JPH07263482A - パターンマッチング方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

パターンマッチング方法及び半導体装置の製造方法

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JPH07263482A
JPH07263482A JP6049088A JP4908894A JPH07263482A JP H07263482 A JPH07263482 A JP H07263482A JP 6049088 A JP6049088 A JP 6049088A JP 4908894 A JP4908894 A JP 4908894A JP H07263482 A JPH07263482 A JP H07263482A
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Takehito Okubo
雄仁 大久保
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Fujitsu LSI Technology Co Ltd
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Fujitsu Ltd
Fujitsu LSI Technology Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】量子化された被照合パターンの量子化された基
準パターンに対する整合性を評価するパターンマッチン
グ方法に関し、信頼性の高い評価結果を得ることができ
るようにする。 【構成】基準パターンの白画素及び黒画素の数を集計
し、白画素の重み付け係数GW(全画素の数/白画素の
数)及び黒画素の重み付け係数GB(全画素の数/黒画
素の数)を求めた後、被照合パターンと基準パターンと
を比較し、一致する白画素の数及び一致する黒画素の数
を求め、白画素の一致度PW(一致する白画素の数×
W)及び黒画素の一致度PB(一致する黒画素の数×G
B)を求め、被照合パターンの基準パターンに対する一
致度Z([PW+PB]/2)を求め、この一致度Zによ
り、被照合パターンの基準パターンに対する整合性を評
価する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、量子化された被照合パ
ターンの量子化された基準パターン(テンプレート)に
対する整合性を評価するパターンマッチング方法、及
び、このパターンマッチング方法を利用してなる半導体
装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、量子化された被照合パターンの量
子化された基準パターンに対する整合性の判断は、量子
化された被照合パターンと量子化された基準パターンと
を比較し、状態種別が一致する量子化単位の割合を一致
度として求め、この一致度が所定のしきい値を越えてい
るか否かにより行われていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このような従来のパタ
ーンマッチング方法においては、基準パターンが偏った
パターンの場合、例えば、状態種別が白と黒の2種であ
り、白を状態種別とする量子化単位の数が81%、黒を
状態種別とする量子化単位が19%である場合におい
て、被照合パターンの量子化単位が全て白の場合、整合
性は低いにも関わらず、一致度は81%という高い値に
なってしまうという問題点があった。
【0004】この場合、白を状態種別とする量子化単位
の数が50%、黒を状態種別とする量子化単位が50%
となるように基準パターンの範囲を設定する場合には、
一致度の信頼性を向上させることができるが、このよう
にする場合には、余分なオペレーションを付加しなけれ
ばならないという問題点があった。
【0005】本発明は、かかる点に鑑み、量子化された
被照合パターンの量子化された基準パターンに対する整
合性を評価するに際して、信頼性の高い評価結果を得る
ことができるようにしたパターンマッチング方法、及
び、このパターンマッチング方法を使用してなる半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によるパターンマ
ッチング方法は、量子化された被照合パターンと、量子
化された基準パターンとを比較し、状態種別ごとに、状
態種別が一致する量子化単位の数を求め、状態種別ごと
に、状態種別が一致する量子化単位の数に所定の重み付
け係数を乗し、その結果を状態種別の数で平均した値に
より、量子化された被照合パターンの量子化された基準
パターンに対する整合性を評価するというものである。
【0007】
【作用】本発明によれば、状態種別ごとに、状態種別が
一致する量子化単位の数に所定の重み付け係数を乗し、
その結果を状態種別の数で平均した値により、量子化さ
れた被照合パターンの量子化された基準パターンに対す
る整合性を評価するとしている。
【0008】即ち、状態種別ごとに、状態種別が一致す
る量子化単位の数を求め、これを状態種別の数で平均化
するに際して、状態種別に重み付けを行っているので、
量子化された被照合パターンの量子化された基準パター
ンに対する整合性を評価するに際して、信頼性の高い評
価結果を得ることができる。
【0009】なお、例えば、量子化単位の数が相対的に
多い状態種別については、重み付け係数を相対的に小さ
い値、量子化単位の数が相対的に少ない状態種別につい
ては、重み付け係数を相対的に大きい値にすると良い。
【0010】具体的には、例えば、量子化された基準パ
ターンにおける同一の状態種別の量子化単位の数の割合
の逆数を重み付け係数として使用すると良い結果を得る
ことができる。
【0011】
【実施例】以下、図1〜図8を参照して、本発明の一実
施例について、量子化単位の状態種別を白及び黒の2種
類とする場合を例にして説明すると共に、本発明の一実
施例の使用例について説明する。
【0012】本発明の一実施例・・図1〜図4 図1は本発明の一実施例を示すフローチャートであり、
本実施例では、まず、画素を量子化単位とされた基準パ
ターンの画像データから白画素の数及び黒画素の数を集
計する(ステップS1)。
【0013】次に、同一色の画素の重み付け係数Gを、
G=全画素の数/同一色の画素の数と定義し、白画素の
重み付け係数GW(=全画素の数/白画素の数)及び黒
画素の重み付け係数GB(=全画素の数/黒画素の数)
を求める(ステップS2)。
【0014】次に、被照合パターンと基準パターンとを
比較して、一致する白画素の数及び一致する黒画素の数
をそれぞれ求める(ステップS3)。
【0015】次に、各色の画素の一致度Pを、各色の一
致する画素の数×各色の画素の重み付け係数Gと定義
し、白画素の一致度PW(=一致する白画素の数×GW
及び黒画素の一致度PB(=一致する黒画素の数×GB
を求める(ステップS4)。
【0016】そして、被照合パターンの基準パターンに
対する一致度Zを、白画素の一致度PW及び黒画素の一
致度PBを状態種別の数(=2)で平均化した値、即
ち、Z=(白画素の一致度PW+黒画素の一致度PB)/
2と定義し、この一致度Zを求め、被照合パターンの基
準パターンに対する整合性を評価する(ステップS
5)。
【0017】このようにして、本実施例においては、被
照合パターンの基準パターンに対する整合性を評価する
ことができるが、更に、図2〜図4を参照して、本実施
例の適用例について説明する。
【0018】図2は画像化された基準パターンの一例を
示しており、この基準パターンは、全画素数を100画
素(横10画素×縦10画素)とし、かつ、状態種別を
白、黒の2種類としており、白画素を81画素(全画素
に占める割合=81%)、黒画素を19画素(全画素に
占める割合=19%)としている。
【0019】また、図3は画像化された被照合パターン
の一例を示しており、この被照合パターンは、全画素数
を100画素(横10画素×縦10画素)とし、かつ、
白画素を100画素(全画素に占める割合=100
%)、黒画素を0画素(全画素に占める割合=0%)と
している。
【0020】また、図4は画像化された被照合パターン
の他の例を示しており、この被照合パターンは、全画素
数を100画素(横10画素×縦10画素)とし、か
つ、白画素を0画素(全画素に占める割合=0%)、黒
画素を100画素(全画素に占める割合=100%)と
している。
【0021】この例に本実施例を適用する場合には、ま
ず、図2に示す基準パターンにおける白画素の数及び黒
画素の数を集計し、白画素の重み付け係数GW及び黒画
素の重み付け係数GBを求める。
【0022】ここに、白画素の数は81画素、黒画素の
数は19画素であるから、白画素の重み付け係数G
Wは、GW=全画素の数/白画素の数=100/81とな
り、黒画素の係数GBは、GB=全画素の数/黒画素の数
=100/19となる。
【0023】そこで、図3に示す被照合パターンの図2
に示す基準パターンに対する整合性を評価する場合に
は、図3に示す被照合パターンと図2に示す基準パター
ンとを比較して、一致する白画素の数及び一致する黒画
素の数を求め、白画素の一致度PW及び黒画素の一致度
Bを求める。
【0024】この場合、一致する白画素の数は81、一
致する黒画素の数は0個となるので、白画素の一致度P
Wは、PW=一致する白画素の数×白画素の重み付け係数
W=81×(100/81)=100%となり、ま
た、黒画素の一致度PBは、PB=一致する黒画素の数×
黒画素の重み付け係数GB=0×(100/19)=0
%となる。
【0025】次に、図3に示す被照合パターンの図2に
示す基準パターンに対する一致度Zを求める。この場
合、この一致度Zは、Z=(白画素の一致度PW+黒画
素の一致度PB)/2=(100+0)/2=50%と
なる。
【0026】ここに、図3に示す被照合パターンの図2
に示す基準パターンに対する整合性の評価のしきい値
(判断基準)を、例えば、80%とすれば、図3に示す
被照合パターンは、図2に示す基準パターンとは整合し
ない、即ち、図3に示す被照合パターンは、図2に示す
基準パターンとは一致しないとする妥当な評価を行うこ
とができる。
【0027】ちなみに、従来のパターンマッチング方法
で判断すると、パターンの一致度は81%、不一致度は
19%となり、図3に示す被照合パターンは、図2に示
す基準パターンと一致すると評価されてしまう。
【0028】また、図4に示す被照合パターンの図2に
示す基準パターンに対する整合性を評価する場合におい
ても、図4に示す被照合パターンと図2に示す基準パタ
ーンとを比較して、一致する白画素の数及び一致する黒
画素の数を求め、白画素の一致度PW及び黒画素の一致
度PBを求める。
【0029】ここに、一致する白画素の数は0個、一致
する黒画素の数は19個となるので、白画素の一致度P
Wは、PW=一致する白画素の数×白画素の重み付け係数
W=0×(100/81)=0%となり、また、黒画
素の一致度PBは、PB=一致する黒画素の数×黒画素の
重み付け係数GB=19×(100/19)=100%
となる。
【0030】次に、図4に示す被照合パターンの図2に
示す基準パターンに対する一致度Zを求める。この場
合、この一致度Zは、Z=(白画素の一致度PW+黒画
素の一致度PB)/2=(0+100)/2=50%と
なる。
【0031】ここに、図4に示す被照合パターンの図2
に示す基準パターンに対する整合性の評価のしきい値
を、例えば、80%とすれば、図4に示す被照合パター
ンは、図2に示す基準パターンとは整合しない、即ち、
図4に示す被照合パターンは、図4に示す基準パターン
とは一致しないとする妥当な評価を行うことができる。
【0032】ちなみに、従来のパターンマッチング方法
で判断すると、パターンの一致度は19%、不一致度は
81%となり、図4に示す被照合パターンは、図2に示
す基準パターンと一致しないと評価され、この場合に
は、たまたま、本実施例を適用した場合と同一の結論を
得ることができる。
【0033】このように、本実施例によれば、基準パタ
ーンが偏ったパターンの場合、例えば、状態種別が白と
黒の2種であり、白を状態種別とする画素の数が81
%、黒を状態種別とする画素が19%である場合におい
て、被照合パターンの画素が全て白である場合、従来例
の場合と異なり、この被照合パターンは、基準パターン
とは一致しないとする妥当な評価を行うことができる。
【0034】即ち、本実施例によれば、画像化された被
照合パターンの画像化された基準パターンに対する整合
性を評価するに際して、信頼性の高い評価結果を得るこ
とができる。
【0035】本発明の一実施例の使用例・・図5〜図8 図5〜図8は本発明の一実施例の使用例を説明するため
の図であり、本発明の一実施例は、例えば、物体の位置
決めに使用することができる。
【0036】ここに、図5は基準パターン・データを得
るための手順を説明するための図であり、図中、1は基
準となる位置に固定された物体、2は物体1に形成され
た位置決め用のパターン、3は光源、4はCCDカメラ
である。
【0037】この使用例においては、まず、物体1に形
成された位置決め用のパターン2を含む物体1の面をC
CDカメラ4によって撮像してなる量子化画像5をメモ
リ上に展開する。
【0038】次に、メモリ上に展開された量子化画像5
から、基準パターンの位置、範囲を決定すると共に、白
画素の重み付け係数GW及び黒画素の重み付け係数GB
求め、これらのデータを基準パターン・データ6として
保存する。
【0039】ここに、図6は、このようにして位置、範
囲を決定された基準パターンを示しており、横方向の
「1’、2’・・・7’」は画素の横軸(X軸)方向の
座標、縦方向の「1’、2’・・・7’」は画素の縦軸
(Y軸)方向の座標を示している。
【0040】したがって、たとえば、図6上、左上の画
素の座標は(1’、1’)、左下の画素の座標は
(1’、7’)、右上の画素の座標は(7’、1’)、
右下の画素の座標は(7’、7’)となる。
【0041】次に、物体1を取り除き、物体1に代わ
り、位置決めを行う物体を固定して、その物体の位置決
め用のパターンを含む面をCCDカメラ4により撮像し
て量子化してなる画像をメモリ上に展開する。
【0042】ここに、図7は、この場合に得られる量子
化画像の一例を示しており、横方向の「1、2・・・1
0」は画素の横軸(X軸)方向の座標、縦方向の「1、
2・・・10」は画素の縦軸(X軸)方向の座標を示し
ている。
【0043】したがって、たとえば、図7上、左上の画
素の座標は(1、1)、左下の画素の座標は(1、1
0)、右上の画素の座標は(10、1)、右下の画素の
座標は(10、10)となる。
【0044】次に、パターンマッチング処理を行うが、
図8は、このパターンマッチング処理の方法を説明する
ための図であり、このパターンマッチング処理工程にお
いて、本発明の一実施例が使用される。
【0045】なお、図8において、Aは、図7に示す位
置決めを行う物体の量子化画像において、(1、1)か
ら(1、2)、(1、3)・・・(3、1)、(3、
2)・・・というような個々の画素を順次、サンプリン
グしたデータを示している。
【0046】また、A’は、図6に示す基準パターンに
おいて、(1’、1’)から(1’、2’)、(1’、
3’)・・・というような個々の画素を順次、サンプリ
ングしたデータを示している。
【0047】即ち、まず、図7に示す位置決めを行う物
体の量子化画像の先頭位置を(1、1)とし、図7に示
す位置決めを行う物体の量子化画像の先頭位置と、図6
に示す基準パターンの先頭位置(1’、1’)とを重ね
合わせる。
【0048】そして、図7に示す位置決めを行う物体の
量子化画像と、図6に示す基準パターンの画像とを、相
対位置が同一の画素ごとに比較して、白画素及び黒画素
のそれぞれについて、一致する画素の数を集計する。
【0049】次に、この集計から、白画素の一致度PW
(一致する白画素の数×白画素の重み付け係数GW)及
び黒画素の一致度PB(一致する白画素の数×白画素の
重み付け係数GB)を求める。
【0050】そして、更に、図7に示す量子化画像のう
ち、図6に示す基準パターンと照合された部分の図6に
示す基準パターンに対する一致度Z([白画素の一致度
W+黒画素の一致度PB]/2)を求め、このデータを
マッチングデータ7として保存する。
【0051】以後、図7に示す位置決めを行う物体の量
子化画像の先頭位置を(1、1)→(1、2)→・・・
→(2、1)→(2、3)→・・・のように、1単位ず
つずらして、図7に示す位置決めを行う物体の量子化画
像の全領域について、マッチングデータ7を得るように
する。
【0052】そして、基準パターンを入手した位置と、
一致度Zの最も高い位置との差分を補正データとし、位
置決めを行う物体を移動することで、この物体を正確な
位置、即ち、物体1を固定した位置に位置決めすること
ができる。
【0053】このパターンマッチング方法を使用した位
置決め方法は、具体的には、たとえば、半導体装置の製
造工程の1つであるワイヤボンディング工程に適用する
ことができる。
【0054】即ち、リードフレームと、リードフレーム
に固定されたチップ上のパッドとをボンディングする場
合、あらかじめ、リードフレームとチップあるいはチッ
プ上の特徴的なパターンの形状を基準パターンとして作
成しておき、ボンディングを行うチップを固定されたリ
ードフレームと、基準パターンとの整合をとることで、
ボンディングを行うチップを固定されたリードフレーム
を適切な位置に位置決めすることができる。
【0055】また、本発明の一実施例は、半導体装置の
製造工程において、工程進行の判断に使用することがで
きる。
【0056】たとえば、チップをステージにペースト等
で貼り付ける場合に、チップを押し付けていくが、この
場合、あらかじめ、基準パターンとして規定されたチッ
プの外周部分(たとえば、少なくとも2辺など、条件を
指定しておく)をペーストがはみ出したときに、貼り付
け工程が終了したと判断することができる。
【0057】また、本発明の一実施例は、半導体装置の
製造工程において、品質検査(品質評価)に使用するこ
とができる。
【0058】たとえば、モールドされたパッケージに捺
印された型番などが、製品として出荷できるものである
かどうかについて、基準パターンと、捺印されたものと
を比較する(整合度を見る)ことで品質評価を行うこと
ができる。
【0059】その他、本発明は、、音声の波長の強弱や
高低を捕えて行う音声の識別など、広い技術範囲に適用
することができる。
【0060】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、状態種
別ごとに、状態種別が一致する量子化単位の数に所定の
重み付け係数を乗し、その結果を状態種別の数で平均し
た値により、量子化された被照合パターンの量子化され
た基準パターンに対する整合性を評価するとしているの
で、信頼性の高い評価結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すフローチャートであ
る。
【図2】本発明の一実施例の適用例を説明するための図
(基準パターンの一例を示す図)である。
【図3】本発明の一実施例の適用例を説明するための図
(被照合パターンの一例を示す図)である。
【図4】本発明の一実施例の適用例を説明するための図
(被照合パターンの他の例を示す図)である。
【図5】本発明の一実施例の使用例を説明するための図
(基準パターン・データを得るための手順を説明するた
めの図)である。
【図6】本発明の一実施例の使用例を説明するための図
(基準パターンを示す図)である。
【図7】本発明の一実施例の使用例を説明するための図
(位置決めを行うべき物体のパターン形成面の量子化画
像の一例を示す図)である。
【図8】本発明の一実施例の使用例を説明するための図
(パターンマッチング処理の方法を説明するための図)
である。
【符号の説明】
(図5) 1 基準となる位置に固定された物体 2 位置決め用のパターン 3 光源 4 CCDカメラ 5 量子化画像 6 基準パターン・データ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 23/50 S

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】量子化された被照合パターンと、量子化さ
    れた基準パターンとを比較し、状態種別ごとに、状態種
    別が一致する量子化単位の数を求め、状態種別ごとに、
    状態種別が一致する量子化単位の数に所定の重み付け係
    数を乗し、その結果を状態種別の数で平均した値によ
    り、前記量子化された被照合パターンの前記量子化され
    た基準パターンに対する整合性を評価することを特徴と
    するパターンマッチング方法。
  2. 【請求項2】量子化単位の数が相対的に多い状態種別に
    ついては、前記所定の重み付け係数を相対的に小さい
    値、量子化単位の数が相対的に少ない状態種別について
    は、前記所定の重み付け係数を相対的に大きい値にする
    ことを特徴とする請求項1記載のパターンマッチング方
    法。
  3. 【請求項3】前記所定の重み付け係数は、各状態種別に
    ついて、量子化単位の全数に対する各状態種別の量子化
    単位の数の割合の逆数であることを特徴とする請求項1
    記載のパターンマッチング方法。
  4. 【請求項4】リードフレームと、このリードフレームに
    固定されたチップ上のパッドとをボンディングする場合
    において、請求項1、2又は3記載のパターンマッチン
    グ方法を使用して、チップを固定されたリードフレーム
    を位置決めする工程を含んでいることを特徴とする半導
    体装置の製造方法。
  5. 【請求項5】チップを所定の位置に接着剤で貼り付ける
    場合において、請求項1、2又は3記載のパターンマッ
    チング方法を使用し、チップの所定の外周部分からペー
    ストがはみ出したときに、貼り付け工程が終了したと判
    断する工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
  6. 【請求項6】請求項1、2又は3記載のパターンマッチ
    ング方法を使用して、パッケージ面にプリントされた印
    が基準の印と整合するか否かを判断する工程を含んでい
    ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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