギャップ層１６が積層されている。磁気ギャップ層１６
は保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られ
ている。
清浄なスライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −Ｔ
ｉＣ系セラミック板等を有し、この基板１０上にはＳｉ
Ｏ2，Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が付着され、その上に
下コア１４が積層されている。下コア１４の上には磁気
ギャップ層１６が積層されている。磁気ギャップ層１６
は保護層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られ
ている。
【０００４】磁気ギャップ層１６上には第１コイル層１
９のコイル導体がＣｕ等で数μｍの厚さに形成されてい
る。第１コイル層１９の上には第１絶縁層１８が積層さ
れて、第１コイル層１９全体を覆っている。絶縁層には
通常、ポジ型のホトレジストが用いられ、熱処理を加え
て安定に硬化されている。第１絶縁層１８の上には、第
２コイル層２０のコイル導体が形成されている。第２コ
イル層２０の上には第２絶縁層２２が積層され、さらに
その上に第３コイル層２４、第３絶縁層２６、第４コイ
ル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
９のコイル導体がＣｕ等で数μｍの厚さに形成されてい
る。第１コイル層１９の上には第１絶縁層１８が積層さ
れて、第１コイル層１９全体を覆っている。絶縁層には
通常、ポジ型のホトレジストが用いられ、熱処理を加え
て安定に硬化されている。第１絶縁層１８の上には、第
２コイル層２０のコイル導体が形成されている。第２コ
イル層２０の上には第２絶縁層２２が積層され、さらに
その上に第３コイル層２４、第３絶縁層２６、第４コイ
ル層２８、第４絶縁層３０が順次積層されている。
【０００５】第４絶縁層３０の上には上コア３２が形成
されている。上コア３２のポール部３８と反対側の後部
は、下コア１４と密着している。上コア３２の上には、
保護層３０がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で積層されて、全
体を覆っている。
されている。上コア３２のポール部３８と反対側の後部
は、下コア１４と密着している。上コア３２の上には、
保護層３０がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で積層されて、全
体を覆っている。
【０００６】従来の薄膜磁気ヘッドの製造工程を図３を
参照して説明する。 （１） 下コア形成 基板１０上に保護層１２をスパッタ法等で付着させ、そ
の上に下コア１４を電気メッキ等で形成する。 （２） 磁気ギャップ層形成 下コア１４上に磁気ギャップ層１６をスパッタ法等で付
着させる。 （３） コイル層形成 磁気ギャップ層１６（絶縁体）上に第１コイル層１９の
コイル導体のパターンを電気メッキあるいはスパッタ法
等で付着させる。 （４） 絶縁層形成 第１コイル層１９上に第１絶縁層１８をリソグラフィ等
で積層して、第１コイル層１９全体を覆う。 （５） 上コア形成 上記工程（３），（４）を繰り返して各層コイル層およ
び絶縁層を積層した後、上コア３２を電気メッキ等で形
成する。最後に上コア３２上に保護層３４（図２）をス
パッタ法等で積層して完成する。
参照して説明する。 （１） 下コア形成 基板１０上に保護層１２をスパッタ法等で付着させ、そ
の上に下コア１４を電気メッキ等で形成する。 （２） 磁気ギャップ層形成 下コア１４上に磁気ギャップ層１６をスパッタ法等で付
着させる。 （３） コイル層形成 磁気ギャップ層１６（絶縁体）上に第１コイル層１９の
コイル導体のパターンを電気メッキあるいはスパッタ法
等で付着させる。 （４） 絶縁層形成 第１コイル層１９上に第１絶縁層１８をリソグラフィ等
で積層して、第１コイル層１９全体を覆う。 （５） 上コア形成 上記工程（３），（４）を繰り返して各層コイル層およ
び絶縁層を積層した後、上コア３２を電気メッキ等で形
成する。最後に上コア３２上に保護層３４（図２）をス
パッタ法等で積層して完成する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前記工程において、各
層絶縁層１８，２２，２６，３０は、その上に上コア３
２をゆるやかな勾配で積層するために周縁部１７（図３
（４））がなだらかに形成される。このため、各層の絶
縁層形成時に各層コイル導体の最外周の角部２１（図２
（４））において絶縁層の厚さｔにばらつきが生じやす
く、上コア３２とコイル導体との間の絶縁が十分高くと
れず、あるいは高電圧の印加でチャージ破壊が起きる等
の不都合が生じることがあった。上コア３２とコイル導
体との間の絶縁を十分とるために、各層絶縁層１８，２
２，２６，３０を厚くし、あるいは絶縁層カット部３１
とコイル導体最外周との間隔ｄ（図２（４））を離すこ
とも考えられるが、磁路長が増大するため効率が低下す
る。また、各層絶縁層１８，２２，２６，３０を厚くす
ると、積層による段差が大きくなり、歩留低下を招く。
すなわち、上コア３２を形成する場合に、段差が大きい
と、レジストの塗布厚が段差の上下で均一にならず、露
光、現像後のレジストカット形状が安定しない。また、
段差の増大は露光時に焦点位置が最適値からずれる部分
が多くなり（いわゆるピンボケ）、これもレジストカッ
ト形状の安定性を害する原因となり、歩留低下をもたら
す。
層絶縁層１８，２２，２６，３０は、その上に上コア３
２をゆるやかな勾配で積層するために周縁部１７（図３
（４））がなだらかに形成される。このため、各層の絶
縁層形成時に各層コイル導体の最外周の角部２１（図２
（４））において絶縁層の厚さｔにばらつきが生じやす
く、上コア３２とコイル導体との間の絶縁が十分高くと
れず、あるいは高電圧の印加でチャージ破壊が起きる等
の不都合が生じることがあった。上コア３２とコイル導
体との間の絶縁を十分とるために、各層絶縁層１８，２
２，２６，３０を厚くし、あるいは絶縁層カット部３１
とコイル導体最外周との間隔ｄ（図２（４））を離すこ
とも考えられるが、磁路長が増大するため効率が低下す
る。また、各層絶縁層１８，２２，２６，３０を厚くす
ると、積層による段差が大きくなり、歩留低下を招く。
すなわち、上コア３２を形成する場合に、段差が大きい
と、レジストの塗布厚が段差の上下で均一にならず、露
光、現像後のレジストカット形状が安定しない。また、
段差の増大は露光時に焦点位置が最適値からずれる部分
が多くなり（いわゆるピンボケ）、これもレジストカッ
ト形状の安定性を害する原因となり、歩留低下をもたら
す。
【０００８】この発明は、前記従来の技術における問題
点を解決して、絶縁層を厚くすることなく、また絶縁層
カット部とコイル導体最外周との間隔をあまり離すこと
なく上コアとコイル導体との絶縁を十分とれるようにし
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとす
るものである。
点を解決して、絶縁層を厚くすることなく、また絶縁層
カット部とコイル導体最外周との間隔をあまり離すこと
なく上コアとコイル導体との絶縁を十分とれるようにし
た薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を提供しようとす
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の薄膜磁気
ヘッドは、コイル層を構成するコイル導体の表面に絶縁
性の電着レジストが付着され、当該電着レジストが付着
された上に当該コイル層全体にわたって別途絶縁層が積
層されてなるものである。
ヘッドは、コイル層を構成するコイル導体の表面に絶縁
性の電着レジストが付着され、当該電着レジストが付着
された上に当該コイル層全体にわたって別途絶縁層が積
層されてなるものである。
【００１０】請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法
は、コイル層を構成するコイル導体が表面に露出した薄
膜磁気ヘッドのウェファーと電極とを、レジスト液が収
容された槽内に浸漬し、前記コイル導体を他方の電極と
して前記電極との間に電圧を印加して当該コイル導体の
表面に電着レジストを付着させ、その後前記ウェファー
を前記槽内から出して、前記電着レジストが付着された
上に当該コイル層全体にわたって絶縁層を積層してなる
ものである。
は、コイル層を構成するコイル導体が表面に露出した薄
膜磁気ヘッドのウェファーと電極とを、レジスト液が収
容された槽内に浸漬し、前記コイル導体を他方の電極と
して前記電極との間に電圧を印加して当該コイル導体の
表面に電着レジストを付着させ、その後前記ウェファー
を前記槽内から出して、前記電着レジストが付着された
上に当該コイル層全体にわたって絶縁層を積層してなる
ものである。
【００１１】
【作用】この発明の薄膜磁気ヘッドによれば、コイル導
体の表面に絶縁性の電着レジストを付着して、その上に
絶縁層を積層したので、コイル導体の最外周の角部で絶
縁層が薄くてもあるいはコイル導体角部が露出していて
も、コイル導体は電着レジストによって上コアとの絶縁
を保つことができる。したがって、絶縁層を厚くしなく
てすむとともに、絶縁層カット部とコイル導体最外周と
の間隔も離さなくてすむので、磁路長の増大による効率
の低下が防止される。また、絶縁層を厚くしなくてすむ
ので、各層の段差の増大による歩留低下を防止すること
ができる。
体の表面に絶縁性の電着レジストを付着して、その上に
絶縁層を積層したので、コイル導体の最外周の角部で絶
縁層が薄くてもあるいはコイル導体角部が露出していて
も、コイル導体は電着レジストによって上コアとの絶縁
を保つことができる。したがって、絶縁層を厚くしなく
てすむとともに、絶縁層カット部とコイル導体最外周と
の間隔も離さなくてすむので、磁路長の増大による効率
の低下が防止される。また、絶縁層を厚くしなくてすむ
ので、各層の段差の増大による歩留低下を防止すること
ができる。
【００１２】また、この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、この発明の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
法によれば、この発明の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
【００１３】
【実施例】この発明の一実施例を説明する。図１は、こ
の発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示したものであ
る。ここでは導体コイルを４層とした場合について示し
ている。薄膜磁気ヘッド３６は、鏡面研磨された清浄な
スライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系
セラミック板等を有し、この基板１０上にはＳｉＯ2，
Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が付着され、その上に下コア
１４が積層されている。下コア１４の上には磁気ギャッ
プ層１６が積層されている。磁気ギャップ層１６は保護
層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られてい
る。
の発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示したものであ
る。ここでは導体コイルを４層とした場合について示し
ている。薄膜磁気ヘッド３６は、鏡面研磨された清浄な
スライダ基板１０として、例えばＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ系
セラミック板等を有し、この基板１０上にはＳｉＯ2，
Ａｌ2 Ｏ3 等の保護層１２が付着され、その上に下コア
１４が積層されている。下コア１４の上には磁気ギャッ
プ層１６が積層されている。磁気ギャップ層１６は保護
層１２と同様にＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で作られてい
る。
【００１４】磁気ギャップ層１６上には第１コイル層１
９のコイル導体がＣｕ等で数μｍの厚さに形成されてい
る。第１コイル層１９のコイル導体の表面には絶縁性の
電着レジスト３８が付着され、コイル導体の表面全体を
覆っている。電着レジスト１９が付着した第１コイル層
１９の上には第１絶縁層１８が積層されて、第１コイル
層１９全体を覆っている。絶縁層には通常、ポジ型のホ
トレジストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化され
ている。第１絶縁層１８の上には、第２コイル層２０の
コイル導体が形成されている。第２コイル層２０の上に
は第２絶縁層２２が積層され、さらにその上に第３コイ
ル層２４、第３絶縁層２６、第４コイル層２８、第４絶
縁層３０が順次積層されている。第２，３，４コイル層
２０，２４，２８のコイル導体表面にも電着レジスト３
８が付着されて、コイル導体表面全体を覆っている。
９のコイル導体がＣｕ等で数μｍの厚さに形成されてい
る。第１コイル層１９のコイル導体の表面には絶縁性の
電着レジスト３８が付着され、コイル導体の表面全体を
覆っている。電着レジスト１９が付着した第１コイル層
１９の上には第１絶縁層１８が積層されて、第１コイル
層１９全体を覆っている。絶縁層には通常、ポジ型のホ
トレジストが用いられ、熱処理を加えて安定に硬化され
ている。第１絶縁層１８の上には、第２コイル層２０の
コイル導体が形成されている。第２コイル層２０の上に
は第２絶縁層２２が積層され、さらにその上に第３コイ
ル層２４、第３絶縁層２６、第４コイル層２８、第４絶
縁層３０が順次積層されている。第２，３，４コイル層
２０，２４，２８のコイル導体表面にも電着レジスト３
８が付着されて、コイル導体表面全体を覆っている。
【００１５】第４絶縁層３０の上には上コア３２が形成
されている。上コア３２のポール部３８と反対側の後部
は、下コア１４と密着している。上コア３２の上には、
保護層３０がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で積層されて、全
体を覆っている。
されている。上コア３２のポール部３８と反対側の後部
は、下コア１４と密着している。上コア３２の上には、
保護層３０がＳｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等で積層されて、全
体を覆っている。
【００１６】図１の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一実施
例を図４を参照して説明する。 （１） 下コア形成 基板１０上に保護層１２をスパッタ法等で付着させ、そ
の上に下コア１４を電気メッキ等で形成する。 （２） 磁気ギャップ層形成 下コア１４上に磁気ギャップ層１６をスパッタ法等で付
着させる。 （３） コイル層形成 磁気ギャップ層１６（絶縁体）上に第１コイル層１９の
コイル導体のパターンを電気メッキあるいはスパッタ法
等で付着させる。 （４） コイルパターン上電着レジスト コイル導体１９の表面に絶縁性の電着レジスト３８を付
着させて、コイル導体１９の表面全体を覆う。電着レジ
スト３８を付着させる一手法を図５を参照して説明す
る。槽４０内にはレジスト材料が溶けたレジスト液４２
（ポリマーエマルジョン）が収容され、その中に工程
（３）まで終了したウェファー４４と他方の電極板４６
が浸漬されている。レジスト材料としては、薄膜磁気ヘ
ッドの場合、２００℃以上の耐熱を有するものが望まし
く、例えば、フェノールノボラックをベースにしたもの
を用いることができる（他の耐熱樹脂でも可）。
例を図４を参照して説明する。 （１） 下コア形成 基板１０上に保護層１２をスパッタ法等で付着させ、そ
の上に下コア１４を電気メッキ等で形成する。 （２） 磁気ギャップ層形成 下コア１４上に磁気ギャップ層１６をスパッタ法等で付
着させる。 （３） コイル層形成 磁気ギャップ層１６（絶縁体）上に第１コイル層１９の
コイル導体のパターンを電気メッキあるいはスパッタ法
等で付着させる。 （４） コイルパターン上電着レジスト コイル導体１９の表面に絶縁性の電着レジスト３８を付
着させて、コイル導体１９の表面全体を覆う。電着レジ
スト３８を付着させる一手法を図５を参照して説明す
る。槽４０内にはレジスト材料が溶けたレジスト液４２
（ポリマーエマルジョン）が収容され、その中に工程
（３）まで終了したウェファー４４と他方の電極板４６
が浸漬されている。レジスト材料としては、薄膜磁気ヘ
ッドの場合、２００℃以上の耐熱を有するものが望まし
く、例えば、フェノールノボラックをベースにしたもの
を用いることができる（他の耐熱樹脂でも可）。
【００１７】ウェファー４４の表面には多数の薄膜磁気
ヘッド３６が配列されており、最終的に個々のスライダ
チップ切断される。ウェファー４４の表面には、第１コ
イル層１９のコイル導体が露出しており、このコイル導
体を−側の電極として第１コイル層１９のコイル導体と
電極板４６との間に電源４８により直流電圧を印加する
ことにより電着が行なわれる。
ヘッド３６が配列されており、最終的に個々のスライダ
チップ切断される。ウェファー４４の表面には、第１コ
イル層１９のコイル導体が露出しており、このコイル導
体を−側の電極として第１コイル層１９のコイル導体と
電極板４６との間に電源４８により直流電圧を印加する
ことにより電着が行なわれる。
【００１８】図５の電着装置５０による電気泳動による
コイル導体１９の表面へのレジストの付着機構は、帯電
したレジスト核５２のウェファー４４表面のコイル導体
１９への移動と電子反応からなる。電着は、ウェファー
４４表面のコイル導体１９の任意の場所より始まり、導
電部がある限りコーティングは行われる。１度コーティ
ングが行われると、導電部がなくなった部分への析出は
なくなり、この結果、金属下地膜の全ての部分に均一な
膜厚のレジストがコーティングされる。塗布膜厚は、電
着電圧と温度によって決まり、時間を延ばしても限界以
上は、増えない。
コイル導体１９の表面へのレジストの付着機構は、帯電
したレジスト核５２のウェファー４４表面のコイル導体
１９への移動と電子反応からなる。電着は、ウェファー
４４表面のコイル導体１９の任意の場所より始まり、導
電部がある限りコーティングは行われる。１度コーティ
ングが行われると、導電部がなくなった部分への析出は
なくなり、この結果、金属下地膜の全ての部分に均一な
膜厚のレジストがコーティングされる。塗布膜厚は、電
着電圧と温度によって決まり、時間を延ばしても限界以
上は、増えない。
【００１９】電着レジスト３８は、エマルジョン化した
物質が界面を有するグレイン（粒）状堆積物として存在
するため、均一なレジストにするには、その後の加熱処
理によってエマルジョンを会合させ、グレインを一体化
することにより均一化させる。この加熱処理の際電着レ
ジストの厚さが厚すぎると“たれ”が発生し、コイルの
角の部分で薄くなったり、界面張力の影響でやはりコイ
ルの角部で収縮してしまう。したがって、電着レジスト
３８の厚さは、一般的には、３×５μｍ程度のコイル断
面を持つ薄膜磁気ヘッドの場合、０．６〜１．２μｍ程
度が最適と思われる。 （５） 絶縁層形成 第１コイル層１９上に第１絶縁層１８をリソグラフィ等
で積層して、第１コイル層１９全体を覆う。絶縁層を形
成する手法の一例を図６を参照して説明する。 ｉ） フォトレジスト塗布 コイル導体表面に電着レジストが付着された第１コイル
層１９全体にフォトレジスト５６（ここではポジレジス
ト）を塗布する。そして、フォトレジスト５６の上に第
１絶縁層１８のパターン形状を有するフォトマスク５８
を配置して露光する。 ii） 絶縁層パターンカット 露光した後現像処理することにより、フォトレジスト５
６は第１絶縁層１８のパターンにカットされる。 iii) 追加露光 フォトレジスト５６のカット端部Ｃ１に沿って所定幅の
露光窓３４を有する追加露光用フォトマスク３６を配置
してカット端部Ｃ１を追加露光する。これにより、追加
露光された部分で光化学反応を起こす。 iv) 焼き締め 追加露光後２５０℃前後で加熱処理すると、追加露光さ
れたカット端部Ｃ１は流動性が増してなめらかとなる。
このとき、コイル層最外周の角部２１が第１絶縁層１８
の表面から露出しやすくなり、あるいは露出しないまで
も角部２１における絶縁層１８の厚さｔが薄くなるが、
コイル層１９の表面は絶縁性の電着レジスト３８で覆わ
れているので、上コアとの絶縁は十分保たれる。また、
コイル導体と上コア間に高周波高電界が印加されても、
チャージ破壊が起こりにくくなる（言い換えれば、角部
２１が露出しても上コアとの絶縁が保たれるように、ま
た、チャージ破壊が起こらないように、電着レジストの
材料および成膜厚さ等を決定する。）。 （６） 上コア形成 上記工程（３），（４），（５）を繰り返して各層コイ
ル層および絶縁層を積層した後、上コア３２を電気メッ
キ等で形成する。最後に上コア３２上に保護層３４（図
１）をスパッタ法等で積層して完成する。
物質が界面を有するグレイン（粒）状堆積物として存在
するため、均一なレジストにするには、その後の加熱処
理によってエマルジョンを会合させ、グレインを一体化
することにより均一化させる。この加熱処理の際電着レ
ジストの厚さが厚すぎると“たれ”が発生し、コイルの
角の部分で薄くなったり、界面張力の影響でやはりコイ
ルの角部で収縮してしまう。したがって、電着レジスト
３８の厚さは、一般的には、３×５μｍ程度のコイル断
面を持つ薄膜磁気ヘッドの場合、０．６〜１．２μｍ程
度が最適と思われる。 （５） 絶縁層形成 第１コイル層１９上に第１絶縁層１８をリソグラフィ等
で積層して、第１コイル層１９全体を覆う。絶縁層を形
成する手法の一例を図６を参照して説明する。 ｉ） フォトレジスト塗布 コイル導体表面に電着レジストが付着された第１コイル
層１９全体にフォトレジスト５６（ここではポジレジス
ト）を塗布する。そして、フォトレジスト５６の上に第
１絶縁層１８のパターン形状を有するフォトマスク５８
を配置して露光する。 ii） 絶縁層パターンカット 露光した後現像処理することにより、フォトレジスト５
６は第１絶縁層１８のパターンにカットされる。 iii) 追加露光 フォトレジスト５６のカット端部Ｃ１に沿って所定幅の
露光窓３４を有する追加露光用フォトマスク３６を配置
してカット端部Ｃ１を追加露光する。これにより、追加
露光された部分で光化学反応を起こす。 iv) 焼き締め 追加露光後２５０℃前後で加熱処理すると、追加露光さ
れたカット端部Ｃ１は流動性が増してなめらかとなる。
このとき、コイル層最外周の角部２１が第１絶縁層１８
の表面から露出しやすくなり、あるいは露出しないまで
も角部２１における絶縁層１８の厚さｔが薄くなるが、
コイル層１９の表面は絶縁性の電着レジスト３８で覆わ
れているので、上コアとの絶縁は十分保たれる。また、
コイル導体と上コア間に高周波高電界が印加されても、
チャージ破壊が起こりにくくなる（言い換えれば、角部
２１が露出しても上コアとの絶縁が保たれるように、ま
た、チャージ破壊が起こらないように、電着レジストの
材料および成膜厚さ等を決定する。）。 （６） 上コア形成 上記工程（３），（４），（５）を繰り返して各層コイ
ル層および絶縁層を積層した後、上コア３２を電気メッ
キ等で形成する。最後に上コア３２上に保護層３４（図
１）をスパッタ法等で積層して完成する。
【００２０】なお、前記実施例では、コイル導体の表面
全体に電着レジストを付着させたが、コイル導体の最外
周付近の表面にのみ付着させてもよい。
全体に電着レジストを付着させたが、コイル導体の最外
周付近の表面にのみ付着させてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の薄膜磁
気ヘッドによれば、コイル導体の表面に絶縁性の電着レ
ジストを付着して、その上に絶縁層を積層したので、コ
イル導体の最外周の角部で絶縁層が薄くてもあるいはコ
イル導体角部が露出していても、コイル導体は電着レジ
ストによって上コアとの絶縁を保つことができる。した
がって、絶縁層を厚くしなくてすむとともに、絶縁層カ
ット部とコイル導体最外周との間隔も離さなくてすむの
で、磁路長の増大による効率の低下が防止される。ま
た、絶縁層を厚くしなくてすむので、各層の段差の増大
による歩留低下を防止することができる。
気ヘッドによれば、コイル導体の表面に絶縁性の電着レ
ジストを付着して、その上に絶縁層を積層したので、コ
イル導体の最外周の角部で絶縁層が薄くてもあるいはコ
イル導体角部が露出していても、コイル導体は電着レジ
ストによって上コアとの絶縁を保つことができる。した
がって、絶縁層を厚くしなくてすむとともに、絶縁層カ
ット部とコイル導体最外周との間隔も離さなくてすむの
で、磁路長の増大による効率の低下が防止される。ま
た、絶縁層を厚くしなくてすむので、各層の段差の増大
による歩留低下を防止することができる。
【００２２】また、この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法によれば、この発明の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
法によれば、この発明の薄膜磁気ヘッドを製造すること
ができる。
【図１】 この発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 従来の薄膜磁気ヘッドを示す正面図および断
面図である。
面図である。
【図３】 図２の薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す図で
ある。
ある。
【図４】 この発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施例を示す工程図である。
施例を示す工程図である。
【図５】 電着レジスト装置の一例を示す図である。
【図６】 図４（４）の絶縁層形成工程の詳細例を示す
工程図である。
工程図である。
１８，２２，２６，３０ 絶縁層 １９，２０，２４，２８ コイル層（コイル導体） ３６ 薄膜磁気ヘッド ３８ 電着レジスト ４０ 槽 ４２ レジスト液 ４４ ウェファー ４８ 電源
Claims (2)
- 【請求項１】コイル層を構成するコイル導体の表面に絶
縁性の電着レジストが付着され、当該電着レジストが付
着された上に当該コイル層全体にわたって別途絶縁層が
積層されてなる薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】コイル層を構成するコイル導体が表面に露
出した薄膜磁気ヘッドのウェファーと電極とを、レジス
ト液が収容された槽内に浸漬し、前記コイル導体を他方
の電極として前記電極との間に電圧を印加して当該コイ
ル導体の表面に電着レジストを付着させ、その後前記ウ
ェファーを前記槽内から出して、前記電着レジストが付
着された上に当該コイル層全体にわたって絶縁層を積層
してなる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8221494A JPH07272215A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8221494A JPH07272215A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07272215A true JPH07272215A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=13768177
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8221494A Pending JPH07272215A (ja) | 1994-03-29 | 1994-03-29 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07272215A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946945B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
-
1994
- 1994-03-29 JP JP8221494A patent/JPH07272215A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6946945B2 (en) | 2001-10-03 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Electronic component and method of manufacturing the same |
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