JP2954498B2 - 電子部品の接合部位置推認方法 - Google Patents

電子部品の接合部位置推認方法

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JP2954498B2
JP2954498B2 JP7023004A JP2300495A JP2954498B2 JP 2954498 B2 JP2954498 B2 JP 2954498B2 JP 7023004 A JP7023004 A JP 7023004A JP 2300495 A JP2300495 A JP 2300495A JP 2954498 B2 JP2954498 B2 JP 2954498B2
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藤 嘉 洋 近
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の接合部の位
置を認識する方法に係り、とくに接合部を撮像して得た
画像データを処理することにより接合部の位置を推認す
る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】たとえば集積回路を回路基板に実装する
場合、半田付けにより接合を行う。この場合、集積回路
のリードピンが正確に回路基板の回路パターンの位置に
接合される必要がある。したがって、半田付けが良好に
行われたことだけでなく、回路基板の回路パターン上に
リードピンが正確に重なった状態で接合される必要があ
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ここにおいて、半田付
けで形成される半田盛りは、半田の量および固化過程い
かんによって種々の形状および表面状態を示すものであ
り、撮像したときに得られる画像データは必ずしも位置
認識に適したものとはならない。すなわち、リードピン
の先端とか側部輪郭が検出できないこともある。
【0004】本発明は上述の点を考慮してなされたもの
で、画像処理の手法を用いて電子部品の接合部位置を正
確に推認することができる方法を提供するものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため、本
発明では、請求項1記載の、電子部品のリードを撮像し
て画像データを取り込み、この画像データをしきい値を
用いて2値化データに変換し、この2値化データに基づ
き前記電子部品のリードにおける所定部分についての外
接矩形座標を検出し、この外接矩形座標を基準にして前
記電子部品のリードにおける他の部分の位置を推認する
電子部品の接合部位置推認方法、請求項2記載の、請求
項1記載の方法における前記電子部品のリードにおける
所定部分として、該電子部品のリード基端部を選択し、
前記他の部分として該電子部品のリード先端部を選択す
ることにより、該リードの先端部の位置を推認する電子
部品の接合部位置推認方法、および請求項3記載の、請
求項1記載の方法における前記しきい値は、前記画像デ
ータにおける輝度値ヒストグラムに基づき定めるように
した電子部品の接合部位置推認方法、を提供するもので
ある。
【0006】
【作用】請求項1記載の構成により、電子部品のリード
から取り込んだ画像データをしきい値を用いて2値化デ
ータに変換する。そして、この2値化データ中の所定の
接合部について外接矩形座標を求める。この外接矩形座
標を求めた電子部品のリードにおける所定部分の位置か
ら電子部品のリードにおける他の部分の位置を計算によ
り求め、推認する。
【0007】請求項2記載の構成により、電子部品のリ
ード基端部を電子部品のリードにおける所定の部分と
し、他の部分として電子部品のリード接合部を選択し、
該リード先端部の位置を推認する。
【0008】請求項3記載の構成により、電子部品のリ
ードから取り込んだ画像データを2値化するためのしき
い値を、画像データの輝度値ヒストグラムに基づいて定
める。
【0009】
【発明の効果】請求項1記載の構成によれば、電子部品
のリードにおける所定部分についての外接矩形座標を求
め、この外接矩形座標を基にして電子部品のリード各部
の位置を推認するため、電子部品が既知のものである限
り、電子部品のリードの所定部を適切に選択することに
より電子部品のリード全体を正確かつ簡単に知ることが
できる。
【0010】請求項2記載の構成によれば、電子部品の
うちでも半田に埋没することもなく認識しやすい基端部
を基準にして電子部品のリード先端部の位置を推認する
ため、的確にリード先端部の位置を割り出すことができ
る。
【0011】請求項3記載の構成によれば、画像データ
を2値化する際に用いるしきい値を画像データの輝度値
ヒストグラムに基づいて定めるため、2値化すべき画像
データに最適なしきい値を選択することができる。
【0012】
【実施例】図1(a)、(b)、(c)および(d)
は、本発明の基礎をなす内容を示したもので、集積回路
ICのリードを回路基板に接合した部分を撮像する状態
と、撮像により得られた原画像ならびにその処理結果
を、2つの異った接合状態を並べて示したものである。
第1の接合状態を図における左側に、第2の接合状態を
図における右側に示している。
【0013】この図1(a)に示すように、集積回路I
Cの側部から外方に突出し先端が回路基板に当接したリ
ードを半田によって回路基板に接合した状態が、CCD
カメラにより撮像される。図1(a)の左、右両図を比
較してみると、第1の接合状態を示す左図では半田形状
が小さいのに対して、第2の接合状態を示す右図では半
田が左右に長く延び出しており、とくに図示右側のリー
ド先端部に対応する部分は半田が余分に延び出ている。
【0014】図1(b)に、撮像された原画像が示され
ている。これは、集積回路ICのリードを上方から撮像
したため、リードの水平部分からの反射光が撮像され、
リードの斜めになった部分は反射光が少ないから画像と
しては現れていない。そして、図1(b)の左右両図を
対比すると、左図ではリード先端が明確に現れているの
に対し、右図ではリード先端から右方向に延び出した半
田にリード先端が埋没していて、リード先端を明確に示
してはいない。
【0015】図1(c)は、図1(b)における原画像
の中心部を、その長手方向に沿って輝度値を調べたもの
である。輝度値は、所定の輝度範囲につき0ないし25
5までの256段階に分けており、所定範囲を越える大
輝度値は255段階目で代表させている。したがって、
255段階目に多数の画素が分布しているかのような状
態となっている。
【0016】このようにリード上の位置に対応して輝度
値が分布していると、リード先端部で輝度変化が大きく
変化している左図では、しきい値を用いて図1(d)に
示すように2値化すればリード先端位置を知ることがで
きる。これに対してリード先端位置でも輝度値があまり
変化しない右図では、輝度値を基にして同様に2値化し
てもリード先端位置を知ることはできない。
【0017】図2(a)、(b)、(c)および(d)
は、本発明における画像データの処理内容を示したもの
である。まず図2(a)は、図1(a)と同一画像であ
る。そして、図2(a)の原画像をしきい値を用いて2
値化すると、図2(b)に示す画像となる。この図2
(b)の画像は、図2(a)の画像に比べてノイズが減
少した画像となっている。
【0018】この2値化された画像上の特定部位、ここ
では集積回路のリード基端部に相当する図示左側に独立
したほぼ方形の画像から、図2(c)に示すような外接
矩形座標(フィレ座標)を検出する。
【0019】集積回路のリード基端部は、図1(a)に
示したように半田付け後も露出しており、このため図1
(b)および図2(a)に示した原画像で見ても輪郭形
状の明確な画像として撮像される。
【0020】そこで、このリード基端部のフィレ座標を
検出すれば、集積回路の全体形状に対する、あるいは集
積回路のリード全体に対する各部位置の基準位置を知る
ことができる。図2(c)は、このフィレ座標の設定を
行った状態を示している。
【0021】そして、この設定されたフィレ座標に基づ
き、図2(d)に示すようにオフセット量を決定してリ
ード位置を決定する。オフセット量は、集積回路を予め
測定しておくか、集積回路の寸法データを調べておくこ
とにより得られる。
【0022】このオフセット量決定により、図2(d)
の左図では原画像でも明確に現れていたリード先端部に
相当するリード位置の決定が行われるし、右図では上下
向きおよび左向きの4個の矢印により示されるように、
半田に埋没していたリード先端部の位置が決定される。
【0023】図3は、図2(b)における2値化処理を
行うために用いられた、しきい値の決定に用いられる輝
度値ヒストグラムを示している。このヒストグラムは、
たとえば図2(a)に示した画像データに含まれる全画
素を、0ないし255までの256段階の輝度値別に振
り分けたときの画素数分布を示したものである。
【0024】このヒストグラムにおいて、基板等の背景
を示す輝度の範囲を0ないし128段階目までの輝度範
囲とし、それ以上の129段階目から255段階目まで
の輝度範囲をリードおよび半田を示す輝度範囲に設定し
て、128段階目をしきい値とする。しきい値が、背景
の輝度分布において多数の画素を含む32段階目ないし
70段階目のレベルよりも遥かに高い128段階目に設
定されているため、このしきい値を用いて2値化を行え
ば、背景のノイズ成分が除去された2値化画像が得られ
る。
【0025】上記実施例では、集積回路のリード先端の
位置検出の例を説明したが、リードの側部などの位置に
ついても同様の手法で検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(a)、(b)、(c)および(d)は、
本発明の基礎をなす内容を示した説明図および過程図。
【図2】図2(a)、(b)、(c)および(d)は、
本発明の一実施例における各ステップを示す画像データ
処理過程図。
【図3】図3は、図2(b)の2値化に使用したしきい
値を決定するための原画像の輝度値ヒストグラムを示し
た図。
【符号の説明】
IC 集積回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01L 23/50 G06F 15/62 405Z H05K 3/34 512 15/70 350B

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子部品のリードを撮像して画像データを
    取り込み、 この画像データをしきい値を用いて2値化データに変換
    し、 この2値化データに基づき前記電子部品のリードにおけ
    る所定部分についての外接矩形座標を検出し、 この外接矩形座標を基準にして前記電子部品のリードに
    おける他の部分の位置を推認する電子部品の接合部位置
    推認方法。
  2. 【請求項2】請求項1記載の方法において、 前記電子部品のリードにおける所定部分として、該電子
    部品のリード基端部を選択し、前記他の部分として該電
    子部品のリード先端部を選択することにより、該リード
    の先端部の位置を推認する電子部品の接合部位置推認方
    法。
  3. 【請求項3】請求項1記載の方法において、 前記しきい値は、前記画像データにおける輝度値ヒスト
    グラムに基づき定めるようにした電子部品の接合部位置
    推認方法。
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